| 例文 |
surface typeの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 14070件
A display plate for an illumination-type display device has a sign displayed on the top surface of a light-transmissive substrate and a light-reflecting portion provided on the reverse surface, the light-reflecting portion being formed on the reverse surface, excluding the sign portion on the top surface.例文帳に追加
照明式表示装置用表示板を、透光性基板の表面に標識が表示され、裏面に光反射部が設けられ、光反射部は裏面のうち表面の標識部分を除いた箇所に形成されたものとした。 - 特許庁
An optical waveguide film is cut out in desired shape by a dicing saw or the like, and is directly coupled with the light receiving and emitting element 3 of a surface light emission type or a surface receiving light emission type by bending the end of an optical waveguide 1.例文帳に追加
光導波路フィルムを、所望の形状にダイシングソー等で切り出し、光導波路1の端部を曲げることによって、面発光型あるいは面受発光型の受発光素子3に直接結合する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a water closet capable of manufacturing a wall surface piping type water closet and a floor surface piping type water closet by hardly changing a manufacture process, and to provide the water closet.例文帳に追加
製造工程を殆ど変更することなく、壁面配管タイプの水洗大便器及び床面配管タイプの水洗大便器を製造することができる水洗大便器の製造方法及び水洗大便器を提供する。 - 特許庁
An adhesive layer 21 is formed on a surface of an insulating film 13 formed on a side surface of a ridge 12 of a p-type semiconductor layer 11 and the ridge 12 is covered by a p-type electrode 14 via the adhesive layer 21.例文帳に追加
p型半導体層11のリッジ部12の側面に形成される絶縁膜13の表面に密着層21を形成し、密着層21を介してリッジ部12をp型電極14によって覆う。 - 特許庁
The GaN-based LED chip has an ohmic electrode 13 formed on the upper surface of the p-type layer 12-2, and an insulation protective film 14 for covering the upper surface of the p-type layer 12-2 around the ohmic layer 13.例文帳に追加
GaN系LEDチップは、p型層12−2の上面に形成されたオーミック電極13と、オーミック電極13の周囲においてp型層12−2の上面を覆う絶縁保護膜14とを有している。 - 特許庁
Thus, a contact surface of the relatively large area is formed on the front end of the shock absorbing type bow 100, and since the shock absorbing type bow 100 causes bending deformation on a side surface, the impact force is absorbed and dispersed.例文帳に追加
これにより、緩衝型船首100の前端には相対的に面積の大きな接触面が形成され、緩衝型船首100は側面に曲がり変形を起こすため、衝撃力が吸収、分散される。 - 特許庁
To provide a projection type video display device which corrects a video to be projected on a projection surface even in a state that a distance between the projection surface and the projection type video display device is very near.例文帳に追加
投写面と投写型映像表示装置との距離が非常に近い状態であっても、投写面上に投写される映像を補正することを可能とする投写型映像表示装置を提供する。 - 特許庁
The projection 18 on the side of the first E-type core 12 and the recess 23 on the side of the second E-type core 13 form a gap G1 between the tip surface 151 of the center magnetic leg 15 and the tip surface 201 of the center magnetic leg 20.例文帳に追加
第1E型コア12側の凸部18と第2E型コア13側の凹部23とは、中央磁脚15の先端面151と中央磁脚20の先端面201との間にギャップG1を形成する。 - 特許庁
Light made incident from the light incident surface of the reflection type optical modulator is made incident in a state where the center axis of the light is inclined to a center axis perpendicular to the light incident surface of the reflection type optical modulator.例文帳に追加
反射型光変調装置の光入射面から入射する光は、該光の中心軸が前記反射型光変調装置の光入射面に垂直な中心軸に対して傾斜して入射する。 - 特許庁
To provide a cooling roll for twin-roll type continuous casting with which a thin cast slab having good surface quality is stably cast by reducing a trapezoidal dimple formation on the roll surface for twin-roll type continuous casting.例文帳に追加
