「surface type」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

To realize a stopper structure suitable for a thin type motor in a spindle motor, having a single surface facing type thrust bearing.例文帳に追加

単一面対向型のスラスト軸受部を有するスピンドルモータにおいて、薄型化モータに適した抜け止め構造を実現する。 - 特許庁

An n+ type contact region 2 is formed on the side surface of the trench 22 which leads to the n+ type source region 104.例文帳に追加

トレンチ溝２２の側面には、ｎ＋型コンタクト領域２が形成され、これはｎ＋型ソース領域１０４に繋がっている。 - 特許庁

A low resistance n-type emitter layer 4 in contact with the upper side of the trench 17 is formed over that surface of the p-type base layer 3.例文帳に追加

ｐ型ベース層３の表面内にはトレンチ１７の上部に接する低抵抗のｎ型エミッタ層４が形成される。 - 特許庁

The thin-type greening system construction method comprises planting plants such as flowering plants, fern, moss, grass and/or trees on the surface of the thin-type planting base body.例文帳に追加

並びその表面に草花類、シダ、コケ、草、樹木などの植物を植え付けるようにした薄型緑化工法である。 - 特許庁

The n-type GaAs substrate 2 is covered with an insulating layer 6, excluding the upper surface of a p-type GaAs contact layer 37.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板２上は、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層３７の上面を除いて、絶縁膜６によって覆われている。 - 特許庁

To provide a surface mount tuning fork type crystal oscillator wherein the mechanical operations of a built-in tuning fork type crystal chip can be observed.例文帳に追加

内蔵された音叉型水晶片の機械的動作を観察できる表面実装音叉型水晶振動子を提供する。 - 特許庁

A p-type electrode 5 is formed on the transparent conductive film 4 and an n-type electrode 6 is formed on the rear surface of the ZnO substrate 1 respectively.例文帳に追加

透明導電膜４上にｐ電極５が、ＺｎＯ基板１の裏面にはｎ電極６が形成されている。 - 特許庁

To provide a negative electrode absorption type stationary lead-acid battery, capable of eliminating work space on the upper surface of each monoblock type battery container.例文帳に追加

個々のモノブロック形電池容器の上面に作業スペースを不要とする陰極吸収式据置鉛蓄電池を得る。 - 特許庁

EPOXY RESIN COMPOSITION FOR SEALING, RESIN-SEALING TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND RESIN-SEALING TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE FOR SURFACE MOUNTING例文帳に追加

封止用エポキシ樹脂組成物並びに樹脂封止型半導体装置及び表面実装用樹脂封止型半導体装置 - 特許庁

The p type well region 4 is formed deep reaching the insulating layer 11 from the top surface of the n type semiconductor layer 1.例文帳に追加

ｐ形ウェル領域４は、ｎ形半導体層１の表面から絶縁層１１に達する深さまで形成されている。 - 特許庁

When the label printing surface is not the thermal rewritable type nor the laser marker type, the label printing is ended as an unprintable matter.例文帳に追加

レーベル印刷面がサーマルリライダブル型またはレーザマーカ型の何れでもない場合は、印刷不可としてレーベル印刷を終了する。 - 特許庁

Pole surface layer of the p-type well 3 is implanted with arsenic ions 4 and heat treated to form a p-type lightly doped layer 5.例文帳に追加

ｐ型ウェル３の極表層に砒素イオン４を注入し、熱処理を行うことによりｐ型低濃度層５を形成する。 - 特許庁

A p-type base layer 4 is formed on the surface of the drain layer 3 and an n+-type source layer 5 is formed in the base layer 4.例文帳に追加

このドレイン層３の表面にｐ型ベース層４が形成され、このベース層４内にｎ^+型ソース層５が形成される。 - 特許庁

CANTILEVER FOR SCANNING-TYPE PROBE MICROSCOPE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND SCANING-TYPE PROBE MICROSCOPE AND SURFACE CHARGE-MEASURING MICROSCOPE例文帳に追加

走査型プローブ顕微鏡用カンチレバー及びその製造方法、並びに走査型プローブ顕微鏡及び表面電荷測定顕微鏡 - 特許庁

An N^+ embedded layer 2 and an N-type epitaxial layer 3 are formed in the main surface area of a P-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１の主表面領域中に、Ｎ^+ 埋め込み層２およびＮ型エピタキシャル層３が形成されている。 - 特許庁

