「substrate interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To improve quality of an interface between a high dielectric gate insulating film and silicon substrate, thereby improving characteristics of MISFET (Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor).例文帳に追加

高誘電体ゲート絶縁膜およびシリコン基板との界面を高品質化して、ＭＩＳＦＥＴの特性向上を図る。 - 特許庁

In the substrate processing apparatus, a stocker device, an indexer block, a processing block and an interface block are arranged in the order.例文帳に追加

基板処理装置においては、ストッカー装置、インデクサブロック、処理ブロックおよびインターフェースブロックがこの順で並ぶように配置される。 - 特許庁

A gap is formed along an interface between the element isolation insulating film and the semiconductor substrate from a circumference line of the active region.例文帳に追加

活性領域の外周線から、素子分離絶縁膜と半導体基板との界面に沿って隙間が形成されている。 - 特許庁

The signal processing device includes a two-dimensional image generation means (32) of forming a differential interface image of the surface of the silicon carbide substrate.例文帳に追加

信号処理装置は、炭化珪素基板表面の微分干渉画像を形成する２次元画像生成手段（３２）を有する。 - 特許庁

To provide an integrated circuit device with an interface, which can be mounted on either sides of a substrate, and to provide an electronic apparatus with it.例文帳に追加

基板の両面いずれにも実装可能なインターフェース回路を備えた集積回路装置及び電子機器を提供すること。 - 特許庁

A high dielectric constant material layer is formed on the surface of the substrate 1 and the electric field direction of the interface is shifted from a horizontal direction.例文帳に追加

あるいは、基板１表面に高誘電率物質層を形成して界面の電界方向を水平方向からずらす。 - 特許庁

The memory interface circuits (4, 5) are dividedly arranged along both edge sides starting from one corner part of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の一つのコーナー部を基点とする両側の縁辺に沿って、前記メモリインタフェース回路が分割配置されている。 - 特許庁

To realize improvements in MISFET characteristics by increasing the quality of an interface between a high-dielectric gate insulated film and a silicon substrate.例文帳に追加

高誘電体ゲート絶縁膜およびシリコン基板との界面を高品質化して、ＭＩＳＦＥＴの特性向上を図る。 - 特許庁

To provide an integrated circuit device with an interface circuit, which can be mounted on either of both surfaces of a substrate, and an electronic apparatus.例文帳に追加

基板の両面いずれにも実装可能なインターフェース回路を備えた集積回路装置及び電子機器を提供すること。 - 特許庁

This enables flatness to be obtained at the interface between the (100) Si substrate and NiSi polycrystalline film with (111) orientation.例文帳に追加

これによって、（１００）Ｓｉ基板と（１１１）配向のＮｉＳｉ多結晶膜との界面平坦性を確保することができる。 - 特許庁

An SPP wave which spreads along the interface of an insulating layer 14 and a metal stripe 15 generates a career in a semiconductor substrate 11.例文帳に追加

絶縁層１４と金属ストライプ１５との界面を伝播するＳＰＰ波は、半導体基板１１でキャリアを発生させる。 - 特許庁

A hydrophilic portion 8a is formed at least at a part of the interface between the gas diffusion layer substrate 8 and the conductive covering layer 6.例文帳に追加

ガス拡散層基材８と導電性被覆層６との界面の少なくとも一部に、親水部８ａを有している。 - 特許庁

In addition, the water-repellent coat 36 is formed so as to cover the interface 35 between the film 32 and a glass substrate of the lens 13.例文帳に追加

さらに、撥水コート３６は塗膜３２とレンズ１３のガラス基材との境界３５を覆い隠すように形成されている。 - 特許庁

To obtain a powder coating material composition without causing the deterioration of adhesive strength due to permeation of water to a substrate- coating film interface.例文帳に追加

基材−塗膜界面への水分の浸透による付着力の低下が起きない粉体塗料組成物を提供する。 - 特許庁

A frangible region exists in the donor substrate at a designated depth, and a thin layer is prepared between the frangible region and a joint interface.例文帳に追加

脆弱領域がドナー基板の所定深さに在り、脆弱領域と結合界面との間に薄い層が設けられる。 - 特許庁

Projections are formed on the substrate, to regulate the alignment direction of the liquid crystal on the interface into two or more different directions.例文帳に追加

