「surface type」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

The light from the image display element 12 impinges obliquely on a surface 15b of the plate type part 15 from the surface 15b on the opposite side from the eye 16, and is refracted by the surface 15b to enter the plate type part 15 and then transmitted through a transmission type HOE 17.例文帳に追加

画像表示素子１２からの光は、板状部１５の眼１６と反対側の面１５ｂから面１５ｂに対して斜めに入射し、面１５ｂで屈折して板状部１５内に入り、透過型ＨＯＥ１７を透過する。 - 特許庁

To provide a surface-mounting type electronic component that can be sucked and held satisfactorily by a suction nozzle for sucking by suction force, even if the surface-mounting type electronic component is particularly compact and light, and to provide a method of manufacturing the surface-mounting type electronic component.例文帳に追加

特に小型で軽量の表面実装型電子部品であっても、吸引力で吸着する吸着ノズルにより良好に吸着保持が可能な表面実装型電子部品と、その製造方法を提供する。 - 特許庁

The floating means is constituted by combining a projecting type spherical surface 24A provided on the abutting member 20 and a recessed type spherical surface 12A provided on the supporting member 10 and in slidable contact with the projecting type spherical surface 24A.例文帳に追加

フローティング手段は、当接部材２０に設けられた凸型の球面２４Ａと、支持部材１０に設けられかつ凸型の球面２４Ａに摺動可能に接触される凹型の球面１２Ａとの組合わせによって構成される。 - 特許庁

The electrostatic atomizer includes: a substrate 10; a N-type pattern 3 formed on the surface of the substrate by using an N-type thermoelectric material; and a P-type pattern 4 formed on the surface of the substrate 10 by using a P-type thermoelectric material.例文帳に追加

静電霧化装置は、基板１０と、Ｎ型熱電材料を用いて基板の表面上に形成されたＮ型パターン３と、Ｐ型熱電材料を用いて基板１０の表面上に形成されたＰ型パターン４とを備える。 - 特許庁

First and second n-type semiconductor parts 203a and 203b are provided on the surface of the p-type semiconductor layer 202, while a p-type surface diffusion part 206 is provided between the first and second n-type semiconductors 203a and 203b.例文帳に追加

Ｐ型半導体層２０２の表面部分に、第１および第２Ｎ型半導体部２０３ａ，２０３ｂをすると共に、この第１および第２Ｎ型半導体部２０３ａ，２０３ｂの間に、Ｐ型表面拡散部２０６を備える。 - 特許庁

The optoelectronic device includes a P-type semiconductor substrate, an N-type transparent amorphous oxide semiconductor (TAOS) layer located on a surface of the P-type semiconductor substrate, and a rear electrode on another surface of the P-type semiconductor substrate.例文帳に追加

光電デバイスが、Ｐ型半導体基板と、Ｐ型半導体基板の一表面上に位置するＮ型透明非結晶酸化物半導体（ＴＡＯＳ）層と、Ｐ型半導体基板の他表面上にある後電極とを含む。 - 特許庁

A p-type first base region 2a and a p-type second base region 2b are formed on an upper surface of an n-type source region 4, a source electrode 5 is provided on a lower surface of the n-type source region 4, and a drain electrode 9 is formed on an upper surface of the p-type second base region 2b via an insulating film.例文帳に追加

ｎ型ソース領域４の上面にｐ型第１ベース領域２ａおよびｐ型第２ベース領域２ｂが形成され、該ｎ型ソース領域４の下面にソース電極５が設けられ、ｐ型第２ベース領域２ｂの上面に絶縁膜を介してドレイン電極９が形成されている。 - 特許庁

A rear surface irradiation type image sensor includes a substrate, a rear surface protection layer disposed on a rear surface of the substrate, and a transparent conductive layer disposed on the rear surface protection layer.例文帳に追加

裏面照射型イメージセンサは、基板と、上記基板の裏面上に配置された裏面保護層と、上記裏面保護層上に配置された透明導電層とを備えている。 - 特許庁

To provide a surface-mounting type surface acoustic wave device that can mount surface acoustic wave elements, without having to decrease the area of the surface acoustic wave elements.例文帳に追加

