「surface type」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

LAP JOINT TYPE OR END LAP TYPE METALLIC BACKING MATERIAL FOR DRY TILING, AND CONSTRUCTION METHOD FOR FIXING ON WALL SURFACE BY USING THE METALLIC BACKING MATERIAL例文帳に追加

乾式タイル張り用の重ね継ぎ式、または、羽重ね式金属下地材と、その金属下地材を用いて壁面に固定する施工方法 - 特許庁

Then a laminate structure portion 3 which has a wall surface 8 ranging from the n-type GaN layer 4 to the n-type GaN layer 6 is formed by etching.例文帳に追加

次いで、エッチングにより、ｎ型ＧａＮ層４からｎ型ＧａＮ層６に跨る壁面８を有する積層構造部３を形成する。 - 特許庁

A lubricating oil containing a fatty acid ester type ash-free friction regulator or a fatty acid amine type ash-free friction regulator is oiled on the sliding surface.例文帳に追加

摺動面上に脂肪酸エステル系無灰摩擦調整剤や脂肪族アミン系無灰摩擦調整剤を含む潤滑油を注油する。 - 特許庁

Then, an annealing is carried out to increase the conductivity of p-type layer by diffusing hydrogen outside from the exposed surface of the p-type layer.例文帳に追加

この後、ｐ型層の露出させた面から水素を外方拡散させてｐ型層の伝導性を増加させるために、アニールが実行される。 - 特許庁

The SBD region 20 includes a p type diffusion region 21 provided on an upper surface of the n type epitaxial layer 2 and having a second impurity concentration.例文帳に追加

ＳＢＤ領域２０は、ｎ型エピタキシャル層２の上面に設けられ第２の不純物濃度を有するｐ型拡散領域２１を備える。 - 特許庁

An n-type pull-out region (sinker) 8 reaching the n+-embedded drain region 2 from the surface of the n-type semiconductor region 3 is provided.例文帳に追加

さらに、ｎ型の半導体領域３の表面から、ｎ^+埋め込みドレイン領域２に達するｎ型の引き出し領域（シンカー）８を有する。 - 特許庁

To provide a chemical amplification type positive type photoresist composition having high sensitivity, high resolving power, improved development defects and surface roughness.例文帳に追加

高感度で高解像力を有し、現像欠陥および表面ザラツキが改善された化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

Then, the thickness of the dome-type lens may be set substantially uniform, or at least one surface of the dome-type lens may be set to be aspherical.例文帳に追加

なお、前記ドーム型レンズの厚さを略均一にしたり、前記ドーム型レンズの少なくとも一方の面を非球面にしたりしてもよい。 - 特許庁

A resistor region 20 is formed by processing a region immediately below the p-type pad 24 in the surface of the p-type nitride layer 18 through plasma processing.例文帳に追加

ｐ型窒化物層１８の表面のうち、ｐ型パッド２４直下の領域をプラズマ処理することで抵抗領域２０を形成する。 - 特許庁

A pair of p-type side electrode 8 and n-type side electrode 7 are provided on the window layer 5 and on the rear surface of the substrate 1.例文帳に追加

そのウインドウ層５上および半導体基板１の裏面に一対のｐ側電極８およびｎ側電極７が設けられている。 - 特許庁

To provide a rotary piston type compressor having a shape for work at a low cost of the external peripheral surface of a piston of blade integral type.例文帳に追加

ブレード一体形のピストンの外周面を低廉なコストで加工するための形状を備えた揺動ピストン形圧縮機を提供する。 - 特許庁

An n^--type epitaxial layer 2 is formed on the main surface of an n^+-type SiC substrate 1, and a trench 3 is placed in the epitaxial layer 2 side by side.例文帳に追加

ｎ^+型ＳｉＣ基板１の主表面上にｎ^-型エピタキシャル層２が形成され、エピタキシャル層２にはトレンチ３が並設されている。 - 特許庁

The gate electrode 5 forms p-type and n-type channels on the trench surface depending on a gate voltage applied from the gate drive circuit 10.例文帳に追加

