「surface type」に関連した英語例文の一覧と使い方(42ページ目) - Weblio英語例文検索

An air block layer EB enclosed by the side surface of the ridge Ri and the flat surface of the p-type clad layer 104, and a SiO_2 film 107 formed on the side surface of the ridge Ri and the flat surface of the p-type clad layer 104 are formed in regions of certain widths on the p-type clad layer 104s at both sides of the ridge Ri.例文帳に追加

リッジ部Ｒｉの両側におけるｐ型クラッド層１０４上の一定幅の領域には、リッジ部Ｒｉの側面およびｐ型クラッド層１０４の平坦面とリッジ部Ｒｉの側面上およびｐ型クラッド層１０４の平坦面上に形成されるＳｉＯ_２膜１０７により取り囲まれたエアブロック層ＥＢが形成されている。 - 特許庁

The well 2 is connected to a power source terminal Vcc, at a position not shown in the Fig. by an n-type diffusion layer 7 formed on the surface, with a p-type well 3 which is shallower than the well 2 formed on the surface.例文帳に追加

ウエル2は表面に形成されたn型の拡散層7により、図示しない位置において電源端子Vccへ接続され、表面には、ウエル2よりも深さが浅いp型のウエル3が形成されている。 - 特許庁

To obtain a soldering apparatus, a soldering method, and a surface mounting type board by this method, whereby soldering can be made stably, irrespective of the packing density of surface mounting type components.例文帳に追加

表面実装部品の実装密度如何に拘わらず、安定したはんだ付けを行なうことができるはんだ付け装置、はんだ付け方法及びこの方法による表面実装基板の提供。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect type head of which the insulating layer is not stripped off from the surface of the substrate even when the sliding surface of the magnetoresistive effect type head is pressurized when reproducing a magnetic tape.例文帳に追加

磁気テープの再生時に磁気抵抗効果型ヘッドの摺動面に圧力が加わった場合でも、絶縁層が基板上から剥離することがない磁気抵抗効果型ヘッドを提供する。 - 特許庁

A light collecting member 18 is arranged at the upper part of the reflection type liquid crystal display surface 50 of the reflection type liquid crystal display 16 provided in a digital camera 10 and also a reflector plate 22 is arranged at the lower part of the display surface 50.例文帳に追加

デジタルカメラ１０に備えられた反射型液晶ディスプレイ１６の反射型液晶表示面５０の上部に集光部材１８を配設するとともに、下部に反射板２２を配置する。 - 特許庁

The thermionic cathode is equipped with an n-type diamond layer as an electron emission substance on a surface of a substrate, and the n-type diamond layer includes a layer containing a transition metal element on its surface layer part.例文帳に追加

基体の表面上に電子放出物質としてｎ型ダイヤモンド層を備え、該ｎ型ダイヤモンド層がその表層部に遷移金属元素を含有する層を有することを特徴とする。 - 特許庁

A concave-convex shape is intentionally formed by the crystal growth of the p-type contact layer 7 itself executed under a predetermined crystal growth condition on the upper surface (c surface) of this p-type contact layer 7.例文帳に追加

このｐ型コンタクト層７の上面（ｃ面）には、所定の結晶成長条件下で実施されるｐ型コンタクト層７自身の結晶成長によって、凹凸形状が故意に形成されている。 - 特許庁

The trenches are extended from the upper surface of the part of the n-type compound semiconductor layer in which mesa etching is carried out, or the lower surface of the substrate; and pass through a part of the depth of the n-type compound semiconductor layer.例文帳に追加

上記トレンチは、メサ蝕刻された上記ｎ型化合物半導体層一部の上面または上記基板下面から延長され上記ｎ型化合物半導体層の深さの一部を通過する。 - 特許庁

A dielectric film of SiO2 is then deposited on the entire surface of the an n-type contact layer 13 followed by formation of a stripe mask pattern 25 extending in the (1-100) direction on the upper surface of n-type contact layer 13.例文帳に追加

次に、ｎ型コンタクト層１３の上に全面にＳｉＯ_2 からなる誘電体膜を堆積し、ｎ型コンタクト層１３の上面の（１−１００）方向に延びるストライプ状のマスクパターン２５を形成する。 - 特許庁

A plate type heating unit loading a mounting substrate is provided, an apparatus for applying an ultrasonic wave is provided to one end surface of the plate type heating unit, and an apparatus for attenuating the ultrasonic wave is allocated on the end surface at the opposing side.例文帳に追加

実装基板を搭載する板状の加熱部を備え、板状の加熱部の一端面に超音波を印加する装置を設け、対向する端面に超音波を減衰する装置を配置する。 - 特許庁

A shell type roller bearing 6 is fitted in the inside surface of a roller 5, and a tightening part 51 is formed at the boundary between the inside surface of the roller 5 and each of its end faces so as to prevent the shell type roller bearing 6 from slipping off.例文帳に追加

