「surface type」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

N-type diffusion layers 20a, 20b, 20c and 20d are formed in the surface region of the p-type well region 15, other than the respective gates 17, 18 and 19.例文帳に追加

各ゲート１７，１８，１９を除く、Ｐ型ウェル領域１５の表面領域にはＮ型拡散層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄが形成されている。 - 特許庁

To provide a light volume control plate capable of obtaining further uniform emission of light on the surface when used for a direct-type backlight, and the direct-type backlight having further uniform emission of light on the surface.例文帳に追加

直下型バックライトに用いた際に、より均一な面内の発光量が得られる光量制御板および面内の発光量がより均一な直下型バックライトを提供すること。 - 特許庁

When the floating type optical head is positioned in the cleaning region, the light emitting side surface of the floating type optical head floating on the cleaning region and the surface of the cleaning region are brought into contact with each other.例文帳に追加

浮上型光ヘッドをクリーニング領域に位置付けるとクリーニング領域上を浮上する浮上型光ヘッドの光射出側の面とクリーニング領域表面とが接触する。 - 特許庁

A source region 5 and a drain region 6 are formed on a p-type semiconductor substrate surface becoming a back gate region, and a channel region 4 is formed on the p-type semiconductor substrate surface between them.例文帳に追加

バックゲート領域となるｐ型半導体基板表面にソース領域５、ドレイン領域６を設け、これらの間のｐ型半導体基板表面にチャネル領域４を設ける。 - 特許庁

Thus, the outer light is induced to the reflection type liquid crystal display surface 50 by the light collecting member 18 and the reflector plate 22 to enhance the visibility of the reflection type liquid crystal display surface 50.例文帳に追加

これにより、集光部材１８及び反射板２２によって外光が反射型液晶表示面５０に誘導され、反射型液晶表示面５０の視認性が向上する。 - 特許庁

A polyethylene foam material of bar-like SQUARE type is stuck on one side flat surface center part of a tape-shaped sticking type road surface covering sheet so that its cut end in cross section is formed in a T-shape.例文帳に追加

棒状□型の発泡ポリエチレンフオーム材を、テープ形状にした貼付式路面被覆用シートの平面中央部片面側に、切り口断面がＴ字型になるように貼着せしめる。 - 特許庁

To provide a light emitting device capable of mounting a surface mounting type element by reflow soldering, in the light emitting device provided with the surface mounting type element.例文帳に追加

表面実装型の素子を備える発光装置において、リフローはんだ付けで表面実装型の素子を実装することが可能である発光装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To surely remove electrical noises due to the presence of an interface at which different conduction type layers are laminated on a cut surface of a rear surface irradiation type imaging element, by a simple process.例文帳に追加

裏面照射型撮像素子の切断面に異なる導電型の層が積層された界面が存在することによる電気的なノイズを、簡易な工程で確実に除去する。 - 特許庁

In an n^+ bulk layer 101, a p-type area 109 made mainly of SiC including high-concentration p-type impurities is formed in the surface area on the side of its main surface 101b.例文帳に追加

Ｎ^＋バルク層１０１において、主面１０１ｂ側の表面領域には、高濃度のＰ型不純物を含むＳｉＣを主組成としたＰ型領域１０９が形成されている。 - 特許庁

Further, the one-surface light reception type power generation cells 24 and 26 have secure mutual electric insulation since the glass plate 22 is disposed between the two one-surface light reception type power generation cells 24 and 26.例文帳に追加

また、２枚の片面受光型発電セル２４、２６の間にガラス板２２を配置させたので、片面受光型発電セル２４、２６同士の電気的絶縁が確実になる。 - 特許庁

A thin film of gold simple substance is formed on a p-type group III nitride semiconductor surface and the surface of the gold thin film is protected with a silicon dioxide thin film to form a light-transmitting p-type electrode.例文帳に追加

ｐ型 III族窒化物半導体表面に金単体からなる薄膜を形成し、該金薄膜の表面を二酸化珪素薄膜で保護した構造の光透過性ｐ型電極とする。 - 特許庁

A plurality of cell gates 2 are formed at intervals on a principal surface of an n-type silicon substrate 1, and n-type diffusion layers 7 are formed in the principal surface of the silicon substrate 1 between the cell gates 2.例文帳に追加

ｎ型シリコン基板１の主面上に複数のセルゲート２が離間形成され、このセルゲート２間のシリコン基板１の主面ｎ型拡散層７が形成されている。 - 特許庁

In a substrate for mounting the back-surface electrode type electric components, the back-surface electrode type electric components are equipped with the integration land for allowing the specific electrodes that can be integrated to be subjected to bump connection.例文帳に追加

