「substrate interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, the maximum oxygen concentration at a position of the grown silicon nitride layer 10 with at least 10 nm from an interface with the substrate becomes 5×10^20 atom/cm^3.例文帳に追加

成長された窒化シリコン層１０の基板４との界面から少なくとも厚さ１０ｎｍの部分の最大酸素濃度は５×１０^^20原子／ｃｍ^3 以下となる。 - 特許庁

To prevent the contamination of an interface in the fabrication of an integrated circuit on an insulating substrate and to increase the reliability of the obtained integrated circuit and the improvement of a yield in fabricating the integrated circuits.例文帳に追加

絶縁基板上での集積回路の作製において、界面の汚染を防ぎ、また、得られる集積回路の信頼性を高め、歩留りの向上を目的とする。 - 特許庁

To provide a highly reliable composite substrate capable of preventing peeling or deformation on an interface between different type ceramic materials or different type ceramic substrates, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

異種セラミック材料または異種セラミック基板の界面における剥離や変形を防止し、信頼性に優れた複合基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To realize practical use of an oxide thin film by growing the oxide thin film with superior crystallinity on a silicon substrate and preventing the generation of an interface SiO_2 layer.例文帳に追加

酸化物誘電体薄膜を電子デバイスとして実用化するために、結晶性良くＳｉ基板上に成長させる、界面ＳｉＯ_２層の発生を抑えること。 - 特許庁

From the front surface of the p-type semiconductor region 3 to an interface between the n-type epitaxial layer 2 and the substrate 1, a groove 12 having a lattice-like plane shape is formed.例文帳に追加

ｐ型半導体領域３の表面から、ｎ型エピタキシャル層２と基板１との界面にまで達し、かつ平面形状が格子状をなす溝１２を形成する。 - 特許庁

While the close contact condition is maintained, ultraviolet irradiation is carried out from the main substrate 10 side, thereby a silicon oxide film is formed on the joining interface to firmly fix both substrates.例文帳に追加

この密着状態を保持したまま、主基板１０側から紫外線を照射すると、接合界面にシリコン酸化膜が形成され、両基板が強固に固着する。 - 特許庁

A controller 4 is provided on the substrate 2, is provided with a plurality of terminals 30, performs an interface processing with the outside and can control a nonvolatile semiconductor memory.例文帳に追加

コントローラ４は、基板２上に設けられ、複数の端子３０を有し、外部とのインタフェース処理を行うとともに不揮発性半導体メモリを制御することが可能である。 - 特許庁

To provide a toner cartridge in which an IC chip of the toner cartridge can be always in contact with the body side interface substrate even when a bottle rotates during replenishing toner.例文帳に追加

画像形成装置におけるトナー補給時のボトル回転時でもトナーカートリッジのＩＣチップと本体側インターフェース基板が常時接触可能となるトナーカートリッジを提供する。 - 特許庁

The optical interface socket is provided with a light-emitting element which converts an electric signal to an optical signal and a light-receiving element which converts an optical signal to an electric signal instead of the optical substrate.例文帳に追加

光インタフェースソケットは、光基板の代わりに、電気信号を光信号に変換する発光素子、及び光信号を電気信号に変換する受光素子を備える。 - 特許庁

Oxygen peak density at an interface portion between the nitride semiconductor substrate 10 and the electrode 20 is ≥29 atom%, and also carbon peak density is ≤11 atom%.例文帳に追加

窒化物半導体基板１０と電極２０との界面部分における酸素ピーク濃度が２９原子％以上で、且つ炭素ピーク濃度が１１原子％以下である。 - 特許庁

Additionally, the resist film 12 having lower exposure sensitivity near the interface to the semiconductor substrate than that of other sections, such as an image-reversible positive resist, is adopted as the resist film 12.例文帳に追加

また、レジスト膜１２として、半導体基板との界面近傍の露光感度が他の部分よりも低いもの（例えばイメージリバーサル可能なポジレジスト）を採用する。 - 特許庁

A silicon oxynitride film 4 as a lower interface film 4 is formed on a silicon substrate 1, and an Hf aluminate film is formed as a high dielectric-constant gate electrode 5 on the silicon oxynitride film 4.例文帳に追加

シリコン基板１上に下部界面層４としてのシリコン酸窒化膜４を形成し、その上に高誘電率ゲート電極５としてのＨｆアルミネート膜を形成する。 - 特許庁

The interface position between the silicon dioxide film and a silicon substrate can be specified using the thickness of the silicon dioxide film evaluated by spectroscopic ellipsometry after forming the silicon dioxide film.例文帳に追加