ローラ５の内周側にシェル型コロ軸受６を嵌合し、ローラ５の内周面と両端面との境界部分に加締部５１を形成してシェル型コロ軸受６の抜け止めを行う。 - 特許庁

Accordingly, the glass bead 11 is prevented from being deviated on the opposed surface of the film type electrode 2 for the moving element and the film type electrode 1 for the stator, and disposed dispersively on the opposed surface entirety.例文帳に追加

よって、ガラスビーズ１１は、移動子用フィルム型電極２の固定子用フィルム型電極１との対向面において偏ることが防止され、対向面全体に分散されて配置されることになる。 - 特許庁

The plasma processing is made to the surface of the polymer-type liquid crystal layer 10A to reform its surface, and the close contactability of the color filter layer 10B to the polymer-type liquid crystal layer 10A is controlled.例文帳に追加

重合型液晶層１０Ａの表面にプラズマ処理を施すことで、その表面が改質され、重合型液晶層１０Ａに対するカラーフィルタ層１０Ｂの密着性が制御される。 - 特許庁

A plating material 4 is composed of a resin base body 3 consisting mainly of blend type ABS resin and a surface layer 2' formed on the surface of the resin base body 3 and containing much graft type ABS resin.例文帳に追加

ブレンド型ＡＢＳ樹脂を主成分とする樹脂基体３と、樹脂基体３の表面に形成されグラフト型ＡＢＳ樹脂を多く含む表面層２’と、からなるめっき素材４とした。 - 特許庁

This insert is the coated cutting tool particularly useful for milling of low and medium alloyed steels with the rough surface or without the rough surface under the wet type or the dry type condition.例文帳に追加

本発明は、湿式または乾式の条件中で粗製面を備えるかまたは備えない低合金鋼及び中合金鋼のフライス加工に特に有効である被覆されたフライス加工用植刃を開示する。 - 特許庁

An N- type semiconductor layer 10 that a partial isolation body 41 is formed on its surface and a P- type semiconductor layer 20 that a partial isolation body 42 is formed on its surface are formed on an insulator 9.例文帳に追加

部分分離体４１がその表面に形成されたＮ^-型半導体層１０と、部分分離体４２がその表面に形成されたＰ^-型半導体層２０とが、絶縁体９上に形成される。 - 特許庁

An electronic circuit provides a conductive back surface electrode, insulator layers on the conductive back surface electrode, and a bipolar transistor comprising semiconductor layers of an n-type or a p-type material on the insulator layers.例文帳に追加

電子回路は、導電性背面電極と、導電性背面電極の上の絶縁体層と、絶縁体層の上のｎ型またはｐ型材料の半導体層とを含むバイポーラ・トランジスタを備える。 - 特許庁

Further, there are so formed on this optical coupling system 11 lenses 18 whose number corresponds to the number of the surface type optical elements 12 as to input/output lights efficiently to/from the surface type optical elements 12.例文帳に追加

この光結合系１１には、面型光素子１２の個数に対応する個数のレンズ１８が形成されており、面型光素子１２から又はそれへ光を効率的に入出力する。 - 特許庁

The separator is composed of a porus film comprising a metha-type aromatic polyamide or of a composite porus film in which a porus layer containing a metha-type aromatic polyamide is formed on the surface and the reverse surface of a nonwoven cloth.例文帳に追加

セパレータはメタ型芳香族ポリアミドからなる多孔膜であるか、不織布の表面と裏面とにメタ型芳香族ポリアミドからなる多孔質層が形成された複合多孔膜より構成される。 - 特許庁

In an n-type semiconductor substrate 105, a through-hole 105c penetrating from one principal surface side to the other principal surface side is formed between adjacent p-type impurity diffusion regions 109.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１０５には、隣接するｐ型不純物拡散領域１０９間に、一方の主面側から他方の主面側に貫通する貫通孔１０５ｃが形成されている。 - 特許庁

On the surface 1A, an N-type semiconductor layer 2 and P-type semiconductor layer 3 are sequentially epitaxial-grown, with a PN junction surface 5 which contributes light emission formed at the interface.例文帳に追加

この表面１Ａ上に、Ｎ型半導体層２およびＰ型半導体層３が順にエピタキシャル成長させられていて、これらの界面に、発光に寄与するＰＮ接合面５が形成されている。 - 特許庁

An ion beam 24a of P type impurity element is also irradiated toward the rear surface 11b from above the silicon oxide film 13 and silicon nitride film 14 thus forming a P type impurity region in the rear surface 11b.例文帳に追加

また、シリコン酸化膜１３及びシリコン窒化膜１４の上から、裏面１１ｂに向けてＰ型の不純物元素のイオンビーム２４ａを照射して、裏面１１ｂにＰ型不純物領域を形成する。 - 特許庁

