「surface type」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, a plurality of surface mounting type LEDs can be mounted on a printed wiring board having a conical side surface shape.例文帳に追加

更に、円錐形の側面形状のプリント配線基板に複数の表面実装型ＬＥＤを装着してもよい。 - 特許庁

FREEZING SUPPRESSING METHOD FOR PAVED ROAD SURFACE, WATER DRAIN TYPE PAVED ROAD BY THE METHOD, AND PAVED ROAD SURFACE CONSTRUCTION METHOD FOR THE PAVED ROAD例文帳に追加

舗装路面の凍結抑止方法、ならびにそれによる排水型舗装道路およびそれ用の舗装路面工法 - 特許庁

The silicon substrate is provided in a surface area on a first surface side with a doping profile of a certain conduction type.例文帳に追加

シリコン基板は、特定の導電タイプのドーピングプロファイルを有する第１表面側の表面領域内に設けられる。 - 特許庁

Preferably, the oil phase contains a cationic surface active agent and/or an amine-type surface active agent.例文帳に追加

好ましくは、油相にカチオン性界面活性剤及び／又はアミン型界面活性剤を含有せしめることが望ましい。 - 特許庁

In this folding type portable telephone set, a key operation surface 11 is provided on the inner surface of the main body case 1.例文帳に追加

本発明に係る折り畳み式携帯電話機においては、本体ケース１の内面にキー操作面11が設けられている。 - 特許庁

The book-type information transmitting medium (1) has a front cover surface (6), a rear cover surface, a main wall surface (2), and the three sub-wall surfaces (3, 4, and 5).例文帳に追加

本発明による製本型情報伝達媒体（１）は、表紙面（６）と、背表紙面と、主壁面（２）と、３つの副壁面（３，４，５）とを備える。 - 特許庁

The solid state image sensor also has a light-receiving surface on the rear surface 22b side of a semiconductor substrate which is the reverse side of a multilayer wiring layer 33, and is constituted as a rear surface irradiation type.例文帳に追加

さらに、多層配線層３３とは反対の半導体基板裏面２２ｂ側の受光面を有し、裏面照射型として構成される。 - 特許庁

A spiral groove of which a dynamic pressure type thrust gas bearing 5d consists is formed in the upper surface of the thrust disc 57 between the upper surface of the thrust disc and the under surface 52a of a bearing 52.例文帳に追加

スラスト円板(57)の上面には、軸受け部材(52)の下面(52a)との間に動圧型スラスト気体軸受け(5d)を構成するスパイラルグルーブ溝が形成されている。 - 特許庁

In a cassette type detector 1, a projection T is provided on a side surface 32A which is a side surface of a housing 3 and a sliding surface against the photographing stand.例文帳に追加

カセッテ型検出器１において、ハウジング３の側面であって撮影台との摺動面である側面３２Ａに、突起Ｔが設けられている。 - 特許庁

The uppermost surface is positioned to delivery/stacking height by detecting the uppermost surface of the sheets stacked on the lifting type upper tray 307 by a paper surface detection sensor 306.例文帳に追加

昇降式の上トレイ３０７に積載されたシートの最上面を紙面検知センサ３０６で検知して最上面を排出／積載高さに位置決める。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor layer 2 has a mirror surface (surface of the p-type contact layer 24) 2a, and the anode 3 also has a mirror surface 3a.例文帳に追加

III族窒化物半導体層２の表面（ｐ型コンタクト層２４の表面）２ａは鏡面であり、アノード電極３の表面３ａも鏡面である。 - 特許庁

At this time, a negative pressure is given to the surface to be repaired, and the two-liquid reaction type hardening resin is sucked and filled to the surface to be repaired in a state of a negative pressure given to the surface to be repaired.例文帳に追加

このとき、補修面に負圧を与え、補修面を負圧にした状態で二液反応型硬化樹脂を補修面に吸引注入する。 - 特許庁

The cut surface 38 for cutting off a chip 11 to be the rear surface irradiation type imaging element is so formed as to have an inclination to the principal surface of the chip 11.例文帳に追加

