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surface typeの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 14065件
A p^+-type impurity region 33 is formed in contact with a p-type well 29 in between an NMOS 14 and a PMOS 15 in the upper surface of an n-type impurity region 28.例文帳に追加
NMOS14とPMOS15との間において、n型不純物領域28の上面内には、p型ウェル29に接するようにp^+型不純物領域33が形成されている。 - 特許庁
C(carbon) is ion-implanted to a predetermined depth, deeper than an n-type source region 3 at a reserved portion to form a p-type gate region 4 in a surface layer of an n-type drift region 2.例文帳に追加
n型ドリフト領域2の表層部のうち、p型ゲート領域4の形成予定部分に、n型ソース領域3よりも深い所定深さまでC(炭素)をイオン注入する。 - 特許庁
The pn junction is formed on the interface between a low-density n-type impurity layer 3 and a p-type diffusion region 5 nearby the top main surface of an n-type semiconductor substrate 2 of the semiconductor device 1.例文帳に追加
半導体装置1のn型半導体基板2の上主面近傍で、低濃度n型不純物層3とp型拡散領域5との界面でpn接合が形成されている。 - 特許庁
After forming the orientation notch 32 and the auto dope preventing film 34, a surface of the p-type semiconductor substrate 10 is made to carry out epitaxial growth of a semiconductor layer 36 of a p-type or an n-type.例文帳に追加
オリエンテーションノッチ32及びオートドープ防止膜34を形成した後に、p型半導体基板10の表面にp型又はn型の半導体層36をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁
Since the p-type semiconductor 27 is also grown from the second exposed portions of the n-type semiconductor 22, formation of V-shaped grooves are prevented on the surface of the p-type semiconductor 27.例文帳に追加
また、n型半導体22の第2の露出部からもp型半導体27が成長するので、p型半導体27の表面にV字状の溝が形成されるのを防ぐ。 - 特許庁
For example, an n^--type semiconductor layer 2 is formed on an n^++ type semiconductor substrate 1, and a p^+ type diffusion area 3 is formed on the front surface of it to form a pn junction.例文帳に追加
たとえばn^++形半導体基板1上にn^−形半導体層2が設けられ、その表面にp^+形拡散領域3が設けられて、pn接合が形成されている。 - 特許庁
In the light emitting element having two electrodes for an n type and for a p type on the same one surface side, a transparent conductive film is utilized as a transparent electrode for the n type.例文帳に追加
同一面側にn型用とp型用の両電極を有する発光素子において、透明導電膜をn型用透明電極として利用したことを特徴としている。 - 特許庁
In the n-type shallow well region 124, an n-type layer 128 having small impurity concentration, and an n-type layer 126 having large impurity concentration are formed successively from the surface side.例文帳に追加
N型の浅いウェル領域124内には、表面側から順に、N型の不純物濃度の薄い層128と、N型の不純物濃度の濃い層126とが形成されている。 - 特許庁
An n-type well region 3 and a p-type well region 4 are formed on the surface of a p-type silicon substrate 1, and an element separation insulation film 2 separates between the well regions 3 and 4.例文帳に追加
p型シリコン基板1の表面にn型ウェル領域3,p型ウェル領域4を形成し、このウェル領域3,4間を素子分離絶縁膜2によって分離している。 - 特許庁
Between an NMOS14 and a PMOS15, in the upper surface of an n-type impurity region 28, a p+-type impurity region 33 is formed, in such a manner that it contacts a p-type well 29.例文帳に追加
NMOS14とPMOS15との間において、n型不純物領域28の上面内には、p型ウェル29に接するようにp^+型不純物領域33が形成されている。 - 特許庁
The treatment members, provided with a treatment agent on the surface, is prepared by unitization of various types of members such as a matrix type, plate type, rod type and the like or by fixing a simple unit of members to a conveyance device.例文帳に追加