このゲート電極５は、ゲート駆動回路１０から印加するゲート電圧に応じてｐ型及びｎ型のチャネルをトレンチ表面に形成する。 - 特許庁

An n-type emitter region 2e and a collector region 2c are formed on two points on a surface of a p-type Si substrate 1 doped with B ions.例文帳に追加

Ｂイオンがドーピングされたｐ型のＳｉ基板１の表面の２箇所にｎ型のエミッタ領域２ｅ及びコレクタ領域２ｃを形成する。 - 特許庁

A semiconductor substrate 2 of n-type silicon having a crystal face orientation (100) is used to form an n-type semiconductor layer 3 on its main surface.例文帳に追加

Ｎ型のシリコンからなる結晶面方位（１００）の半導体基板２を用い、その主面にＮ型の半導体層３を形成する。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon film 2 is then formed on the major surface of the n-type single crystal silicon substrate 1 by plasma CVD (chemical vapor deposition).例文帳に追加

次に、プラズマＣＶＤ（化学蒸着）法によりｎ型単結晶シリコン基板１の主面上にｉ型非晶質シリコン膜２を形成する。 - 特許庁

The insulated gate bipolar transistor includes: an N-type semiconductor layer 3; and a collector part formed on the surface part of the N-type semiconductor layer 3.例文帳に追加

本発明の絶縁ゲートバイポーラトランジスタは、Ｎ型半導体層３と、Ｎ型半導体層３の表面部に形成されたコレクタ部とを具備する。 - 特許庁

This fingerprint type tactile sensor 10 is constituted of a coil-like carbon fiber dispersed in a matrix resin, and has fingerprint type protrusions 12 on its surface.例文帳に追加

指紋型触覚センサ１０は、コイル状炭素繊維がマトリックス樹脂に分散されて構成され、表面に指紋型の起伏１２を有している。 - 特許庁

To provide a balanced type surface acoustic wave device with high quality that acts as a balanced type device and has an excellent filter characteristics.例文帳に追加

平衡型として動作し、フィルタ特性が良好である、高品質な平衡型弾性表面波装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The step for forming an N type epitaxial layer is carried out on the surface of an N type buried layer 51 for a portion where a scribe line is formed.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル層形成工程は、スクライブラインが形成される部分については、Ｎ型埋め込み層５１の表面に対して行なわれる。 - 特許庁

A wireless type data carrier 1 and a reflecting plate 2 provided on the same flat surface as that of the wireless type data carrier 1 are mounted on an article 3.例文帳に追加

物品３には、無線式データキャリア１と、無線式データキャリア１と同一平面上に設けられた反射板２とが貼り付けられている。 - 特許庁

A semiconductor apparatus includes: an n+ type semiconductor substrate 1; an n- type drift region 2 formed on the upper surface of the n+ type semiconductor substrate 1; an anode electrode 3 formed on the upper surface of the n- type drift region 2 and forming a Schottky junction A with the n- type drift region 2; and a cathode electrode 4 electrically connected to the n+ type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体装置は、ｎ＋型半導体基板１と、ｎ＋型半導体基板１の上面上に設けられたｎ−型ドリフト領域２と、ｎ−型ドリフト領域２の上面上に設けられ、ｎ−型ドリフト領域２とショットキー接合Ａを形成するアノード電極３と、ｎ＋型半導体基板１に電気的に接続されたカソード電極４とを備える。 - 特許庁

An n-type impurity region 117 connected to the drain electrode 119 and an n-type impurity region 121 which is separated from the n-type impurity region 117 but connected to a VB electrode 128 and has a side surface in opposition to a side surface of the n-type impurity region 117 are formed in a major surface of a p^- substrate 200.例文帳に追加

ｐ^-基板２００の主面内には、ドレイン電極１１９に接続されたｎ型不純物領域１１７と、ｎ型不純物領域１１７とは離間するとともにＶＢ電極１２８に接続された、ｎ型不純物領域１１７の側面に対向する側面を有するｎ型不純物領域１２１とが形成されている。 - 特許庁

