「surface type」に関連した英語例文の一覧と使い方(49ページ目) - Weblio英語例文検索

The main material layer 13 comprises a skin type coating material and is formed to have an uneven surface.例文帳に追加

主材層１３はスキン系塗材からなり、その表面が凹凸状となるように形成されている。 - 特許庁

APERTURE TYPE FLUORESCENT LAMP, SURFACE LIGHTING SYSTEM, MANUFACTURING METHOD OF THEM, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND ELECTRONIC EQUIPMENT例文帳に追加

アパーチャ型蛍光ランプ、面照明装置、それらの製造方法、液晶表示装置、及び電子機器 - 特許庁

SURFACE COATED CEMENTED CARBIDE THROW AWAY TYPE CUTTING TIP EXERTING EXCELLENT WEAR RESISTANCE BY HIGH SPEED CUTTING例文帳に追加

高速切削ですぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆超硬合金製スローアウエイ式切削チップ - 特許庁

The pachinko game machine 1 of the blade object type is provided with a center accessory 6 arranged at the center of a game board surface.例文帳に追加

羽根物タイプのパチンコ機１は、遊技盤面の中央に配置されたセンター役物６を有している。 - 特許庁

To efficiently utilize light by intensifying the light, in a surface emission type light emitting device.例文帳に追加

面発光型の発光装置において、光の強度を大きくし、光を効率よく利用することができる。 - 特許庁

In a SiC pn diode, a lower inclined plane 14 of a side surface of a mesa portion 13 extends from an upper end 14B above a diffusion position at a diffusion distance D above a junction surface 3A between an n-type drift layer 2 and a p-type layer 3 to a lower end 14A connected with an upper surface 2A of the n-type drift layer 2.例文帳に追加

このＳｉＣ ｐｎダイオードでは、メサ部１３の側面の下部傾斜面１４は、ｎ型ドリフト層２とｐ型層３との接合面３Ａから拡散距離Ｄだけ上方の拡散位置よりも上方の上端１４Ｂからｎ型ドリフト層２の上面２Ａに接続する下端１４Ａまで延在している。 - 特許庁

A first conductivity-type drain drift layer 101 is formed on a surface of a first conductivity-type semiconductor substrate 100, a second conductivity-type well layer 102 is formed on a surface of the drift layer 101 sequentially, and a trench 106 including an insulating film 107 on an inner wall is formed from a surface of the well layer 102 to the drift layer 101.例文帳に追加

第一導電型の半導体基板１００表面に第一導電型のドレインドリフト層１０１、ドリフト層１０１表面に第二導電型のウェル層１０２を順次形成し、ウェル層１０２表面からドリフト層１０１に至るまで内壁に絶縁膜１０７を有するトレンチ１０６を形成する。 - 特許庁

To provide a light reflection member used for a straight down type surface light emitting device and capable of improving the front luminance of the straight down type surface light emitting device without increasing the number of light sources or consumption of energy per one light source and the straight down type surface light emitting device.例文帳に追加

直下型面発光装置に使用される光反射部材であって、光源の数を増やしたり、光源ひとつあたりの消費エネルギーを大きくしたりすることなく、直下型面発光装置の正面輝度を向上させることが可能な光反射部材およびそれを用いた直下型面発光装置を提供する。 - 特許庁

The reflection type projection optical system which projects a pattern arranged on an object surface to an image surface through a reflection mirror is telecentric on both of the object surface side and the image surface side, and the object surface and the image surface are arranged to be inclined to a plane perpendicular to an optical axis of the reflection type projection optical system so as to satisfy the Scheimpflug condition.例文帳に追加

本発明は、物体面に配置されたパターンを反射鏡を介して像面に投影する反射型投影光学系であって、前記物体面側と前記像面側との両方でテレセントリックであり、かつ、前記物体面と前記像面とを、シャインプルーフの条件を満たすように、前記反射型投影光学系の光軸に垂直な面に対してそれぞれ傾けて配置した。 - 特許庁

