「surface type」に関連した英語例文の一覧と使い方(43ページ目) - Weblio英語例文検索

A pedestal 3 is arranged on a,stem 1 inside a package and a concave type reflection surface 3a is formed on the top surface of the bed 2.例文帳に追加

パッケージの内部においてステム１の上には台座３が配置され、台座３の上面に凹面型反射面３ａが形成されている。 - 特許庁

The diaphragm type actuator 10 has an actuator piezoelectric element 20 bonded on one surface of a flat spring 22, and has a sensor piezoelectric element 24 bonded on another surface.例文帳に追加

膜型アクチュエータ１０は、板バネ２２の片面にアクチュエータ用圧電素子２０が接合され、他面にセンサ用圧電素子２４が接合されている。 - 特許庁

To ensure a fixed recording and reproducing level or more by flattening the surface of a thin type flexible optical disk on the surface of which displacement is easily caused.例文帳に追加

表面上に変位が生じやすい薄型フレキシブル光ディスクの表面を平坦にして一定以上の記録再生レベルを確保する。 - 特許庁

ROAD SURFACE FRICTIONAL STATE CALCULATING DEVICE, TIRE TYPE DETERMINING DEVICE, TIRE ABRASION DETERMINING DEVICE, ROAD SURFACE GRADIENT ESTIMATING DEVICE, AND OFFSET CORRECTING DEVICE OF ACCELERATION SENSOR例文帳に追加

路面摩擦状態演算装置、タイヤ種別判定装置、タイヤ摩耗判定装置、路面傾斜推定装置及び加速度センサのオフセット補正装置 - 特許庁

The second nitride semiconductor layer is provided on the surface of the light-emitting layer opposite to the surface on which the light-transmitting layer is provided, and has a second conductivity type.例文帳に追加

前記第２窒化物半導体層は、前記発光層の前記透光層とは反対側の面に設けられ、第２導電形である。 - 特許庁

To provide a module block for an accumulation type gas supply unit of a perfect surface mount with no sealing surface on a channel part of the module block itself.例文帳に追加

モジュールブロック自身の流路部にシール面を持たない、完全なサーフェイスマウントの集積型ガス供給ユニット用モジュールブロックを提供する。 - 特許庁

This tooth surface-cleaning apparatus (10) is equipped with this reciprocating piston type prime mover (18) driven by compressed air and reciprocates/slides a tooth surface-cleaning utensil (16).例文帳に追加

歯面清掃器（10）は圧縮空気駆動の往復ピストン式原動機（18）を備え、歯面清掃具（16）を往復摺動運動させるようになっている。 - 特許庁

A first conductive type crystal film (10a) is formed on the surface of the emitter (11) other than the surface with the first insulation film (9) formed.例文帳に追加

第１導電型の結晶膜（１０ａ）は、第１絶縁膜（９）が形成された表面以外のエミッタ（１１）の表面に形成されている。 - 特許庁

A canal type right headphone 4 is projectingly provided on the inner surface 2A of a right case on one surface of the right case 2 of the headphone-integrated playback apparatus 1.例文帳に追加

ヘッドホン一体型再生装置１の右筐体２一面の右筐体内面２Ａに、カナル型の右ヘッドホン４を突設するようにした。 - 特許庁

To provide a batch type hardening apparatus to stably form a surface- hardened layer free from surface roughness and having a uniform thickness.例文帳に追加

表面粗れがなく、均一な厚みを有する表面硬化層を安定的に形成するためのバッチ式の硬化処理装置を提供すること。 - 特許庁

A metal thin film 26 for heating the top surface of the rod type glass substrate 21 is provided and a cooling plate 28 for cooling the reverse surface is also provided.例文帳に追加

棒状ガラス基板２１の上面を加熱するため金属薄膜２６を設け、下面を冷却するため冷却板２８を設ける。 - 特許庁

This polishing pad has grid type grooves on the polishing surface side, and surface roughness of inner surfaces of the grooves is 20μm or less, or especially 10μm or less.例文帳に追加

本発明の研磨パッドは、研磨面側に、格子状の溝を有し、溝の内面の表面粗さが２０μｍ以下、特に１０μｍ以下である。 - 特許庁

The printed wiring board (1) has a cavity (2) formed in the surface, and a surface mounting type IC (3) is mounted in that cavity (2).例文帳に追加