表面に処理剤を備えた、マトリックス状、プレート状、ロッド状等の各種の部材をユニット化し、或いは部材単体を搬送装置に固定して処理部材とする。 - 特許庁
The light receiver has a p-type layer 101, an i-type layer 102, and an epitaxial n-type layer 103 which are successively formed from a light incident surface and has also an isolating/insulating oxide film 104.例文帳に追加
受光装置は、光入射表面からp型層101、i型層102、エピタキシャルn型層103を有し、さらに、分離絶縁膜である酸化膜104を有している。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a cement type base material which can control occurrence of back-surface shrinkages of the cement type molding in the press molding process of press-molding a cement type molding.例文帳に追加
セメント系成形体にプレス成形を施すプレス成形工程においてセメント系成形体の裏面ヒケの発生を抑制することができるセメント系基材の製造方法を提供する。 - 特許庁
Each light receiving element is provided with a semi-insulating semiconductor substrate 10, an n-type semiconductor layer 11, an i-type semiconductor layer 12 and a p-type semiconductor layer which are successively laminated on the surface of the substrate 10.例文帳に追加
各受光素子は、半絶縁性の半導体基板10と、この基板上に順次積層されたn型半導体層11、i型半導体層12およびp型半導体層を具えている。 - 特許庁
Then a third N^+ type diffusion layer 14 is made to grow by diffusion from the surface side of an N type epitaxial growth layer 13, and is joined to the second N^+ type embedded diffusion layer 12.例文帳に追加
この後、N型エピタキシャル成長層13の表面側から第3のN^+型拡散層14を拡散成長させて、第2のN^+型埋め込み拡散層12と接合する。 - 特許庁
The polarizer protective film has a resin layer comprising a copolymer including styrene type monomer and olefin type monomer as monomer unit on one side surface of (meth)acrylic type resin layer.例文帳に追加
本発明にかかる偏光子保護フィルムは、(メタ)アクリル系樹脂層の片面にスチレン系モノマーおよびオレフィン系モノマーをモノマー単位として含有する共重合体からなる樹脂層を有する。 - 特許庁
In an n-type first semiconductor region nw1 formed on a main surface of a p-type semiconductor substrate 1, a plurality of p-type second semiconductor regions pw1 are arranged in an array form.例文帳に追加
p型の半導体基板1の主面に形成されたn型の第1半導体領域nw1内にはp型の複数の第2半導体領域pw1がアレイ配置されている。 - 特許庁
An n-type buried layer 11 and an epitaxial layer 12, and a P-type semiconductor layer 13 are arranged on a surface of a P-type semiconductor substrate 10 constituting an IC chip 10A.例文帳に追加
ICチップ10Aを構成するP型の半導体基板10の表面には、N型の埋め込み層11及びエピタキシャル層12と、P型の半導体層13が配置されている。 - 特許庁
A p-type diffusion layer 22 is formed in the surface 11b of the n-type substrate 11, which corresponds to a detector 31 between the p-type well region 15 and the reading gate 21.例文帳に追加
また、P型ウェル領域15および読み出し用ゲート21の相互間の検出部31に対応する、N型基板11の表面部11bにはP型拡散層22が形成されている。 - 特許庁
A metal layer 107-1, a diffusion layer 107-2 of the first conductive type, and a diffusion layer 108 of the second conductive type are formed in a surface portion of the well 106 of the second conductive type.例文帳に追加
第2導電型のウェル106の表面部には、金属層107−1、第1導電型の拡散層107−2、第2導電型の拡散層108が形成されている。 - 特許庁
The SiC semiconductor device includes a p^+-type body layer 6 deeper than an n^+-type source region 4 and having a concentration higher than that of a p-type base region 3 at a position spaced at a predetermined distance from the side surface of a trench 7.例文帳に追加
トレンチ7の側面から所定距離離れた位置に、n^+型ソース領域4よりも深く、かつ、p型ベース領域3よりも高濃度となるp^+型ボデー層6を備える。 - 特許庁
