「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(57ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor device is provided with a semiconductor substrate or a conductive layer (first conductive layer) 101, a second conductive layer 107, a catalyst layer 106 and a conductor 104.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板または導電層（第１の導電層）１０１と、第２の導電層１０７と、触媒層１０６と、導電体１０４とを備えている。 - 特許庁

A TJS laser element 1 comprises a GaAs substrate 2, a first clad layer 3, an active layer 4, a second clad layer 5, a GaAs contact layer 6, and electrodes 7a and 7b.例文帳に追加

ＴＪＳレーザ素子１は、ＧａＡｓ基板２、第１クラッド層３、活性層４、第２クラッド層５、ＧａＡｓコンタクト層６、及び電極７ａ，７ｂを有する。 - 特許庁

A laminated resin sheet is disclosed in which a specific embossable layer (A layer) and a specific substrate layer (B layer) are formed respectively from two kinds of polyester based embossable resins each having a different composition.例文帳に追加

特定のエンボス付与可能層（Ａ層）、及び特定の基材層（Ｂ層）は、組成の異なる２種のポリエステル系樹脂からなるエンボス付与可能な積層樹脂シートを用いる。 - 特許庁

The ceramic package 10 for a light-emitting device is provided with a ceramic substrate 11, a metallized layer 42, a first nickel layer 43, a second nickel layer 44, a reflection metal layer 45, etc.例文帳に追加

本発明の発光素子用セラミックパッケージ１０は、セラミック基板１１、メタライズ層４２、第１ニッケル層４３、第２ニッケル層４４、反射金属層４５などを備える。 - 特許庁

A semiconductor laser device has a lower clad layer 3, an active layer 4, an upper clad layer 5, a contact layer 9 and an insulated film 6 on the surface of a semiconductor substrate 2.例文帳に追加

半導体レーザ装置は、半導体基板２の上面に、下側クラッド層３、活性層４、上側クラッド層５、コンタクト層９、絶縁膜６が生成されている。 - 特許庁

An ion implanted layer 14 is formed by implanting the first substrate 11 with ion and the buffer layer is removed by using the insulating layer as a self stop layer.例文帳に追加

また、バッファー層１３から第１の基体１１内にイオンを注入し、イオン注入層１４を形成し、バッファー層を絶縁層をセルフストップ層として除去する。 - 特許庁

An undoped GaAs layer 2 is formed on a GaAs substrate 1, and at least, a thallium layer functioning as a surfactant is attached as thick as a monatomic layer on the undoped GaAs layer 2.例文帳に追加

GaAs基板１上に形成されたアンドープGaAs２を形成し、アンドープGaAs２上にサーファクタントとして機能するタリウムを少なくとも１原子層分の厚みで付着させる。 - 特許庁

The chip 10 is constituted by stacking an n-type clad layer 22, an active layer 24, a p-type clad layer 26, and a p-type contact layer 28 in this order on an n-type GaN substrate 20.例文帳に追加

チップ１０は、ｎ型クラッド層２２、活性層２４、ｐ型クラッド層２６、ｐ型コンタクト層２８がこの順にｎ型ＧａＮ基板２０に積層して構成される。 - 特許庁

The organic EL element 1 has a light-transmitting substrate 2, a transparent conductive layer 3, an organic light-emitting layer 4, a cathode layer 5, an adhesive layer 6, and a metal foil 7 which are laminated in sequence.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１は、順次積層された透光性基材２、透明導電層３、有機発光層４、陰極層５、接着層６及び金属箔７を備える。 - 特許庁

The self-adhesive film includes an adhesive layer having thickness corresponding to 5 to 50% of the total thickness of the adhesive film on the surface layer of a substrate film, and a releasing agent layer on the rear layer.例文帳に追加