この構成において、基板上に突起を設けて界面での液晶の配向方位を2つ以上の異なる方向に規定する。 - 特許庁

Furthermore, a mounting treatment unit 14m which constitutes the substrate treatment equipment is connected to the interface simulator 30 of the simulator 2.例文帳に追加

さらに、シミュレータ２のインタフェース模擬装置３０に基板処理装置を構成する実装処理ユニット１４ｍを接続する。 - 特許庁

The thin-film chip is manufactured by aggregating the gold nanorod on a liquid-liquid interface and transferring it to the substrate b surface.例文帳に追加

この薄膜チップは液−液界面に金ナノロッドを凝集させ、これを基板表面に移し取ることにより作製される。 - 特許庁

The concentration of fluorine near the interface with the silicon substrate 1 preferably is 1×10^19 cm^-3 or more.例文帳に追加

ここで、シリコン基板１との界面付近におけるフッ素の濃度は１×１０^１９ｃｍ^−３以上であることが好ましい。 - 特許庁

To provide a method for evaluating insulation in an interface between a substrate and a buffer layer without destroying a semiconductor epitaxial crystal wafer.例文帳に追加

半導体エピタキシャル結晶ウエハを破壊することなく、基板とバッファ層との界面の絶縁性を評価する方法の提供。 - 特許庁

To form a gate insulation film containing nitrogen where nitrogen concentration near the interface to a gate electrode at the opposite side is increased while suppressing an increase in nitrogen concentration near the interface to the silicon substrate of a gate insulation film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜のシリコン基板との界面付近の窒素濃度の増加を抑制しつつ、逆側のゲート電極との界面付近の窒素濃度を高めた窒素含有ゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

Since the tightly adhering layer 2 is installed between the substrate 1 and the transparent electrode layer 3, and adhesiveness of the both at the interface is improved, and generation of peel-off and cracks at the interface is prevented.例文帳に追加

基板１と透明電極層３との間に密着層２が設けられているので、両者の界面における密着性が向上し、界面における剥離やクラックの発生が防止される。 - 特許庁

The semiconductor device includes a source region 10 and a drain region 11 that adjoin a silicon substrate 1 to form a Schottky junction, and an insulating layer provided to cover both of a portion where an interface of the silicon substrate 1 and the source region 10 is exposed and a portion where an interface of the silicon substrate 1 and the drain region 11 is exposed.例文帳に追加

シリコン基板１と接してショットキー接合を形成するソース領域１０,ドレイン領域１１と、上記シリコン基板１とソース領域１０との境界が露出する部分およびシリコン基板１とドレイン領域１１との境界が露出する部分を被覆するように設けられた絶縁層を備える。 - 特許庁

This substrate processor is provided with a carrying robot, in charge of the carriage of a substrate, from an indexer ID via the processing part group 20 performing the resist application processing to an interface IF and the carrying robot in charge of the carriage of the substrate, from the interface IF via the processing part group 40 (50) performing the development processing to the indexer ID.例文帳に追加

インデクサＩＤからレジスト塗布処理を行う処理部群２０を経てインターフェイスＩＦまでの基板の搬送を担当する搬送ロボットと、インターフェイスＩＦから現像処理を行う処理部群４０（５０）を経てインデクサＩＤまでの基板の搬送を担当する搬送ロボットとが設けられている。 - 特許庁

A MOS transistor comprises a substrate, an active region within the substrate, an interface oxide thin film on the substrate, a WSiN_y gate dielectric thin film formed on the interface oxide thin film, and a gate separated from the active region by the WSiN_y gate dielectric thin film.例文帳に追加

本発明のＭＯＳトランジスタは、基板と、前記基板内にあるアクティブ領域と、前記基板上にある界面酸化物薄膜と、前記界面酸化物薄膜上に形成されるＷＳｉＮ_ｙゲート誘電体薄膜と、前記ＷＳｉＮ_ｙゲート誘電体薄膜によって前記アクティブ領域から分離されるゲートとを含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a substrate for a power module, that can efficiently produce a substrate for a power module with high strength of an interface between a ceramic substrate and an aluminum layer composed of aluminum or an aluminum alloy and with excellent reliability, and provide the substrate for the power module.例文帳に追加

