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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > surface typeに関連した英語例文

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surface typeの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 14065



例文

A surface insulating film 9 is formed on a region which covers the entire region of the wall surface 8 and the bottom surface of the drain trench 6 and reaches a source electrode 18 on the top surface of the n-type GaN layer 5.例文帳に追加

ドレイントレンチ6の壁面8および底面の全域を覆い、n型GaN層5の頂面においてソース電極18に至る領域には、表面絶縁膜9が形成されている。 - 特許庁

At the same time a part 14a of the upper surface, a part 13a of the side surface, and a part 12a of the bottom surface swing via a folding line 15 of the bottom surface to form an opening 11a in the box type vessel.例文帳に追加

同時に上面の部分14aと、側面の部分13aと、底面の部分12aが底面の折曲線15を介して揺動し、箱型容器に開口11aが形成される。 - 特許庁

In one type among a plurality of links 11, 31, the front surface L1 of the link 31 is formed in parallel to the front surface L2 of a front insertion part 12, and the rear surface L3 of the link 31 is formed in parallel to the rear surface L5 of a rear insertion part 33.例文帳に追加

複数のリンク11,31のうちの1種類は、リンク31の前面L1と前挿通部12の前面L2とが平行とされ、リンク31の後面L3と後挿通部33の後面L5とが平行とされている。 - 特許庁

The surface of the p-type group III nitride semiconductor layer 8 exposed on a side surface of the semiconductor device forms a cleavage surface having reduced crystal defects, thus preventing a leak current from flowing along the side surface.例文帳に追加

半導体装置の側面に露出するp型のIII族窒化物半導体層8の表面はへき開面となり、結晶欠陥が少なく、側面に沿ってリ−ク電流が流れることを防止する。 - 特許庁

例文

DEPOSITION TYPE SURFACE TREATING LIQUID OF RARE EARTH- IRON SINTERED PERMANENT MAGNET, ITS SURFACE TREATMENT, AND RARE EARTH-IRON SINTERED PERMANENT MAGNET HAVING SURFACE TREATED BY THAT SURFACE TREATMENT例文帳に追加

希土類・鉄系焼結永久磁石の沈着型表面処理液および表面処理方法、ならびに該表面処理方法により得られた表面を有する希土類・鉄系焼結永久磁石 - 特許庁


例文

In addition, this luminaire is not a type in which the distance between the peripheral surface 8 of the base 3 facing the reflecting surface 5 and the reflecting surface 5 increases as the peripheral surface is apart from the end face 7 of the base 3 near the arc tube 2.例文帳に追加

また、反射面5に対向するベース部3の外周面8が、発光管2に近いベース部3の端面7から離れるにつれて反射面5との距離が増加するものではない。 - 特許庁

Additionally, a corner part of the engagement groove is formed on a curved surface type corner pary recessed from an upper wall surface or a lower wall surface facing against this upper wall surface placed on the projected part.例文帳に追加

また、係合溝13dの角部分13eは、突出部13dに載置される上壁面やこの上壁面と対向する下壁面より窪んだ曲面状の角部分13eに形成されている。 - 特許庁

The optical medium 116 comprises an incident surface, a recessed part for housing a plurality of disc type LEDs 201, 202, 203, 204 and so on, an emitting surface for emitting a light, and a light transmission part for connecting the incident surface to the emitting surface.例文帳に追加

光学媒体116は、入射面と、複数のディスク型LED201,202,203,204,・・・・・を収納するための凹部と、光を出射する出射面と、入射面と出射面とを接続する光伝送部とを有する。 - 特許庁

The abrasive cloth 12 is attached on a surface of a disc type surface plate 11 free to rotate in the predetermined direction, and the abrasive cloth 12 has a plurality of grooves 16 on its surface.例文帳に追加

所定方向に回転可能な円板状の定盤11の表面に研磨クロス12が貼付され、研磨クロス12は表面に複数本の溝16を有する。 - 特許庁

例文

The rod type integrator 10 is made of quartz glass surrounded with an incidence plane 12, an emission surface 14, a flank 16, a top surface 18, and a bottom surface 19.例文帳に追加

ロッド状のインテグレーター10は、入射面12、出射面14、側面16、上面18および底面19によって囲まれた石英ガラスから構成される。 - 特許庁

例文

In this pneumatic tire, the surface roughness of at least a part of the inner surface of a groove 1 provided at a tread part is not more than 1.4 μm as measured with a tracer type surface roughness meter.例文帳に追加