双ドラム式連続鋳造用冷却ドラム表面の台形状ディンプル形成を低減して表面品質の良好な薄鋳片を安定して鋳造するための双ドラム式連続鋳造用冷却ドラムを提供する。 - 特許庁
Etchant for removing the intermediate layer can expose the surface without inverting the conductivity type of the surface of the p-type nitride semiconductor, by selecting a material without modifying a nitride semiconductor.例文帳に追加
中間層を除去するエッチング剤は窒化物半導体を変質させない材料を選択することで、p型窒化物半導体の表面の導電型を反転させることなく、表面を露出させることができる。 - 特許庁
The GaP substrate is constituted of either one of a substrate having a thickness of not more than 200 μm or having recess and projection formed on the rear surface and side surface of the substrate or an n-type substrate bonded to a p-type semiconductor layer.例文帳に追加
そしてこのGaP基板は厚さが200μm以下であるか、基板の裏面及び側面に凹凸が形成されているか、あるいはn型基板がp型半導体層に接合されているかのいずれかからなる。 - 特許庁
Accordingly, the chip type LED 12 is closely attached on the light guide plate 11 by adjusting a direction and position of the light emission surface 12a of the chip type LED 12 with respect to the light incident surface 11a of the light guide plate 11.例文帳に追加
これにより、導光板11の光入射面11aに対するチップ型LED12の光出射面12aの向きや位置が調整されてチップ型LED12が導光板11に密着される。 - 特許庁
A p-type well 101 is formed on the surface of a substrate 10, and a channel formation region 110 is prescribed on the surface of the p-type well 101 so that it is sandwiched by first and second n+ regions 121 and 122.例文帳に追加
基板10の表面にはp型ウエル101が形成され、p型ウエル101の表面では、第1のおよび第2のn^+ 領域121、122に挟まれるように、チャネル形成領域110が規定されている。 - 特許庁
An ultraviolet curing type adhesive agent 21 is applied between the intermediate holding member 14 and the adhesive surface 15a of the curved surface forming member 15, adjustment in an α direction is performed and the ultraviolet curing type adhesive agent 21 is cured.例文帳に追加
中間保持部材14と曲面形成部材15の接着面15aとの間に紫外線硬化型接着剤21を塗布し、α方向の調整を行って紫外線硬化型接着剤21を硬化させる。 - 特許庁
A silicon substrate 101 is prepared, a p-type silicon layer and an n^+-type silicon layer are formed on the main surface 101a, and a gate electrode 6 and a source electrode are formed for each active element on the main surface 101a.例文帳に追加
シリコン基板101を用意し、主面101aからp型シリコン層、n+型シリコン層を形成し、さらに主面101a上にゲート電極6およびソース電極を各能動素子毎に形成する。 - 特許庁
In the effective region of pixels in the depth direction from the surface of an N type semiconductor substrate, modulation doping is executed so that the concentration of N type dopants becomes lower as getting deeper from the surface side of the semiconductor substrate.例文帳に追加
N型半導体基板の表面からの深さ方向における画素の有効領域において、N型ドーパントの濃度が、半導体基板の表面側から深くなるほど低濃度となるように変調ドーピングを施す。 - 特許庁
On the surface of a semiconductor substrate 11 of a 1st conductivity-type and on the surface of the 1st semiconductor layer 12, a 2nd semiconductor layer 16 of a 2nd conductivity-type is formed.例文帳に追加
第1導電型の半導体基板11の表面に第1導電型の第1半導体層12を形成し、第1半導体層12の表面に第2導電型の第2半導体層16を形成する。 - 特許庁
The whole surface of the substrate other than the region of the surface of the substrate with an n-channel conductive-type field effect transistor and a p-channel conductive-type field effect transistor formed is continuously covered with the film that generates stress.例文帳に追加
nチャネル導電型電界効果トランジスタ及びpチャネル導電型電界効果トランジスタが形成された基板表面の領域以外の基板の全表面を、応力を発生させる膜によって連続的に覆う。 - 特許庁