In the case a rutile type titanium oxide thin film 12 is deposited on the surface of an object 11 to be film-deposited by sputtering and this surface is irradiated with a laser beam 88, a titanium oxide crystal system is converted from the rutile type into an anatase type, by which an anatase type titanium oxide thin film 13 high in photocatalytic activity can be obtained.例文帳に追加

成膜対象物１１表面にスパッタリングによりルチル型酸化チタン薄膜１２を形成し、この表面にレーザー光線８８を照射すると、酸化チタン結晶系はルチル型からアナターゼ型に変換されるので、光触媒活性の高い、アナターゼ型酸化チタン薄膜１３を得ることができる。 - 特許庁

The field-effect transistor (142) includes a p-type low concentration region 110 formed over a surface of a substrate (102), an n-type drain-side diffusion region 112 and an n-type source-side diffusion region 114 formed over a surface of the p-type low concentration region 110, an element isolation insulating layer 132, and an element isolation insulating layer 134.例文帳に追加

電界効果トランジスタ（１４２）は、基板（１０２）表面に形成されたｐ型低濃度領域１１０と、ｐ型低濃度領域１１０表面に設けられたｎ型ドレイン側拡散領域１１２およびｎ型ソース側拡散領域１１４と、素子分離絶縁膜１３２および素子分離絶縁膜１３４とを含む。 - 特許庁

The semiconductor device has silicon substrates (N-type well 8 and P-type well 9), on which a trench 2 is formed and impurity regions (N-type well contact diffusion layer region 4 and P-type well contact diffusion layer region 6) that are conductive, similar to the well and is formed so as to be more heavily concentrated across the area, from the side surface of the trench 2 to the silicon substrate surface.例文帳に追加

半導体装置は、トレンチ２が形成されたシリコン基板（Ｎウェル８、Ｐウェル９）と、トレンチ２の側面からシリコン基板表面にかけて、ウェルと同じ導電型で、当該ウェルより高濃度で形成された不純物領域（Ｎ型ウェルコンタクト拡散層領域４、Ｐ型ウェルコンタクト拡散層領域６）と、を備える。 - 特許庁

The reset MOS transistor 52 is provided with a gate structure 10, the N-type impurity introduction region 20 formed in the upper surface of a P well 4, an N^+-type impurity introduction region 11d formed in the upper surface of the N-type impurity introduction region 20, and an N^+-type impurity introduction region 11s.例文帳に追加

リセットＭＯＳトランジスタ５２は、ゲート構造１０と、Ｐウェル４の上面内に形成されたＮ型不純物導入領域２０と、Ｎ型不純物導入領域２０の上面内に形成されたＮ^+型不純物導入領域１１ｄと、Ｎ^+型不純物導入領域１１ｓとを備えている。 - 特許庁

The field-effect transistor (142) includes a p-type low concentration region 110 formed on a surface of a substrate (102), an n-type drain side diffusion region 112 and an n-type source side diffusion region 114 arranged on a surface of the p-type low concentration region 110, and an element isolation insulating film 132 and an element isolation insulating film 134.例文帳に追加

電界効果トランジスタ（１４２）は、基板（１０２）表面に形成されたｐ型低濃度領域１１０と、ｐ型低濃度領域１１０表面に設けられたｎ型ドレイン側拡散領域１１２およびｎ型ソース側拡散領域１１４と、素子分離絶縁膜１３２および素子分離絶縁膜１３４とを含む。 - 特許庁

Thus, the oxidized film 12 is acceleratedly oxidized on the surface of an area where n-type impurities are injected and the oxidized film 12 becomes thicker than other regions on the surface of an n+-type source region 9, the gate electrode 11 and the n+-type region 16.例文帳に追加

これにより、ｎ型不純物が注入された領域の表面において酸化膜１２が増速酸化され、ｎ^+型ソース領域９、ゲート電極１１、及びｎ^+型領域１６ｂの表面において酸化膜１２の膜厚が他の領域よりも厚くなる。 - 特許庁