裏面照射型撮像素子となるチップ１１を切り取るための切断面３８を、チップ１１の主面に対して傾きを有するように形成する。 - 特許庁

SURFACE ACOUSTIC WAVE RESONATOR USING TILTING TYPE WEIGHED CORD ELECTRODE, SURFACE ACOUSTIC WAVE FILTER USING THE RESONANCE, AND SURFACE ACOUSTIC WAVE FUNCTION ELEMENT例文帳に追加

傾斜型重み付けすだれ状電極を用いた弾性表面波共振器とその共振器を用いた弾性表面波フィルタ及び弾性表面波機能素子 - 特許庁

The lens array element has an external form in the shape of a rectangular plate, provides a plate surface as a light transmission surface, and has a plurality of cell type lenses 3 formed on at least one plate surface.例文帳に追加

矩形板状の外形を有してその板面を光透過面とし、少なくとも一方の板面に複数のセル状レンズ３が形成されている。 - 特許庁

A p^+ type gate region 4 is directly formed on the surface of an n^- type channel layer 2 so that a part away from the n^- type channel layer 2 becomes wide compared to a part contacting the n^- type channel layer 2 out of the p^+ type gate region 4.例文帳に追加

ｎ^-型チャネル層２の表面に直接ｐ^+型ゲート領域４を形成し、ｐ^+型ゲート領域４のうちｎ^-型チャネル層２と接する部分と比較して、ｎ^-型チャネル層２から離れた部分が幅広となるようにする。 - 特許庁

To regulate a secondary winding continuously in leakage inductance in a leakage flux type high-frequency transformer without changing a spacer in thickness, where the high-frequency transformer is equipped with an E-type core, an I-type core, and the spacer provided at a joint surface between the E-type core and the I-type core.例文帳に追加

Ｅ型コアの側脚とＩ型コアの接合面にスペーサを挿入してなる漏洩磁束型高周波トランスにおいて、前記スペーサの厚さを変えることなく２次巻線側の漏洩インダクタンスを連続的に調整する。 - 特許庁

An N^+ type diffusion layer 3 is formed by injecting N-type impurities to the surface of a silicon board 1, a P^+ type diffusion layer 4 is formed by injecting P-type impurities, and the P^+ type diffusion layer 4 is melted by irradiation with laser beams.例文帳に追加

シリコン基板１の表面にＮ型不純物を注入してＮ^＋型拡散層３を形成し、Ｐ型不純物を注入してＰ^＋型拡散層４を形成し、レーザ光を照射してＰ^＋型拡散層４を溶融させる。 - 特許庁

An n-type well 6 and a p-type well 7 are formed in the silicon layer 4 of the SOI substrate 1 and pluralities of p^+-type diffusion regions 9 (anodes) and n^+-type diffusion regions 10 (base electrodes) are alternately arranged on the surface of the n-type well 6.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１のシリコン層４にＮウエル６及びＰウエル７を形成し、Ｎウエル６の表面に、夫々複数個のＰ^＋拡散領域９（アノード）及びＮ^＋拡散領域１０（ベース電極）を交互に配列する。 - 特許庁

An i-type GaN layer 2 and an n-type GaN layer 3 are grown epitaxially on the surface of the n-type GaN substrate 1, and the field effect transistor where the n-type GaN layer 3 is set to be an active layer is formed.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ基板１の表面に、ｉ型ＧａＮ層２及びｎ型ＧａＮ層３をエピタキシャル成長させて、ｎ型ＧａＮ層３を活性層とする電界効果トランジスタを形成する。 - 特許庁

In the structure of the electrodes for a semiconductor light emitting device, one electrode of n-type or p-type and the other electrode of p-type or n-type opposed thereto are provided on the same surface of the light emitting device.例文帳に追加

発光素子の同じ面にｎ型又はｐ型の一方の電極と、これに対向するｐ型又はｎ型の他方の電極を有する構造の半導体発光素子用電極である。 - 特許庁

Moreover, the active layer 3 includes a P-type base region 6 which is formed away from the N-type buffer region 4 and an N-type emitter region 7 formed on the surface of the P-type base region 6.例文帳に追加

