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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > surface typeに関連した英語例文

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surface typeの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 14065



例文

In the leg type robot 10, when a sole surface 30 of one foot link 20 makes a front view of the leg type robot, an edge part 31 on the side close to the center line CL of the leg type robot 10 on the sole surface of each foot link 20 is curved in an arc shape toward an inner surface from the sole surface 30.例文帳に追加

脚式ロボット10は、一方の足リンク20の足裏面30が、脚式ロボットを正面視したときに夫々の足リンク20の足裏面における脚式ロボット10の中心線CLに近い側の縁部31が足裏面30から内側面に向かって円弧状に湾曲している。 - 特許庁

A surface mounting process inhibition area 13 where setup of other surface mounting type parts is inhibited is set around surface mounting type parts 10 set upon the solder surface side on the basis of an external shape 11 of parts or the like.例文帳に追加

(a)に示すような半田面側に装着する表面実装型部品10の周囲には、部品外形11等に基づいて、他の表面実装型部品の装着を禁止する表面実装工程禁止領域13を設定する。 - 特許庁

Further, another reflection type polarized light separating element may be provided on the projection surface side of the rod type optical element; and further a 2nd rod type optical element is provided closely on the projection surface side of the rod type optical element and a polarized light converting means may be provided at part of the 2nd rod type element.例文帳に追加

また、ロッド型光学素子の出射面側に別の反射型偏光分離素子を設けてもよく、さらにロッド型光学素子の出射面側に第2のロッド型光学素子を近接させて設けて、第2ロッド型素子の一部に偏光変換手段を設けてもよい。 - 特許庁

In the active layer 3 between the N-type buffer region 4 and the P-type base region 6, the N-type base region 12 is provided, and a gate electrode 9 is provided through a gate insulating film 14 extending from the surface of the N-type base region 12 onto the surface of the P-type base region 6.例文帳に追加

N型バッファ領域4とP型ベース領域6との間の活性層3には、N型ベース領域12が設けられ、N型ベース領域12の表面上からP型ベース領域6の表面上に延在するゲート絶縁膜14を介してゲート電極9が設けられる。 - 特許庁

例文

By interposing the P-type second embedded diffusion layer having a low impurity concentration in the bonding surface between the N-type embedded diffusion layer and the P-type diffusion layer and the bonding surface between the N-type embedded diffusion layer and the P-type embedded diffusion layer having the high impurity concentration, a C-EPI capacitance is reduced.例文帳に追加

N型埋込み拡散層とP型拡散層との接合面、およびN型埋込み拡散層と高不純物濃度のP型埋込み拡散層との接合面に低不純物濃度のP型第二埋込み拡散層を介在させることにより、C−EPI容量が減少する。 - 特許庁


例文

The second conductive (p-type) diffusion region (body region) 2 is formed on the surface side of the first conductive type (n-type, for example), which is used as a drain region 1, and the first conductive type (n-type) source region 3 is formed on the surface side of the diffusion region 2.例文帳に追加

ドレイン領域1とする第1導電形(たとえばn形)の半導体層の表面側に第2導電形(p形)の拡散領域(ボディ領域)2が形成され、その拡散領域2の表面側に第1導電形(n形)のソース領域3が形成されている。 - 特許庁

Further, an n-type buffer layer 3 is selectively formed on the lower main surface of a silicon substrate 1, and an n-type cathode area 6 constituted of n-type semiconductor containing n-type impurity in a comparatively high concentration is selectively formed in the surface of the n-type buffer layer 3.例文帳に追加

また、シリコン基板1の下主面表面内には、n型バッファ層3が選択的に形成され、n型バッファ層3の表面内にはn型不純物を比較的高濃度に含んだn型半導体層で構成されたn型カソード領域6が選択的に形成されている。 - 特許庁

A p^++-type first diffused layer 11 is formed on the surface of an n^--type semiconductor substrate 10 by diffusing a p-type impurity, and an n-type fourth diffused layer 14 shallower than the first diffusion layer 11 is formed on the surface of the substrate 10 by diffusing an n-type impurity.例文帳に追加