It is desirable to form the p-type layer 11 on the surface including zinc atoms of the n-type ZnO bulk single crystal substrate 10.例文帳に追加

ｎ形ＺｎＯバルク単結晶基板１０の亜鉛原子を含む面にｐ形層１１を形成するのが望ましい。 - 特許庁

In the resin-covered circuit board, the surface of the circuit board is protected by a moisture-curing type resin and/or a photo-curing type resin.例文帳に追加

回路基板表面が、湿気硬化型樹脂及び／又は光硬化型樹脂にて保護されている樹脂被覆回路基板。 - 特許庁

IRIS SURFACE SPACE-DIVISION COLOR FILTER, TRANSMITTANCE CONTROL TYPE SPACE-DIVISION IRIS, TIME-CONTROL TYPE SPACE-DIVISION IRIS, AND IMAGE PICK-UP DEVICE例文帳に追加

アイリス面空間分割カラーフィルタ、透過率制御型空間分割アイリス、時間制御型空間分割アイリスおよび撮像装置 - 特許庁

In the rear-surface-electrode type semiconductor heterojunction solar battery, both the n-type and p-type semiconductors for storing collectively electrons and holes therein respectively and the current deriving electrodes connected respectively with the semiconductors are disposed in the rear surface present on the opposite side to the surface irradiated by sunlight, and the n-type and p-type semiconductors are formed by a catalytic chemistry vapor-phase depositing method.例文帳に追加

電子及びホールを収集するｎ型半導体及びｐ型半導体と、それぞれに接続されている電流取り出し電極のいずれもが、太陽光の照射面とは反対側にある裏面に設置されていると共に、前記ｎ型半導体及びｐ型半導体が触媒化学気相堆積法により形成されている。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting device comprises: a surface-emitting type semiconductor element 16; a substrate 12 for implementing the surface-emitting type semiconductor element 16; and an underfill resin 18 that is filled between the surface-emitting type semiconductor element 16 and the substrate 12 and contains a first wavelength conversion material that converts light emitted from the surface-emitting type semiconductor element 16 into long wavelength light.例文帳に追加

面発光型半導体素子１６と、面発光型半導体素子１６を実装する基板１２と、面発光型半導体素子１６と基板１２との間に充填され、面発光型半導体素子１６から発せられる光を長波長の光に波長変換する第１の波長変換材料を含有するアンダーフィル樹脂１８と、を備える。 - 特許庁

An N^+-type drain region 38 is formed on the surface layer of an N-type well region 35, and an N^+-type source region 39 adjacent to the sidewall of the groove 34 is formed on the surface layer of the region 37.例文帳に追加

そして、Ｎ型ウェル領域３５の表面層にＮ^＋型ドレイン領域３８が形成され、Ｐ型ベース領域３７の表面層に溝３４の側壁に隣接するＮ^＋型ソース領域３９が形成されている。 - 特許庁

A plurality of first metal layers 34 are formed on the surface of the second N-type semiconductor layer 32 opposite to its other surface that is brought into contact with the first N-type semiconductor layer 30, coming into contact with the N-type semiconductor layer 32 at certain intervals.例文帳に追加

第２の半導体層32における第１の半導体層30と反対側の表面で、第２の半導体層32と接触するように、間隔をあけて複数の第１金属層34が形成されている。 - 特許庁

To find out the optimum positions in end faces of a piezoelectric substrate in an SH type end face reflection type surface acoustic wave device using the piezoelectric substrate, and to provide an end face reflection type surface acoustic wave device using the piezoelectric substrate.例文帳に追加

圧電基板を用いたＳＨタイプの端面反射型表面波装置において、圧電基板の端面の最適な位置を求めると共に当該圧電基板を用いた端面反射型の表面波装置を提供する。 - 特許庁

The positive electrode 100 includes, orderly on the reverse surface of the n-type single crystal silicon substrate 1, a side i-type amorphous silicon film 5, a p-type amorphous silicon film 7, a reverse surface electrode 9 and a collector electrode 11.例文帳に追加

正極１００は、ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面上に順に形成された側ｉ型非晶質シリコン膜５、ｐ型非晶質シリコン膜７、裏面電極９および集電極１１を含む。 - 特許庁

