「surface type」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

The surface emitting type laser array which oscillates with three different wavelength can be manufactured at low costs.例文帳に追加

３つの異なる波長で発振する面発光型レーザアレイが低コストで製造できる。 - 特許庁

A p^+ contact region 6 is formed on the surface layer of a p-type silicon carbide epitaxial layer 3.例文帳に追加

ｐ型炭化珪素エピタキシャル層３の表面層に、ｐ^+コンタクト領域６を形成する。 - 特許庁

This head 1 for a wood type golf club has a bulge 3 on the face surface to hit a ball.例文帳に追加

ボールを打撃するフェース面２にバルジ３を有するウッド型ゴルフクラブ用ヘッド１である。 - 特許庁

To provide an alkali soluble type lubricating surface treated metallic product having excellent continuous film formability.例文帳に追加

連続成形性に優れたアルカリ可溶型潤滑表面処理金属製品を提供する。 - 特許庁

Irregularities 22a, 22b are formed on the surface 1a of a p-type silicon crystal substrate 1.例文帳に追加

ｐ型シリコン結晶基板１の表面１ａに、凹凸２２ａ，２２ｂを形成する。 - 特許庁

A vertical resonator type surface light emitting diode (VCSEL) 4 is used as a laser diode.例文帳に追加

レーザダイオードとして垂直共振器型面発光レーザダイオード（ＶＣＳＥＬ）４を用いる。 - 特許庁

This type of chozubachi is created by plaining out the surface of a long natural stone and then hollowing it out to make a hole to hold water. 例文帳に追加

細長い自然石の上を平らにして、長い水を入れる穴を掘ったもの。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A reflection type sensor 12 is arranged on an under surface of a fork 11a of the form device 11.例文帳に追加

フォーク装置１１のフォーク１１ａ下面には反射式のセンサ１２が設けられている。 - 特許庁

To provide a water-dispersed type adhesive sheet which has a high rough-surface adhesion property and retention.例文帳に追加

優れた粗面接着性及び保持性を有する水分散型粘着シートを得る。 - 特許庁

BOARD MOUNTING TYPE SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND COMMUNICATION EQUIPMENT例文帳に追加

基板実装型弾性表面波装置及びその製造方法並びに通信装置 - 特許庁

To extend a lifetime of a self-aligning roller bearing by preventing surface damage type exfoliation.例文帳に追加

表面損傷型の剥離を防止して、自動調心ころ軸受の寿命を長くする。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR SURFACE ADHESIVE TYPE MICRO ELECTRO MECHANICAL SYSTEM OSCILLATOR AND STRUCTURE OF THE SAME例文帳に追加

表面接着式マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム発振器の製造方法及びその構造 - 特許庁

Then, the surface of the N-type region 6 is oxidized to form an oxide film 7b.例文帳に追加

その上で、当該Ｎ型領域６の表面を酸化して酸化膜７ｂを形成する。 - 特許庁

Further, a gate insulating film 15 and a gate electrode 16 are formed, and a silicide layer 17 is formed on the surface of the n^+-type semiconductor region 13A, the surface of the n^+-type semiconductor region 14A, the surface of the n^+-type semiconductor region 14C and the gate electrode 16.例文帳に追加

さらに、ゲート絶縁膜１５、ゲート電極１６が形成され、ｎ+型半導体領域１３Ａの表面、ｎ+型半導体領域１４Ａの表面、ｎ+型半導体領域１４Ｃの表面、及びゲート電極１６上には、シリサイド層１７が形成されている。 - 特許庁

A laminated film given by using the curing-type water-based non-exposed surface coating and sequentially forming a base coat film and a non-exposed surface film which is formed by using the curing-type water-based non-exposed surface coating on a coated material.例文帳に追加

積層塗膜は、硬化型水系非露出面用塗料を用い、被塗物に、ベースコート塗膜と硬化型水系非露出面用塗料を用いて形成した非露出面塗膜を順次形成して成る。 - 特許庁

To provide a rotary disk type road surface marking plate to be used attached to a vehicle type road surface drawing device for drawing a pattern on a surface of a road, which can provide an easy-to-see drawn pattern and is improved in a fixing property.例文帳に追加