弾性表面波素子の面積を小さくすることなく、複数の弾性表面波素子を搭載することができる表面実装型弾性表面波装置を提供する。 - 特許庁

The solar cell is configured by laminating a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer on the surface of a glass substrate; a plurality of concave and convex parts are formed on the surface of the glass substrate to increase a surface area; and the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer are laminated on the surface of the glass substrate.例文帳に追加

ガラス基板の表面にP型半導体層およびN型半導体層を積層して構成した太陽電池であって、ガラス基板の表面には複数の凹凸が形成され表面積が増大されており、このガラス基板の表面にP型半導体層およびN型半導体層が積層されている。 - 特許庁

To provide a spreader for a water surface-floating type agrochemical composition economically imparting excellent spreadability to the water surface-floating type agrochemical composition and holding the excellent spreadability even when the prepared water surface-floating type agrochemical composition is preserved over a long period and to provide the water surface-floating type agrochemical composition having the characteristics.例文帳に追加

水面浮遊型農薬組成物に優れた拡展性を経済的に付与でき、しかも調製した水面浮遊型組成物を長期間保存したときでも優れた拡展性を保持できる水面浮遊型農薬組成物用拡展剤、及びかかる特性を有する水面浮遊型農薬組成物を提供する。 - 特許庁

A p++ type region 17 of a p-type region having high impurity concentration is formed nearly at the middle part between the n-type regions 8 on the main surface side in the p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ形シリコン基板１内の主表面側においてｎ形領域８間の略中央部に高不純物濃度ｐ形領域たるｐ^++形領域１７が設けられている。 - 特許庁

In the semiconductor device, a p-type MOSFET 25 and an n-type MOSFET 26 are respectively formed in an n-type well region 17 and a p-type well region 18 provided on the surface of a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１表面のｎ型ウェル領域１７及びｐ型ウェル領域１８にはそれぞれｐ型ＭＯＳＦＥＴ２５及びｎ型ＭＯＳＦＥＴ２６が形成されている。 - 特許庁

To provide a selection between an impermeable type and a permeable type, to increase the amount of absorption of the impermeable type in the position of excretion and to increase the permeability of the permeable type to a diaper on its rear surface.例文帳に追加

不透過タイプ・透過タイプを選択でき、不透過タイプでは排泄位置の吸収量がより多く、透過タイプでは裏面側のおむつへの透過性がより高いものとする。 - 特許庁

Thus, it is not necessary to form the P+ type contact layer 17 on a surface of the P type base layer 13 in parallel to the N+ type source layer 18, and the N+ type source layer 18 can be narrowed.例文帳に追加

これによりＰ型ベース層１３の表面にＮ＋型ソース層１８と並列にＰ＋型コンタクト層１７を形成する必要がなくなりＮ＋型ソース層１８の幅を狭くできる。 - 特許庁

After a trench 7 reaching the N^--type drift layer 2 through the N^+-type layer 5 and the P^+-type layer 3 is formed, an N^--type channel layer 8 is formed on the internal surface of the trench 7 using an epitaxial growth.例文帳に追加

そして、Ｎ^+型層５およびＰ^+型層３を貫通してＮー型ドリフト層２に達するトレンチ７を形成し、トレンチ７の内壁面にＮ^-型チャネル層８をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

N+ type diffusion regions 6a-6d as well as P- type diffusion region 5a and the like are formed on the surface and its vicinity of an N- type epitaxial layer 2 on a p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１上のＮ−型エピタキシャル層２の表面およびその近傍にＮ＋型拡散領域６ａ〜６ｄおよびＰ型拡散領域５ａ等が形成されている。 - 特許庁

In the p-type base layer 3, an n-type emitter layer 4 is formed and in a region on the surface of the n-type base layer 1, which is different from the p-type base layer 3, a trench groove 8 is formed.例文帳に追加