基材フィルムの表層に、粘着フィルム全体の厚みの５から５０％の厚みの粘着剤層を備え、裏層に離型剤層を備える自己粘着性フィルム。 - 特許庁

This printed wiring board 1 is provided with: a flexible substrate 10 having flexibility; a rigid substrate 20 formed on the upper and lower surfaces of the flexible substrate 10 and having an insulating layer 22 and a conductor layer 23 laminated; and a blocking layer 30 arranged between the flexible substrate 10 and the rigid substrate 20 and having water-vapor permeability lower than that of the insulating layer 22 of the rigid substrate 20.例文帳に追加

このプリント配線基板１は、可撓性を有するフレキシブル基板１０と、フレキシブル基板１０の上面上および下面上に形成され、絶縁層２２および導体層２３が積層されたリジッド基板２０と、フレキシブル基板１０およびリジッド基板２０の間に配置され、リジッド基板２０の絶縁層２２よりも小さい水蒸気透過度を有する遮断層３０とを備える。 - 特許庁

The display device comprises a liquid crystal cell substrate 109, a plasma cell substrate 104, a dielectric layer 103 that is provided between the liquid crystal cell substrate 109 and the plasma cell substrate 104, a liquid crystal layer 110 that is provided between the liquid crystal substrate 109 and the dielectric layer 103, and plural plasma channels 106 that are provided between the dielectric layer 103 and the plasma cell substrate 104.例文帳に追加

液晶セル基板１０９と、プラズマセル基板１０４と、液晶セル基板１０９とプラズマセル基板１０４との間に設けられた誘電体層１０３と、液晶セル基板１０９と誘電体層１０３との間に設けられた液晶層１１０と、誘電体層１０３とプラズマセル基板１０４との間に設けられた複数のプラズマチャネル１０６とを有する。 - 特許庁

The dye-sensitized solar cell includes a first substrate, a conductive layer formed on the inner surface of the substrate so as to form at least two independent regions, an oxide semiconductor layer formed on one conductive layer and carrying dye, a second substrate facing the first substrate, and an electrolyte layer arranged between the first substrate and the second substrate.例文帳に追加

第一の基板と、その基板の内面に、少なくとも二以上の独立した領域となるように設けられた導電層と、一方の導電層上に設けられた、色素を担持した酸化物半導体層と、前記第一の基板と対向して配置された第二の基板と、前記第一の基板と前記第二の基板との間に配置される電解質層と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

In the deep layer servo system magnetic recording medium having a structure wherein the servo layer is separated from a magnetic recording layer, a thin film layer made of a prescribed material is formed on the non-magnetic substrate to form the thin film magnetic layer between the non- magnetic substrate and the servo layer.例文帳に追加

サーボ層が磁気記録層と分離した構成を有する深層サーボ方式の磁気記録媒体において、非磁性基板上に所定の材料からなる薄膜層を形成することにより、非磁性基板とサーボ層との間に薄膜層を形成した構成とするようにした。 - 特許庁

In the magnetic recording medium provided with the glass substrate, a seed layer and a magnetic layer, the glass substrate is subjected to texture processing and the seed layer is formed by sequentially layering a first seed layer comprising Cr and Ti, a second seed layer comprising Ni and Cr and a third seed layer comprising Ni and Nb.例文帳に追加

ガラス基板、シード層および磁性層を備えた磁気記録媒体において、ガラス基板にテクスチャ加工を施し、シード層は、ＣｒとＴｉからなる第１シード層、ＮｉとＣｒからなる第２シード層、ＮｉとＮｂからなる第３シード層を順次積層したことを特徴とする。 - 特許庁

The method of forming the polysilicon layer comprises (a) a step of preparing a substrate, (b) a step of forming a barrier layer on the substrate, (c) a step of forming a porous layer on the barrier layer, (d) a step of forming an amorphous silicon layer on the porous layer, and (e) a step of carrying out a laser annealing process.例文帳に追加