The diode, having an n-type semiconductor layer provided on a surface of a p-type semiconductor substrate and also having the current path formed in the horizontal direction of the substrate, has an anode electrode structure formed by laminating a molybdenum silicide layer, a Ti layer, and an Al layer on a surface of the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型半導体基板表面にｎ型半導体層を設け、基板の水平方向に電流経路が形成されるダイオードにおいて、ｎ型半導体層表面に、モリブデンシリサイド層、Ｔｉ層およびＡｌ層を積層したアノード電極構造とする。 - 特許庁

A p-type impurity introduced region 8p is formed by introducing a p-type impurity in a top surface of a semiconductor substrate 1 using the side wall 6a as a mask, and a groove 9 is formed on a top surface of the p-type impurity introduced region 8p using the side wall 6a as a mask.例文帳に追加

サイドウォール６ａをマスクとして半導体基板１の表面にｐ型不純物を導入してｐ型不純物導入領域８ｐを形成し、サイドウォール６ａをマスクとしてｐ型不純物導入領域８ｐの表面に溝９を形成する。 - 特許庁

The optical touch panel 1 determines positions on the display surface 171 instructed by the plurality of the pen type indicators 2 on the basis of change in a position of an optical path blocked by the pen type indicator 2 which has been brought into contact with the display surface 171 and the movement state of the pen type indicator 2.例文帳に追加

光学式タッチパネル１は、表示面１７１に接触したペン型指示具２が遮断した光路の位置の変化、及びペン型指示具２の移動状態に基づいて、複数のペン型指示具２で指示された表示面１７１上の位置を決定する。 - 特許庁

The nitride semiconductor wafer is formed by stacking a nitride semiconductor lamination structure including at least a p-type conductive layer and an n-type conductive layer, on a substrate wherein the group V polarity surface of a wurtzite or sphalerite type nitride semiconductor is provided on its upper most surface.例文帳に追加

最表面にウルツ鉱型又は閃亜鉛鉱型の窒化物半導体のＶ族極性面を有する基板上に、少なくともｐ型伝導層とｎ型伝導層を含む窒化物半導体積層構造を積層した窒化物半導体ウェハの構造とする。 - 特許庁

A MOSFET 10 is provided with an n^+-type semiconductor substrate 11, an n-type 1st semiconductor layer 12 is formed on the main surface of the substrate 11, and a p-type 2nd semiconductor layer 13 is formed on the upper surface of the 1st semiconductor layer 12.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ１０はＮ^＋型の半導体基板１１を備え、半導体基板１１の主面にＮ型の第１の半導体層１２が設けられ、第１の半導体層１２の上面には、Ｐ型の第２の半導体層１３が設けられている。 - 特許庁

A heat dissipating member 4 which comes into contact with lead terminals 3 of the shell type LED 1 is provided at least between the shell type LED 1 and circuit board 2, or on the surface of the circuit board 2 on the opposite side from the surface where the shell type LED 1 is mounted.例文帳に追加

砲弾型ＬＥＤ１のリード端子３と接触する放熱部材４が、砲弾型ＬＥＤ１と回路基板２との間、回路基板２において砲弾型ＬＥＤ１が搭載された面とは反対側の面のうち少なくともいずれかに設けられている。 - 特許庁

This fruit conveyor constitutes its characteristic feature of carrying the fruits A received on an upper surface of a wave body 1 in wave motion by sliding the wave body 1 of a fibric fluff mop type, curtain type or shop-curtain type form, etc., along an upper surface of a carrier lug 2 free to oscillate.例文帳に追加

繊維毛モップ状、カーテン状、乃至のれん状形態等のウェーブ体１を搬送ラグ２上面に沿って揺動自在に摺接させて、このウェーブ体１の上面に受けた果実Ａを波動搬送することを特徴とする果実コンベアの構成。 - 特許庁

In antenna switch modules 1a and 1b configuring a multi-layer type structure, balanced-type surface acoustic wave filters 8 and 9 are connected to a plurality of switch parts 4 and 5, and the balanced-type surface acoustic wave filters 8 and 9 are disposed on the external surfaces of a laminate 32.例文帳に追加

