「surface type」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索

On a surface of an N-type semiconductor substrate 1, an epitaxial layer 2 containing N-type impurities at low concentration relative to the semiconductor substrate 1 is formed.例文帳に追加

Ｎ型の半導体基板１の表面上に、半導体基板１と比べてＮ型不純物を低濃度に含むエピタキシャル層２が形成されている。 - 特許庁

The negative electrode 200 includes an n-type amorphous silicon film 4, a reverse-surface electrode 6, and a current collection electrode 8 forme din order on the i-type amorphous silicon film 3.例文帳に追加

負極２００は、ｉ型非晶質シリコン膜３上に順に形成されたｎ型非晶質シリコン膜４、裏面電極６および集電極８を含む。 - 特許庁

To adjust a current density distribution of an ion implantation apparatus with precision by finely bending a part of a stripe type ion beam in a surface of the stripe type ion beam.例文帳に追加

イオン注入装置において、帯状イオンビームの一部分を帯状イオンビームの面内で小さく曲げて電流密度分布を精度よく調整する。 - 特許庁

As scribe grooves 1, continuous line-type first grooves 1a, and broken line-type second grooves 1b are formed on the surface of a compound semiconductor wafer 10.例文帳に追加

スクライブ溝１として、化合物半導体ウエハ１０の表面部に連続線状の第一溝１ａと、破線状の第二溝１ｂとを形成する。 - 特許庁

Plural trenches 9 are formed on the surface of the semiconductor layer 1 from the n+-source layer 4 to the n-type drift layer 3 via the p-type well layer 2.例文帳に追加

ｎ^+ ソース層４からｐ型ウエル層２を通してｎ型ドリフト層３に至るように半導体層１の表面に複数のトレンチ９が形成される。 - 特許庁

METHOD FOR INSTALLING/REMOVING INSTALLATION ON FIXED SURFACE, INSTALLATION WITH SELF-HOLDING TYPE ELECTROMAGNET AND EXTERNAL POWER UNIT FOR SELF-HOLDING TYPE ELECTROMAGNET THEREFOR例文帳に追加

設置物の固定面上への設置・解除法、設置物としての自己保持型電磁石付設置物及びそれに対する自己保持型電磁石用外部電源装置 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit device contains a second conductivity-type first diffusion region tub formed on the surface of a first conductivity-type semiconductor substrate sub.例文帳に追加

半導体集積回路装置は、第１導電型の半導体基板ｓｕｂの表面に形成された第２導電型の第１拡散領域ｔｕｂを含む。 - 特許庁

The light-receiving body 3 is a diffused layer consisting of a p-type single crystal silicon layer, which is used as a second conductivity type semiconductor layer, and is buried in the surface of the base body 2.例文帳に追加

受光体３は、第２導電型半導体としてのｐ型単結晶シリコンからなる拡散層であり、基体２の表面に埋設されている。 - 特許庁

To realize a winding-type electrolytic capacitor which is low in equivalent series resistance in high frequency and can withstand a soldering temperature, when it is used as a surface-mounting type.例文帳に追加

高周波での等価直列抵抗が低く、面実装型として使用した場合のはんだ付け温度に耐える巻回型電解コンデンサを実現する。 - 特許庁

In a lower surface of the top face pressure mask 10, an abutting shape specific to each work-piece type, which abuts against the top face of each type of work pieces, is formed.例文帳に追加

上面押えマスク１０の下面には、各種類のワーク上面に当接するワーク種類毎に固有の当接形状が形成されている。 - 特許庁

A Hanao hole is bored in the Geta-type pedal body 1, the Hanao 2 is set in the Hanao hole, and rollers 3 or sliding material are set on the bottom surface of the Geta-type pedal body 1.例文帳に追加

下駄型ペダル本体１に鼻緒穴を設け、鼻緒穴に鼻緒２に設け、下駄型ペダル本体１の底面にローラー３や滑走材を設けた。 - 特許庁

The mounted type lens for reverse surface analysis includes the shape of the rest after a part of a solid sphere is cut with one flat surface, and has a semispherical concave (1c) in a cut surface (1b).例文帳に追加

この裏面解析用搭載式レンズは、中実の球体の一部を１つの平面で切除した残部の形状を含み、該切除面（１ｂ）にさらに半球状の凹み（１ｃ）を有する。 - 特許庁

In addition, the upper inclined surface 5 is tilted to the outside so that an intersection line L between the lower reference surface 6, and the upper inclined surface 5 is tilted with respect to a compression direction of the ball type electrode.例文帳に追加