ポリシリコン層製造方法は、（ａ）基板を設けるステップと、（ｂ）基板上にバリア層を形成するステップと、（ｃ）バリア層上に多孔質層を形成するステップと、（ｄ）多孔質層上にアモルファスシリコン層を形成するステップと、（ｅ）レーザアニールプロセスを行うステップと、を備えている。 - 特許庁

The Hall element comprises a GaAs substrate 101, an InAs layer 102 formed on the GaAs substrate 101, a surface layer 103 formed on the InAs layer 102, a passivation layer 104 formed on the surface layer 103, and electrodes 105 that ohmic-contact the InAs layer 102.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０１と、ＧａＡｓ基板１０１の上に形成されたＩｎＡｓ層１０２と、ＩｎＡｓ層１０２の上に形成された表面層１０３と、表面層１０３の上に形成されたパッシべーション層１０４と、ＩｎＡｓ層１０２とオーミック接触する電極１０５とを備える。 - 特許庁

A semiconductor device 100 includes high frequency wiring 102 formed in a multi-layer wiring layer on a semiconductor substrate and dummy metal 104 formed in a second wiring layer 122b between the semiconductor substrate in the multi-layer wiring layer and a layer with the high frequency wiring 102 thereon.例文帳に追加

半導体装置１００は、半導体基板上の多層配線層中に設けられた高周波配線１０２と、多層配線層中の半導体基板と高周波配線１０２が設けられた層との間の第２の配線層１２２ｂに設けられたダミーメタル１０４とを含む。 - 特許庁

The display medium 12 is configured as a laminated body provided with a substrate 13, an electrode 15, a liquid crystal layer 17, an adhesive layer 32, the light absorbing layer 19, the water-insoluble resin layer 18, the water-soluble resin layer 21 the photoconductive layer 20, an electrode 22, and a substrate 24, in the order.例文帳に追加

表示媒体１２を、基板１３、電極１５、液晶層１７、接着層３２、光吸収層１９、非水溶性樹脂層１８、水溶性樹脂層２１、光導電層２０、電極２２、及び基板２４が、この順に設けられた積層体として構成する。 - 特許庁

An upper dielectric layer 12, an interface layer 13, a recording layer 14, a lower dielectric layer 15 and a reflection layer 16 are sequentially layered from an incident direction of recording and reproducing light on a first substrate 11 and a second substrate 18 is provided thereon via a protective layer 17.例文帳に追加

第１の基板１１上に、記録再生光の入射方向から順に、上層誘電体層１２、界面層１３、記録層１４、下層誘電体層１５、反射層１６が順次積層されて、その上に保護層１７を介して第２の基板１８が設けられる。 - 特許庁

This device comprises: a substrate or a dielectric layer; a photoresist layer formed on the substrate or the dielectric layer while including a plurality of micro grooves; an organic semiconductor layer which has an arrangement, and is formed on the photoresist layer, and arranged according to the arrangement direction of the micro groove of the photoresist layer; and an electrode.例文帳に追加

基板、或いは誘電層と、基板、或いは誘電層上に形成され、複数のマイクログルーブを備えるフォトレジスト層と、配列を有し、前記フォトレジスト層上に形成され、前記フォトレジスト層のマイクログルーブの前記配列方向に従って配列される有機半導体層と電極とからなる。 - 特許庁

The information recording medium includes: a substrate 2, a recording layer 8, a first backing layer 3 formed of a soft magnetic material; and a second backing layer 4 whose compensation temperature is signal reproduction temperature, and the first backing layer 3, the second backing layer 4 and the recording layer 8 are layered in this order on the substrate 2.例文帳に追加

基板２と記録層８と軟磁性体より形成される第１の裏打ち層３と補償温度が信号再生温度である第２の裏打ち層４とを、基板２上に第１の裏打ち層３、第２の裏打ち層４、記録層８の順に積層して設ける。 - 特許庁

The MOS field effect transistor type quantum dot light-emitting element comprises a semiconductor substrate, a gate SiO_2 layer formed on the semiconductor substrate, and a laminated gate electrode layer formed on the gate SiO_2 layer, in which a dope Si layer, Ge layer, and dope Si layer are laminated sequentially.例文帳に追加

ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子は、半導体基板と、該半導体基板上に形成されたゲートＳｉＯ_２層と、該ゲートＳｉＯ_２層上に形成されたドープＳｉ層、Ｇｅ層及びドープＳｉ層を順次積層してなる積層ゲート電極層と、を有する。 - 特許庁

The semiconductor device has: an SOI substrate, where an insulation layer and an island-like silicon layer are laminated successively on a support substrate; a gate insulation layer provided on one surface and side face of the island-like silicon layer; and a gate electrode provided on the island-like silicon layer via the gate insulation layer.例文帳に追加

支持基板上に絶縁層、島状のシリコン層が順に積層されたＳＯＩ基板と、島状のシリコン層の一表面上及び側面に設けられたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層を介して島状のシリコン層上に設けられたゲート電極と、を有する構造とする。 - 特許庁

In the method for fabricating the diamond substrate, an SiC layer is formed on the lower surface of a diamond film layer for preventing the diamond film layer from being deformed in the process of forming the diamond substrate, and then a semiconductor layer is formed on the diamond film layer or directly formed on the lower surface of the SiC layer.例文帳に追加

ダイヤモンド基板を形成する工程でダイヤモンド・フィルム層の変形を防止するためダイヤモンド・フィルム層の下部表面にＳｉＣ層が形成され、次に半導体層がダイヤモンド・フィルム層の上に形成されるか、またはＳｉＣ層の下部表面に直接形成される。 - 特許庁

After carrying out laminating of an positive electrode layer 112, the organic electric field luminescence layer 115, and the negative electrode layer 118 in order on a translucent substrate 111, a protection layer 130 is formed on the translucent substrate 111 containing the negative electrode layer 118, and heat-treating processing is performed in a part of the protection layer 130.例文帳に追加

透光性基板１１１上に陽極層１１２、有機電界発光層１１５、そして陰極層１１８を順に積層した後、陰極層１１８を含む透光性基板１１１上に保護層１３０を形成し、保護層１３０の一部に熱処理を施す。 - 特許庁

The overcoat layer 25 has a flat face on the liquid crystal layer 1 side, where the thickness of the liquid crystal layer 1 between the transmission display region 8 of the TFT substrate 3 and the overcoat layer 25 and the thickness of the liquid crystal layer 1 between the reflection display region 9 of the TFT substrate 3 and the overcoat layer 25 are substantially equal.例文帳に追加

オーバーコート層２５は、液晶層１側に平坦な面を有し、ＴＦＴ基板３の透過表示領域８とオーバーコート層２５との間の液晶層１の厚みと、ＴＦＴ基板３の反射表示領域９とオーバーコート層２５との間の液晶層１の厚みとは略等しい。 - 特許庁

An n-type DBR layer 12 (distribution Bragg reflection layer of first conductivity type), an i-InGaAs optical absorption layer 14 (optical absorption layer) with low carrier concentration, and a p-type InP window layer 16 (semiconductor layer of second conductivity type) are formed in order on an n-type InP substrate 10 (semiconductor substrate).例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１０（半導体基板）上に、ｎ型ＤＢＲ層１２（第１導電型の分布ブラッグ反射層）、低キャリア濃度のｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層１４（光吸収層）、及びｐ型ＩｎＰ窓層１６（第２導電型の半導体層）が順番に形成されている。 - 特許庁

The electrode preferably has an aspect wherein the electrode layer includes an electrode material metal, an aspect having a substrate, the metal silicide-including layer and the electrode layer in this order, or an aspect having the substrate, the metal silicide-including layer, an electrode material metal diffusion prevention layer and the electrode layer in this order.例文帳に追加

電極層が電極材金属を含有する態様、基板と金属シリサイド含有層と電極層とをこの順に有する態様、基板と金属シリサイド含有層と電極材金属拡散防止層と電極層とをこの順に有する態様が好ましい。 - 特許庁