A photodiode 101 has a structure in which an n-type charge accumulation layer 115 and a p-type surface layer 116 are laminated one after another toward the surface side from the inside in the thickness direction of a p-type well region 112.例文帳に追加

フォトダイオード１０１は、ｎ型の電荷蓄積層１１５と、ｐ型の表面層１１６とが、ｐ型ウェル領域１１２の厚み方向の内側から表面側に向けて順に積層された構成を有する。 - 特許庁

The MISFET has the laminated structure of a p-type layer 12 becoming the channel body, an n-type layer 11 in contact with its bottom surface to be depleted by built-in potential, and a p-type layer (substrate) 10 in contact with its bottom surface.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴは、チャネルボディとなるｐ型層１２と、その底面に接してビルトインポテンシャルにより空乏化するｎ型層１１と、その底面に接するｐ型層（基板）１０の積層構造を有する。 - 特許庁

The electronic percussion instrument 10 comprises a surface layer body 30 forming the percussion surface 30A, a reinforcing plate 31 fitted to the reverse surface side of the surface layer body 30, a plate type body 34 provided along the reverse surface side of the reinforcing plate 31, and the sensor 34 provided on the reverse surface side of the plate type body 32.例文帳に追加

打面３０Ａを形成する表層体３０と、この表層体３０の裏面側に取り付けられた補強板３１と、補強板３１の裏面側に沿う位置に設けられた板状体３２と、この板状体３２の裏面側に設けられたセンサ３４とを備えて電子打楽器１０が構成されている。 - 特許庁

The sensor includes a semiconductor body having a top surface and a bottom surface, a first doped surface oriented region of a first conductivity type at the top surface, and a second doped surface oriented region of an opposite second conductivity type at the bottom surface, wherein a sensitive area is defined in a way that a first region overlaps with a second region.例文帳に追加

センサは、頂面及び底面、頂面にある第一導電性タイプの第一ドープ表面指向領域、及び底面にある反対の第二導電性タイプの第二ドープ表面指向領域を有する半導体本体を含み、第一領域が第二領域にオーバーラップする感応性領域が画定される。 - 特許庁

The n-type layer 12 has a channel 13 which is formed so as to extend from a second surface 12B as a surface opposite to a first surface 12A as the surface of the substrate 11 toward the first surface 12A.例文帳に追加

ｎ型層１２は基板１１側の表面である第１の面１２Ａとは反対側の表面である第２の面１２Ｂから第１の面１２Ａに向けて延びるように形成された溝１３を有している。 - 特許庁

The n-type layer 12 has a groove 13 formed to extend from a second surface 12B as a surface on the opposite side from a first surface 12A as a surface on the side of the substrate 11 toward the first surface 12A.例文帳に追加

ｎ型層１２は基板１１側の表面である第１の面１２Ａとは反対側の表面である第２の面１２Ｂから第１の面１２Ａに向けて延びるように形成された溝１３を有している。 - 特許庁

A gate insulating film 70 is formed so as to cover the surface of a P-type region between the N^+-type SiC source region 30 and the N-type SiC drain region 40.例文帳に追加

Ｎ＋型ＳｉＣソース領域３０とＮ型ＳｉＣドレイン領域４０との間のＰ型領域の表面を覆うようにゲート絶縁膜７０が形成されている。 - 特許庁

An n-type well 11 and p-type wells 12a and 12b which are formed, while facing each other and proximately with the n-type well 11 in-between are formed on the surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の表面にｎ型ウェル１１と、ｎ型ウェル１１を挟んでそれぞれ対向して近接してｐ型ウェル１２ａ、１２ｂとを形成する。 - 特許庁

Further, when the projection type display device is installed on a desk and when the type of the surface to be projected is a reflection type, since it is easy to cause a hot spot, a reduction rate of light quantity is increased.例文帳に追加

また、設置状態が机上設置である場合と、被投写面のタイプが反射型である場合は、ホットスポットが生じやすいため、光量の低減率を高める。 - 特許庁

A p-type body area 14 is formed on a p-type semiconductor substrate 11, and an n^+-type source area 15 is formed on the surface of the body area 14.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１１上にはｐ型ボディ領域１４が形成され、ボディ領域１４の表面領域にはｎ+型ソース領域１５が形成されている。 - 特許庁