Impurity surface concentration of the first p-type region 6a is 1.8×10^13 to 4×10^13cm^-2, and impurity surface concentration of the second p-type region 6b is 1×10^13 to 2.5×10^13cm^-2.例文帳に追加

第１のｐ型領域６ａの不純物面濃度は、１．８×１０^13〜４×１０^13ｃｍ^-2であり、第２のｐ型領域６ｂの不純物面濃度は、１×１０^13〜２．５×１０^13ｃｍ^-2である。 - 特許庁

The adjusting method switches from the dry-type image-forming optical system for forming an image through a gas layer contacting the image surface to the immersion-type image-forming optical system for forming an image through an immersion layer contacting the image surface.例文帳に追加

像面に接する気体層を介して像を形成する乾燥型結像光学系を、像面に接する浸液層を介して像を形成する液浸型結像光学系に変える調整方法。 - 特許庁

To provide a surface emission type light-emitting device that can control optical characteristics of its emission light and its manufacturing method as well as an optical module and optical transfer unit including the surface emission type light-emitting device.例文帳に追加

出射光の光学特性を制御できる面発光型発光素子およびその製造方法、ならびに該面発光型発光素子を含む光モジュールおよび光伝達装置を提供する。 - 特許庁

The circuit substrate 50 includes drive circuits 51, 52 each for driving a motor, a CPU 101, connectors 59, 61 of front surface mounting type, and connectors 62-64 of dip type mounted at ends of the same side on the same surface.例文帳に追加

回路基板５０には、モータ駆動用のドライブ回路５１、５２、ＣＰＵ１０１、表面実装タイプのコネクタ５９、６１、ディップタイプのコネクタ６２〜６４とを、同一の面で同一側の端部に実装する。 - 特許庁

A center annular band type refraction surface 33a1 and a peripheral annular band type refraction surface 34a being adjacent to the opening limit annular band 35 are formed in a non-spherical shape optimized for the DVD.例文帳に追加

開口制限輪帯３５に隣接する中央輪帯状屈折面３３ａ１と周辺輪帯状屈折面３４ａとが、ＤＶＤに対して最適化された非球面形状に形成されている。 - 特許庁

A silicon oxide film 10 is formed on the rear surface and each end face of an n-type single crystal silicon substrate 1 by subjecting the rear surface of the n-type single crystal silicon substrate 1 to thermal oxidation or ozone oxidation.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面を熱酸化またはオゾン酸化することにより、ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面および各端面に酸化シリコン膜１０を形成する。 - 特許庁

The first-type layer portion is connected to a semiconductor chip and includes a plurality of electrodes having an end surface arranged on the side surface of the body 2 but the second type of layer portion does not.例文帳に追加

第１の種類の階層部分は、半導体チップに接続され、本体２の側面に配置された端面を有する複数の電極を含むが、第２の種類の階層部分は、それを含まない。 - 特許庁

Silicides 13, 14 are formed at both the ends of one main surface 11A of the n-type polycrystalline silicon 11, and silicides 17, 18 are formed at both the ends of one main surface 12A of the p-type polycrystalline silicon 12.例文帳に追加

サリサイド１３，１４は、Ｎ型多結晶シリコン１１の一主面１１Ａの両端部に形成され、サリサイド１７，１８は、Ｐ型多結晶シリコン１２の一主面１２Ａの両端部に形成される。 - 特許庁

An element structure and a surface electrode are formed on the front surface side of an n^+ type substrate 1, and thereafter a polishing process is executed to the back face 1b of the n^+ type substrate 1 to form minute irregularity on the back face 1b.例文帳に追加

ｎ^+型基板１の表面側に素子構造や表面電極を形成した後、ｎ^+型基板１の裏面１ｂに研磨処理を行って裏面１ｂに微細な凹凸を形成する。 - 特許庁

A storage recessed groove 12 is formed in a vertical-split type unit case 2 formed at least two case members 10 having a split surface 11 in the split surface 11 of the bottom surface thereof along the split surface 11 thereof.例文帳に追加

分割面１１を有する少なくとも２個のケース部材１０からなる縦割れタイプのユニットケース２には、その底部の分割面１１に、防水部材用の収容凹溝１２を分割面１１に沿って形成する。 - 特許庁

A substantially annular convex surface 70 is formed on the inner peripheral surface of the circumferentially dividable inner ring 2 fixed to a small diameter shaft of the pestle type roll, and an annular concave surface 68 is formed on the outer peripheral surface of the small diameter shaft 11.例文帳に追加