An insulation film having an opening in its center may be stuck to the lower surface and the conductive layer of the projecting type terminal and stick the conductive adhesion film to the lower surface and the opening periphery part of the projecting type terminal exposed to the opening.例文帳に追加
中央に開口を有する絶縁フィルムを凸型端子の下面及び導電層に貼付け、開口に露出する凸型端子の下面と開口周縁部に導電粘着フィルムを貼着してもよい。 - 特許庁
Thereby, dirt of the light emitting side surface of the floating type optical head is removed and formation of the foreign matter and the like on the light emitting side surface of the floating type optical head can be prevented even if recording and reproduction are performed for a long time.例文帳に追加
これにより、浮上型光ヘッドの光射出側の面の汚れが取り除かれ、長時間記録再生を行なっても浮上型光ヘッドの光射出側の面に異物等の形成を防止できる。 - 特許庁
To provide an image heating device of belt fixing type-IH type capable of keeping stable positional relationship of a temperature detection sensor and a surface of a belt detecting temperature and detecting temperature of the surface of the belt immediately before nipping with high precision.例文帳に追加
ベルト定着方式・IH方式の画像加熱装置において、温度検知センサと、温度検知するベルト表面の位置関係を安定に保ち、ニップ直前のベルト表面温度を精度よく検知する。 - 特許庁
N-type impurities 6 are introduced into a depth of the surface layer of the P-type region 5 by ion implantation, using the pattern 3 as a mask to form an electric charge transfer region 7 of a vertical register on the surface side of the substrate 1.例文帳に追加
パターン3をマスクにしたイオン注入によって、P型領域5の表面層になる深さにN型不純物6を導入し、基板1の表面側に垂直レジスタの電荷転送領域7を形成する。 - 特許庁
The treating method of the timber surface comprises the step of applying either one of an acid-curable type aminoalkyd resin paint, an acid-curable type phenolic resin paint and a polyurethane resin paint on the timber surface, and then irradiating it with ultraviolet rays.例文帳に追加
酸硬化型アミノアルキッド樹脂塗料、酸硬化型フェノール樹脂塗料、ポリウレタン樹脂塗料のいずれかを木材表面に塗布した後、紫外線を照射することを特徴とする木材の表面処理法。 - 特許庁
The group III nitride semiconductor laminated-layer structure 2 has the m surface as a main surface of crystal growth and constructed so that an n type semiconductor layer 11, light emitting layer 10, and p type semiconductor layer 12 are laminated in the m axis direction.例文帳に追加
III族窒化物半導体積層構造2は、m軸を結晶成長の主面としており、m軸方向に、n型半導体層11、発光層10、およびp型半導体層12を積層して構成されている。 - 特許庁
Subsequently, an ion beam 23a of N type impurity element is irradiated toward the rear surface 11b from above the silicon oxide film 13 and silicon nitride film 14 thus forming an N type impurity region 11n in the rear surface 11b.例文帳に追加
その後、シリコン酸化膜13及びシリコン窒化膜14の上から、裏面11bに向けてN型の不純物元素のイオンビーム23aを照射して、裏面11bにN型不純物領域11nを形成する。 - 特許庁
The diffuse reflection plate reflecting the light and uniformly diffusing or condensing the light within an aimed range uses a surface relief type diffraction grating and a surface relief type hologram diffusing body.例文帳に追加
光を反射して、目的とする範囲内に一様に光を拡散あるいは集光する拡散反射板であって、表面レリーフ型回折格子と表面レリーフ型ホログラム拡散体を使用する拡散反射板。 - 特許庁
Electrodes 21 of a first type are formed on or exposed to the surface 20 so that a droplet 23 of immersion liquid on the surface may be directly in contact with an electrode 21 of the first type.例文帳に追加
第一タイプの電極21が表面20上に形成されるか、それに対して露出し、したがって表面上の液浸液の小滴23が第一タイプの電極21に直接接触することができる。 - 特許庁
An identification mark 7 of a stripes type in which crimp type print parts 10 and mirror surface parts 9 are arranged alternately toward a loading direction 11 for a tape drive D of a magnetic tape cartridge are formed on an outer surface of a main body case 1.例文帳に追加