N^−型半導体基板10の表面にP型不純物の拡散によって、P^++型の第一拡散層11が形成され、基板10の表面にN型不純物の拡散によって、第一拡散層11より浅いN型の第四拡散層14が形成される。 - 特許庁

To enhance junction strength for an upper surface of a columnar type electrode of the surface processing layer, for preventing oxidation to be formed on the surface of the column type electrode in a semiconductor device called a CSP.例文帳に追加

CSPと呼ばれる半導体装置において、柱状電極の上面に形成される酸化防止用の表面処理層の柱状電極の上面に対する接合強度を強くする。 - 特許庁

例文

To provide a mounted type lens for reverse surface analysis of a semiconductor device, and a reverse surface analysis method such that a substrate integrated type SIL formed on a reverse surface of a semiconductor substrate can be made large in effective radius.例文帳に追加

半導体基板裏面に形成された基板一体型SILの実効半径を大きくすることが可能な裏面解析用搭載型レンズ又は裏面解析方法を提供すること。 - 特許庁

例文

The assembling type seat 26 has an upper surface; a lower surface opposed to the upper surface; a front end; and a rear end opposed to the front end; a first side surface; and a second side surface opposed to the first side surface.例文帳に追加

組立式シート26は、上部表面と、当該上部表面に対向する下部表面と、前端部と、当該前端部に対向する後端部と、第一側面と、当該第一側面に対向する第二側面とを有する。 - 特許庁

On a surface or a rear surface of a label, a composite layer composed of a N type semiconductor material layer and a P type semiconductor material layer or the composite layer composed of the P type semiconductor material layer and the N type semiconductor material layer is laminated to constitute the functional label.例文帳に追加

ラベルの裏面又は表面に、N型半導体材料層とP型半導体材料層の複合層又はP型半導体材料層とN型半導体材料層との複合層を積層して機能性ラベルを構成する。 - 特許庁

A plurality of p-type impurity regions are disposed with equal spacing on the surface of an n-type semiconductor layer, and a first metal layer is provided to form an ohmic contact with the p-type impurity regions on the entire surface and to form a Schottky junction with the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

n型半導体層表面に複数のp型不純物領域と等距離で離間して配置し、全面にp型不純物領域とオーミック接合を形成し、n型半導体層とショットキー接合を形成する第1金属層を設ける。 - 特許庁

An n-type low-resistance layer 35 which is formed of Mg_aZn_1-aO oxide and more loaded with an n-type dopant than the n-type clad layer 32 is provided on the main surface of the n-type clad layer 32 serving as a light extraction surface.例文帳に追加

また、該n型クラッド層32の光取出面側の主表面に、Mg_aZn_1−aO型酸化物により構成され、かつn型クラッド層32よりもn型ドーパントの添加量が多いn型低抵抗層35が設けられてなる。 - 特許庁

The surface layer of an n^--type drift layer located below a recess 20 in a p-type RESURF layer 21 is connected, by migration of SiC, to a part formed on the surface layer of a p-type base region 3 in the p-type RESURF layer 21.例文帳に追加

SiCのマイグレーションによってp型リサーフ層21のうち凹部20の下方に位置するn^-型ドリフト層2の表層部と、p型リサーフ層21のうちp型ベース領域3の表層部に形成された部分とが接続されるようにする。 - 特許庁

This photodetector is constituted by forming an InGaAs layer (i-type) 12 and a p-type InP layer 14 on the surface of an n-type InP substrate 10, a cathode electrode on the backside of the substrate 10, and electrodes (a) and (b) at both ends of the surface of the p-type layer 14.例文帳に追加

n型InP基板10上に、InGaAs層(i層)12、p型InP層14が形成され、n型基板10の裏面にカソード電極が、p型層14の表面の両端に電極a,bが形成されている。 - 特許庁

A plurality of second conductivity-type semiconductor layers 2a and 2b are formed on the surface of a first conductivity-type semiconductor region 1. the surface of the first conductivity-type semiconductor region 1 between the second conductivity-type semiconductor layers 2a and 2b is removed.例文帳に追加