To provide a surface light emitting device capable of emitting more light than a surface light emitting device using chip type LED elements.例文帳に追加
チップ型のLED素子を用いた面発光装置と比較して、より多くの光を取り出すことが可能な面発光装置を提供する。 - 特許庁
The thermistor 102 and the resistor element 103 are formed into a film type on the surface of a base part 101 of the light-emitting element carrier, on which surface a light emitting element is to be mounted.例文帳に追加
発光素子キャリアの基部101の発光素子を実装する面にサーミスタ102および抵抗素子103が膜状に形成されている。 - 特許庁
To provide an urban-type road-surface drainage treatment tank to be underlaid in a side ditch for the separation and removal of pollutants in road-surface drainage at rainfall.例文帳に追加
降雨時の路面排水中の汚濁物質の分離除去用の側溝に敷設する都市型の路面排水処理槽を提供する。 - 特許庁
One side surface portion 25 of an outer layer coil 23 is used as a surface type commutator, and carried out commutation with a brush 51.例文帳に追加
外層コイル23の一方の側面部25はサーフェス型コンミテータとして利用しており、ブラシ51とともに整流作用をおこなう。 - 特許庁
To prevent any step from being formed between a base surface and a cover base surface in a two-piece type mirror base of a vehicular door mirror.例文帳に追加
車両用ドアミラーの2ピースタイプのミラーベースにおいてベース表面とカバーベース表面との間に段差が生じるのを防止する。 - 特許庁
A depressed part depressed in an axial direction is formed on the width surface 27a of the connecting part 23 facing the width surface of a shell type outer ring.例文帳に追加
ここで、シェル型外輪の幅面と対面する連結部23の幅面27aには、軸方向に凹んだ凹部が設けられている。 - 特許庁
To provide a thin film thermal diffusivity measuring device of a surface heating/surface temperature measuring type, into which an analysis model that takes into consideration the film thickness is incorporated.例文帳に追加
膜厚を考慮した解析モデルを組み込んだ表面加熱・表面測温型の薄膜熱拡散率測定装置を構築する。 - 特許庁
Right above the display surface 3 of a display device 2 provided with a touch type coordinate input device, a display surface rugged part 8 is provided.例文帳に追加
タッチ式座標入力装置を有した表示装置2の表示面3のすぐ上には、表示面凹凸部8が備えられている。 - 特許庁
One end of the resonant type external resonator is the target surface 40, and the other end is a far position surface 12 of the semiconductor oscillation medium.例文帳に追加
共鳴型外部共振器の一端はターゲット面40であり、もう一方の端は半導体発振媒体の遠位面12である。 - 特許庁
Accordingly, the end face Pc of the reaction type hot-melt adhesive layer P is formed in a flat surface, and a post-coated surface having no fine irregularity is obtained.例文帳に追加
それにより、反応式ホットメルト接着剤層Pの端面Pcは平坦面となり、微細な凹凸のない後塗装面が得られる。 - 特許庁
An electrode nozzle 30 of a surface opposing type is arranged opposed to the processed surface of the separator base material B which is covered with a partial masking M.例文帳に追加
部分的にマスキングMを施したセパレータ基材Bの被加工面に対し、面対向型の電極ノズル30を対向配置する。 - 特許庁
SURFACE FLAW EVALUATION DEVICE OF ROUND BAR STEEL BY SUBMERGED ULTRASONIC FLAW DETECTION USING ELECTRON SCANNING TYPE ARRAY PROB,E AND SURFACE FLAW EVALUATION METHOD OF ROUND BAR STEEL例文帳に追加
電子走査式アレイ探触子を用いた水浸超音波探傷による丸棒鋼の表面欠陥評価装置及びその方法 - 特許庁
The infrared rays reflected on the reflection surface 3a of the pedestal 3 reflect on the convex type reflection surface 5a toward the center of the pedestal 3.例文帳に追加
凸面型反射面5aにより、台座3の反射面3aにて反射した赤外線が台座3の中央に向けて反射する。 - 特許庁
