「surface type」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a low-cost card type input/output device in which a ground potential is surely supplied to a surface cover and a back surface cover.例文帳に追加

表面カバー及び裏面カバーに確実にグランド電位が与えられた低コストなカード型入出力装置を提供する。 - 特許庁

In the plane type probe, a protection film 13 whose surface is projected more than the probe main body is formed at the surface of the protection part.例文帳に追加

その平面型プローブには、表面がプローブ本体よりも突出する防護膜１３を保護部の表面に形成してある。 - 特許庁

MOUNTING TECHNOLOGY FOR AREA ARRAY TYPE SURFACE- MOUNTING PACKAGE COMPONENT HAVING CONNECTION TERMINAL ON REAR SURFACE BELOW BOTTOM OF PACKAGE, ON PRINTED WIRING BOARD例文帳に追加

パッケージの底面下に接続端子を有するエリアアレイ型表面実装パッケージ部品のプリント配線基板への実装技術 - 特許庁

By this, the liquid type lead-acid storage battery having the stable electrolytic solution surface is obtained without showing the time variations in the electrolytic solution surface level.例文帳に追加

これにより、電解液面の経時変化が見られず、安定した電解液面を有した液式鉛蓄電池が得られる。 - 特許庁

Irregularities 10 is formed on the surface of the n-type semiconductor layer 32, and the surface is exposed optically.例文帳に追加

ｎ型半導体層３２の表面には不規則な凹凸１０が形成されており、当該表面は光学的に露出している。 - 特許庁

SURFACE COATED CERMET CUTTING TOOL INCLUDING REFORMED k-TYPE ALUMINUM OXIDE LAYER OF HARD COATING LAYER HAVING EXCELLENT GRAIN BOUNDARY SURFACE STRENGTH例文帳に追加

硬質被覆層の改質κ型酸化アルミニウム層が優れた粒界面強度を有する表面被覆サーメット製切削工具 - 特許庁

To provide an aqueous suspension-type herbicide composition for water surface scattering, having excellent properties in the diffusivity on the water surface or the like.例文帳に追加

水面上での拡散性などにおいて優れた性能を有する水性懸濁状除草剤組成物を提供すること。 - 特許庁

The surface roughness on a peripheral direction of the internal diameter surface 11c of the shell type outer ring 11 is in a range of Ra 0.05 to 0.3 μm.例文帳に追加

シェル型の外輪１１の内径面１１ｃの周方向面粗度を、Ｒａ０．０５〜０．３μｍの数値範囲とする。 - 特許庁

In the semiconductor device, a laminate of an n-type cladding layer 12b, an absorbing layer 12c, a p-type cladding layer 12d and a p-type high concentration layer 12e is formed in a mesa type on an n-type high concentration layer 12a formed on the surface of a substrate 11 and used as a cathode of the photodiode.例文帳に追加

基板１１表面に形成されフォトダイオードのカソードなるｎ型高濃度層１２ａ上にｎ型クラッド層１２ｂ、吸収層１２ｃ、ｐ型クラッド層１２ｄ及びｐ型高濃度層１２ｅの積層体をメサ型に形成する。 - 特許庁

A supporting member 34 is provided with a frame type member 34A, and a frame type supporting member 34B, the frame type supporting member 34B is provided at the frame type member 34A, an electrode 34C is formed at an internal side surface of the frame type supporting member 34B.例文帳に追加

支持部材３４は、枠状部材３４Ａ、枠状支持部材３４Ｂを備え、枠状部材３４Ａには枠状支持部材３４Ｂが立設されており、枠状支持部材３４Ｂの内側側面には電極３４Ｃが形成されている。 - 特許庁

A source region is formed by an n^+-type substrate, a trench 2 is formed on a principal surface of the n^+-type substrate, and then a p-type base region 3, an n^--type drift region 4, and an n^+-type drain region 5 are sequentially epitaxially grown in the trench 2.例文帳に追加