第一導電型半導体領域1表面に複数の第二導電型半導体層2a及び2bを形成し、第二導電型半導体層2a及び2b間の第一導電型半導体領域1表面を除去する。 - 特許庁

A chemical conversion film is formed on the surface of a metallic base material of iron type metal.例文帳に追加

鉄系金属製の金属母材の表面に化成処理被膜を形成する。 - 特許庁

The ink jet printer for printing the outer peripheral surface comprises an ink jet type printer head 10, and a printer head scanning means 20.例文帳に追加

インクジェット式のプリンタヘッド10と、プリンタヘッド走査手段20とからなる。 - 特許庁

The end point of the suction stylus is formed in the shape not closed by the surface of plate type component.例文帳に追加

吸引針の先端は、板状部品の面で塞がれない形状にする - 特許庁

A joy stick type operating key 32 is additionally provided for the back surface of the paddle switch 107.例文帳に追加

さらに、パドルスイッチ107の裏面にジョイスティック型の操作キー32を設けた。 - 特許庁

To provide a surface mounting type chip scale packaging method of an electronic and a MEMS element.例文帳に追加

電子及びMEMS素子の表面実装型チップスケールパッケージング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a surface reproducing type optical recording medium excellent in header reproducing signals.例文帳に追加

ヘッダー再生信号の良好な表面再生型光記録媒体を提供する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF MATERIAL HAVING MICRO RUGGED SURFACE AND ELECTRIC FIELD RADIATION TYPE DISPLAY例文帳に追加

微細表面凹凸形状材の製造方法および電界放射型ディスプレイ - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR DISCRIMINATING NOZZLE TYPE OF NOZZLE EXCHANGER IN SURFACE-MOUNTED MACHINE例文帳に追加

表面実装機におけるノズル交換装置のノズル種類判別方法及び装置 - 特許庁

A low reflection film 46 is provided on the second surface of the n-type InP substrate 32.例文帳に追加

n型InP基板32の裏面上に低反射膜46が設けられている。 - 特許庁

To provide a constant temperature type crystal oscillator for surface mounting with reduced height.例文帳に追加

高さ寸法を小さくした表面実装用の恒温型発振器を提供する。 - 特許庁

The trench 120 elongates from the backside of a p-type collector layer 32 toward the surface side thereof and passes the surface of the p-type collector layer 32 to intrude into a base region 110.例文帳に追加

トレンチ120は、p型コレクタ層32の裏面から表面側に向けて伸び、p型コレクタ層32の表面を通過してベース領域110に侵入している。 - 特許庁

On the surface 1A, an N-type semiconductor layer 2 and a P-type semiconductor layer 3 are sequentially grown epitaxially to form a P-N junction surface 5 which contributes to light emission.例文帳に追加

この表面1A上に、N型半導体層2およびP型半導体層3を順にエピタキシャル成長させて、発光に寄与するPN接合面5が形成されている。 - 特許庁

To provide a surface magnet type synchronous machine excellent in flux weakening control performance.例文帳に追加

弱め磁束制御能力に優れた表面磁石式同期機を提供すること。 - 特許庁

A surface-mounting type component 3 is disposed to attain the object, and has a structure for retaining a surface mount type audio jack 2 against external stresses of a component 4, such as plugs.例文帳に追加

外部からのプラグ等の部品4の応力に対して面付けオーディオジャック2を押さえる構造の面付け部品3を配置することで解決することが出来る。 - 特許庁

To provide a compact surface mounting machine which has a tray type component feeder.例文帳に追加

トレー式部品供給装置を装備したコンパクトな表面実装機を提供する。 - 特許庁

A back surface core 9 is constituted of a C-type core 32 and a center core 33.例文帳に追加

背面コア9は、C形コア32と中心コア33から構成されている。 - 特許庁

CIRCULATION TYPE CUT SLURRY CLEANING DEVICE AND ROAD SURFACE CUTTING METHOD USING IT例文帳に追加

循環式切削泥水浄化装置とその装置を使用した路面切断工法 - 特許庁

The display device 1 is provided with a flat box type cabinet 10 with upper surface opened.例文帳に追加