A first buried layer 11 and a second buried layer 12 are formed on a semiconductor substrate SB so that the first buried layer 11 and the second buried layer 12 are located in the prescribed range of a border between the semiconductor substrate SB and an epitaxial layer EL, and moreover, an epitaxial layer EL is formed thereon.例文帳に追加

第１の埋め込み層１１と第２の埋め込み層１２が半導体基板ＳＢとエピ層ＥＬの境界の所定範囲に存在するように、半導体基板ＳＢの上に第１の埋め込み層１１と第２の埋め込み層１２を形成し、さらにそれら上にエピ層ＥＬを積層形成する。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 110, the top clad layer, an active layer, and the bottom clad layer in this order by epitaxial growth so that the bottom clad layer is thicker than the other layer and after the semiconductor substrate 110 is dissolved and removed, the surface of the bottom clad layer is polished and flattened.例文帳に追加

半導体基板１１０上に、下部クラッド層が他の層よりも厚くなるように上部クラッド層と活性層と下部クラッド層とをこの順序でエピタキシャル成長させて形成し、半導体基板１１０を溶解させて除去した後、下部クラッド層の表面を研削して平坦にする。 - 特許庁

The thin film EL element is formed by sequentially stacking, on a glass substrate 1, a lower electrode layer 2, a lower insulation layer 3, the luminescent layer 4, an upper insulation layer 5 and an upper electrode layer 6, and EL light emission 7 of the luminescent layer 4 is outputted through the glass substrate 1.例文帳に追加

この薄膜ＥＬ素子は、ガラス基板１上に、下部電極層２、下部絶縁層３、発光層４、上部絶縁層５および上部電極層６を順次積層することにより形成されており、発光層４のＥＬ発光７はガラス基板１を介して出力される。 - 特許庁

The diameter D2 of an inner layer through-hole 10h provided on the inner layer substrate 10 is made larger than the diameters D1 of the outer layer through-holes 11h provided on the outer layer substrates 11, and a substrate stage parts 20d are provided between the outer layer through-holes 11h and the inner layer through hole 10h.例文帳に追加

そして、外層基板１１に設けられる外層スルーホール１１ｈの直径Ｄ１よりも、内層基板１０に設けられる内層スルーホール１０ｈの直径Ｄ２を大きくするとともに、外層スルーホール１１ｈと内層スルーホール１０ｈとの間に基板段部２０ｄを備える。 - 特許庁

The perpendicular magnetic recording layer includes a substrate, a soft magnetic backing layer provided on the substrate, a magnetic recording layer which is provided on the backing layer and has a perpendicular magnetic anisotropy, and a leakage magnetic field control layer which is provided on the magnetic recording layer and has ferrimagnetism.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体であって、基板と、基板上に設けられた軟磁性裏打ち層と、裏打ち層上に設けられた垂直磁気異方性を有する磁気記録層と、磁気記録層上に設けられたフェリ磁性を有する漏洩磁界制御層とを含んでいる。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor substrate 2, an epitaxial layer 3 formed on the principal plane of the substrate 2, an n-type semiconductor layer 4a and a p-type semiconductor layer 5 formed on the layer 3, and a pn composition plane 6 formed between the layer 4a and the layer 5.例文帳に追加

半導体基板２と、半導体基板２の主面上に形成されたエピタキシャル層３と、エピタキシャル層３に形成されたＮ型の半導体層４ａおよびＰ型の半導体層５と、半導体層４ａと半導体層５との間に形成されたＰＮ接合面６とを有する。 - 特許庁

A 2nd sheet 5 is obtained by disposing a dye image receiving layer 22 and a photosensitive layer 25 with interpose peelable layer 24 and successively disposing a neutralizing layer 27, a white substrate 28, a light shielding layer 29, an adbesive layer 30 and a protective sheet 31 on the dye image receiving layer 22.例文帳に追加