多層型構造をなすアンテナスイッチモジュール１ａ，１ｂにおいて、複数のスイッチ部４，５にそれぞれバランス型弾性表面波フィルタ８，９を接続するとともに、このバランス型弾性表面波フィルタ８，９を積層体３２の外表面に配設するようにした。 - 特許庁

To provide a silicone type emulsion which does not require the use of a specific thickening agent and the use of a silicone type surface active agent in accordance with the type of a silicone oil, excels in stability with time, and furthermore has the same function as the emulsion by the conventional surface active agent.例文帳に追加

特殊な増粘剤の使用やシリコーン油の種類に応じたシリコーン型界面活性剤の使用を不要とし、経時安定性に優れ、しかも従来の界面活性剤によるエマルションと同等の機能を備えるシリコーン型エマルションを提供する。 - 特許庁

The holding bodies 12 have holding parts 31 abutted on a side surface of the object body A1 at a part where the cord type handle A2 does not exist, and a handle abutting part abutted on the cord type handle A2 to flex the cord type handle A2 to be roughly along the side surface of the object body A1.例文帳に追加

挟持体12は、物品本体A1の側面のうち紐状取手A2がない部分に当接する挟持部31と、紐状取手A2に当接してこの紐状取手A2を物品本体A1の側面に略沿った状態に撓ませる取手当接部とを有する。 - 特許庁

The charge storage part 5 is set in a PIN-ing state during its operating state, for example, by covering the surface of an N-type region with a storage control electrode applied with a prescribed bias voltage or by forming a P-type region in the surface part of the N-type region.例文帳に追加

電荷蓄積部５は、例えばN型領域の表面を所定のバイアス電圧が印加された蓄積制御電極で覆うことにより、あるいはN型領域の表面部分にP型領域を形成することにより、動作状態時においてピンニング状態とされる。 - 特許庁

A plurality of columnar hetero semiconductor regions 4, which are formed with P^+ type polysilicon having a band gap different from that of the N^- type drain region 1, are provided at intervals in the N^- type drain region 1 and extend from the first main surface to a second main surface.例文帳に追加

Ｎ^-型ドレイン領域１中に、Ｎ^-型ドレイン領域１とはバンドギャップの異なるＰ^+型ポリシリコンで形成され、第一主面から第二主面へ向かって伸びる柱状のヘテロ半導体領域４が、間隔を置いて並んで複数形成されている。 - 特許庁

To provide a tube type fuel cell module which can improve uniformity of humidity on the outer peripheral surface of a tube type fuel cell and concentration of reactant gas supplied to the outer peripheral surface of the tube type fuel cell, and which can improve power generation characteristics.例文帳に追加

チューブ型燃料電池セルの外周面側の湿度、及びチューブ型燃料電池セルの外周面側に供給される反応ガスの濃度の均一性の向上を図れ、発電特性を向上させることが可能なチューブ型燃料電池モジュールを提供する。 - 特許庁

Moreover, the opening 7A comprises, on the n^--type silicon layer 8 and the n^+-type silicon layer 8a, a p^+-type poly crystal silicon germanium film 9B led out in the lateral direction on the surface of a nitride film 7, and a poly crystal silicon film 10B on the surface of this silicon germanium film 9B.例文帳に追加

さらに、ｎ^-型シリコン層８およびｎ^+型シリコン層８ａの上に、窒化膜７の表面において横方向に引出されるｐ型の多結晶のシリコンゲルマニュウム膜９Ｂ、およびこのシリコンゲルマニュウム膜９Ｂの表面に多結晶のシリコン膜１０Ｂを有する。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device including a p-type group III nitride semiconductor layer 8, comprises: etching or dicing a laminate structure including the p-type group III nitride semiconductor layer 8 from a front surface or a back surface thereof to a depth not reaching the p-type group III nitride semiconductor layer 8; and dividing the laminate structure into individual semiconductor devices by cleaving the remaining thickness.例文帳に追加