ｎ^+型基板１によってソース領域を構成し、ｎ^+型基板１の主表面にトレンチ２を形成したのち、トレンチ２内にｐ型ベース領域３、ｎ^-型ドリフト領域４およびｎ^+型ドレイン領域５を順にエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The solid state image sensor 10 has such a structure as a P type semiconductor layer 1, an N type semiconductor layer 2, a P type semiconductor layer 3, and an N type semiconductor layer 4 are laid sequentially in layers from the surface of a P type semiconductor substrate 5 toward the inside thereof.例文帳に追加

固体撮像素子１０は、Ｐ型半導体基板５の表面からその内部に向かって、Ｐ型半導体層１、Ｎ型半導体層２、Ｐ型半導体層３、Ｎ型半導体層４がこの順に重層された構造となっている。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a p-type Si substrate 109, a p-type annular well 181 provided at the side of an element forming surface of the p-type Si substrate 109 and an n-type annular well 183 provided at the inside of the p-type annular well 181.例文帳に追加

半導体装置は、Ｐ型Ｓｉ基板１０９と、Ｐ型Ｓｉ基板１０９の素子形成面側に設けられているＰ型環状ウェル１８１と、Ｐ型環状ウェル１８１の内側に設けられているＮ型環状ウェル１８３とを備える。 - 特許庁

To provide a spreader imparting excellent spreading property to a water surface-floating type agrochemical composition, rapidly biodegraded when the water surface-floating type agrochemical composition is applied onto water surface and scarcely having influence on the environment by the residue and to provide the water surface-floating type agrochemical composition.例文帳に追加

それを用いて調製した水面浮遊型農薬組成物に優れた拡展性を付与すると同時に、該水面浮遊型農薬組成物を水面施用としたときに速やかに生分解され、残留による環境への影響が少ない拡展剤、及びそのような水面浮遊型農薬組成物を提供する。 - 特許庁

One metal frame 14 extends from a side surface to the top surface side of the chip type electronic component 12 and bonded to the bond wire 13, and the other metal frame 15 extends from the side surface to the reverse surface of the chip type electronic component 12 side and bonded to a connection land 11B right below the chip type electronic component 12.例文帳に追加

一方の金属フレーム１４は、チップ形電子部品１２の側面から表面側にかけて延びてボンドワイヤ１３に接合され、他方の金属フレーム１５は、チップ形電子部品１２の側面から裏面側にかけて延びてチップ形電子部品１２の直下の接続ランド１１Ｂに接合される。 - 特許庁

To suppress a phenomenon in which the conductivity of a p-type nitride semiconductor is inserted in a process for exposing one portion of the surface of a p-type nitride semiconductor, by containing an n-type impurity or etching an i-type nitride semiconductor partially while being formed on the surface of a p-type nitride semiconductor region.例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体領域の表面に形成されており、ｎ型不純物を含むか又はｉ型の窒化物半導体の一部をエッチングしてｐ型の窒化物半導体の表面の一部を露出させる工程において、ｐ型窒化物半導体の導電型が反転する現象を抑制する。 - 特許庁

To provide a vibration control structure in which a displacement dependence type damper and a speed dependence type damper can be installed simply on the same frame surface.例文帳に追加

同一架構面に変位依存型ダンパーと速度依存型ダンパーとが簡単に設置できる制震構造を提供することである。 - 特許庁

Diffusion regions 24a, 24b, 25a and 25b are respectively formed on the surface of the first conductivity type region 12 and the second conductivity type region 13.例文帳に追加

拡散領域２４ａ，２４ｂ，２５ａ，２５ｂが、第１導電型領域１２及び第２導電型領域１３の表面にそれぞれ形成されている。 - 特許庁

At this time, the p-type buried diffusion layers 43, 44, 45 are formed by diffusing them from the surface of the first p-type epitaxial layer 7.例文帳に追加