また、活性層３は、Ｎ型バッファ領域４から離間して形成されたＰ型ベース領域６と、Ｐ型ベース領域６の表面部に形成されたＮ型エミッタ領域７を備える。 - 特許庁

A p-type high-density emitter region 106 is formed on the surface part of the p-type silicon substrate 100 deeper than the p-type collector region 103 so as to be adjacent with the n-type source region 105.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１００の表面部に、ｎ型ソース領域１０５と隣接するようにｐ型コレクタ領域１０３よりも深くまでｐ型高濃度エミッタ領域１０６が形成されている。 - 特許庁

A p-type well layer 4, an n-type buffer layer 7 and an n-type diffusion layer 20 are formed by impurity diffusion on the surface of the n-type active layer 3 between a source electrode 9 and a drain electrode 11.例文帳に追加

ソース電極９及びドレイン電極１１間で、ｎ^- 型活性層３の表面には、ｐ型ウエル層４、ｎ型バッファ層７、及びｎ型拡散層２０が不純物拡散により形成される。 - 特許庁

An n^+-type semiconductor region 12d is formed on the surface side of a p^--type well layer 12c of a semiconductor substrate 12, and a photodiode is constituted of this n^+-type semiconductor and the p^--type semiconductor.例文帳に追加

半導体基板１２のＰ−型ウエル層１２ｃの表面側には、Ｎ＋型半導体領域１２ｄが形成されており、このＮ＋型半導体とＰ−型半導体とでフォトダイオードが構成される。 - 特許庁

In the transmission type picture display device, the edge light type surface illuminant is arranged on the rear side of the transmission type picture display element so that the prism array sheet is located between the light guide plate and the transmission type picture display element.例文帳に追加

透過型画像表示装置は、透過型画像表示素子の裏側に、エッジライト型面光源を、プリズムアレイシートが導光板と透過型画像表示素子との間に位置する様に配置する。 - 特許庁

A high-density n-type region 13 is formed on the surface of the n-type well 11, while being held between the high density p-type region 14a and the high-density p-type region 14b, and connected to a trigger element.例文帳に追加

そして、高濃度ｐ型領域１４ａと高濃度ｐ型領域１４ｂとに挟まれてｎ型ウェル１１の表面には高濃度ｎ型領域１３を形成し、トリガ素子に接続する。 - 特許庁

A groove 10 is formed in such a manner that it penetrates the surface of an n+-type source area 4, the n+-type source area 4, a p-type well area 3 to the midway of an n-type silicon epitaxial layer 2.例文帳に追加

ｎ^+形ソース領域４の表面から該ｎ^+形ソース領域４およびｐ形ウェル領域３を貫通してｎ形シリコンエピタキシャル層２の途中まで溝１０が形成されている。 - 特許庁

In the sealed type switching device having a coated surface 7 coated with an adhesive coating 6 on the inner surface of the container 2, the coated surface 7 is formed rougher than other surfaces in the inner surface of the container 2.例文帳に追加

容器２内面に粘着性塗料６が塗装される塗装面７を有する密閉型開閉装置であって、塗装面７は、容器２内面の他の面よりも粗く設けられている。 - 特許庁

On the surface of the protector 20, a fibrous surface 26 on which a hook-type surface fastener member can be locked and a hardened surface 28 hardened by pressure and heat are formed.例文帳に追加

保護具２０の表面に、フック型面ファスナー部材を係止可能な繊維状表面２６と、加圧及び加熱により表面が硬化した硬化表面２８とが形成されている。 - 特許庁

If the boxes are of a folded type, the seam sealing device may include an upper surface pressor for pressing an upper surface of each box in the process of delivery, a lower surface pressor, and a side surface pressor.例文帳に追加

また、箱類が折り曲げ式箱として、箱類押し具を、搬送中の箱類の上面を押す上面押し具と下面押し具と側面押し具とを備えるものとすることもできる。 - 特許庁

The optical sheet is placed on the light emitting surface of a light source and made as a surface light source device, and a transmission display plate is placed on the light emission surface of the surface light source device and made as a transmission type display device.例文帳に追加

この光学シートを光源の出光面上に載置して面光源装置とし、この面光源装置の出光面上に透過型表示板を載置して透過型表示装置とする。 - 特許庁

The prism 30 is provided with a first surface 31 on which the illumination light is made incident, a second surface 32 facing the DMD 20 and a third surface 33 arranged in a roof type with respect to the first surface 31.例文帳に追加