トレッド部に設けた溝1内面の少なくとも一部の表面粗さが、触針式表面粗さ計で計測した時に、1.4μm以下である空気入りタイヤ。 - 特許庁

This hand-held type measuring device is used by an operator so that the upper surface faces the upside and the front surface faces the front side, with a terminal on the rear surface to which a measuring probe line is connected.例文帳に追加

ハンドヘルド型測定装置は、後面の端子に測定プローブのラインを接続した状態で、上面が上、前面が手前となるようにオペレータによって使用される。 - 特許庁

A ceiling surface 3a of a cavity 2 bored in the box 1 is an inclined surface or a domed surface such as a shed roof, a two-sloping sides roof, a shell-type, a quadrangular pyramid or dome-shape.例文帳に追加

箱1に穿つ空所2の天井面3aを片流れ、両流れないしかまぼこ形、あるいは四角錐ないしドーム形などの傾斜面ないし中高面とする。 - 特許庁

To provide a road surface condition sensing device of a preliminarily working type for suppressing the number of sensing runs of the friction coefficient of the road surface, in a vehicle equipped with a function to sense the friction coefficient of the road surface.例文帳に追加

路面の摩擦係数を検出する車両において、摩擦係数の検出回数を抑制するための予備的な路面状態検出装置を提供する。 - 特許庁

To improve oil maintainability in a fork inner side surface while reducing a working cost of the fork inner side surface in a rocker arm main unit corresponding to a roller side surface of a roller type rocker arm.例文帳に追加

ローラ式ロッカアームのローラ側面と対応するロッカアーム本体のフォーク内側面の加工コストを低減すると共に、フォーク内側面の保油性を向上させる。 - 特許庁

Thus the arrangement of the plurality of pile type improving bodies 1 is the arrangement for suppressing ground surface subsidence to prevent ground surface subsidence of the ground S1 for fighting ground surface subsidence.例文帳に追加

こうして、複数の杭式改良体1の配置は、地表面沈下対策地盤S1の地表面沈下を防止する地表面沈下抑制配置とされている。 - 特許庁

To provide a toroidal type continuously variable transmission capable of improving surface roughness of a collar surface and reducing loss torque by easily applying polishing on the collar surface.例文帳に追加

容易につば面に研磨を施すことで、つば面の面粗度を向上させ損失トルクを小さくすることができるトロイダル型無段変速機を提供すること。 - 特許庁

A semiconductor substrate, including one main surface and the other main surface, and a first conductive type first layer 2 arranged on the one main surface side, is prepared.例文帳に追加

一方主面および他方主面を有し、かつ一方主面側に配置された第1導電型を有する第1の層2を含む半導体基板が準備される。 - 特許庁

This type of surface coating layer SF forms the tool mounting surface SS on the lower side of the groove 21x, so that the hardness of the tool mounting surface SS can be heightened.例文帳に追加

このような表面被覆層SFは、溝21xの下側において工具取付面SSを形成するので、工具取付面SSの硬度を高めることができる。 - 特許庁

To realize a scanning type microscope which can focus at a sample surface without scanning the entire surface of the sample surface and without being restricted in a measurement point at a high throughput with high accuracy.例文帳に追加

試料面の全面を走査せずに且つ測定点を制限されることなく、高いスループットで高精度に焦点合わせできる走査式顕微鏡の実現。 - 特許庁

The entire surface of an opposite surface 2b located oppositely to a fixed surface 2a of the conductive heat sink 2 with the line type CCD chip 1 fixed thereto is exposed to the outside.例文帳に追加

ライン型CCDチップ1が固定される導電性放熱板2の固定面2aに対して反対側に位置する反対面2bの全面が外部に露出している。 - 特許庁

The junction strength for the upper surface of the columnar type electrode 29 of this surface processing layer 35 can be enhanced, in comparison to that when the surface processing layer 35 is formed only with the non-electrolytic plating.例文帳に追加

この表面処理層35の柱状電極29の上面に対する接合強度は、単なる無電解メッキによって形成する場合と比較して、強くなる。 - 特許庁

A specific polyoxyalkylene monoalkyl ether that has a prescribed static surface tension and a prescribed dynamic surface tension as a spreader for a water surface-floating type agrochemical composition.例文帳に追加