そして、ｐ型ベース層３内にはｎ型エミッタ層４が形成され、また、ｎ型ベース層１の表面でｐ型ベース層３と異なる領域にはトレンチ溝８が形成されている。 - 特許庁

A deep N+ type semiconductor layer 2 is high concentration N type impurities selectively from one surface side of an N- type semiconductor substrate having low concentration N type impurities.例文帳に追加

低濃度のＮ型不純物を有するＮ−型半導体基板の一方の表面側から，高濃度のＮ型不純物が選択拡散され，深いＮ＋型半導体層を形成する。 - 特許庁

On the surface side of a semiconductor substrate of a first conductive type (for example, n-type) of a collector region 1, a base region 3 of a second conductive type (for example, p-type) is formed.例文帳に追加

コレクタ領域１とする第１導電形（たとえばｎ形）の半導体基板の表面側に第２導電形（たとえばｐ形）のベース領域３が形成されている。 - 特許庁

A gate electrode is positioned via a gate insulation film on the p-type base, held between the n-type source layer and the n-type drain layer, and a drain electrode is formed on the surface of the p-type anode layer and the n-type drain layer.例文帳に追加

ｎ型ソース層とｎ型ドレイン層の間に挟まれたｐ型ベース上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が位置し、ｐ型アノード層とｎ型ドレイン層の表面にドレイン電極が形成される。 - 特許庁

Then, an N-type epitaxial growth layer 15 is formed on the surface of the P-type substrate, and a P-type diffusion layer 16 is diffused and formed on the P-type first embedded diffusion layer and the P-type second embedded diffusion layer.例文帳に追加

次に、Ｐ型基板の表面上にＮ型エピタキシャル成長層１５を形成し、Ｐ型第一埋込み拡散層とＰ型第二埋込み拡散層との上にＰ型拡散層１６を拡散形成する。 - 特許庁

Grain type, power type, cream type, liquid type or thin sheet type commodity is housed in a thin packaging bag 2 as the distributing commodity preferably, then, the packaging bag 2 is attached to the surface of the advertisement paper 1.例文帳に追加

好ましくは、配布商品として、粒状、粉状、クリーム状、液状あるいは薄いシート状の商品を厚みの薄い包装袋２に収納し、該包装袋２をちらし用紙１の表面に貼着する。 - 特許庁

To prevent falling of a head end part of a blade at the time of wiping a curved surface type window surface by the wiper blade.例文帳に追加

ワイパブレードが曲面状の窓面を払拭するときに、ブレードの先端部が倒れ込むのを防止する。 - 特許庁

The belt type coating surface 25a and the linear coating surfaces 25b are smoothed whereby a smoothed coating surface 26 is formed.例文帳に追加

帯状塗布面２５ａおよび線状塗布面２５ｂは平滑化され、平滑化塗布面２６が形成される。 - 特許庁

To provide a road surface recognition device capable of detecting accurately a road surface by using a scanning type Doppler radar.例文帳に追加

スキャン型のドップラレーダを用いて路面を正確に検出することができる路面認識装置を提供する。 - 特許庁

The main surface of a p-type SiC substrate 1 is tilted from a (0001) Si surface by 10-16°.例文帳に追加

ｐ型ＳｉＣ基板１の主表面は（０００１）Ｓｉ面に対して１０〜１６°を成す面となっている。 - 特許庁

A supporting member to hold the folded bag type storage body 4 is provided on an outer surface of the side surface parts 13, 13.例文帳に追加

折り畳んだ前記袋状収納体４を保持する支持部材を前記側面部13，13の外表面に設けた。 - 特許庁

The reinforcement tab has a joining surface with the substrate at its tip part, and is applied to a surface mounting type connector.例文帳に追加

当該補強タブは先端部分に前記基板との接合面を有し、表面実装型のコネクタに適用する。 - 特許庁

In the method, a cup type grinding tool can be also used for inner surface grinding or outer surface grinding.例文帳に追加

この方法では、内面研削または外面研削のためにカップ型研削工具を使用することもできる。 - 特許庁

SUBSTRATE SURFACE TREATMENT DEVICE AND METHOD, SURFACE CONDUCTION TYPE ELECTRON SOURCE SUBSTRATE AND IMAGE FORMING DEVICE例文帳に追加