ｐ型のIII族窒化物半導体層８を含む積層構造の表面または裏面からｐ型のIII族窒化物半導体層８に達しない深さまでエッチングまたはダイシングし、残った厚みをへき開して個々の半導体装置に分割する。 - 特許庁

When recycling the melt type backing flux 14A on and after the second time, not only a sinter type surface flux slag 15 but the melt type backing flux slag 16A and the unused melt type backing flux 14A are also recovered and made into the recycled raw material.例文帳に追加

２回目以降の溶融型裏当てフラックス１４Ａの再生時には、焼結型表フラックススラグ１５だけでなく、溶融型裏当てフラックススラグ１６Ａおよび未使用の溶融型裏当てフラックス１４Ａも回収して再生原料とする。 - 特許庁

Even though the card 10 has both a contact type module and a non-contact type module, the non-contact type module does not hold an antenna but is provided with a terminal to be connected to an antenna on the card surface as a non-contact type terminal 17.例文帳に追加

ＩＣカード１０は接触式モジュールと非接触式モジュールの両方を有するが、非接触式モジュールは、アンテナを保持せず、アンテナに接続されるべき端子を非接触用端子１７としてカード表面に設ける構成としておく。 - 特許庁

A p-type well layer 11 added with indium or the like for example is formed on an n-type semiconductor substrate 10, and n^+-type deep diffusion layers 14 that are apart from each other as source and drain areas respectively are formed on the surface of the p-type well layer 11.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１０上に例えばインジウム等が添加されたｐ型ウェル層１１が形成され、ｐ型ウェル層１１表面に互いに離間して、ソースまたはドレイン領域となるｎ＋型ディープ拡散層１４が形成されている。 - 特許庁

An n-type metal electrode layer 107 made of Al is formed on one portion of the surface of an n-type ZnO contact layer 102, and an n-type oxide electrode layer 108 made of TiO_2 is formed on the n-type metal electrode layer 107.例文帳に追加

ｎ型ＺｎＯコンタクト層１０２の表面の一部上にＡｌから成るｎ型金属電極層１０７が形成され、ｎ型金属電極層１０７上にＴｉＯ_２から成るｎ型酸化物電極層１０８が形成されている。 - 特許庁

Furthermore, an N+ type conductive layer 7 is formed which is united with an end of the N+ type buried layer 3, extends to a surface of an N type epitaxial layer 5 formed on the P type semiconductor substrate 1, and is electrically connected to the collector electrode 15.例文帳に追加

また、Ｎ＋型埋め込み層３の端部と一体となり、前記Ｐ型半導体基板１上に形成されたＮ型エピタキシャル層５の表面まで延在し、コレクタ電極１５と電気的に接続されたＮ＋型導電層７を形成する。 - 特許庁

n-type diffusion regions 20a, 20b are formed on the surface of the p-type well region 11 and the gate electrode 17 of a transfer transistor 21 is formed on the p-type well region 11 pinched by the n-type diffusion regions 20a, 20b.例文帳に追加

ｐ型ウェル領域１１表面にはｎ型拡散領域２０ａ，２０ｂが形成され、このｎ型拡散領域２０ａ，２０ｂに挟まれたｐ型ウェル領域１１上に転送トランジスタ２１のゲート電極１７が形成されている。 - 特許庁

To provide a technique for preventing accumulation of holes in a p-type nitride semiconductor layer by setting the threshold voltage at a low level in a transistor which is provided, in the surface layer of the p-type nitride semiconductor layer, with an n-type source region and an n-type drain region.例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体層の表層部にｎ型のソース領域とｎ型のドレイン領域が設けられているトランジスタにおいて、しきい値が低く、ｐ型窒化物半導体層内にホールが蓄積されない技術を提供する。 - 特許庁

Since the n-type semiconductor base body becomes an n-type drift region 12, a semiconductor base body region 42 of a parallel pn layer comprising the p-type partition region 11 and the n-type drift region 12 is formed, with a drain electrode 14 vapor-deposited on the rear surface.例文帳に追加