また、下方基準面６と上方傾斜面５との交線Ｌがボール型電極の圧縮方向に対して傾くように上方傾斜面５を外側に傾斜させている。 - 特許庁

To provide a method wherein a depletion layer is formed stably on a surface of a p-type silicon epitaxial layer and measurement of the surface photoelectromotive force on the surface is enabled with superior precision.例文帳に追加

ｐ型シリコンエピタキシャル層の表面に空乏層を安定して形成し、該表面における表面光起電力測定を精度よく行うことができる方法を提供する。 - 特許庁

The reception-side surface acoustic filter 110 is a longitudinal coupling resonator type surface acoustic wave filter in which a plurality of interdigital electrodes are arranged along the propagation direction of surface acoustic waves.例文帳に追加

受信側弾性表面波フィルタ１１０が複数のくし型電極部を弾性表面波の伝搬方向に沿って配置してなる縦結合共振子型弾性表面波フィルタである。 - 特許庁

To suppress the deterioration of a light emitting characteristic and a surface property of a semiconductor light emitting device which is such that a surface type semiconductor light modulator is integrated inside a surface emitting semiconductor laser device.例文帳に追加

面型半導体光変調器を面発光半導体レーザ素子の内部に集積した半導体発光素子において、発光特性や表面性の劣化を抑制する。 - 特許庁

In this door type entrance door structure, a ceramic material piece of a low friction coefficient is respectively fixedly and oppositely arranged on an inside surface of a door frame and a side end surface of the door opposed to its surface.例文帳に追加

ドア式出入口扉構造において、ドア枠の内側面とそれに対向するドアの側端面に低摩擦係数のセラミックス材料片を各々固定して対向配置する。 - 特許庁

Thus, the disposition of the plurality of pile type improvement bodies 1 is set as ground surface settlement suppressing disposition for preventing the ground surface settlement of the ground S1 as the countermeasure against the ground surface settlement after liquefaction.例文帳に追加

こうして、複数の杭式改良体１の配置は、液状化後の地表面沈下対策地盤Ｓ１の地表面沈下を防止する地表面沈下抑制配置とされている。 - 特許庁

Also, on a peripheral surface on the opposite side from a peripheral surface facing to the reflecting surface of the reflecting mirror of a tube type valve of the infrared ray radiation lamp, a ceramic coating film which emits red rays more, is provided.例文帳に追加

また、赤外線放射ランプの管型バルブの反射ミラーの反射面に対面する周面の反対側の周面に、赤色光を多く放射するセラミックコーティング膜３３を設ける。 - 特許庁

After forming a surface channel layer 5 formed of 4H or 6H-SiC on the surface of an n^--type drift layer 2, an unnecessary part of the surface channel layer 5 is removed by using a resist 20 as a mask.例文帳に追加

ｎ^-型ドリフト層２の表面に４Ｈ又は６Ｈ−ＳｉＣからなる表面チャネル層５を形成したのち、レジスト２０をマスクとして表面チャネル層５の不要部分を除去する。 - 特許庁

To provide a contact type charging/discharging conductive sheet that prevents scratches from being formed on the surface of a photoreceptor, also, prevents toner components from sticking on the surface of the photoreceptor, and also, prevents the toner from firmly sticking on its own surface.例文帳に追加

感光体表面のキズの発生およびトナー成分の付着を防止し、自己の表面へのトナー固着を防止する接触式帯電／除電用導電シートを提供すること。 - 特許庁

To provide a surface treatment method and a surface treatment device which can remove an attaching substance in a base surface without using wet- type process by low temperature treatment alone.例文帳に追加

湿式プロセスを用いることなく、かつ低温処理のみにより基体表面の付着物質を除去することが可能な表面処理方法および表面処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for easily manufacturing a transmission type optical element of which the surface structure is formed by both surface molding to a substrate in a short time of the same order as the case of half surface molding to the substrate.例文帳に追加

基板両面に成形によって表面構造が形成された透過型光学素子を片面成形の場合と同程度の短時間で容易に製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a differential pressure measuring apparatus within a surface body of the air feed type protector for respiration which can measure air pressures within the surface body and differential pressures of outside air to prevent pressures from becoming negative within the surface body.例文帳に追加

面体内が陰圧状態になるのを防止すべく、面体内の気圧と外気圧の差圧を測定できる給気式呼吸用保護具の面体内の差圧測定装置を提供する。 - 特許庁

This bite-in type pipe joint has a joint body 1 having a cam surface 17, a joining member 2 having a pressing surface 24, and a ferrule 3 for pressing a tip part to the cam surface 17.例文帳に追加