基板表面処理装置、基板表面処理方法、表面伝導型電子源基板および画像形成装置 - 特許庁

SURFACE MODIFIED TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, ITS SURFACE TREATMENT, AND CHARGE INJECTION TYPE LIGHT EMITTING DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

表面改質透明導電性膜、その表面処理方法およびそれを用いた電荷注入型発光素子 - 特許庁

In the non-fixing type image receiving sheet SH1, on both front surface and back surface of which uneven surfaces Srp1 and Srp2 are formed.例文帳に追加

表裏のいずれにも凹凸面Ｓｒｐ１、Ｓｒｐ２が形成されている非定着式受像シートＳＨ１。 - 特許庁

In this type of container of the present invention, it is preferable that the outer wall surface of the container is substantially flat curved surface.例文帳に追加

本発明の容器において、容器の外壁面が実質的に平坦な曲面であることが好ましい。 - 特許庁

By using a media sensor, a type of media is determined from a surface condition (a microscopic surface profile) of the media.例文帳に追加

メディアセンサを用いて、メディアの表面状態（微視的な表面形状）からメディアの種類を判別する。 - 特許庁

A noncontact type surface coating monitor for surface includes a plurality of temperature sensors connected to a display.例文帳に追加

ディスプレイに連結された複数の温度センサーを含んでいる、表面用の非接触型表面コーティングモニター。 - 特許庁

A diffraction grating surface on which recessed sections and projecting sections are periodically arranged is formed on the upper surface of an n-type InP substrate 1.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１の上面に、周期的に凹部と凸部とが並ぶ回折格子面を形成する。 - 特許庁

An n-type ZnO buffer layer is formed on the Zn polarity surface of a substrate having the Zn polarity surface (a).例文帳に追加

（ａ）Ｚｎ極性面を備える基板のＺｎ極性面上に、ｎ型ＺｎＯバッファ層を形成する。 - 特許庁

The projection type display device is equipped with interface parts 10c and 10e on the rear surface 2c and side surface 2e of a housing 2.例文帳に追加

筐体２の背面２ｃ、及び側面２ｅには、インターフェイス部１０ｃ，１０ｅがそれぞれ備えられている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a reflection type integrator having high accuracy of the surface profile and low surface roughness.例文帳に追加

表面の形状精度がよく、表面粗さの小さな反射型インテグレータの製造方法を提供する。 - 特許庁

To realize a constant driving across the entire surface of an AC surface discharging type color plasma display panel at high-temperature operation.例文帳に追加

ＡＣ面放電型カラープラズマディスプレイパネルの高温動作時に全面に渡って均一な駆動を実現する。 - 特許庁

The channel region is n-type or i-type, is in contact with a surface of the p-type region, and provided with a first channel region and a second channel region.例文帳に追加

チャネル領域は、ｎ型またはｉ型であり、ｐ型領域の表面に接しており、第１チャネル領域と第２チャネル領域を有している。 - 特許庁

Moreover, a trench 13 is formed in a portion pinched by a p-type base layer 4 and an n-type buffer layer 7 of the surface layer of the n-type drift layer 3.例文帳に追加

また、ｎ型ドリフト層３の表面層のｐ型ベース層４およびｎ型バッファ層７に挟まれた部分にトレンチ１３が設けられている。 - 特許庁

On a P-type silicon substrate 2 are laminated a box layer 3 consisting of silicon oxide, an N^+ type lateral direction conductive layer 4 and an N^- type surface layer 5.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板２上には、酸化シリコンからなるボックス層３、Ｎ^＋型横方向導電層４およびＮ^−型表面層５が積層されている。 - 特許庁

Then, a p-type high-concentration halogen diffusion layer 15 is formed on the surface of the p-type well layer 11 between the n-type channel layer 12 and deep diffusion layer 14.例文帳に追加

そして、ｎ型チャネル層１２とディープ拡散層１４間のｐ型ウェル層１１表面に、ｐ型高濃度ハロ拡散層１５が形成されている。 - 特許庁