本発明によるプリント配線基板（１）は、表面にキャビティ（２）が形成され、そのキャビティ（２）に表面実装型ＩＣ（３）が実装されている。 - 特許庁

The method also comprises a step of thereafter forming a p-type side electrode over the entire surface only the flat surface of the upper part of the ridge by lifting off.例文帳に追加

その後、リフトオフすることにより、リッジ上部の平坦面のみに、かつ、その全面に渡ってｐ側電極を形成することができる。 - 特許庁

If necessary, a second barrier type anode oxide film 108 is formed on the side surface and top surface of the gate electrode at a comparatively high voltage.例文帳に追加

必要に応じては比較的高い電圧でバリア型の第２の陽極酸化膜１０８をゲイト電極の側面および上面に形成する。 - 特許庁

The photoelectric conversion device has a silicon substrate 1 having a light receiving surface, an n-type diffusion layer 5, and electrodes formed on the light receiving surface.例文帳に追加

光電変換装置は、受光面を有するシリコン基板１およびｎ型拡散層５と受光面に形成された電極とを備える。 - 特許庁

A p-type metal oxide semiconductor layer (7) for surface stabilization is provided on the other main surface (11) of the main semiconductor area (1).例文帳に追加

主半導体領域（１）の一方の主面（１１）上に表面安定化用のｐ型金属酸化物半導体層（７）が設けられている。 - 特許庁

A moving type ultraviolet curing apparatus cures the ultraviolet curable resin applied to the surface to be irradiated such as a floor surface or the like while moving.例文帳に追加

床面等の被照射面に塗布した紫外線硬化樹脂を移動しながら紫外線硬化する移動式紫外線硬化装置に関する。 - 特許庁

The runway surface T1 of a straight advancing type vibrating feeder L is formed in horizontal surface shape excluding a nonreturn stepped part G in an intermediate position in a conveying direction.例文帳に追加

直進形振動フィーダＬの走路面Ｔ１を、搬送方向中間位置の逆止用段部Ｇを除き水平面状とする。 - 特許庁

To provide a projection type display device capable of smoothly suppressing a distance (H0) from a projection light emitting position to a surface to be projected (screen surface).例文帳に追加

投写光の出射位置から被投写面（スクリーン面）までの距離（Ｈ０）を円滑に抑制できる投写型表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a steering device of rack-and-pinion type capable of suppressing the wear of the slide surface of a rack bar and/or the contacting surface of a rack guide to push the rack bar.例文帳に追加

ラックアンドピニオン式ステアリング装置において、ラック軸の摺動面やラック軸を押すラックガイドの接触面の摩耗を抑制すること。 - 特許庁

The surface mounted type electronic module is surface-mounted on the printed board without letting the through-hole 115 interfere with a wiring pattern on the printed board.例文帳に追加

表面実装型電子モジュールは、スルーホール１１５がプリント基板上の配線パターンと干渉しないで、プリント基板上に表面実装される。 - 特許庁

To provide a rotary electrode piece device which does not leave a mark causing an appearance failure on a surface of an end surface electrode of a chip type electronic component.例文帳に追加

チップ形電子部品の端面電極の表面に外観不良となるような跡を残さない回転式電極子装置を提供する。 - 特許庁

In this way, the height of the upper surface of the STI 204 of an HV type transistor region 102 is kept at it is, and the height of only the upper surface of the STI 304 of the LV type transistor region 103 is lower than the height of the upper surface of a first electrode film 12.例文帳に追加

こうして、ＨＶ系トランジスタ領域１０２のＳＴＩ２０４の上面の高さはそのままに、ＬＶ系トランジスタ領域１０３のＳＴＩ３０４の上面のみを、第１の電極膜１２の上面の高さよりも下げる。 - 特許庁

A substrate processing apparatus for removing a photoresist on a top surface of a substrate includes a supporting part 10 for supporting the substrate, a dry type processing part 20 for removing the photoresist on the top surface of the substrate, and a wet type processing part 30 for removing the photoresist on the top surface of the substrate.例文帳に追加

基板上部のフォトレジストを除去する基板処理装置１は、基板を支持する支持部１０と、基板上部のフォトレジストを除去する乾式処理部２０と、基板上部のフォトレジストを除去する湿式処理部３０を有する。 - 特許庁