道路の路面に描画するための車両型路面描画装置に取付けて使用する回転式円板型の路面けがき板において、描画が見やすく、定着性のよい路面けがき板を提供する。 - 特許庁

A laminated film given by using the curing-type solvent-based non-exposed surface coating and sequentially forming a base coat film and a non-exposed surface film which is formed by using the curing-type solvent-based non-exposed surface coating on a coated material.例文帳に追加

積層塗膜は、硬化型溶剤系非露出面用塗料を用い、被塗物に、ベースコート塗膜と硬化型溶剤系非露出面用塗料を用いて形成した非露出面塗膜を順次形成して成る。 - 特許庁

When a coating application type rough surface forming agent (5) is used, the metal (2) is thermally sprayed to the object for thermal spraying after the coating application type rough surface forming agent (5) is applied and thereafter the surface of the object for thermal spraying is subjected to polishing and coating application of the coating material (4).例文帳に追加

なお塗布型粗面形成剤（５）を使用するときは溶射対象物（１）に塗布型粗面形成剤（５）を塗布してから金属（２）を溶射し、溶射対象物の表面を研磨、塗料（４）を塗布する。 - 特許庁

A pn junction is formed by forming an n-type diffusion layer 3 on the light receiving surface side of a p-type polysilicon substrate 2, and an antireflection film 4 and a light receiving surface silver electrode 10 are formed, respectively, on the light receiving surface.例文帳に追加

ｐ型多結晶シリコン基板２の受光面側にｎ型拡散層３を形成することによりｐｎ接合を形成し、受光面には反射防止膜４および受光面銀電極１０をそれぞれ形成する。 - 特許庁

An n^- type semiconductor substrate 1 which has a first principal surface 1a and a second principal surface 1b opposed to each other and on the first principal surface 1a side of which a p^+ type semiconductor region 3 is formed is prepared.例文帳に追加

互いに対向する第１主面１ａ及び第２主面１ｂを有すると共に第１主面１ａ側にＰ^＋型半導体領域３が形成されたｎ^−型半導体基板１を準備する。 - 特許庁

A gate insulation film 8 is formed, straddling the surface of a channel formation region 5 and the surface of the N-type epitaxial layer 3 adjacent to the surface of the channel formation region 5 on the N-type epitaxial layer 3.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル層３上には、ゲート絶縁膜８が、チャネル形成領域５の表面およびチャネル形成領域５の表面に隣接するＮ型エピタキシャル層３の表面に跨って形成されている。 - 特許庁

The surface acoustic wave elements includes: a balanced input/ unbalanced output type input stage surface acoustic wave element 1A and an unbalanced input/balanced output type output stage surface acoustic wave element 2A.例文帳に追加

これらの弾性表面波素子は、平衡入力／不平衡出力型の入力段弾性表面波素子１Ａおよび不平衡入力／平衡出力型の出力段弾性表面波素子２Ａを含む。 - 特許庁

Further at a suitable position after making a continuous hermetically sealed cylinder, male type and female type webs of the zipper strip are welded to an inner surface of the bag of a respectively corresponding bag front surface side or bag rear surface side with a zipper strip heat sealer.例文帳に追加

さらに連続密閉筒状とした後の適宜位置において、ジッパストリップヒートシーラによりジッパストリップの雄、雌型ウェブをそれぞれ対応する袋前面側又は袋後面側の袋内面に溶着する。 - 特許庁

The first P-type semiconductor region P1, the first N-type semiconductor region N1, the second P-type semiconductor region P2, and the second N-type semiconductor region N2 are disposed in order from the side of one main surface 2 of the semiconductor substrate 1 to the other main surface 3.例文帳に追加

半導体基体１の一方の主面２側から他方の主面３に向って第１のＰ型半導体領域Ｐ1、第１のＮ型半導体領域Ｎ1、第２のＰ型半導体領域Ｐ2、第２のＮ型半導体領域Ｎ２が順次に配置されている。 - 特許庁

In the semiconductor switching element 1, an N-type reduced surface field region 302 is formed in a semiconductor substrate 301, and a P-type collector region 303a, an N-type drain region 306b and an N-type buffer region 314 are formed in the reduced surface field region 302.例文帳に追加