杵型のロールの小径軸部に固定する周方向に分割可能な内輪２の内周面に略環状の凸面７０を形成し、小径軸部１１の外周面に環状の凹面６８を形成する。 - 特許庁

This optical transmission device is constituted of a substrate and a surface-emission resonant type light-emitting diode, which is set up on the main surface of the substrate and has a light-emitting surface, which emits light almost perpendicular to the main surface.例文帳に追加

基板と、前記基板の主面上に設置され、かつ該主面に対して略垂直に光を出射する出射面を有する平面発光型の共振器型発光ダイオードとから光伝送デバイスを構成する。 - 特許庁

The land 28, exposed on the stepped surface 36 which is the inner surface of the chip substrate 23 facing the housing space 33, and each electrode of the upper surface 21 of a photodiode element 21 are connected by a bonding wire 27b in this surface mounting type electronic component.例文帳に追加

収容空間３３に臨むチップ基板２３の内面である段差面３６上に露出しているランド２８とフォトダイオード素子２１の上面２１ａの各電極とが、ボンディングワイヤ２７ｂによって接続される。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises a n-type GaN semiconductor layer, an active layer formed on the gallium surface of the n-type GaN semiconductor layer, a p-type semiconductor layer formed on the active layer, and a n-type electrode containing a lanthanum (La)-nickel (Ni) alloy, formed on the nitrogen surface of the n-type GaN semiconductor layer.例文帳に追加

本発明による半導体発光素子は、ｎ型ＧａＮ半導体層、ｎ型ＧａＮ半導体層のガリウム表面に形成された活性層、活性層上に形成されたｐ型半導体層と共に、ｎ型ＧａＮ半導体層の窒素表面に形成されたランタン（Ｌａ）−ニッケル（Ｎｉ）合金を含むｎ型電極を含む。 - 特許庁

The diode chip 21 is provided with a silicon substrate 22 having the n-type region 23; the p-type region 24 formed in the n-type region 23; and the pair of electrode terminals 25, 26 formed on any one of the upper surface and the lower surface of the silicon substrate 22, and corresponding to the n-type region 23 and the p-type region 24.例文帳に追加

Ｎ型領域２３を有するシリコン基板２２と、前記Ｎ型領域２３内に形成されるＰ型領域２４と、前記シリコン基板２２の上面又は下面のいずれか一方の面に形成され、前記Ｎ型領域２３及びＰ型領域２４のそれぞれに対応する一対の電極端子２５，２６とを備えたダイオードチップ２１を形成した。 - 特許庁

The rack guide seat 5 arranged on the back surface of a rack gear and reciprocally slidably supporting the rack shaft 4 has a protruded type sliding protruded surface 19.例文帳に追加

ラックギヤの背面に配設され、ラック軸４を往復移動可能に摺動支持するラックガイドシート５は、凸状の摺接凸面１９と有する。 - 特許庁

To provide a sidelight type surface light source device with a light guide plate capable of uniformly distributing light incident from a side surface up to corner parts.例文帳に追加

側面からの入射光を隅部まで均一に配光できる導光板を備えたサイドライト型面光源装置を提供することにある。 - 特許庁

The centerlines of the wedge type recessed parts 33 are located on a conical surface formed with the intersecting point 15b of the optical axis with an exposure optical as its apex surface 15a.例文帳に追加

くさび形凹部３３の中心線は、露光光学系の光軸と被露光面との交点１５ｂを頂点とする円錐面上にある。 - 特許庁

To provide a so-called linear surface type surface heating element having sufficient mechanical strength in addition to transparency.例文帳に追加

いわゆる線面タイプの面状発熱体において、十分な機械的強度を有し、しかも透明である面状発熱体を提供すること。 - 特許庁

A pad type pressure applying member 71 is allowed to abut on the inner peripheral surface of the endless belt so as to pressurize the endless belt against the peripheral surface of the heating and fixing roll.例文帳に追加

エンドレスベルトの内周面にはパッド状の圧力付与部材７１が当接され、エンドレスベルトを加熱定着ロールの周面に押圧する。 - 特許庁

The reflection type sheet polarizer 330 reflects the first video light to the projection surface 210 side, and transmits the second video light to the projection surface 220 side.例文帳に追加

反射型偏光板３３０は、第１映像光を投写面２１０側に反射し、第２映像光を投写面２２０側に透過する。 - 特許庁

This surface-mounted type electronic component has terminal electrode films 12-14 formed by applying film forming processing, such as plating to a surface of an electronic component main body 11.例文帳に追加

電子部品本体１１の表面にめっき等の成膜加工により形成されてなる端子電極膜１２〜１４を有している。 - 特許庁

On the surface layer of the main surface of the p-type SiC substrate 1, an n^+ source region 2 and an n^+ drain region 3 are formed away from each other.例文帳に追加

ｐ型ＳｉＣ基板１の主表面での表層部にはｎ^+ソース領域２とｎ^+ドレイン領域３が離間して形成されている。 - 特許庁