裏面電極型電気部品を実装するための基板において、裏面電極型電気部品が統合が可能な特定電極をバンプ接続するための統合ランドを備える。 - 特許庁

There is provided a mounted type lens (1) for reverse surface analysis which is used while mounted on a semispherical substrate integrated type SIL (2c) formed on a substrate reverse surface (2b) of a semiconductor device (2).例文帳に追加

半導体装置（２）の基板裏面（２ｂ）に形成した半球状の基板一体型ＳＩＬ（２ｃ）の上に搭載して使用するための裏面解析用搭載式レンズ（１）である。 - 特許庁

To provide a surface-emitting type laser device that narrows the spreading of spectrum line width of laser light emitted from a surface-emitting type laser by suppressing the vibration of an MEMS movable mirror.例文帳に追加

ＭＥＭＳ可動ミラーの振動を抑圧することにより、面発光型レーザから出射されるレーザ光のスペクトル線幅の広がりを狭くできる面発光型レーザ装置を提供すること。 - 特許庁

The surface of the p-type silicon substrate 10 is oxidized, and then a dielectric layer 12 is formed on the main surface of the p-type silicon substrate 10 to form a thick film dielectric layer 38 in the region 42.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１０の表面を酸化して、ｐ型シリコン基板１０の主面に誘電体層１２を形成し、領域４２に厚膜誘電体層３８を形成する。 - 特許庁

Thereby, optical positioning tolerance between the input light 11 and the surface incident type photodiode is improved, and the speed, sensitivity and optical coupling of the surface incident type photodiode are enhanced.例文帳に追加

これにより、入力光１１と面入射型フォトダイオードとの間の光学位置合せトレランスの改善を図り、面入射型フォトダイオードの高速化、高感度化、高光結合化を図る。 - 特許庁

A pair of saddle type horizontal deflection coils 13 are built in the inner surface of the coil separator 12, and a pair of toroidal type vertical deflection coils wound around a ferrite core are disposed on the outer surface.例文帳に追加

コイルセパレータ１２の内面には１対のサドル型の水平偏向コイル１３が組み込まれ、外面にはフェライトコアに巻回した１対のトロイダル型の垂直偏向コイルが配設されている。 - 特許庁

A lattice defect region 4 is formed, as a low lifetime region, in the surface layer of an n-type substrate 3 by implanting ions from the surface side of the n-type substrate 3 (Fig. 2(a)).例文帳に追加

Ｎ−型基板３の表面側からイオン注入を行うことで、Ｎ−型基板３の表層部に低ライフタイム領域としての格子欠陥領域４を形成する（図２（ａ））。 - 特許庁

To obtain a spreader that can economically give excellent spreading properties to a water surface-floating type agrochemical composition, and the water surface-floating type agrochemical composition that includes this spreader and has excellent spreading properties.例文帳に追加

水面浮遊型農薬組成物に優れた拡展性を経済的に付与できる拡展剤及びかかる拡展剤を含有する拡展性に優れた水面浮遊型農薬組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a rear surface projection type screen and a rear surface projection type display device capable of increasing a lens pitch Lp and a pitch ratio Gp/Lp while suppressing moire.例文帳に追加

モアレを抑制しながら、レンチピッチＬｐ、ピッチ比Ｇｐ／Ｌｐを大きくすることができる背面投写型スクリーン及び背面投写型表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

An n-type diffusion layer 3 is formed on the optical receiver surface side of a p-type silicon substrate 2, while an anti-reflective coating 4 and a silver electrode 7 for the optical receiver surface are attached on the diffusion layer 3.例文帳に追加

ｐ型のシリコン基板２の受光面側にｎ型の拡散層３が形成され、この拡散層３の上に反射防止膜４と受光面銀電極７が設けられている。 - 特許庁

After an n-type impurity is ion-injected to form the field stop layer on the rear surface of an n-type FZ wafer 41, a silicon-on-insulator support substrate 42 is adhered to the rear surface of the wafer 41.例文帳に追加

ｎ型のＦＺウェハ４１の裏面に、フィールドストップ層を形成するためのｎ型不純物のイオン注入の後、ＦＺウェハ４１の裏面に、ＳＯＩの支持基板４２を貼り付ける。 - 特許庁

Between n-type regions 8a formed on the main surface of a p-type silicon substrate 16 and a surface electrodes 7 comprising a conductive film, drift parts 6a that are semiconductor layers are arranged.例文帳に追加

ｐ形シリコン基板１６の主表面に形成したｎ形領域８ａと、導電性薄膜よりなる表面電極７との間に半導体層であるドリフト部６ａが設けられる。 - 特許庁

The n-type drift semiconductor 3 is provided on the main surface of the n^+-type drain semiconductor 2 and includes a first to a fourth regions 3a to 3d extending in the direction crossing this main surface.例文帳に追加