本体ケース1の外表面に、磁気テープカートリッジのテープドライブDへの装填方向11に向かってシボ状印刷部10と鏡面部9とが交互に並ぶ縞状の識別標識7を形成しておく。 - 特許庁
The structure where a p-type deep layer 10 is separated entirely or partially from the inner wall surface of a trench 6, i.e. a layout where the p-type deep layer 10 is not in contact with any one of the side surface or the bottom face of the trench 6, is employed.例文帳に追加
p型ディープ層10の全部もしくは一部がトレンチ6の内壁面から離間した構造、すなわち少なくともトレンチ6の側面もしくは底面のいずれか一方と接していないレイアウトとする。 - 特許庁
If the display part 2 is inclined at the maximum tilt angle to the horizontal surface H in an initial state, the display part 2 becomes parallel with a wall surface (at a title angle of 0°) by switching from the desktop type to the wall-mounted type.例文帳に追加
初期状態で表示部2が水平面Hに対して最大傾斜角度に傾けられている場合に、卓上型から壁掛け型に変更したとき、表示部2が壁面に対して平行(傾斜角度0°)となる。 - 特許庁
In the self-boring type fastener 1 composed of the head part 2 and the hollow leg part 3 extended from the lower surface of the head part 2, a decarbonization layer 4 is formed on the surface of the self-boring type fastener 1, and further a rust-proofing effect body is formed on the surface of the decarbonization layer 4.例文帳に追加
頭部(2)と該頭部(2)の下面から延出した中空の脚部(3)とからなる自己穿孔式ファスナー(1)において、該自己穿孔式ファスナー(1)の表面に脱炭層(4)が形成され、更に、該脱炭層(4)の表面に防錆効果体が形成されている。 - 特許庁
This capacitor 92 is arranged in the direction which intersects diagnostically the propagation direction of the surface acoustic wave as an electrode of an interdigital type on a piezoelectric substrate, along with the vertically coupled resonators type surface acoustic wave filters 81-84 and the surface acoustic wave resonator 90.例文帳に追加
このキャパシタ92は縦結合共振子型弾性表面波フィルタ81〜84と弾性表面波共振子90とともに同一の圧電基板上に、弾性表面波の伝搬方向に対して直交する向きにインターディジタル型の電極として設ける。 - 特許庁
In the surface acoustic wave device provided with an IDT electrode to stimulate a surface acoustic wave of an SH type on a piezoelectric substrate capable of stimulating the SH type surface acoustic wave, a cross width W of electrode fingers of the IST electrode is selected to be within a range of 20-140λ.例文帳に追加
SHタイプの表面波を励振可能な圧電基板上にその表面波を励振すべくIDT電極を備えた弾性表面波デバイスにおいて、上記IDT電極の電極指の交差幅Wを、20λ〜140λの範囲にする。 - 特許庁
The wafer retainer 1 is constituted of a plate-type ceramic body 2 whose upper surface is used as a wafer mounting surface 3, and which is arranged on a base member 4 for cooling the plate-type ceramic body 2 from the lower surface side thereof through an interposing layer 6 having a region 6b different in heat conductivity from that of the interposing layer 6.例文帳に追加
上面をウェハ載置面3とした板状セラミック体2を、この板状セラミック体2を下面側から冷却するベース部材4の上面に、熱伝導率の異なる領域6bを有する介在層6を介して配置したウェハ保持体1である。 - 特許庁
To provide a reliable method and apparatus for precisely detecting the edge of an imageable printing plate for imaging or other imageable medium for imaging mounted on a drum or other support surface of the imagesetter or the platesetter of an inner surface type drum or an outer surface type drum.例文帳に追加
内面型ドラムまたは外面型ドラムのイメージセッターまたはプレートセッターのドラムまたは他の支持面に取付けられた画像処理用印刷版または他の画像処理用媒体のエッジを正確に検出するための信頼できる方法及び装置の提供。 - 特許庁
A solar cell comprises a silicon substrate 11 having a light-receiving surface 11a, and a rear surface 11b on the reverse side of the light-receiving surface 11a is covered with a silicon oxide film 13 and a silicon nitride film 14 while having an N type impurity region 11n and a P type impurity region.例文帳に追加