The gate insulating film 15 is formed on a wall surface 9 of the laminate structure part 3 to straddle the n-type GaN layer 5, the p-type GaN layer 6 and the n-type GaN layer 7.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１５は、ｎ型ＧａＮ層５、ｐ型ＧａＮ層６およびｎ型ＧａＮ層７に跨るように、積層構造部３の壁面９に形成されている。 - 特許庁

The guard ring layer 11 comprises a p-type GaN layer formed on the n-type GaN layer 5 to face the wall surface 9 in the p-type GaN layer 6 with a space.例文帳に追加

ガードリング層１１は、ｐ型ＧａＮ層６における壁面９に間隔を開けて対向するようにｎ型ＧａＮ層５上に形成されたｐ型ＧａＮ層からなる。 - 特許庁

A p-type base region 15, n+ type emitter regions 16, gate electrodes 18 and an emitter electrode 19 are formed on the upper surface of the n- type base region 14.例文帳に追加

そして、ｎ−型ベース領域１４の上面にはｐ型ベース領域１５、ｎ型エミッタ領域１６、ゲート電極１８及びエミッタ電極１９が設けられている。 - 特許庁

An n^+-type impurity region 32 is formed in between the p^+-type impurity region 33 and the PMOS 15 in the upper surface of the n-type impurity region 28.例文帳に追加

ｐ^＋型不純物領域３３とＰＭＯＳ１５との間において、ｎ型不純物領域２８の上面内には、ｎ^＋型不純物領域３２が形成されている。 - 特許庁

Further, in a region between the p^+-type region 5 and the p^++-type region 4 of the photodiode's surface, a p^+-type region 12 was formed whose impurity concentration is medium between the two.例文帳に追加

さらに、フォトダイオード部表面のｐ^+型領域５とｐ^++型領域４との間の領域に不純物濃度が両者の間となるｐ^+型領域12を形成した。 - 特許庁

An N type substrate 10 that becomes an N type layer 2 as a drift region is prepared (FIG.2(a)) and a trench 11 is formed on a surface side of the N type substrate 10 (FIG.2(b)).例文帳に追加

ドリフト領域としてのＮ型層２となるＮ型基板１０を用意し（図２（ａ））、Ｎ型基板１０の表面側にトレンチ１１を形成する（図２（ｂ））。 - 特許庁

In between the p+-type impurity region 33 and the PMOS15, in the upper surface of the n-type impurity region 28, an n+-type impurity region 32 is formed.例文帳に追加

ｐ^+型不純物領域３３とＰＭＯＳ１５との間において、ｎ型不純物領域２８の上面内には、ｎ^+型不純物領域３２が形成されている。 - 特許庁

Between the p+ type impurity region 33 and the PMOS 15, an n+ type impurity region 32 is formed in the upper surface of the n-type impurity region 28.例文帳に追加

ｐ^+型不純物領域３３とＰＭＯＳ１５との間において、ｎ型不純物領域２８の上面内には、ｎ^+型不純物領域３２が形成されている。 - 特許庁

A diffraction type lens surface is formed on a plurality of surfaces of the fθ lens, so that the wavelength dependency of a refraction type lens is cancelled by the wavelength dependency of a diffraction type lens.例文帳に追加

ｆθレンズの複数の面に、回折型レンズ面を作製し、回折型レンズの波長依存性によって屈折型レンズの波長依存性を打ち消すようにした。 - 特許庁

A trench gate 2 is formed so as to penetrate the p-type channel layer 103 from the surface of the p-type channel layer 103 and reach the n-type semiconductor layer 102.例文帳に追加

トレンチゲート２は、Ｐ型チャネル層１０３の表面からそのＰ型チャネル層１０３を貫いてＮ型半導体層１０２に達するように形成されている。 - 特許庁

A new pixel sensor structure formed on a first conductive-type substrate includes a second conductive-type photosensitive device and a first conductive-type surface pinning layer 180a.例文帳に追加

第１の導電型の基板上に形成された新規なピクセル・センサ構造体は、第２の導電型の感光デバイスと、第１の導電型の表面ピニング層１８０ａとを含む。 - 特許庁