ｎ型ドリフト半導体部３は、ｎ^＋型ドレイン半導体部２の主面上に設けられ、この主面と交差する方向に延びる第１〜第４の領域３ａ〜３ｄを有する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DISTRIBUTION BRAGG REFLECTOR, SURFACE LUMINESCENCE TYPE SEMICONDUCTOR LASER, SURFACE LUMINESCENCE TYPE SEMICONDUCTOR LASER ARRAY, OPTICAL COMMUNICATION SYSTEM, OPTICAL WRITE-IN SYSTEM, AND OPTICAL PICK-UP SYSTEM例文帳に追加

半導体分布ブラッグ反射鏡および面発光型半導体レーザおよび面発光型半導体レーザアレイおよび光通信システムおよび光書き込みシステムおよび光ピックアップシステム - 特許庁

To provide a surface magnet type AC servo motor that eliminates the influence of the flux saturation of a stator core and does not reduce synthetic flux ϕgs in the surface magnet type AC servo motor.例文帳に追加

表面磁石形ＡＣサーボモータにおいて、固定子コアの磁束飽和の影響を排除し、且つ、合成磁束φｇｓが減じることの無い表面磁石形ＡＣサーボモータを提供する。 - 特許庁

To provide a surface structure of a substrate having excellent adhesion to a perovskite type oxide film which is formed on the surface of the substrate, and to provide the substrate and the perovskite type oxide film.例文帳に追加

基板表面に成膜するペロブスカイト型酸化物膜に対して優れた密着性を有する基板表面構造とその基板、およびペロブスカイト型酸化物膜を提供する。 - 特許庁

A nickel thin film is formed on the surface of an n-type III group nitride semiconductor, and an n-type electrode of a 2-layer structure in which an aluminum thin film is further mounted to a surface of the nickel thin film is formed.例文帳に追加

ｎ型 III族窒化物半導体表面にニッケル薄膜を形成し、該ニッケル薄膜の表面にさらにアルミニウム薄膜を載置した２層構造のｎ型電極とする。 - 特許庁

To provide a gallium arsenide-based battery having an n-type laminate arranged on a p-type laminate so that the n-type laminate faces the front or the sun side and the p-type laminate lies on the rear surface of the battery.例文帳に追加

ｎ型積層体が前面または太陽側を向いてｐ型積層体が電池の裏面にあるように、ｐ型積層体の上に配置されたｎ型積層体を有するヒ化ガリウムベースの電池を提供する。 - 特許庁

A pair of E-type magnetic cores 14 and 15 or an E-type magnetic core and an I-type magnetic core are attached to the bobbin 1 from above and below, so that an external leg 15b of the E-type magnetic core 15 is positioned outside the side surface of the coil cover 13.例文帳に追加

ボビン１に、上下より、一対のＥ形磁芯１４、１５、またはＥ形磁芯とＩ形磁芯を、Ｅ形磁芯１５の外脚１５ｂが、コイルカバー１３の側面の外側に位置するように装着する。 - 特許庁

To achieve a fin type semiconductor device of N-type having a desired characteristics by introducing an N-type impurity into a side surface of a fin type semiconductor region to form an impurity region with low resistance.例文帳に追加

フィン型半導体領域の側面にＮ型不純物を導入して低抵抗の不純物領域を形成できるようにし、それによって、所望の特性を持つＮ型のフィン型半導体装置を実現する。 - 特許庁

Sources and drains of the transistors Q are constituted of N+ type diffusion layers 31 which are diffused upward from the buried straps 23 to the P-type silicon layer 13 and an N+ type diffusion layer 32 on an upper surface of the P-type silicon layer 13.例文帳に追加

トランジスタＱのソース、ドレインは、埋め込みストラップ２３からｐ型シリコン層１３への上方拡散によるｎ^+型拡散層３１とｐ型シリコン層１３の上面のｎ^+型拡散層３２により構成する。 - 特許庁

Further, the p-type buried layer 109 is formed so as to cover the upper surface of the n-type buried layer 108 so that at least a part of the n-type buried layer 108 is contacted with the n^--type epitaxial layer 110.例文帳に追加

また、このＮ型埋め込み層１０８の少なくとも一部とＮ^−型エピタキシャル層１１０とが接するように、Ｎ型埋め込み層１０８の上面を覆うようにＰ型埋め込み層１０９が形成されている。 - 特許庁

This semiconductor device is constituted in such a way that a trench 9 is dug into an n--type layer 5 from the surface of the layer 5 between a p+-type gate layer 7 and 8 p--type layer 6 and an n+-type source layer 8 and filled with an insulating film 10.例文帳に追加

ｎ^-型層５のうちｐ^+型ゲート層７及びｐ^-型層６とｎ^+型ソース層８との間に、該ｎ^-型層５の表面から掘るようにトレンチ９を形成し、トレンチ９内を絶縁膜１０で埋め込む。 - 特許庁