On the surface of the low-concentration n-type semiconductor layer 202, an insulating layer 205 is formed so that a portion of the surface of the n-type semiconductor region 204 is exposed, and a first electrode 206 covering the exposed portion of the n-type semiconductor region 204 and a second electrode 207 covering the back surface of the n-type semiconductor substrate 201 are provided.例文帳に追加

また、低濃度Ｎ型半導体層２０２の表面には、Ｎ型半導体領域２０４の表面の一部が露出するように絶縁膜２０５が形成され、Ｎ型半導体領域２０４の露出部分を覆う第１電極２０６と、Ｎ型半導体基板２０１の裏面を覆う第２電極２０７とが形成されている。 - 特許庁

To provide an instrument and a method for calibrating a contact type surface temperature sensor for bringing a temperature sensing part into contact with the surface of a measured temperature body to accurately compare and calibrate the contact type surface temperature sensor measuring the surface temperature, and to provide a method for calibrating a reference temperature sensor.例文帳に追加

被測温体の表面に感温部を接触して表面温度を測定する接触式表面温度センサを精度よく比較校正できる接触式表面温度センサ校正器、接触式表面温度センサの校正方法及び基準温度センサの校正方法を提供する。 - 特許庁

To provide a coated cutting tool (cemented carbide insert) particularly useful for wet type and dry type milling of low and medium alloyed steels having rough surfaces such as a cast surface, a forged surface, and a hot or cold rolled surface, or a preliminarily machined surface.例文帳に追加

本発明は、鋳肌、鍛造肌、熱間または冷間の圧延肌のような粗製面、或いは、予備機械加工した表面を有する低合金鋼および中合金鋼の湿式及び乾式フライス加工に対して特に有用である被覆された切削工具（超硬合金植刃(insert)）に関する。 - 特許庁

This manufacturing method of a nitride semiconductor laser device comprises a step to etch the back surface (nitride surface) of an n-type GaN substrate 1 having wurtzite structure by RIE method, and then, a step to form an n-electrode 8 on the back surface (nitride surface) of the etched n-type GaN substrate 1.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

Further, the semiconductor device manufacturing method comprises a step of simultaneously oxidizing the surface of the n-type semiconductor region and the surface of the semiconductor layer to form an oxide film having a film thickness relatively thicker on the surface of the n-type semiconductor region than on the surface of the semiconductor layer.例文帳に追加

また、半導体装置の製造方法は、ｎ形半導体領域の表面及び半導体層の表面を同時に酸化し、相対的に半導体層の表面上よりもｎ形半導体領域の表面上で膜厚が厚くなる酸化膜を形成する工程を有する。 - 特許庁

In response to a gate electrode 15, a p-type layer 26a made of p-type AlGaAs is buried in the first barrier layer 24, and a p-type contact layer 26b made of p-type GaAs is buried in the surface layer 25.例文帳に追加

ゲート電極１５に対応してＡｐ型ｌＧａＡｓよりなるｐ型層２６ａを第１の障壁層２４に埋め込んで形成し、ｐ型ＧａＡｓよりなるｐ型コンタクト層２６ｂを表面層２５に埋め込んで形成する。 - 特許庁

A first surface layer substrate 2 comprises a non-conductive second sheet type elastomer 2A and a plurality of conductive second strip type elastomers 2B that are arranged together with the first strip type elastomers 1B on both ends of the second sheet type elastomers 2A.例文帳に追加

第１表層基板２は、非導電性の第２シート状エラストマ２Ａと、第２シート状エラストマ２Ａの両端に第１短冊状エラストマ１Ｂと同配列される導電性の複数の第２短冊状エラストマ２Ｂと、を構成する。 - 特許庁

Thereafter, p-type impurities are ion-implanted with the oxidized film 12 as a mask, a p+-type contact region 8 is formed on the surface layer part of a p-type channel region 6, and a p+-type region 16a is formed on the Poly-Si layer 16.例文帳に追加

この後、酸化膜１２をマスクとしてｐ型不純物をイオン注入し、ｐ型チャネル領域６の表層部にｐ^+型コンタクト領域８を形成すると共に、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ層１６にｐ^+型領域１６ａを形成する。 - 特許庁