水面浮遊型農薬組成物用拡展剤として、所定の静的表面張力及び動的表面張力を有する特定のポリオキシアルキレンモノアルキルエーテルを用いた。 - 特許庁

The cut surface 38 is subjected to laser annealing to form a coating layer 21 having a single conduction type corresponding to the impurity ion injected in the surface of the cut surface 38.例文帳に追加

切断面38にレーザアニールを施し、切断面38の表面に注入された不純物イオンに応じた単一の導電型を有する被覆層21を形成する。 - 特許庁

The tabletop type luminaire 1 constitutes a square pyramid with a quadrilateral bottom surface part 2 and triangular side surface parts 3 with the respective sides of the bottom surface part as the bottom sides.例文帳に追加

卓上型照明具1は、四辺形の底面部2とこの底面部の各辺を底辺とした三角形状の側面部3とにより四角錐を構成している。 - 特許庁

In the optical and electrical hybrid circuit board provided with an electric circuit and a surface type light emitting or receiving element on the same substrate, a surface type light emitting element 2a and a surface type light receiving element 2b are arranged on a printed circuit board perpendicularly to the circuit board so as to face each other.例文帳に追加

電気回路と面型発光素子または面型受光素子が同一基板に設けられた光電気混載配線板において、プリント配線板7に面型発光素子2aと面型受光素子2bをそれぞれ向かい合うようにかつ配線板に対して垂直に配置する。 - 特許庁

A prism 32 has: an incident surface 33 for making incident a video image light emitted from a video image forming member 31; a hologram surface 35 comprising a volume type, phase type and reflection type hologram 35 and having an optical power; and a luminous flux selecting surface SL for selectively performing transmission or reflection based on an incident angle.例文帳に追加

プリズム32は、映像形成部材31からの映像光を入射させる入射面33と、体積型で位相型で反射型のホログラム35からなり光学的パワーを有するホログラム面35と、入射角度により透過・反射を選択的に行う光束選択面SLと、を有する。 - 特許庁

This Fizeau type interferometer for measuring the shape of an optical surface of an optical element comprises a reference surface of the aspherical shape and a holding member for integrally holding the reference surface and the optical surface in a state where the reference surface is made adjacent to the optical surface.例文帳に追加

光学素子の光学面の形状を測定するためのフィゾー型干渉計は、非球面形状の参照面と;該参照面と前記光学面とを近接させた状態で、前記参照面と前記光学面とを一体に保持する保持部材とを有する。 - 特許庁

Various substrate supporting boards 16, 16', 16" are arranged on a front surface side wall 13, a back surface side wall 14, and a bottom surface side wall 15 of the vertical housing type cassette 10 to support a front surface side back surface part, a back surface side edge, and a downside edge of the substrate 50.例文帳に追加

縦収納型カセット10の正面側壁13、背面側壁14及び底面壁15には各基板支持基板16,16′,16″が配設され、基板50の正面側背面部、背面側周縁部及び下側周縁部が支持されている。 - 特許庁

The right side surface 30b faces a second n-type semiconductor region 22b disposed below the Schottky junction Jb, and the left side surface 30a faces a first n-type semiconductor region 22a disposed below the pn junction 13 between the n-type semiconductor region 22 and p-type semiconductor region 14.例文帳に追加

右側面30bは、ショットキー接合Jbの下方に位置する第2n型半導体領域22bに対向しており、左側面30aは、n型半導体領域22とp型半導体領域14とのpn接合13の下方に位置する第1n型半導体領域22aに対向している。 - 特許庁

The right side surface 30b faces a second n-type semiconductor region 22b disposed below the Schottky junction Jb, and the left side surface 30a faces a first n-type semiconductor region 22a disposed below the pn junction 13 between the n-type semiconductor region 22 and the p-type semiconductor region 14.例文帳に追加

右側面30bは、ショットキー接合Jbの下方に位置する第2n型半導体領域22bに対向しており、左側面30aは、n型半導体領域22とp型半導体領域14とのpn接合13の下方に位置する第1n型半導体領域22aに対向している。 - 特許庁

A p-type gate region 3 is provided on the surface of an n-type semiconductor layer 2, n-type drain region 4 and source region 5 are respectively provided on the surface of the n-type semiconductor layer holding the gate region 3 there between, and thus the junction field effect transistor is formed.例文帳に追加

n形半導体層2の表面にp形のゲート領域3が設けられ、そのゲート領域3を挟んでn形半導体層2の表面にn形のドレイン領域4およびソース領域5がそれぞれ設けられることにより接合型電界効果トランジスタが形成されている。 - 特許庁