第２シート５は剥離層２４を挟んで染料受像層２２と感光層２５を層設し、染料受像層２２の上に中和層２７，白色支持体２８，遮光層２９，接着剤３０，保護シート３１を順次に層設してある。 - 特許庁

An under cladding layer 2 is formed on a substrate 1, a core layer 3 is formed on the under cladding layer 2, core layer exposure parts 3b with a prescribed pattern are formed in the core layer 3, and an over cladding layer 5 is formed on the core layer 3.例文帳に追加

基板１上にアンダークラッド層２が積層形成され、アンダークラッド層２上にコア層３が形成されているとともに、このコア層３には所定パターンのコア層露光部３ｂが形成され、コア層３上にはオーバークラッド層５が形成されている。 - 特許庁

A soft magnetic backing layer 2 is formed on a nonmagnetic substrate 1; an intermediate layer 5 is formed on the soft magnetic backing layer 2; a magnetic recording layer 6 is formed on the intermediate layer 5; and a protective film 7 and a liquid lubricating layer 8 are formed on the magnetic recording layer 6.例文帳に追加

非磁性基板１上に軟磁性裏打ち層２を形成し、軟磁性裏打ち層２上に中間層５を形成し、中間層５上に磁気記録層６を形成し、磁気記録層６上に保護膜７、液体潤滑層８を形成する。 - 特許庁

As compared to such a case as to form the Ge layer or the Si layer of a single layer as the decoration layer on the glass substrate 1, when the decoration layer is the laminate of the Si layer 2 and the Ge layer 3, electromagnetic waves in the visible region are reflected with higher reflectance.例文帳に追加

ガラス基板１上に、加飾層としてＧｅ層またはＳｉ層を単層で形成した場合と比較すると、加飾層がＳｉ層２とＧｅ層３の積層体である場合は、可視域の電磁波をより高い反射率で反射させる。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device is provided with a lamination structure (resonator) wherein a lower DBR layer 11, a lower spacer layer 12, an active layer 13, an upper spacer layer 14, a current constriction layer 15, an upper DBR layer 16, and a contact layer 17 are stacked on a substrate 10 in sequence.例文帳に追加

基板１０上に、下部ＤＢＲ層１１、下部スペーサ層１２、活性層１３、上部スペーサ層１４、電流狭窄層１５、上部ＤＢＲ層１６およびコンタクト層１７を順に積層した積層構造（共振器）を備える。 - 特許庁

The outer package for the battery includes a substrate layer, barrier layer, anchor layer, sealant layer, and adhesive layer laminated in this order, and the anchor layer and the adhesive layer contains an acid denatured polyolefin resin containing a (meth) acrylic acid ester component.例文帳に追加

基材層、バリア層、アンカー層、シーラント層および接着層がこの順に積層されてなり、前記アンカー層および接着層が、（メタ）アクリル酸エステル成分を含有する酸変性ポリオレフィン樹脂を含むことを特徴とする電池用外装体。 - 特許庁

A half-cut medium density fiber board is used as a substrate, on at least one surface of the substrate a decorative layer is formed, and on the opposite side a moisture-proof layer is formed.例文帳に追加

半裁された中密度繊維板を基材とし、基材の少なくとも片面に化粧層を形成し、反対側に防湿層を形成する。 - 特許庁

A substrate 23 mounted with the light emission layer 24 is made thin by machine grinding (c).例文帳に追加

発光層２４を載置した基板２３を機械研磨により薄くする（（ｃ））。 - 特許庁

The nozzle 23 drops the adhesive on the surface of a lower layer substrate 26.例文帳に追加

ノズル２３は、下層基板２６の表面上に接着剤を滴下させる。 - 特許庁

A gate insulating film 21 is arranged on the glass substrate 2 by covering the active layer 12.例文帳に追加

活性層12を覆ってガラス基板２上にゲート絶縁膜21を設ける。 - 特許庁