このとき、Ｐ型の埋込拡散層４３、４４、４５は１層目のエピタキシャル層７表面から拡散して形成されている。 - 特許庁

On the rear surface of an n-type β-Ga_2O_3 substrate 2, an n-type electrode 20 comprising at least a Ti layer is formed by a PLD method.例文帳に追加

ｎ型β−Ｇａ_２Ｏ_３基板２の下面に、ＰＬＤ法により少なくともＴｉ層からなるｎ型電極２０を形成する。 - 特許庁

A slope surface 6 which facilitates drawing out of the card type apparatus 4 is provided in the spacing (W) between the battery 3 and the card type apparatus 4.例文帳に追加

そして、電池３とカード型機器４との間の間隔（Ｗ）に、当該カード型機器４を抜け易くする勾配面６を設ける。 - 特許庁

To reduce the pitch of an outside connecting terminal in a resin-sealing type and a leadless surface-mounting type.例文帳に追加

樹脂封止型であると共にリードレス表面実装型の半導体装置における外部接続端子のピッチを小さく形成すること。 - 特許庁

The gate insulating films are provided on the side surfaces of the trenches reaching the first-conductive-type base layer from the surface of the second-conductive-type base layer.例文帳に追加

ゲート絶縁膜は第２導電形ベース層の表面から第１導電形ベース層に達するトレンチの側壁に設けられた。 - 特許庁

The p-side electrode contacts a part of the p-type semiconductor layer on a first main surface of the p-type semiconductor layer, which is opposite to the light-emitting layer.例文帳に追加

ｐ側電極は、ｐ型半導体層の発光層とは反対側の第１主面でｐ型半導体層の一部に接する。 - 特許庁

The N-type semiconductor region 119 is arranged on a lower part of the P-type semicondudtor region 110 on a rear surface of the PD forming substrate 101.例文帳に追加

ＰＤ形成基板１０１の裏面には、Ｐ型半導体領域１１０の下部にＮ型半導体領域１１９が配される。 - 特許庁

A second conductivity-type diffusion layer (second of second conductivity-type high-concentration diffusion layer) 116 is formed on a surface layer of the sinker layer 115.例文帳に追加

シンカー層１１５の表層には、第２導電型拡散層（第２の第２導電型高濃度拡散層）１１６が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device includes an n-type impurity area 26 constituting a collector area, in a prescribed depth from a surface of an n-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｎ型の半導体基板１の表面から所定の深さに、コレクタ領域を構成するｎ型の不純物領域２６を備える。 - 特許庁

An n-type drift region DRI and a p-type body region BO are formed at the main surface side of the p^- epitaxial region EP2.例文帳に追加

ｐ^-エピタキシャル領域ＥＰ２の主表面側には、ｎ型ドリフト領域ＤＲＩとｐ型ボディ領域ＢＯとが形成されている。 - 特許庁

An n^+-type source region 14 is formed along the opening of a trench 10a on the surface region of a p-type channel region 13.例文帳に追加

Ｐ型チャネル領域１３の表面領域には、トレンチ溝１０ａの開口に沿って、Ｎ^＋型ソース領域１４が形成されている。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a ridge type semiconductor laser in which a p-type electrode can be formed accurately on the upper surface of a ridge structure.例文帳に追加

リッジ構造の上表面上にｐ型電極を正確に形成できるリッジ型半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

Next, the other main surface of the n-type semiconductor substrate 51 and a second n-type semiconductor region 22 are superposed, and fixed by the heat treatment.例文帳に追加

次に、Ｎ型半導体基板５１の他方の主面と、第２Ｎ型半導体領域２２とを重ね、熱処理によって固着させる。 - 特許庁

On the upper surface of a sapphire substrate 1, an N-type semiconductor layer 2, an active layer 4, and a P-type semiconductor layer 5 are laminated in this order.例文帳に追加

サファイア基板１の上面には、Ｎ型半導体層２、活性層４、Ｐ型半導体層５がこの順に積層してある。 - 特許庁

A trench 2 is formed in a vertical direction from a main surface 1a of an n+-type substrate 1, and a p-type layer 3 is formed inside the trench 2.例文帳に追加