太陽電池は、受光面11aを有したシリコン基板11を備え、受光面11aに対向する裏面11bが、N型不純物領域11nとP型不純物領域とを有してシリコン酸化膜13及びシリコン窒化膜14で覆われている。 - 特許庁
The surface of a resin base material is sprayed with silicic acid flame, titanic acid flame or an aluminum acid flame together with oxidizing flame, so as to be subjected to surface reforming treatment, and thereafter, the surface of the resin base material is subjected to dry type plating or wet type plating, so as to form a plating film.例文帳に追加
樹脂基材の表面にケイ酸化炎、チタン酸化炎又はアルミニウム酸化炎を酸化炎と共に吹き付けて表面改質処理を行った後、前記樹脂基材の表面に乾式めっき又は湿式めっきを行ってめっき膜を形成する。 - 特許庁
The low refractive index layer 4 as the outermost surface layer is prepared by curing a coating film containing a multi-functional (meth)acrylic compound and a fluorine type surface active agent in the proportion of poly-functional (meth)acrylic compound/fluorine type surface active agent=99.1/0.1 to 90/10 (weight ratio).例文帳に追加
最表面層としての低屈折率層4は、多官能(メタ)アクリル系化合物とフッ素系界面活性剤とを、多官能(メタ)アクリル系化合物:フッ素系界面活性剤=99.1:0.1〜90:10(重量比)の割合で含有する塗膜を硬化させてなる。 - 特許庁
To provide a continuous casting method and continuous casting equipment for steel where, when a continuously cast slab of steel having high surface crack sensitivity is produced by a curved type and vertical bending type continuous casting machine having a straightening band, the cracks of a slab surface are prevented, and the slab having excellent surface properties is produced.例文帳に追加
表面割れ感受性の高い鋼の連続鋳造鋳片を、矯正帯を有する湾曲型及び垂直曲げ型連続鋳造機において製造する際に、鋳片表面の割れを防止して、表面性状に優れた鋳片を製造する。 - 特許庁
A projector image projected from a projector 14 passes through an image projection space 18 secured so as to be guided to the back surface side of a transmission type screen 7, is then projected to the back surface side of the transmission type screen 7 and is transmitted and projected to the surface side.例文帳に追加
プロジェクタ装置14から投射されたプロジェクタ画像は、透過型スクリーン7の裏面側に導くように確保された画像投影空間18を通過した後に、透過型スクリーン7の裏面側に投影されて、表面側まで透過投影される。 - 特許庁
A sheet type adsorbing plate 2 is fixed on a lower surface, a steel plate 4 is mounted on an upper surface of a magnet plate 3 of a cushioning material 1 in prescribed thickness and of a rectangular plate shape on an upper surface of which the plate type magnet plate 3 is fixed free to connect and disconnect and an abrasive cloth 5 is fixed on an upper surface of the steel plate 4.例文帳に追加
下面にシート状の吸着板2を固着し、上面に板状の磁石板3を固着した所定の厚さで長方形板状の緩衝材1の前記磁石板3の上面にスチール板4を着脱自在に取り付け、前記スチール板4の上面に研磨布5を固着したことを特徴とする。 - 特許庁
The hollow type surface lighting device 1 emits the light to a hollow light guide zone 16 after the light emitted from a light source unit 20 is dimmed by a total-reflection type collimator 25 so as to be approximately parallel to the light-emitting surface 13, and the light is led to a light-emitting surface member 10 by reflecting the light with a reflective surface 15a.例文帳に追加
光源ユニット20からの出射光を発光面13に対して略平行となるよう全反射型コリメータ25で調光した後、中空導光領域16に出射し、反射面15aで反射して発光面部材10へと導く所謂中空方式の面照明装置1を採用する。 - 特許庁
The light exit end surface 21 of the n-type cladding layer 3 is bulged, and with bulged light exit end surface part 21, the height of the active layer 4c on the side of the light exit end surface 20a with respect to the surface of the n-type GaN substrate 1 is higher than the height at the central part of the active layer 4c.例文帳に追加