半導体スイッチング素子１において、半導体基板３０１内にはＮ型リサーフ領域３０２が設けられており、リサーフ領域３０２内にはＰ型コレクタ領域３０３ａとＮ型ドレイン領域３０６ｂとＮ型バッファ領域３１４とが設けられている。 - 特許庁

An n-type semiconductor layer 2 is provided on the surface of a p^+-type semiconductor substrate 1 by, for example, epitaxial growth, and a first diffused layer 3 and a second diffused layer 4 of p-type are provided at a specified interval at the surface of the n-type semiconductor layer 2.例文帳に追加

ｐ^＋形半導体基板１の表面にｎ^−形半導体層２が、たとえばエピタキシャル成長により設けられ、そのｎ形半導体層２表面に所定間隔でｐ形の第１拡散領域３および第２拡散領域４が設けられている。 - 特許庁

To crystal-grow an n- or i-type group III nitride semiconductor on the surface of a p-type group III nitride semiconductor, and to expose the surface of the p-type group III nitride semiconductor without etching a part of the n- or i-type group III nitride semiconductor.例文帳に追加

ｐ型のIII族窒化物半導体の表面に、ｎ型またはｉ型のIII族窒化物半導体を結晶成長するとともに、ｎ型またはｉ型のIII族窒化物半導体の一部をエッチングしないでｐ型のIII族窒化物半導体の表面を露出させる - 特許庁

After van SiO2 film containing N-type impurity P is formed on the surface of a P-type silicon substrate 14, the P-type silicon substrate 14 is heated so that the P in the SiO2 film is diffused in the surface layer of the P-type silicon substrate 14 without generating PN junction.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板14の表面に、Ｎ型不純物Ｐを含んだＳｉＯ_２膜を形成した後、Ｐ型シリコン基板14を加熱して、上記ＳｉＯ_２膜中のＰを、ＰＮ接合を生成することなく、Ｐ型シリコン基板14の表面層中に拡散させる。 - 特許庁

The CMOSN-type substrate diode for temperature sensor (50) is provided with an n-type substrate (51), a p-type well layer (52) formed in the n-type substrate, an n-type high concentration layer (53) formed in the p-type layer and a p^+-diffusion layer (57) formed near a surface of the n-type high concentration layer.例文帳に追加

温度センサ用ＣＭＯＳＮ型基板ダイオード（５０）は、Ｎ型基板（５１）と、このＮ型基板内に形成されたＰｗｅｌｌ層（５２）と、このＰｗｅｌｌ層内に形成されたＮ型高濃度層（５３）と、このＮ型高濃度層の表面近傍に形成されたｐ^＋拡散層（５７）とを有する。 - 特許庁

On the surface layer of one main side of a P-type SiC substrate 10, a P^+-type SiC region 20, an N^+-type SiC source region 30, and both N-type SiC drain region 40 and N^+-type SiC drain region 50, located away from the P^+-type SiC region 20 and the N^+-type SiC source region 30, are formed.例文帳に追加

Ｐ型ＳｉＣ基板１０の一主面側の表層にＰ＋型ＳｉＣ領域２０と、Ｎ＋型ＳｉＣソース領域３０と、Ｐ＋型ＳｉＣ領域２０及びＮ＋型ＳｉＣソース領域３０から離隔してＮ型ＳｉＣドレイン領域４０とＮ＋型ＳｉＣドレイン領域５０がそれぞれ形成されている。 - 特許庁

In a semiconductor substrate 10, a P-type light receiving top surface layer 12, an N-type photodiode 11 in which photoelectrically converted signal charges are stored, a P-type potential barrier layer 14, and an N-type charge storage layer 13 in which the signal charges transferred from the photodiode 11 are stored are provided in order from the back surface to the top surface.例文帳に追加

半導体基板１０内において裏面から表面に向かう順に、Ｐ型の受光表面層１２と、光電変換された信号電荷を蓄積するＮ型のフォトダイオード１１と、Ｐ型の電位障壁層１４と、フォトダイオード１１から転送される信号電荷を蓄積するＮ型の電荷蓄積層１３を設ける。 - 特許庁

To provide a simple-structured wall surface greening structure capable of easily attaching a clinging type creeper, and efficiently greening a wall surface.例文帳に追加