An n^- type silicon region 3 having high resistance, to be the region of maintaining a breakdown voltage, is vertically provided with respect to a principal surface 72 of an n^+ type silicon substrate 1, and the n^- type silicon region 3 having the high resistance is connected to the n^+ type silicon substrate 1.例文帳に追加

耐圧保持領域である高抵抗のｎ^−型シリコン領域３をｎ^＋型シリコン基板１の主面７２に対して垂直に設け、高抵抗のｎ^−型シリコン領域３をｎ^＋型シリコン基板１に接続させる。 - 特許庁

To provide an R-type manganese dioxide nanoneedle porous body which consists of nanoneedles of nanometer-scaled R-type manganese dioxide and has high specific surface area and to provide an R-type manganese nanoneedle constituting the R-type manganese dioxide nanoneedle porous body and methods for manufacturing them.例文帳に追加

ナノスケールのＲ型二酸化マンガンのナノニードルから構成された高比表面積のＲ型二酸化マンガンナノニードル多孔体とそれを構成するＲ型二酸化マンガンナノニードル並びにそれらの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the trench 6, a p-type gate layer 9 made of GaN containing a p-type impurity is buried inside the n-type channel layer 8, and a gate electrode 10 is formed on an outermost surface 15 of the p-type gate layer 9.例文帳に追加

トレンチ６において、ｎ型チャネル層８の内側には、ｐ型不純物を含むＧａＮからなるｐ型ゲート層９が埋設されており、ｐ型ゲート層９の最表面１５には、ゲート電極１０が形成されている。 - 特許庁

To provide a thin-type planting base body where tree plants can be planted; to provide a thin-type greening construction method for a soilless surface utilizing the base body; and to provide a method for constructing a thin-type greening system enabling planting of tree plants into the thin-type planting base body.例文帳に追加

樹木系植物を植栽し得る薄型植栽用基盤体と、これを利用した無土壌面の薄型緑化工法と、薄型植栽用基盤体に樹木系植物を植栽し得る薄型緑化システムの構築方法とに関する。 - 特許庁

In a P-type base region 2, an N+ type source region 3 is stretched from the main surface 1a to the perpendicular direction, and an N+ type drain region 4 is stretched so as to leave from the P-type base region 2, interposing a drift region 1c.例文帳に追加

また、ｐ型ベース領域２内において、主表面１ａから垂直方向にｎ^+型ソース領域３を延設し、ドリフト領域１ｃを挟んでｐ型ベース領域２から離間するようにｎ^+型ドレイン領域４を延設する。 - 特許庁

After an epitaxial layer 11 (n-type semiconductor layer) 11 is formed on the surface of a silicon substrate (p-type semiconductor substrate) 10, n-type diffusion regions 17 are formed on the peripheral edge sections of the substrate 10 and layer 11 and the rear surface of the substrate 10.例文帳に追加

シリコン基板１０（ｐ型の半導体基板）表面にエピタキシャル層１１（ｎ型の半導体層）を形成し、シリコン基板１０及びエピタキシャル層１１の周縁部、並びにシリコン基板１０の裏面にｎ型拡散領域１７を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device 1 has a vertical structure in which an N^+-type source region 15 and an N^--type drift region 13 are arranged spaced apart from each other across a P-type body region 12 in a vertical direction perpendicular to a surface 9 (main surface) of an epitaxial layer 8.例文帳に追加

半導体装置１は、Ｎ^＋型ソース領域１５とＮ^−型ドリフト領域１３とがエピタキシャル層８の表面９（主面）に垂直な縦方向にＰ型ボディ領域１２を介して離間して配置された、縦型構造を有する。 - 特許庁

A separation groove 7 whose sidwall makes an acute angle of θ a with the surface of an n-type matrix 1 is formed on a isolation area of the surface of the n-type matrix 1 by etching, and a p-type diffusion region (emitting part) 5, etc., is formed on an LED array formation region.例文帳に追加