二酸化シリコン膜を成膜した後に分光エリプソメトリーで評価した二酸化シリコンの膜厚を用いて、二酸化シリコン膜とシリコン基板の界面位置を特定できる。 - 特許庁

Consequently, the maximum oxygen concentration in the portion of the grown silicon layer 10 of at least 10 nm in thickness from the interface with the substrate 4 becomes ≤5×1018 atoms/cm3.例文帳に追加

成長された多結晶シリコン層１０の基板４との界面から少なくとも厚さ１０ｎｍの部分の最大酸素濃度は５×１０^18原子／ｃｍ^3 以下となる。 - 特許庁

To form an interface between oxide film/silicon carbide having a small flat band shift voltage when a metal-oxide film-semiconductor (MOS) structure is formed using a silicon carbide substrate.例文帳に追加

炭化珪素基板を用いて金属−酸化膜−半導体(MOS)構造を形成する際に、フラットバンドシフト電圧の小さい良好な酸化膜/炭化珪素界面を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR EVAPORATING METAL GATE ON HIGH-K DIELECTRIC FILM, METHOD FOR IMPROVING INTERFACE BETWEEN HIGH-K DIELECTRIC FILM AND METAL GATE, AND SUBSTRATE TREATMENT SYSTEM例文帳に追加

ｈｉｇｈ−Ｋ誘電膜上に金属ゲートを蒸着する方法及び、ｈｉｇｈ−Ｋ誘電膜と金属ゲートとの界面を向上させる方法、並びに、基板処理システム - 特許庁

The protective thin film coating may reduce moisture penetration from the bulk molding compound or the interface between the molding compound and the die or substrate surfaces.例文帳に追加

保護薄膜コーティングは、バルク成形複合物からの又は成形複合物とダイ表面又は基板表面との間の界面からの水分浸透を低減することができる。 - 特許庁

The nitride semiconductor is grown on a different type substrate, to form a growth interface within the nitride semiconductor, and thereafter a unit nitride semiconductor is obtained by a wire-saw.例文帳に追加

異種基板上に窒化物半導体を成長させ、窒化物半導体内に成長界面を形成し、その後、ワイヤーソーにより単体の窒化物半導体を得る。 - 特許庁

For the semiconductor device, an interface oxidation layer 102, a gate insulating film 104, and a gate electrode 107 are prepared in order on the superior surface of its semiconductor substrate 101.例文帳に追加

半導体装置では、半導体基板１０１の上面上に、界面酸化層１０２、ゲート絶縁膜１０４及びゲート電極１０７が順に設けられている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can suppress introduction of nitrogen atom to an interface layer and a high-permittivity insulating film lower layer portion, and a substrate processing apparatus.例文帳に追加

界面層および高誘電率絶縁膜下層部への窒素原子の導入を抑制することができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置の提供。 - 特許庁

A phosphorus-doped polysilicon film is used for an emitter electrode, so emitter resistance based upon a natural oxidation film on the interface between the emitter electrode and a silicon substrate is reducible.例文帳に追加

エミッタ電極に燐ドープポリシリコン膜を用いるので、エミッタ電極とシリコン基板の界面の自然酸化膜に起因するエミッタ抵抗を低減することができる。 - 特許庁

To provide a thermally conductive substrate having high bonding strength and high thermal conductivity by preventing an air layer along an interface between a thermally conductive sheet and a heat sink metal from being left behind.例文帳に追加

熱伝導シートと放熱用金属板の界面における空気層の残存を防止し、接合強度が高く、高熱伝導性を有する熱伝導性基板を提供する。 - 特許庁

The substrate treating device is mechanically divided into each processing block of an indexer block 1, a bake block 2, a resist coating block 3, a development processing block 4, an interface block 5, and an inspection block IB.例文帳に追加

基板処理装置は、インデクサブロック１、バークブロック２、レジスト塗布ブロック３、現像処理ブロック４、インターフェイスブロック５、検査ブロックＩＢに各処理ブロックに機械的に区分される。 - 特許庁

To provide a laminated material used for an insulating substrate, which has a good property of solder joint and can prevent cracking and peeling at a joint interface surface.例文帳に追加

絶縁基板に用いられる積層材であって、はんだ接合性が良好であり、接合界面での割れや剥離の発生を防止できる積層材を提供すること。 - 特許庁

An isolating oxide film 32 is provided, which is formed so that the interface with an active region 34 extends at an angle of 45°±10° to a cleavage plane of a Si substrate 30.例文帳に追加

活性領域３４との境界面が、シリコン基板３０の劈開面方向に対して４５°±１０°の方向に延在するように形成された分離酸化膜３２を備える。 - 特許庁

Although many minute airspaces 5 are interposed at the interface of the crystal layer 4 and a base substrate 3, since the transmission of transposition from the base substrate 3 is controlled by the existence of the air spaces 5, the transposition density of the crystal layer 4 is reduced.例文帳に追加