ｎ^+型基板１の主表面１ａから垂直方向にトレンチ２を形成し、このトレンチ２内にｐ型層３を成膜する。 - 特許庁

The pattern of a heating element is formed on one surface of a plate type member, and plane layers having heat conductivity are provided in the plate type member.例文帳に追加

板状体の一方の面に発熱体のパターンが形成され、板状体の内部に熱伝導率の高いプレーン層を設けた。 - 特許庁

To provide a photoreceptor of a transmission-type photoelectric sensor comprising a surface-mount type photo IC, which is compact and the operation distance of which is long.例文帳に追加

面実装型のフォトＩＣを備えた透過型光電センサの受光器であって、小型かつ動作距離の長いものを提供する。 - 特許庁

Then an n^+-type semiconductor region 15 is formed in the substrate 11 by introducing an n-type impurity into the substrate 11 from the other main surface SB of the substrate 11.例文帳に追加

半導体１１の他方の主面ＳＢからＮ型不純物を導入し、Ｎ^＋型半導体領域１５を形成する。 - 特許庁

An n-type clad layer 21, an active layer 25 and a p-type clad layer 23 are arranged in the direction of a normal axis NX of a principal surface 17a.例文帳に追加

ｎ型クラッド層２１、活性層２５及びｐ型クラッド層２３は主面１７ａの法線軸ＮＸの方向に配置される。 - 特許庁

A level difference is generated even on a surface of an N-type epitaxial layer 4 owing to a silicon level difference formed during formation of an N+ type buried layer 2.例文帳に追加

Ｎ＋型埋め込み層２形成時に生じたシリコン段差に起因してＮ型エピタキシャル層４の表面にも段差が生じる。 - 特許庁

A polylactic acid type heat-sealable film is constituted by forming an acrylic resin coating layer on at least one surface of a polylactic acid type film.例文帳に追加

ポリ乳酸系フィルムの少なくとも一方の面にアクリル系樹脂コーティング層が形成されている積層構造のフィルムである。 - 特許庁

The p-type semiconductor and the n-type semiconductor each have a semiconductor material and a dopant attached to a surface of the semiconductor material.例文帳に追加

ｐ型半導体及びｎ型半導体は、それぞれ、半導体材料と、半導体材料の表面に付着したドーパントと、を有する。 - 特許庁

A depth B from the surface of the p-type channel layer 103 of the trench gate 2 is 1.2-1.5 times a depth A of the p-type channel layer 103.例文帳に追加

トレンチゲート２のＰ型チャネル層１０３の表面からの深さＢは、Ｐ型チャネル層１０３の深さＡの１．２〜１．５倍である。 - 特許庁

Boron and the like is ion-implanted into a surface layer of an n-type SiC substrate 10 in which nitrogen is doped, to form an n-type SiC 11.例文帳に追加

窒素がドーピングされたｎ型ＳｉＣ基板１０の表層部に、ボロン等をイオン注入してｎ型ＳｉＣ１１を形成する。 - 特許庁

This electrostatic chuck is formed in a bipolar type or unipolar type and has an insulating block 1 provided with a plurality of embossments 2 on its upper surface.例文帳に追加

静電チャック装置はバイポーラ型またはユニポーラ型であり、その上面に複数のエンボス２を備えた絶縁ブロック１を有する。 - 特許庁

The n-type semiconductor region is provided in the surface of the p-type semiconductor layer between the drain region and the insulator.例文帳に追加

前記ｎ形半導体領域は、前記ドレイン領域と前記絶縁体との間の前記ｐ形半導体層の表面に設けられる。 - 特許庁

An n-type silicon carbide board 1 has one main surface on which an n-type SiC layer 2 having a relatively low dopant concentration is formed.例文帳に追加

ｎ型の炭化珪素基板１の一方の主表面にドーパント濃度が比較的低いｎ型のＳｉＣ層２が形成されている。 - 特許庁