セラミックス基板とアルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム層との界面強度が高く信頼性に優れたパワーモジュール用基板を効率よく生産することができるパワーモジュール用基板の製造方法、及び、パワーモジュール用基板を提供する。 - 特許庁

The front face substrate and the back face substrate are sealed through a sealing layer 33 at peripheral parts, and a diffusion layer including components of the sealing layer is formed on the plate side of the interface between at least one of the front face substrate and the back face substrate and the sealing layer.例文帳に追加

前面基板および背面基板は封着層３３を介して周辺部が封着され、前面基板および背面基板の少なくとも一方と封着層との界面の上記板側に、封着層の成分を含有した拡散層が形成されている。 - 特許庁

Each interface substrate 200 is provided with two connectors, and two HDD caddies 100 are loaded on one interface substrate.例文帳に追加

筐体８１０の横幅が従来と同じサイズであるとすると、従来と同じ枚数のインタフェース基板２００が装着されるが、本発明に係るインタフェース基板２００は、２個のコネクタを備えており、インタフェース基板１枚当たり２個のＨＤＤキャディ１００を装着することができる。 - 特許庁

To suppress the degradation of the withstand voltage and reliability of a gate insulating film resulting from C (carbon) in a SiC substrate and an increase of a charge amount in the gate insulating film, and to suppress an increase of interface level density on an interface between the gate insulating film and the SiC substrate.例文帳に追加

ＳｉＣ基板中のＣ（炭素）に起因するゲート絶縁膜の絶縁耐圧や信頼性の低下、及びゲート絶縁膜中の電荷量の増大を抑制し、更に、ゲート絶縁膜／ＳｉＣ基板界面における界面準位密度の増大を抑制する。 - 特許庁

Next, fluorine is self-controllingly diffused to the light reception part and an interface between a silicon substrate 1 in a reading region and an oxide film by applying annealing at 550-850°, whereby unsaturated bonds on the surface of the silicon substrate 1 are saturated, and an interface level is stabilized.例文帳に追加

次に、５５０度〜８５０度のアニールを施すことにより、自己制御的に受光部及び読み出し領域のシリコン基板１と酸化膜との界面にフッ素を拡散させることにより、シリコン基板１表面の不飽和結合を飽和し界面淮位を安定化する。 - 特許庁

Before the gate electrode 5 is formed, a gate insulating film 4 having a nitrided region at its inside from the interface between the film 4 and a semiconductor substrate 1 or the gate electrode 5 is formed by adding nitride to the interface between an aluminum oxide layer which becomes the insulating film 4 and the substrate 1 or electrode 5.例文帳に追加

ゲート電極５の形成前に、ゲート絶縁膜４となる酸化アルミニウム層の半導体基板１との界面側またはゲート電極５との界面側に窒素を添加し、その界面から内部の領域が窒化されたゲート絶縁膜４を形成する。 - 特許庁

The display device comprises an array substrate 1, an image processing IC 2, a host PC 3, an interface part 4 for exchanging a signal between the host PC 3 and the image processing IC 2, and an interface part 5 for exchanging a signal between the array substrate 1 and the image processing IC 2.例文帳に追加

表示装置は、アレイ基板１と、画像処理用IC2と、ホストPC３と、ホストPC３と画像処理用IC2との間で信号の受け渡しを行うインターフェース部４と、アレイ基板１と画像処理用IC2との間で信号の受け渡しを行うインターフェース部５とを備えている。 - 特許庁

To provide a substrate inspection system capable of inspecting the whole picture data transmitting and receiving function efficiently as for a facsimile control substrate which is not provided with an option interface for inspection without using a real device, a dedicated interface device and a computer system.例文帳に追加

実機や専用インターフェース装置及びコンピュータ装置を用いることなく、検査用オプションインターフェースを備えていないファクシミリ制御基板についても画像データ送受信機能全体を効率的に検査することができる基板検査システムを提供する。 - 特許庁

To provide an interface substrate, an inspection system, and an inspecting method, for making it possible to inspect a nonstandard memory element mounted on a standard substrate for inspection in an actual operating environment.例文帳に追加