結晶層４と下地基板３との界面には多数の微細な空隙５を介在することになるが、該空隙５の存在により、下地基板３からの転位の伝搬が抑制されるので、結晶層４の転位密度は低下する。 - 特許庁

Therefore, a silicon interface level (Qss) near the channel separation area 29 on a front surface of the n-type silicon substrate increases, and holes that are a minority carriers inside the n-type silicon substrate are extinguished in the area.例文帳に追加

したがって、上記Ｎ型シリコン基板の表面におけるチャネル分離領域２９近傍のシリコン界面準位(Ｑss)が増大し、Ｎ型シリコン基板内の少数キャリアである正孔が上記領域において消滅する。 - 特許庁

To offer a stable manufacturing process for providing an antireflective organic substrate which is improved in interface adhesion between a substrate, a hard coat and an antireflective layer, and excellent in scratch resistance and antireflection.例文帳に追加

基材、ハードコートおよび反射防止層の各界面の密着性が改良され、耐擦傷性能および反射防止性能に優れた反射防止性有機基材を提供するにあたり、安定した製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

Accordingly, a silicon interface state (Qss) in the vicinity of the channel isolation region 29 on the surface of the n-type silicon substrate increases, and holes or minority carriers in the n-type silicon substrate disappear in the region.例文帳に追加

したがって、上記Ｎ型シリコン基板の表面におけるチャネル分離領域２９近傍のシリコン界面準位(Ｑss)が増大し、Ｎ型シリコン基板内の少数キャリアである正孔が上記領域において消滅する。 - 特許庁

As a result of it, when passing through or after having passed though the interface of the low surface tension solution, since the surface tension applied to a front surface of the substrate W is small, the pattern formed in the substrate W is prevented from being collapsed.例文帳に追加

その結果、低表面張力溶液の界面を通過または通過した後に、基板Ｗの表面に作用する表面張力は小さいので、基板Ｗに形成されているパターンが倒壊するのを防止できる。 - 特許庁

Void parts 12, each of which has a cyclic structure 13 of causing optical diffraction at the interface, are formed in a substrate 11 and a cyclic structure 15 of causing optical diffraction on a part or all of the surface of the substrate 11 is formed.例文帳に追加

光回折を起こす周期構造１３を界面に有する空隙部１３を基材１１の内部に形成するとともに、基材１１の表面の一部又は全部に光回折を起こす周期構造１５を形成する。 - 特許庁

To provide a substrate treating apparatus which can form an excellent film by suppressing oxygen concentration increase of a substrate interface when performing a process of forming a film of Epi-SiGe or the like by supplying a Ge-containing gas.例文帳に追加

本発明は、Ge含有ガスを供給してEpi−SiGe等の成膜処理をする場合に、基板界面の酸素濃度上昇を抑え、良好な膜を形成することができる基板処理装置を提供することを課題としている。 - 特許庁

A silicon substrate 101 is selectively etched by RIE (Reactive Ion Etching) using a silicon oxide layer 104 as a mask to form a through-hole 106 reaching one surface of the silicon substrate 101 (an interface with a buried oxide layer 102).例文帳に追加

酸化シリコン層１０４をマスクとしたＲＩＥにより、シリコン基板１０１を選択的にエッチングすることで、シリコン基板１０１の一方の面（埋め込み酸化層１０２との界面）に到達する貫通孔１０６を形成する。 - 特許庁

In the ceramic-metal compound substrate and its manufacturing method, voids in the junction interface of a semiconductor mounting portion on a metal plate in junction with the main surface of the ceramic substrate is made to be 1.5% or lower for the area ratio.例文帳に追加

セラミックス−金属複合回路基板及びその製造方法において、セラミックス基板の主面上に接合した金属板上の半導体搭載部分の接合界面におけるボイドを面積率で１．５％以下とする。 - 特許庁

The metal part 2a of the substrate 2 is dissolved by immersing the substrate 2 in a dissolving liquid such as phosphoric acid to form a rugged surface comprising the interface 2b between the metal part 2a having a projecting face for every crystal and the alumina 5.例文帳に追加

次に、リン酸等の溶解液に基板２を浸漬して基板２の金属部分２ａを溶解することにより、結晶毎に凸面を有する金属部２ａとアルミナ５との境界面２ｂから成る凹凸面を形成する。 - 特許庁

To provide a composite material for an electrical and electronic component, which keeps high adhesiveness between a metal substrate and an insulation film even when a portion including an interface between the metal substrate and the insulation film has been subjected to a working process such as a stamping process.例文帳に追加