To obtain a lead-acid storage battery having a stable electrolytic solution surface height by suppressing time variations in the liquid surface height of a liquid type lead-acid storage battery.例文帳に追加
液式鉛蓄電池の、液面高さの時間変化を抑制し、安定した電解液面高さを有した鉛蓄電池を得ること。 - 特許庁
To provide a straight-down type light-emitting surface member, capable of increasing the luminance at a receiving surface, while suppressing the generation of lamp image.例文帳に追加
ランプイメージの発生を抑制しつつ、発光面における輝度を高めることができる直下型用発光面部材を提供する。 - 特許庁
The refractory floor surface material 32 and the refractory surface material 31 form a double refractory structure to improve the refractory performance of a unit type building.例文帳に追加
耐火床面材32と、耐火面材31とで、二重の耐火構造となり、ユニット式建物1の耐火性能を向上できる。 - 特許庁
To provide a control method for registering the image positions on the surface side and the rear surface side with a stabilized precision regardless of the type of a web.例文帳に追加
ウェブの種類によらず、安定した精度での表面側の画像位置と裏面側の画像位置とを揃える制御を提供する。 - 特許庁
To provide a hand-carry type electric-driven tool capable of enhancing the operability when the tool is used in a corner area of a wall surface, a floor surface or the like.例文帳に追加
壁面又は床面等のコーナー領域で使用する際の操作性を向上させて手持式電動工具を提案する。 - 特許庁
The rim mounting type spot cooler comprises a Peltier element 1 having a heating surface 1a which is contacted with a rim 4a, and a spot cooler body 2 provided on the cooling surface 1b side of the element 1.例文帳に追加
ペルチェ素子1の発熱面1a側をリム4aに当接させ、冷却面1b側にスポットクーラ本体2を設ける。 - 特許庁
To provide a novel surface acoustic wave device capable of exhibiting an excellent Q value even when a high speed SH type surface acoustic wave is used.例文帳に追加
高速なSHタイプの表面波を利用しても優れたQ値を発揮することができる新規な弾性表面波デバイスの提供。 - 特許庁
A determining section 15 determines the road type based on a recognition result of the road-surface sign coupled with a recognition result of the road-surface convex condition.例文帳に追加
そして、判別部15は路面標示の認識結果と路面凸状態の認識結果を加味して道路種の判別を行う。 - 特許庁
To provide a surface emitting type UV irradiation apparatus using UV emitting diodes, which arbitrarily controls with luminance distribution in a light emitting surface.例文帳に追加
紫外線発光ダイオードを用いて面発光型の紫外線照射装置を実現し、発光面内の輝度分布を任意に制御する。 - 特許庁
An attached garage 11 includes an inner surface 23, the surface of which is provided with a photocatalyst layer 24 including a visible light response type photocatalyst.例文帳に追加
付属車庫11は、可視光応答型光触媒を含む光触媒層24が表面に設けられた内面23を備えている。 - 特許庁
A substrate 1 is a flat plate type substrate which is made of stainless steel and has a specular surface 2 as one surface, and serves as an electrode of a piezoelectric body 3.例文帳に追加
図1において、1は片面を鏡面2としたステンレス製の平板状基板であって圧電体3の電極を兼ねている。 - 特許庁
Photocatalyst coating of a cold setting type coating agent is applied to the surface of the net 3 and the surface side of the membrane material 5 for the tent.例文帳に追加
次に、ネット3の表面及びテント用膜材5の表側に、常温硬化型コーティング剤により光触媒コーティングを施す。 - 特許庁
To enhance dehydration efficiency by making effective use of the whole filtration surface of a screw press type dehydration device, and dispense with the cleaning of the filtration surface.例文帳に追加
スクリュープレス式脱水装置のろ過面全体を有効利用して脱水効率を高めると共にろ過面の洗浄を不要にする。 - 特許庁
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