標準検査基板に非標準メモリ素子を装着して実際の動作環境で実装検査できるようにするインタフェース基板、検査システム及び検査方法を提供する。 - 特許庁

The ESD protection device further comprises, at an interface between the seal layer and the ceramic substrate, a reaction layer containing a reaction product produced by reaction between constitutive materials of the seal layer and ceramic substrate.例文帳に追加

また、シール層とセラミック基材の界面に、シール層とセラミック基材の構成材料の反応により生成した反応生成物を含む反応層を備えた構成とする。 - 特許庁

A coating part for forming a coating film and a heating device for heating a substrate are provided to both sides of a substrate conveyance path linearly extending from the carrier block side to the side of an interface part, respectively.例文帳に追加

キャリアブロック側からインターフェイス部側に直線状に伸びる基板搬送路の両側に夫々、塗布膜を形成するための塗布部と基板を加熱するための加熱装置とを設ける。 - 特許庁

The second recording structure includes a second recording layer disposed between the substrate and the cap layer, and Nb_2O_5 interface layers disposed between the substrate and the cap layer and between the second recording layers.例文帳に追加

第２記録構造が、基板およびキャップ層間に配置される第２記録層と、基板およびキャップ層間ならびに第２記録層間に配置されるＮｂ_２Ｏ_５インターフェース層とを含む。 - 特許庁

To provide a technique capable of reducing damages on a joining interface due to peeling of a substrate in a film transfer method for transferring a film by executing joining between films or between a film and a substrate.例文帳に追加

膜同士または膜と基板の接合を行って膜を転写する膜転写方法において、基板剥離による接合界面へのダメージを低減する技術を提供することである。 - 特許庁

The silicon substrate 16 other than a joined interface to the glass substrate 11 and a connection area to the island-like body 12 (junction area altogether) is removed by, for example, sand blasting or the like.例文帳に追加

ガラス基板１１との接合界面及び島状体１２との接続領域（併せて接合領域）以外のシリコン基板１６を、例えばサンドブラスト処理などにより除去する。 - 特許庁

To provide a substrate joining method or apparatus which enables joining between comparatively firm substrates or between on-substrate films in a state where bubbles on a joining interface are almost eliminated or reduced.例文帳に追加

接合界面の気泡を殆ど無くした或いは低減した状態で、比較的強固な基板または基板上膜間の接合を可能とする基板接合方法ないし装置を提供する。 - 特許庁

Then, when the insulating film is formed, a fluorine terminating part including Si-F bond is formed near the interface between the insulating film and the Si substrate with the F retained on the Si substrate.例文帳に追加

この時、絶縁膜の形成と共に、Ｓｉ基板上に残留したＦにより、絶縁膜と、Ｓｉ基板との界面近くに、Ｓｉ−Ｆ結合を含むフッ素終端部が形成される。 - 特許庁

The planarity between the surface of a testing system (20) such as a bottom face of a chuck (16) (or substrate 17) and an interface (28) or an inspection head (22) is checked before testing a substrate.例文帳に追加

チャック（１６）（または基板（１７））と、インターフェース（２８）または検査ヘッド（２２）の底面のような、試験システム（２０）の表面との間の平面性をチェックした後、基板を試験する。 - 特許庁

The substrate W subjected to exposure treatment by the exposure device is held by a hand H13 of the interface transport mechanism IFR1 and then transported to a substrate mounting section PASS9.例文帳に追加

露光装置により露光処理された基板Ｗがインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１３により保持されて露光装置から基板載置部ＰＡＳＳ９に搬送される。 - 特許庁

To remove an etching product adsorbed onto a semiconductor substrate substantially thoroughly in an interface cleaning process for removing an oxide film on the semiconductor substrate by dry etching.例文帳に追加

ドライエッチング処理により半導体基板上の酸化膜を除去する界面清浄化処理において、半導体基板上に吸着させたエッチング生成物をほぼ確実に除去可能にする。 - 特許庁

The group III nitride light emitting device is grown on a textured substrate to reduce the amount of total internal reflection at the interface between the substrate and a group III nitride layer.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物発光素子はテクスチャ形成された基板上で成長し、基板とＩＩＩ族窒化物層との間の境界面における内部全反射量を低減するようにする。 - 特許庁