また、n型クラッド層3の光出射端面部分21が盛り上がっており、この光出射端面部分21の盛り上がりによって、n型GaN基板1表面に対する活性層4cの光出射端面20a側の高さが活性層4cの中央部の高さよりも高くなっている。 - 特許庁
To provide a surface type antenna system support structure for detachably fixing a simply-configured, light-weight and flexible surface type antenna system to a desired part of the surface of a mobile object without the need of substantial alteration or substantial weight increase even when the desired part includes a curved surface.例文帳に追加
構成が簡易で軽量であって可撓性を有する面型アンテナ装置を移動体の表面の所望の部分に、上記所望の部分が曲面を含んでいる場合であっても、大幅な改造や大幅な重量増加を必要とすることなく着脱可能に固定する面型アンテナ装置支持構造体を提供することである。 - 特許庁
The manufacturing method of the photoelectric conversion device comprises a process of substrate surface treatment for improving the wettability of the surface of the substrate of a first conduction type and the coating liquid, and a coating process of coating the coating liquid to the surface of the substrate to which the substrate surface treatment is carried out using a pressure-type air spray system.例文帳に追加
第一導電型の基板の表面と塗布液との濡れ性が向上するように基板表面処理する工程と、前記基板表面処理を施した前記基板の表面に加圧式エアレススプレー方式を用いて前記塗付液を塗付する塗付工程とを有する光電変換素子の製造方法である。 - 特許庁
When growth of a second conductivity type current block layer 7 is completed, the growth is stopped, and the temperature is raised or Group V raw material gas flow rate is increased to put it on standby to deform the surface shape of the second conductivity type current block layer 7 consisting of a (001) surface and a (111) B surface into a curved surface shape.例文帳に追加
第2導電型電流ブロック層7の成長が完了したとき、その成長を停止させ、昇温若しくはV族原料ガス流量を増加させて待機を行うことにより、(001)面と(111)B面からなる第2導電型電流ブロック層7の表面形状を曲面状に変形させる。 - 特許庁
The p^++ type semiconductor regions 14 are formed on side parts and bottom parts of recessed parts 10 as well, and reach the p^++ type high-concentration substrate 7 to electrically connect the zener junctions by the n^+ type epitaxial layer 8 and the p^++ type semiconductor regions 13 to the p^++ type high-concentration substrate 7 through surface electrodes 23 and the p^++ type semiconductor regions 14.例文帳に追加
p^++型半導体領域14は、凹部10の側部および底部にも形成され、p^++型高濃度基板7に達し、n^+型エピタキシャル層8とp^++型半導体領域13とによるツェナー接合を表面電極23およびp^++型半導体領域14を介してp^++型高濃度基板7と導通させる。 - 特許庁
This mesa-type semiconductor device has a thermal oxide film 16, that protects a pn junction surface, an n-type silicon layer 13, a p-type Si film 12 that is laminated and formed on the n-type silicon layer, and a p-type SiGe film 11 that is laminated and formed on the p-type Si film.例文帳に追加
pn接合面を保護するための熱酸化膜16を有するメサ型の半導体素子であって、n型シリコン層13と、このn型シリコン層上に積層形成されたp型Si膜12と、このp型Si膜の上に積層形成されたp型SiGe膜11とを具備し、p型SiGe膜11はp型Si膜12によってn型シリコン層13から隔てられている。 - 特許庁
The back-electrode type solar cell is equipped with a first conductivity type electrode and a second conductivity type electrode formed on one surface side of a semiconductor substrate, and has at least four alignment marks on the one surface side of the semiconductor substrate and in a region where the first conductivity type electrode and second conductivity type electrode are not formed.例文帳に追加
本発明の裏面電極型太陽電池セルは、半導体基板の一方の面側に形成された第1導電型用電極と第2導電型用電極とを備え、半導体基板の上記一方の面側であって第1導電型用電極と第2導電型用電極とが形成される以外の領域に、少なくとも4つのアライメントマークを有することを特徴とする。 - 特許庁
| 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|