ｎ型半導体基体はｎ型ドリフト領域１２となるため、ｐ型仕切領域１１とｎ型ドリフト領域１２とから成る並列ｐｎ層の半導体基体領域４２が形成され、裏面にドレイン電極１４を蒸着する。 - 特許庁

The electrode (20) connects a p-type thermoelectric element (11) to an n-type thermoelectric element (12) and includes one or a plurality of positioning parts (22), (22) which are protruded on one surface side of an electrode body (21) to regulate the positions of the p-type thermoelectric element (11) and the n-type thermoelectric element (12).例文帳に追加

ｐ型熱電素子(11)とｎ型熱電素子(12)とを接続する電極(20)であって、電極本体(21)の一面側に突出して前記ｐ型熱電素子(11)およびｎ型熱電素子(12)の位置を規制する、一つまたは複数の位置決め部(22)(22)を有する。 - 特許庁

The light emitting diode 1 is provided with a substrate 3 formed of a nitride for transmitting light, an n-type buffer layer 5 sequentially laminated on the principal surface 3a of the substrate 3, an n-type clad layer 7, an active layer 9, a p-type clad layer 11, and a p-type contact layer 13.例文帳に追加

発光ダイオード１は、光を透過する窒化物からなる基板３と、基板３の主面３ａ上に順に積層されたｎ型バッファ層５、ｎ型クラッド層７、活性層９、ｐ型クラッド層１１、及びｐ型コンタクト層１３とを備える。 - 特許庁

A first p-type diffusion layer 101 and a p-type semiconductor layer 102 are arranged on a silicon substrate 100, two n-type diffusion layers 103, 103 are arranged on a surface part of the p-type semiconductor layer 102, and two light receiving parts are constituted.例文帳に追加

シリコン基板１００上に、第１Ｐ型拡散層１０１とＰ型半導体層１０２とを備え、このＰ型半導体層１０２の表面部分に２つのＮ型拡散層１０３，１０３を設けて２つの受光部を構成する。 - 特許庁

The semiconductor layer 3 having a plurality of grooves 2 formed on a surface 6a has the p-type semiconductor regions 40, the n-type semiconductor region 30 formed in a region enclosing the p-type semiconductor region, and an n^+-type cathode region 20.例文帳に追加

表面６ａに複数本の溝２が形成されている半導体層３は、p型半導体領域４０と、そのp型半導体領域を取り囲む領域に形成されているn型半導体領域３０と、n^+型カソード領域２０を有している。 - 特許庁

A p-type impurity diffusion region 12 of high concentration which becomes an anode and an n-type impurity diffusion region 13 of high concentration which becomes a cathode enclosing the p-type impurity diffusion region 12 are formed on the surface of an n-type silicon well region 11.例文帳に追加

Ｎ型シリコンウエル領域１１の表面に、アノードとなる高濃度のＰ型不純物拡散領域１２と、このＰ型不純物拡散領域１２を囲んでカソードとなる高濃度のＮ型不純物拡散領域１３を形成する。 - 特許庁

A front opening part 15 is provided on the front surface side of the body case 1, a slit type insertion hole 16 is provided close to a front surface in the upper surface plate 10, guide grooves 17 are provided in the side surface plates 12, 13, and an insertion groove 18 is provided in the bottom surface plate 11.例文帳に追加

本体ケース１の正面側には前部開口部１５が設けてあり、上面板１０の正面寄りにはスリット状の挿入口１６が設けてあり、側面板１２、１３には案内溝１７が、底面板１１には挿入溝１８が設けてある。 - 特許庁

The optical constitution of this system is a full-reflection type and includes a three-surface structure, composed of a 1st concave surface mirror 25, 2nd convex surface mirror 26, and a 3rd concave surface mirror 30 and has a 4th convex surface folding mirror 29 placed between the 2nd and 3rd mirrors 26 and 30.例文帳に追加

この装置の光学構成は全−反射形であり、第１の凹面ミラー２５、第２の凸面ミラー２６及び第３の凹面ミラーミラー３０からなる三面構造を含み、第２と第３のミラー２６、３０の間に第４の凸面折り曲げ用ミラー２９を具備する。 - 特許庁