A male type Hook-and-Loop fastener 16a at one end of the connecting belt 13 is fixed to the outer surface panel 11, and the other end is fitted to one of female type Hook-and-Loop fastener 16b disposed in designated positions different in height on the surface of the inner surface panel 12.例文帳に追加

連結ベルト１３の一端のオス型面ファスナー１６ａは外面パネル１１に固定され、他端は内面パネル１２の表面の異なる高さの所定位置に配置されたメス型面ファスナー１６ｂのいずれかに取り付けられる。 - 特許庁

This color display device is constituted by mounting surface light emitting laser elements of red, green and blue on the surface of a movable plate of a planar type biaxial galvano-device and makes display by driving the planar type biaxial galvano-device and the surface light emitting laser elements in synchronism with video signals.例文帳に追加

プレーナー型２軸型ガルバノ装置の可動板表面に赤色、緑色、青色の面発光レーザー素子を搭載し、プレーナー型２軸型ガルバノ装置と面発光レーザー素子を映像信号に同期して駆動して表示するカラー表示装置とする。 - 特許庁

A plurality of recesses 8a are provided in the first major surface in the n-type semiconductor region 2 of a semiconductor chip SC forming a constant voltage diode, and a p^++-type semiconductor region 3 is provided in the first major surface including the inner surface of the plurality of recesses 8a.例文帳に追加

定電圧ダイオードを形成する半導体チップＳＣのｎ型半導体領域２の第１主面に複数の凹部８ａを設け、その複数の凹部８ａの内面を含む第１主面にｐ^＋＋型半導体領域３を設けた。 - 特許庁

In the nano-structured body where there is an insulation film on a substrate having perovskite type oxide surface and an insulation film contains multiple pores being through from the film surface to the substrate surface, perovskite type oxide exists at least in these pores.例文帳に追加

ペロブスカイト型酸化物表面を有する基体上に絶縁膜を有し、該絶縁膜が表面から基体表面まで達する複数の細孔を有するナノ構造体において、少なくとも該細孔中にペロブスカイト型酸化物が存在するナノ構造体。 - 特許庁

A stripe base layer arranged alternately and repeatedly with an n-type base layer 21 and a p-type base layer 22 is formed on one surface of an n-type buffer layer 1 and a p-type well layer 3, an n-type emitter layer 4, an emitter electrode 10 and an insulating gate electrode 6 are formed on the base layer.例文帳に追加

ｎ型バッファ層１の一方の表面上にｎ型ベース層２１とｐ型ベース層２２が交互に繰返し配列されたストライプ状のベース層を形成し、このベース層状にｐ型ウェル層３、ｎ型エミッタ層４、エミッタ電極１０及び絶縁ゲート電極６を形成する。 - 特許庁

A p-type ohmic area 109 is formed by implanting p-type impurity ions such as B ion or the like into the surface of the p-type embedding layer 108 while the oxide film 103 is used as a mask, annealing at high temperature and diffusing the p-type impurities in the p-type embedding layer 108.例文帳に追加

Ｐ型オーミック領域１０９は、酸化膜１０３をマスクとして、Ｐ型埋込層１０８の表面にＢイオン等のＰ型不純物イオンを注入し、高温でアニールを行い、Ｐ型不純物をＰ型埋込層１０８内に拡散することによって形成される。 - 特許庁

Concretely, an n^+-type AlGaN buffer layer 404, an n^+-type AlGaN layer 406, an n-type AlGaN layer 408, and a p-type InGaN layer 410 are sequentially grown on the surface of an n-type conductive SiC substrate 402 to manufacture a pn junction diode.例文帳に追加

具体的には、ｎ型導電性ＳｉＣ基板４０２の表面上にｎ^＋型ＡｌＧａＮバッファ層４０４と、ｎ^＋型ＡｌＧａＮ層４０６と、ｎ型ＡｌＧａＮ層４０８と、ｐ型ＩｎＧａＮ層４１０とを順次成長してｐｎ接合ダイオードを作製する。 - 特許庁

An electrically pumped vertical resonator type surface emission laser A is formed on a semiconductor substrate, and a microcavity laser B having a microdisc structure or microcylinder structure or microring structure being pumped with laser light from the vertical resonator type surface emission laser A to emit light having a longer wavelength than the vertical resonator type surface emission laser is formed, in layer, on the vertical resonator type surface emission laser A.例文帳に追加