プリズム３０は、照明光を入射させる第１面３１、ＤＭＤ２０に対向する第２面３２、第１面３１に対して屋根型に配置された第３面３３を有する。 - 特許庁

An upper surface window 3, a bottom surface window 4 and a rear surface window 5 are provided to a box type staple pack 1 formed conforming to plane dimensions of a staple sheet, and a slit-like staple outlet 6 is provided to a front surface.例文帳に追加

ステープルシートの平面寸法に合わせて形成した箱型ステープルパック1に上面窓3, 底面窓4, 背面窓5を設け、前面にスリット状のステープル出口6を設ける。 - 特許庁

The surface of the surface layer of the decoration liner has ≥20 s smoothness when the smoothness of the surface of the surface layer of the decorative liner is measured by following the Oken-type smoothness tester method of the Tappi paper pulp test method No.5.例文帳に追加

Ｊ．Ｔａｐｐｉ紙パルプ試験方法Ｎｏ.５の王研平滑度試験器法に準じて測定した美粧ライナ表層表面の平滑度が２０秒以上である美粧ライナ。 - 特許庁

This is a tool carrying a pellet type grinding wheel or stone to grind a workpiece 22 with a lower surface of diamond pellet 123 adhered at its upper surface to a surface of an upper surface plate through an adhesive agent layer 122.例文帳に追加

上面が接着剤層１２２により上側定盤１２１に貼付されたダイヤモンドペレット１２３の下面によりワーク２２を研削するペレット状研削砥石担持工具。 - 特許庁

The p-type impurity concentration in a surface portion 17 of the guard ring 13 is set to be smaller than the n-type impurity concentration.例文帳に追加

そして、このガードリング１３の表層部１７におけるｐ型不純物濃度を、ｎ型不純物濃度よりも小さくする。 - 特許庁

An embedded type photodiode PD is constituted by the surface region 18, the p type region PR and the embedded layer 10.例文帳に追加

表面領域１８、ｐ型領域ＰＲおよび埋め込み層１０によって埋め込み型のフォトダイオードＰＤが構成される。 - 特許庁

In the surface section of the extension drain area 103, in addition, a p-type region 107 composed of a p--type impurity layer is formed.例文帳に追加

延長ドレイン領域１０３の表面部にはｐ^- 型の不純物層からなるｐ型領域１０７が形成されている。 - 特許庁

An n-type source/drain diffusion layer 15 is formed on the surface of a p-type Si substrate 11 via a channel region 12.例文帳に追加

Ｐ型のＳｉ基板１１表面に、チャネル領域１２を隔ててＮ型のソース／ドレイン拡散層１５が形成されている。 - 特許庁

On the primary surface MS, p-type base regions 3 and the n-type emitter region 4 both contact the wall surfaces of the trenches 1a.例文帳に追加

主表面ＭＳにおいてｐ型ベース領域３とｎ型エミッタ領域４との双方が溝１ａの壁面に接している。 - 特許庁

Over the entire surface of the N^+-type silicon layer 4 and the P^+-type silicon layer 12, a buried oxide film 5 and an SOI layer 6 are provided.例文帳に追加

また、Ｎ^＋型シリコン層４及びＰ^＋型シリコン層１２上の全面に、埋込酸化膜５及びＳＯＩ層６を設ける。 - 特許庁

A dummy oxide film 12 is formed in a trench 4 extending from a surface of a P type body layer 3 to the inside of an N type drift layer 2.例文帳に追加

Ｐ型ボディ層３の表面からＮ型ドリフト層２内に延在するトレンチ４にダミー酸化膜１２を形成する。 - 特許庁

In a DRAM circuit region S2, a p-type well region 11 is formed on the surface of an embedded n-type well region 10.例文帳に追加

ＤＲＡＭ回路領域Ｓ２は、埋め込みｎ型ウェル領域１０表面にｐ型ウェル領域１１が形成されている。 - 特許庁

A plurality of insular P+ type silicon regions 15 are formed in the central surface region of an N type silicon region 12.例文帳に追加

Ｎ形シリコン領域１２の表面領域の中心領域に、Ｐ^＋形シリコン領域１５を島状に複数形成する。 - 特許庁