表示装置1は上面が開口した平箱状の筐体10を有する。 - 特許庁

The first part 17 is allocated over the side surface of the n^--type semiconductor region 2.例文帳に追加

第1の部分17はN^−型半導体領域2の側面上に配置する。 - 特許庁

To provide an image-forming device using a surface conducting type electron emission element.例文帳に追加

表面伝導型電子放出素子を用いた画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide an inverted-pendulum type vehicle which runs stably even when the gradient of the ground contact surface speed is suddenly changed by the movement or the stop of the ground contact surface of the inverted-pendulum type vehicle.例文帳に追加

倒立振子型車両の接地面が移動したり移動を停止したりして対接地面速度の勾配が突然変化する場合でも安定して走行させる。 - 特許庁

The silicon substrate 1 has an n^--type semiconductor region 3 on the side of a first principal surface 1a and an n^+-type semiconductor region 5 on the side of a second principal surface 1b.例文帳に追加

シリコン基板1は、第1主面1a側にn^−型半導体領域3を有し、第2主面1b側にn^+型半導体領域5を有している。 - 特許庁

An auto dope preventing film 34 is formed on a rear surface of the p-type semiconductor substrate 10.例文帳に追加

p型半導体基板10の裏面にオートドープ防止膜34を形成する。 - 特許庁

An n-side electrode 26 is connected to the lower surface of the n-type InP substrate 10.例文帳に追加

n型InP基板10の下面にn側電極26が接続されている。 - 特許庁

An n-embedding layer 24 contacts the bottom surface of the n-type impurity region 121.例文帳に追加

n埋め込み層24はn型不純物領域121の底面に接している。 - 特許庁

The rear surface semiconductor region 160 includes an n-type impurity in higher concentration.例文帳に追加

裏面部半導体領域160は、n型の不純物を高濃度に含んでいる。 - 特許庁

The upper surface of the N-type extension diffusion layer of the semiconductor substrate is flat.例文帳に追加

半導体基板におけるN型エクステンション拡散層の上面は平坦である。 - 特許庁

In a semiconductor device, a body layer 19 is provided in a surface of an N-- type semiconductor layer 12.例文帳に追加

N−−型の半導体層12の表面にボディ層19が配置されている。 - 特許庁

METHOD OF MEASURING SURFACE VOLTAGE OF FIXED ELECTRODE OF BACK ELECTRET TYPE CONDENSER MICROPHONE例文帳に追加

バックエレクトレット型コンデンサマイクロホンにおける固定極の表面電圧測定方法 - 特許庁

A barrier metal layer 7 and a surface electrode layer 8 are formed on the p-type silicon region 5 and the n-type silicon region 3 exposed to the surface thus forming an SBD structure.例文帳に追加

表面に露出するp型シリコン領域5及びn型シリコン領域3A上にバリアメタル層7、表面電極層8が形成してSBD構造を形成する。 - 特許庁

VERTICAL RESONATOR-TYPE SURFACE EMITTING LASER ARRAY, ITS MANUFACTURING METHOD AND IMAGE FORMING DEVICE USING VERTICAL RESONATOR-TYPE SURFACE EMITTING LASER ARRAY例文帳に追加

垂直共振器型面発光レーザアレイ、垂直共振器型面発光レーザアレイの製造方法、及び垂直共振器型面発光レーザアレイを用いた画像形成装置 - 特許庁

For example, in an IGBT, a p-type base layer 2 is formed in a first main surface central part (the left side on the paper surface) of a chip formed of an n-type low concentration substrate 1.例文帳に追加

例えばIGBTにおいて、n型の低濃度基板1で形成されたチップの第1の主面中央部(紙面左側)には、p型ベース層2が形成されている。 - 特許庁

例文

To provide a one-way clutch of an outer race cam type with excellent accuracy of a cam surface.例文帳に追加

外輪カム式でありかつカム面の精度がよい一方向クラッチを提供する。 - 特許庁




  
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