半導体基板上に、電気的に励起される垂直共振器型面発光レーザＡが形成され、垂直共振器型面発光レーザＡ上に、垂直共振器型面発光レーザＡからのレーザ光で光励起されて垂直共振器型面発光レーザよりも長波長の光を放射するマイクロディスク構造またはマイクロシリンダ構造またはマイクロリング構造を有するマイクロキャビティレーザＢが積層形成されている。 - 特許庁

Subsequently, a current constriction layer 14 of p-type GaN is grown in a region other than the mask pattern 25 on the upper surface of the n-type contact layer 13.例文帳に追加

次に、ｎ型コンタクト層１３の上面のマスクパターン２５を除く領域にｐ型ＧａＮからなる電流狭窄層１４を成長させる。 - 特許庁

The joining members 3 are formed into a type of a plurality of kinds of partitions in which the surface parts 2 are provided with partitions 8 and a type without the partition 8.例文帳に追加

接合部材３を、面状部２に仕切り８が設けられている複数種類の仕切りタイプと、仕切り８のない無仕切りタイプとに形成する。 - 特許庁

Further, an N+-type guard ring 9 etc., is formed which is connected to an end of the N+-type buried guard layer 2 and extends up to a surface of the epitaxial layer 3 etc.例文帳に追加

また該Ｎ＋型埋め込みガード層２の端部と接続し前記エピタキシャル層３等の表面まで延在するＮ＋型ガードリング９等を形成する。 - 特許庁

A plurality of holes are formed in a stay provided in a side face of a cartridge-type earth and a bottom surface plate, and pins are inserted into the holes to fix the cartridge-type case.例文帳に追加

カートリッジ式アースの側面に設けられたステーと底面板に複数個の穴が設けられ、その穴にピンを差込みカートリッジ式ケースを固定する。 - 特許庁

Further, after discharging the liquid for forming image with an ink jet recording head on a surface of the direct drawing type original plate for printing 1, the liquid is cured to obtain the direct drawing type printing plate.例文帳に追加

さらに当該直描型印刷原版１の表面に、作像用液体をインクジェット記録ヘッドで吐出後、硬化し直描型印刷版を得る。 - 特許庁

A plane type input device 4 is arranged at an operating body 2, and an attachable/detachable display sheet 6 is overlapped on the surface of the plane type input device 4.例文帳に追加

操作体２には平面型入力装置４が設けられ、平面型入力装置４の表面には着脱可能な表示シート６が重ねられる。 - 特許庁

The leg type robot 10 is easily balanced since the contact between the sole surface and the ground is moved inward of the leg type robot according to the inclination to the inward side.例文帳に追加

この脚式ロボット１０は、内側への傾斜に応じて足裏面と地面の接点が脚式ロボットの内側へ移動するのでバランスが取り易い。 - 特許庁

To provide a sheet-type etching device that attains superior planarity on the wafer surface as a whole, using a simple device configuration, and to provide a sheet-type etching method.例文帳に追加

簡単な装置構成で、ウェーハの表面全体において良好な平坦度が得られるようにした、枚葉式エッチング装置及び方法を提供する。 - 特許庁

A p^+-type source region 126 connected to a VCC terminal and owned by a pMOSFET is formed in the main surface of an n-type impurity region 121.例文帳に追加

ｐＭＯＳＦＥＴが有する、ＶＣＣ端子に接続されたｐ^+型ソース領域１２６は、ｎ型不純物領域１２１の主面内に形成されている。 - 特許庁

A p^+-type source region 126 owned by a pMOSFET and connected to a VB terminal is formed in the main surface of the n-type impurity region 121.例文帳に追加

ｐＭＯＳＦＥＴが有する、ＶＢ端子に接続されたｐ^+型ソース領域１２６は、ｎ型不純物領域１２１の主面内に形成されている。 - 特許庁

A pair of n-type emitter layers 15 are formed on the surface of the p-type base layer 12 inside a current route region 41 which is sandwiched between the main trenches 13.例文帳に追加

主トレンチ１３で挟まれた電流経路領域４１内において、ｐ型ベース層１２の表面に一対のｎ型エミッタ層１５が形成される。 - 特許庁

An n-type channel region 36 is formed on a surface layer of the base region 34 between the source region 35 and the drain layer 33 so as to realize a normally-on type.例文帳に追加

ソース領域３５とドレイン層３３間のベース領域３４の表面層には、ノーマリ・オン型とするために、ｎ型チャネル領域３６が形成されている。 - 特許庁