簡易な構造で、付着型の蔓性植物を付着させ易く、緑化効率の良好な壁面緑化構造を提供する。 - 特許庁

To provide a comb-type electrode section, a surface acoustic wave apparatus and communications equipment for surface acoustic waves of improved transmission characteristics.例文帳に追加

伝送特性を改善できる、弾性表面波用のくし型電極部、弾性表面波装置、通信装置を提供する。 - 特許庁

The reflection type projection optical system is provided with eight reflection mirrors and a reduced size image of a first surface (4) is formed on a second surface (7).例文帳に追加

８つの反射鏡を備え、第１面（４）の縮小像を第２面（７）上に形成する反射型投影光学系。 - 特許庁

To provide a low-height type surface mounting fast-on tab terminal retaining high surface mounting density on a substrate and high reliability on an external force.例文帳に追加

基板実装密度が高く、外力に対する信頼性が高い低背形表面実装ファストンタブ端子を提供する。 - 特許庁

In the side light type backlight, a linear light source 4 is provided along a light incident surface 3 to be a side surface of a light guide plate 2.例文帳に追加

導光板２の側面である入光面３に沿って線状光源４が設けられたサイドライト型のバックライトである。 - 特許庁

The retainer 4 is of an outer ring guide type in which the retainer is guided by the inner diameter surface 2a (retainer guide surface) of the outer ring 2.例文帳に追加

この保持器４は、外輪２の内径面２ａ（保持器案内面）によって案内される外輪案内方式の保持器である。 - 特許庁

To provide a heat sink having a heat receiving surface parallel-fin type flat heat dissipation structure which can be fitted to the principal surface of a printed circuit board.例文帳に追加

プリント回路基板の主面に取付け可能な受熱面平行フィン型扁平状放熱構造のヒートシンクを提供する。 - 特許庁

PHOTOPOLYMERIZATION TYPE DENTURE BASE MUCOSAL SURFACE-TREATING MATERIAL AND METHOD FOR TREATING DENTURE BASE MUCOSAL SURFACE AND METHOD FOR PREPARING DENTURE BASE BY EACH USING THE SAME TREATING MATERIAL例文帳に追加

光重合型義歯床粘膜面処理材、それを用いた義歯床粘膜面の処理方法及び義歯床の製作方法 - 特許庁

To simplify a manufacturing process of a dynamic pressure type bearing having a radial bearing surface and a thrust bearing surface and to facilitate precision control.例文帳に追加

ラジアル軸受面およびスラスト軸受面を有する動圧型軸受の製造工程の簡略化、精度管理の容易化を図る。 - 特許庁

A self-light emission type road rack not projected on the flat surface to be flat is embedded in both sides of the flat surface of the speed hump.例文帳に追加

スピードハンプの平面両側に、平面上への突起がないフラットタイプの自発光式道路鋲を埋め込み装着をする。 - 特許庁

Irregular unevenness 11 is formed on the surface of the p^+-type semiconductor region 7 (the first principal surface 1a of the silicon substrate 1).例文帳に追加

ｐ^＋型半導体領域７の表面（シリコン基板１の第１主面１ａ）に不規則な凹凸１１が形成されている。 - 特許庁

The coating layer 13 whose front surface is substantially flat is formed on the rear surface S2 of the n-type semiconductor substrate 10.例文帳に追加

また、Ｎ型半導体基板１０の裏面Ｓ２上には、表面が実質的に平坦な被覆層１３が設けられている。 - 特許庁

CONVERSION SPACER FOR SURFACE MOUNTING,AND METHOD FOR SURFACE MOUNTING OF THROUGH-HOLE MOUNTED TYPE ELECTRONIC COMPONENT ON ELECTRONIC BOARD USING THIS例文帳に追加

表面実装用変換スペーサ、及びこれを用いたスルーホール実装型電子部品の電子基板への表面実装方法 - 特許庁

The surface boards 11, 11A, made of the mortar mixed with a charge transfer type catalyst, are set on the surface of an inside wall 2 of a tunnel 1.例文帳に追加

トンネル１の内壁２の表面に、電荷移動型触媒を混合したモルタル製の表面ボード１１，１１Ａを設ける。 - 特許庁