カム面１７を備えた継手本体１と、押圧面２４を備えた結合部材２と、先端部がカム面１７に押し付けられるフェルール３とを備えた食い込み式管継手である。 - 特許庁

A balanced type surface acoustic wave filter is formed, by connecting each set of two series-arm surface acoustic wave resonators 201 and parallel-arm surface acoustic wave resonators 202 in the form of symmetry and lattice, respectively.例文帳に追加

直列腕の共振子２０１と並列腕の共振子２０２をそれぞれ２個ずつ用いて対称格子型に接続することにより、平衡型弾性表面波フィルタを作製する。 - 特許庁

To provide a building material constituted by applying inorganic coating to the surface of an FRP type base material or lining the FRP type base material with tiles and having a sufficiently high affinity with the FRP type base material and an inorganic coating or a tile adhesive.例文帳に追加

ＦＲＰ系基材の表面に無機塗装又はタイル張りしてなり、且つＦＲＰ系基材と無機塗装又はタイル用接着剤との親和性が十分に高い建材を提供する。 - 特許庁

Subsequently, a device is formed on the surface side of the N type substrate 10 (FIG.2(e)) and a rear face side of the N type substrate 10 is thinned and an N+ type layer 1 is formed on the rear face side (FIG.2(f)).例文帳に追加

この後、Ｎ型基板１０の表面側にデバイスを形成すると共に（図２（ｅ））、Ｎ型基板１０の裏面側を薄膜化して当該裏面側にＮ＋型層１を形成する（図２（ｆ））。 - 特許庁

A plurality of P^+-type emitter regions 8 are formed in a surface layer in the N-type base region 7 to be arranged in the longitudinal direction of the N-type base region 7 with a nearly equal spacing therebetween.例文帳に追加

また、Ｎ型ベース領域７内の表層部には、複数のＰ^+型エミッタ領域８が、互いにほぼ等間隔を空けて、Ｎ型ベース領域７の長手方向に並んで形成されている。 - 特許庁

A p-side contact layer 21, a p-type clad layer 22, an active layer 30, n-type clad layer 41, and n-side contact layer 42 are stacked in this order on a side of one surface of a substrate 10 comprising p-type semiconductor.例文帳に追加

ｐ型半導体よりなる基板１０の一面側に、ｐ側コンタクト層２１、ｐ型クラッド層２２、活性層３０、ｎ型クラッド層４１およびｎ側コンタクト層４２が順に積層されている。 - 特許庁

In a peripheral high voltage breakdown section, a pn junction section by a p^+-type contact region 22 electrically connected to an emitter electrode 11 and an n^--type layer 1B is formed in a surface section of an n^--type layer 1B.例文帳に追加

外周耐圧部において、ｎ^-型層１Ｂの表層部に、エミッタ電極１１に電気的に接続されたｐ^+型コンタクト領域２２とｎ^-型層１Ｂとによるｐｎ接合部を有する構造とする。 - 特許庁

On the reverse surface of the n-type single-crystal silicon substrate 1, an i-type amorphous silicon film 3 is formed and on the i-type amorphous silicon film 3, a positive electrode 100 and a negative electrode 200 are formed.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面には、ｉ型非晶質シリコン膜３が形成されており、ｉ型非晶質シリコン膜３上に正極１００および負極２００が形成されている。 - 特許庁

A p-type diffusion layer 111a is formed on a surface part of the n-type epitaxial layer 104 being isolated from the p-type silicon substrate 101 and made a top gate of the junction field effect transistor 151.例文帳に追加

前記Ｐ型シリコン基板１０１から離れて前記Ｎ型エピタキシャル層１０４の表面部分にＰ型拡散層１１１ａを形成し、接合型電界効果トランジスタ１５１のトップゲートとする。 - 特許庁

In the surface of the semiconductor regions 5, n-type diffusion regions 7 are formed, while between the n-type diffusion regions 7 and an insulation film 2, an n-type high- density embedded region is formed.例文帳に追加

また、半導体領域５の表面にはｎ形拡散領域７を形成すると共に、ｎ形拡散領域７と絶縁膜２との間にはｎ形高濃度埋込み領域を形成する。 - 特許庁

On the surface part of a semiconductor substrate 1, an n-type source region 2, a p-type substrate contact region 7 adjacent to it and a p-type anti-punch-through region 9 surrounding them are formed.例文帳に追加