To improve reliability of a semiconductor device which has a FIN type transistor comprising a FIN type semiconductor portion by suppressing characteristic variance of the FIN type transistor by making small a difference in impurity concentration between an upper surface and a side surface of the FIN type semiconductor portion.例文帳に追加

FIN状の半導体部により構成されるFIN型トランジスタを有する半導体装置において、FIN状の半導体部の上面の不純物濃度と側面の不純物濃度との差を小さくすることにより、FIN型トランジスタの特性ばらつきを抑えて、信頼性を向上させる。 - 特許庁

A plurality of N-type emitter layers 5 are formed in well in the lengthwise direction of the P-type base layer 2 separated into a stripe by the trench 3, while a cathode electrode is formed so as to be connected electrically to the surface of the P-type base layer 2 and the surface of the N-type emitter layer 5.例文帳に追加

トレンチ3によりストライプ形に分離されたP型ベース層2の長手方向に沿って複数のN型エミッタ層5をウエル状に形成し、P型ベース層2の表面及びN型エミッタ層5の表面に対して共に電気的に接続するようにカソード電極を形成する。 - 特許庁

An NPN type bipolar transistor BT, in which an N well 11 is a collector layer, a P+ type Si layer 12A formed on a surface of the N wall 11 is a base layer, and an N+ type Si layer 15 formed on a surface of the P+ type Si layer 12A is an emitter layer, is formed.例文帳に追加

Nウエル11をコレクタ層とし、Nウエル11の表面に形成されたP+型Si層12Aをベース層とし、P+型Si層12Aの表面に形成されたN+型Si層15をエミッタ層とする、NPN型のバイポーラトランジスタBTが形成されている。 - 特許庁

The directions of directors Cb of liquid crystal molecules in a surface 12B on the A-plate type retardation layer 14 side of the C-plate type retardation layer 12 and the directions of directors Na of liquid crystal molecules in a surface 14A on the C-plate type retardation layer 12 side of the A-plate type retardation layer 14 coincide with each other.例文帳に追加

Cプレート型位相差層12のAプレート型位相差層14側の表面12Bにおける液晶分子のダイレクターCbの方向と、Aプレート型位相差層14のCプレート型位相差層12側の表面14Aにおける液晶分子のダイレクターNaの方向とは一致している。 - 特許庁

The semiconductor material is preferably a laminated composite body of an n-type semiconductor film and a p-type semiconductor film, or a laminated composite body obtained by laminating the p-type semiconductor films on the surface and the back surface of the n-type semiconductor film, and its shape can be a granule, a film, a water-permeable porous material or the like.例文帳に追加

半導体材料は、n形半導体膜とp形半導体膜とを積層した複合体、n形半導体膜の表裏面にp型半導体膜を積層した複合体が好ましく、形状は粒状物、膜状物、透水性多孔質物等であってよい。 - 特許庁

The display device 1 comprises a surface mount type light emitting device 10 which is a light emitting device of surface mount type, a wiring board 20 whereon the surface mount type light emitting device 10 is mounted, a lens section 30 arranged in front of the surface mount type light emitting device 10, and a frame section 40 arranged to surround the lens section 30 and determining the position of the lens section 30.例文帳に追加

表示装置1は、表面実装型の発光装置である表面実装型発光装置10と、表面実装型発光装置10が実装された配線基板20と、表面実装型発光装置10の正面に配置されたレンズ部30と、レンズ部30の周囲を囲んで配置されレンズ部30の位置を確定する枠体部40とを備える。 - 特許庁

This semiconductor device is equipped with a channel region 420 that has a relatively low p-type impurity concentration on the surface, a channel region 320 that has relatively high p-type impurity concentration on the surface, a channel region 120 that has a relatively low n-type impurity concentration on the surface, and a channel region 220 that has a relatively high n-type impurity concentration on the surface.例文帳に追加

半導体装置は、表面においてp型の不純物濃度が相対的に低いチャネル領域420と、表面においてp型の不純物濃度が相対的に高いチャネル領域320と、表面においてn型の不純物濃度が相対的に低いチャネル領域120と、表面においてn型の不純物濃度が相対的に高いチャネル領域220とを備える。 - 特許庁