ｎ型基材１表面の分離領域に、エッチングにより、側壁がｎ型基材１表面に対し鋭角θａをなす分離溝７を形成し、またＬＥＤアレイ形成領域に、ｐ型拡散領域（発光部）５等を形成する。 - 特許庁

A mesa shape lamination unit 15, having a side surface or a wall surface 16 which is extended over an n-type GaN layer 6, a p-type GaN layer 7 and another n-type GaN layer 8, is formed on a nitride semiconductor lamination structural unit 5 in this field effect transistor.例文帳に追加

この電界効果トランジスタにおける窒化物半導体積層構造部５には、ｎ型ＧａＮ層６、ｐ型ＧａＮ層７およびｎ型ＧａＮ層８に跨る壁面１６を側面とするメサ状積層部１５が形成されている。 - 特許庁

In the semiconductor light receiving element forming a PIN structure having a p-type semiconductor layer, a low resistance n-type semiconductor layer, and a high resistance n-type semiconductor layer; the high resistance n-type semiconductor layer is formed on the surface forming the p-type semiconductor layer so as to be surrounded in the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

Ｐ型半導体層と、低抵抗Ｎ型半導体層と、高抵抗Ｎ型半導体層とを有してなり、ＰＩＮ構造が形成された半導体受光素子において、前記Ｐ型半導体層が形成された表面上に前記高抵抗Ｎ型半導体層が前記Ｐ型半導体層に囲まれるように形成する。 - 特許庁

In the outer circumferential area of a semiconductor substrate 5, a trench 13 is formed to penetrate an n^+-type layer 4 and a p^+-type layer 3 to an n^--type drift layer 2 and to separate the n^+-type and the p^+-type layers around a cell, and an n^--type layer 14 is formed on the inner wall surface of the trench 13.例文帳に追加

半導体基板５のうちの外周部領域には、Ｎ^＋型層４およびＰ^＋型層３を貫通してＮ^−型ドリフト層２まで達し、かつ、セル部を囲むようにＮ^＋型層４およびＰ^＋型層３を分断するトレンチ１３が形成され、トレンチ１３の内壁面には、Ｎ^−型層１４が形成されるようにする。 - 特許庁

The semiconductor device 1 includes the superjunction region in an n-type epitaxial layer 13 comprising a plurality of n-type epitaxial layers 13X formed on an n+-type semiconductor substrate 12 by providing an n-type pillar region 15 and a p-type pillar region 14 alternately along a top surface of the n+-type semiconductor substrate 12.例文帳に追加

半導体装置１は、ｎ＋型半導体基板１２上に形成された複数のｎ型エピタキシャル層１３Ｘからなるｎ型エピタキシャル層１３内に、ｎ型ピラー領域１５とｐ型ピラー領域１４とをｎ＋型半導体基板１２の上面に沿って交互に設けてなるスーパージャンクション領域を備える。 - 特許庁

When the finished surface is formed by two-pack cold type polyurethane on the elastic paved surface, the elastic paved surface is finished in a frosting surface or a surface having excellent nonslip curing by atomizing or scattering water or water containing a water miscible organic solvent before the curing of the finished surface.例文帳に追加

弾性舗装層に２液常温硬化型ポリウレタンで仕上げ面を形成するに際し、その表面の硬化前に水又は水混和性有機溶媒含有する水を噴霧又は撒布することにより艶消し表面及び滑り止め硬化の良好な表面に仕上げる。 - 特許庁

The projection part is provided to at least one of the thrust bearing surface and the other thrust bearing surface, projects in a thrust direction, and narrows down a gap between the thrust bearing surface and the other thrust bearing surface, thereby forming a dynamic pressure type thrust plain bearing together with the thrust bearing surface, the other thrust bearing surface, and the lubricant.例文帳に追加

突出部は、スラスト軸受面及び他のスラスト軸受面の少なくとも一方に設けられ、スラスト方向に突出し、スラスト軸受面及び他のスラスト軸受面間の隙間を狭め、スラスト軸受面、他のスラスト軸受面及び潤滑剤とともに動圧形のスラストすべり軸受を形成する。 - 特許庁