半導体基板１の表面部にはＮ型ソース領域２とそれに隣接するＰ型基板コンタクト領域７と、それらを囲むようにＰ型アンチパンチスルー領域９が形成されている。 - 特許庁

An N type embedded drift layer 5 extending from the surface of an N-type well layer 2 on the bottom of a trench T1 for forming TNDMOS to the inside thereof and connected to a P type body layer 3 is formed.例文帳に追加

ＴＮＤＭＯＳ形成のためのトレンチＴ１の底部のＮ型ウエル層２の表面から内部に延在し、Ｐ型ボディ層３と接続するＮ型埋め込みドリフト層５を形成する。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit device is composed of CMOS comprising a surface channel P-type MOSFET 101 and an embedded channel N-type MOSFET 100 provided with P+type gate electrode.例文帳に追加

Ｐ＋型のゲート電極を備える、表面チャネル型Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ１０１と埋め込みチャネル型Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ１００で相補型ＭＯＳを構成し、半導体集積回路装置を構成する。 - 特許庁

At least one N-type emitter region 3 and at least one N-type sense region 5 spaced apart from the emitter region 3 are selectively formed on a surface portion of a P-type base region 2.例文帳に追加

Ｐ型のベース領域２の表面部に、少なくとも１つのＮ型のエミッタ領域３及びエミッタ領域３と離隔した少なくとも１つのＮ型のセンス領域５が選択的に形成されている。 - 特許庁

Thereafter, the drift region 2 of the structure that the n-type region 4 and the p-type region 5 are alternately repeated in a lateral direction is formed by flattening the surface of the p-type semiconductor layer 11.例文帳に追加

その後、Ｐ型半導体層１１の表面を平坦化することで、Ｎ型領域４及びＰ型領域５が横方向にて交互に繰り返された構造のドリフト領域２を形成する。 - 特許庁

The dome type housing case 1 comprises a hemispherical dome type upper case body 2 having an opening on its downward surface and a bottom cover 3 mounted to clog the opening of the dome type upper case body 2.例文帳に追加

ドーム型収容ケース１は下面に開口を有する半球状のドーム型上部ケース体２と、ドーム型上部ケース体２の開口を閉塞すべく装着された底蓋体３とからなる。 - 特許庁

A source electrode 9 is electrically connected to the n-type silicon carbide source layer 5 and to the p-type silicon carbide base layer 3, and the drain electrode 10 is provided on the rear surface of the n-type silicon carbide substrate 1.例文帳に追加

ソース電極９は、ｎ型炭化珪素ソース層５、および、ｐ型炭化珪素ベース層３に電気的に接続して設けられ、ドレイン電極１０は、ｎ型炭化珪素基板１裏面に設けられる。 - 特許庁

The p-n junction diode 20 is constituted of a p-type silicon substrate 21 and a heavily doped region 23, formed by heavily doping n-type impurities on the surface of the p-type silicon substrate 21.例文帳に追加

ｐｎ接合ダイオード２０は、ｐ型シリコン基板２１と、ｐ型シリコン基板２１の表面にｎ型不純物が高濃度にドープされて形成される高濃度不純物領域２３とから構成されている。 - 特許庁

A p-type base layer 3 is formed at a specified depth under the surface of an epitaxial layer 2, at the center part of the n-type epitaxial layer 2 formed on an n-type semiconductor board 1.例文帳に追加

ｎ型の半導体基板１上に形成されたｎ型のエピタキシャル層２の中央部には、エピタキシャル層２の表面から一定の深さにかけてｐ型のベース層３が形成されている。 - 特許庁

The power transistor device further includes a first region of the second conductivity type, a drift region of the second conductivity type that adjoins a top surface of the buffer layer, and a body region of the first conductivity type.例文帳に追加

パワートランジスタデバイスはさらに、第２の導電型の第１の領域と、バッファ層の上面に隣接する第２の導電型のドリフト領域と、第１の導電型のボディ領域とを含む。 - 特許庁

There are provided along each mesa side surface 8a of a ridge A a current blocking structure B wherein a p-type InP buried layer 9, an n-type InP current blocking layer 10, a p-type InP current blocking layer 11 are laminated.例文帳に追加

リッジ部Ａのメサ側面８ａに沿って、ｐ型InP埋め込み層９、ｎ型InP電流ブロック層１０、ｐ型InP電流ブロック層１１を積層した電流ブロック構造Ｂが設けられている。 - 特許庁