Besides, the respective inclined angles (α, β) of the side surface (18) of the male type portion and the side portion surface (25) in the groove are the same, thus securing a surface contact between these surfaces when each of the leg portion (6) is tightened to the male type portion.例文帳に追加

さらに、雄型部分の側面(18)及び溝内の側部面(25)の各傾斜角(α、β)は、同じ大きさであり、脚部(6)のそれぞれが雄型部分に対して締結されるとき、それらの面で面接触を保障する。 - 特許庁

A first louver type window body 2 and a second louver type window body 3 are installed on one surface and the other surface opposed to this surface of a frame body 5 slidably installed on a rail of an existing window frame, and a filter 4 is interposed between these bodies.例文帳に追加

既設の窓枠のレールに摺動可能に装着される枠体5の一面及びこれと相対向する他面には第1のルーバ式窓体2と第2のルーバ式窓体3が取付けられ、その間にはフィルタ4が介設される。 - 特許庁

The surface active agents contain a first polyether type non-ion surface active agent having an HLB value of 3-9 at a room temperature, and a second polyether type non-ion surface active agent having an HLB value of 10-20 at a room temperature.例文帳に追加

前記界面活性剤は、室温でのHLB値が3〜9の第1のポリエーテル型非イオン界面活性剤と、室温でのHLB値が10〜20の第2のポリエーテル型非イオン界面活性剤とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

When the planar core 20 is placed on the drum type core 2, the first projection can come into contact with the first regulating surface, the inclined surface 22a can come into contact with the second regulating surface 4a, and the planar core 20 to the drum type core 2 is positioned.例文帳に追加

板状コア20がドラムタイプコア2に載置された場合には、第1凸部が第一規制面と当接可能となり、傾斜面22aが第二規制面4aと当接可能となり、ドラムタイプコア2に対する板状コア20が位置決めされる。 - 特許庁

Also, the two adjacent electric field type antennas are stored in parallel on the surface side, and the two adjacent electric field type antenna are also stored on the back face side, and they are faced to each other (C type).例文帳に追加

また、表面側に対して2個の近接電界型アンテナを並列に収納し、かつ裏面側にも2個の近接電界型アンテナを収納してこれらを対向させる(Cタイプ)。 - 特許庁

In the p-type shallow well region 123, a p-type layer 127 having small impurity concentration and a p-type layer 125 having dense impurity concentration are formed successively from the surface side.例文帳に追加

P型の浅いウェル領域123内には、表面側から順に、P型の不純物濃度の薄い層127と、P型の不純物濃度の濃い層125とが形成されている。 - 特許庁

The packaging device has a sleeve covering a storage type hot water supply device 1 and a protrusive protrusion type support device 8 mounted on the inner surface of the sleeve so as to surround the storage type hot water supply device 1.例文帳に追加

貯湯式給湯器1を覆うスリーブと、スリーブの内面側に、貯湯式給湯器1を取り巻くように設けた突起状の凸型支持装置8とを備えたものである。 - 特許庁

In the upper surface of an n-type impurity region 28, a p+ type impurity region 33 is formed between an NMOS 14 and a PMOS 15 to come into contact with a p-type well 29.例文帳に追加

NMOS14とPMOS15との間において、n型不純物領域28の上面内には、p型ウェル29に接するようにp^+型不純物領域33が形成されている。 - 特許庁

Related to a photoelectric conversion element 4 of a photodiode, a p-type region 8 and an n-type region 10 are locally laminated on a surface of a p-type semiconductor substrate 6.例文帳に追加

フォトダイオードである光電変換素子4は、p型の半導体基板6の表面部にp型領域8およびn型領域10を局所的に積層して形成されている。 - 特許庁

On the periphery of a first P type heavily doped layer 2 constituting the light receiving surface of a semiconductor substrate, a second P type heavily doped layer 6 is formed separately from the first P type heavily doped layer 2.例文帳に追加

半導体基板の表面の受光面を構成する第1のP型高濃度層2の周辺に第1のP型高濃度層2と離れて第2のP型高濃度層6を形成する。 - 特許庁

例文

Alternately, the two adjacent magnetic field type antennas are stored in parallel on the surface side, and the two adjacent magnetic field type antennas are stored on the back face side, and they are faced to each other (D type).例文帳に追加

或いは、表面側に対して2個の近接磁界型アンテナを並列に収納し、かつ裏面側に2個の近接磁界型アンテナを収納してこれらを対向させる(Dタイプ)。 - 特許庁




  
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