金属基材と絶縁皮膜との界面を含めた箇所で打ち抜き加工等の加工を施しても金属基材と絶縁皮膜との密着性が高い状態を保つ電気電子部品用複合材料を提供する。 - 特許庁

A functional material is brought into contact with the substrate surface cyclic structure 15, thereby, structure color development due to the substrate surface cyclic structure 15 is suppressed and the structure color developed by the void part interface cyclic structure 13 is made readable.例文帳に追加

この基材面周期構造１５に機能材を接触させることで、基材面周期構造１５による構造色の発現を抑制して、空隙部界面周期構造１３により発現する構造色を読み取り可能とする。 - 特許庁

By irradiating the plasma derived from a process gas which at least contains a gas having an oxygen atom on a surface of an insulating film set on the substrate for the electronic device, the base film is formed in an interface between the insulating film and the substrate for the electronic device.例文帳に追加

電子デバイス用基材上に配置された絶縁膜の表面に、少なくとも酸素原子含有ガスを含む処理ガスに基づくプラズマを照射して、該絶縁膜と電子デバイス用基材との界面に下地膜を形成する。 - 特許庁

Related to an interface position IP1, that gives/receives a substrate W among a plurality of transfer robots 30, a substrate-holding part 51 is made movable by an operation of an air cylinder 53 within a range, corresponding to the size of other processing units arranged in a laminate.例文帳に追加

複数の移載ロボット３０同士の基板Ｗの授受を担うインタフェースポジションＩＰ１において、基板支持部５１を、積層配置された他の処理ユニットのサイズに応じた範囲で、エアシリンダ５３の動作にて可動にする。 - 特許庁

In a cleaning and heating block 15a of an interface block 15, a substrate W before an exposure treatment is conveyed by a sixth center robot CR6 and the substrate W after an exposure treatment is conveyed by a seventh center robot CR7.例文帳に追加

インターフェースブロック１５の洗浄加熱ブロック１５ａにおいて、露光処理前の基板Ｗが第６のセンターロボットＣＲ６により搬送され、露光処理後の基板Ｗが第７のセンターロボットＣＲ７により搬送される。 - 特許庁

The organic semiconductor device 100 comprises: a substrate 106 having a first thermal expansion coefficient; and the organic semiconductor material 102 coupled to the substrate 106 at an interface 110 therebetween.例文帳に追加

有機半導体デバイス１００が、第１の熱膨張係数を有する基板１０６、および前記基板１０６との間の界面１１０において前記基板１０６に組み合わせられた有機半導体材料１０２を備えている。 - 特許庁

An ion source containing a group 13 metal and an ion source containing nitrogen are continuously supplied to a liquid layer formed in the interface between a substrate and a compound adjacent to the substrate, and the ion sources are allowed to react in the liquid layer.例文帳に追加

基板と該基板と隣接する化合物との界面に形成される液層に、第１３族金属を含有するイオン源と窒素を含有するイオン源とを連続的に供給し、前記液層内でイオン源を反応させる。 - 特許庁

To provide a MOS hetero structure wherein structure defects in semiconductor substrates are decreased, or no structure transition layer exists near an interface between an insulation film on a semiconductor substrate and the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板中の構造欠陥が低減されたＭＯＳ型ヘテロ構造、或いは、半導体基板上の絶縁膜における半導体基板との界面の近傍に構造遷移層が存在しないＭＯＳ型ヘテロ構造を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is characterized in that the deuterium concentration in the neighborhood of the interface between with the gate electrode of the gate insulating film 3 is ≥1×10^17 cm^-3 and that the deuterium concentration in the neighborhood of the interface between with the silicon substrate of the gate insulating film is larger than the deuterium concentration in the neighborhood of the interface between with the gate electrode.例文帳に追加

ゲート絶縁膜３のゲート電極との界面近傍における重水素濃度が１×１０^１７ｃｍ^−３以上であり、かつゲート絶縁膜のシリコン基板との界面近傍における重水素濃度はゲート電極との界面近傍における重水素濃度よりも大きいことを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a laminated substrate for manufacturing a substrate without any void and blister at the connection interface in the laminated substrate after connection heat treatment with high productivity and yield, by performing a washing process before joining a material substrate, and then optimizing a drying process.例文帳に追加

材料基板の接合前に洗浄工程を行い、次に行う乾燥工程を適正化することにより、接合基板の接合界面の接合強度を向上させて、結合熱処理後の貼り合せ基板の結合界面にボイド不良やブリスター不良のない基板を高い生産性と歩留りで製造する貼り合せ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