While recessed sections are left on the upper surface of the n-type epitaxial layer in an alignment mark forming region 3, the recessed sections formed on the upper surface of the n-type epitaxial layer in a photodiode forming region 2 are removed by reducing the thickness of the n-type epitaxial layer by polishing.例文帳に追加

次に、フォトダイオード形成領域２におけるｐ型シリコン基板５の上面内にｐ型埋め込み分離領域８ａ〜８ｃを形成した後、ｐ型シリコン基板５の上面上にｎ型エピタキシャル層６を形成する。 - 特許庁

In this case, the rubber/aggregate compound layer 16 may be monolithic type having a layer containing aggregate only in the vicinity of the surface of the matrix, or two layer type with a sheet type rubber/ aggregate compound layer 16 bonded and fixed to the surface of a rubber base material.例文帳に追加

ゴム／骨材複合層１６は、ゴムマトリックス中の表面近傍のみに骨材を含有する層を有する一体型でも、ゴム基材表面にシート状のゴム／骨材複合層１６を接着、固定した二層型でもよい。 - 特許庁

The mirror element 30 includes an (n) type SiC substrate 1 having (n) type impurities introduced at least in its main surface and a transparent electrode 15 which is formed on the main surface of the (n) type SiC substrate 1 and can transmit light.例文帳に追加

ミラー素子３０は、少なくとも主表面にｎ型の不純物が導入されたｎ型ＳｉＣ基板１と、ｎ型ＳｉＣ基板１の主表面上に形成され、光を透過可能な透明電極１５とを備えている。 - 特許庁

The manufacturing method is provided with a stage of forming a light-emitting structure including a p-type electrode on an n-type substrate, a stage of etching the lower surface of the substrate and a stage of forming an n-type electrode on the etched lower surface of the substrate.例文帳に追加

ｎ型基板上にｐ型電極を含む発光構造体を形成する段階と、前記基板の下部面をエッチングする段階と、前記基板のエッチングされた下部面上にｎ型電極を形成する段階とを含む。 - 特許庁

A groove 13a which is deeper than the bottom surface of n^+-type source region 14 is formed in the surface region of p-type channel region 13, and a step 13b is formed on the groove 13a side of the n^+-type source region 14.例文帳に追加

また、Ｐ型チャネル領域１３の表面領域にはＮ^＋型ソース領域１４の底面よりも深い溝部１３ａが形成され、Ｎ^＋型ソース領域１４の溝部１３ａ側には段差部１３ｂが形成されている。 - 特許庁

After a lightly-doped first conductivity type semiconductor substrate (for example, an n^--type semiconductor substrate 1) is doped with impurities of the first conductivity type from the back surface, a back electrode 8 is formed on the back surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

第１導電型の低不純物濃度の半導体基板（例えば、ｎ^−型半導体基板１）に裏面側から第１導電型の不純物をドープした後で、半導体基板の裏面に裏面電極８を形成する。 - 特許庁

The thermoplastic elastomer is neat type or blend type and dynamic bridge type thermoplastic elastomer, the concentration of soft components is ≥30 wt% and the surface of the grip layer is formed as a roughened surface by texture processing.例文帳に追加

上記の熱可塑性エラストマーとしては、ニートタイプまたはブレンドタイプで動的架橋型の熱可塑性エラストマーであって、軟質成分濃度が３０重量％以上のものを用い、グリップ層表面を目付け加工により粗面に形成する。 - 特許庁

To provide an end-surface reflection type surface wave device which can effectively suppress a ripple due to a bulk wave, can be manufactured readily, even when the height of a reflecting end surface is made small, and use a surface wave of an SH type.例文帳に追加

バルク波に起因するリップルを効果的に抑圧することができ、反射端面の高さ方向寸法を小さくした場合であっても容易に製造することができるＳＨタイプの表面波を利用した端面反射型表面波装置を提供する。 - 特許庁

While forming four vertically coupled resonators type surface acoustic wave filters 81-84 and a surface acoustic wave resonator 90 both of which are of a 3IDT type and formed on a piezoelectric substrate, the compound surface acoustic wave device is constituted such that a capacitor 92 is connected in parallel with the surface acoustic wave resonator 90.例文帳に追加

それぞれ３ＩＤＴ型の４つの縦結合共振子型弾性表面波フィルタ８１〜８４と弾性表面波共振子９０を圧電基板上に形成するとともに弾性表面波共振子９０に対してキャパシタ９２を並列接続する。 - 特許庁

To achieve stable surface treatment, and then to obtain a stable result of the surface treatment regardless of change in self-bias voltage, in a self discharge-type surface treatment apparatus and surface treatment method.例文帳に追加

自己放電型の表面処理装置および表面処理方法において、自己バイアス電圧の変化に関係なく安定した表面処理を実現し、ひいては安定した表面処理結果を得る。 - 特許庁