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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > the line of least resistanceの意味・解説 > the line of least resistanceに関連した英語例文

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the line of least resistanceの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 22



例文

take [choose, follow] the line of least resistance 例文帳に追加

いちばん楽な方法をとる. - 研究社 新英和中辞典

the line of least resistance 例文帳に追加

(電気の通ずる)最少抵抗線 - 斎藤和英大辞典

Take the line of least resistance. 例文帳に追加

一番容易な方法をとる。 - Tanaka Corpus

People generally choose the line of least resistance. 例文帳に追加

人は一般に最も抵抗の少ない行き方を選ぶ. - 研究社 新和英中辞典

例文

Charles always takes the line of least resistance.例文帳に追加

チャールズはいつも一番容易な方法をとる。 - Tatoeba例文


例文

To provide a comb for hair easy to use with feeling the least resistance when a panel of hair is combed by setting the angle of the straight line in parallel with the short side direction of the panel of hair to a reference line to approximately 45°, in the case wherein the straight line in parallel with the longitudinal direction of the comb for hair is set as the reference line.例文帳に追加

頭髪用の櫛の長手方向に平行な直線を基線とした場合に、頭髪のパネルの短手方向に平行な直線と基線のなす角度を45°前後として頭髪のパネルを梳いていく際に、最も抵抗感が少なく作業し易い構成の頭髪用の櫛を提供する。 - 特許庁

The non-volatile memory device includes at least one pair of first electrode lines, at least one second electrode line interposed between the at least one pair of first electrode lines, and at least one data storage layer interposed between at least one pair of first electrode lines and at least one second electrode line, which may locally store a resistance change.例文帳に追加

少なくとも一対の第1電極ラインと、少なくとも一対の第1電極ラインの間に介在された少なくとも1本の第2電極ラインと、少なくとも一対の第1電極ラインと少なくとも1本の第2電極ラインとの間に介在され、局部的に抵抗変化を保存しうる少なくとも1層のデータ保存層と、を備える不揮発性メモリ素子である。 - 特許庁

An alignment error of the chip fuse and a problem where a print edge is not aligned are improved by the structure of the chip fuse, a first trimming line, a second trimming line and a third trimming line formed by the structure and at least one line up to the third trimming line, and various kinds of requirements of design are satisfied by adjusting a necessary overcurrent situation and a resistance value of the fuse chip.例文帳に追加

そのほか、このチップヒューズの構造とその形成する一つの第一トリミングライン、一つの第二トリミングライン、一つの第三トリミングライン、少なくとも一つの第三トリミングラインまでのラインによってチップヒューズの位置あわせ誤差とプリントエッジが整わない問題を改善し、必要な過電流状況とヒューズチップの抵抗値の調整によって各種設計の要求に合うようにします。 - 特許庁

(1) In the fuel cell 10 wherein an adhesive seal is constructed from at least a dual seal line 40, one seal line 41 on the side in contact with a reactant gas is formed of an adhesive 43 having creep resistance, and the other seal line 42 on the side not in contact with the reactant gas is formed of an adhesive 44 having gas leak resistance.例文帳に追加

(1) 接着剤シールが少なくとも2重の多重シールライン40から構成されている燃料電池であって、 反応ガスと接する側のシールライン41が耐クリープ性を有する接着剤43から形成され、反応ガスと接しない側のシールライン42が耐ガスリーク性を有する接着剤44から形成されている、燃料電池10とその製造方法。 - 特許庁

例文

Resistance elements Ra, Rk functioning as a luminance adjusting means are connected to at least either one of a common anode line 5 commonly connecting anode sides of each of the light emitting elements or a common cathode line 6 commonly connecting cathode sides of each of the light emitting elements.例文帳に追加

前記各発光素子のアノード側を共通接続してなる共通アノード線5、または各発光素子のカソード側を共通接続してなる共通カソード線6の少なくともいずれか一方に、輝度調整手段として機能する抵抗素子Ra,Rkが接続される。 - 特許庁

例文

The air blowing devices 5a, 5b are mounted in positions at least upstream of the area 2 upon which friction resistance greatly acts, and are arranged in a V-shape centered on a hull center line L.例文帳に追加

空気吹き出し器5a,5bの組み付け位置を、摩擦抵抗が特に大きく作用する領域2の少なくとも上流部とし、船体中心線Lを挟んでハの字の配置とする。 - 特許庁

A resistance value between the electrodes 1a, 1b is controlled by trimming which is obtained by cutting a trimming line 3 on at least one of these unit resistors 2a-2f.例文帳に追加

複数の単位抵抗体2a〜2fの少なくとも1つに対してレーザによるトリミング線3を入れてトリミングを施すことにより1対の電極1a,1b間の抵抗値を調整する。 - 特許庁

The first knitting yarn (5a) comprises a covered yarn consisting of a core yarn obtained by using a metallic fine line having high cutting resistance, and a sheath yarn using an organic fiber having high strength and high modulus at least as a part thereof.例文帳に追加

第1編糸(5a)は耐切創性の高い金属細線を使用した芯糸と、高強度で高弾性率を備えた有機繊維を少なくとも一部に使用した鞘糸とのカバーリング糸からなる。 - 特許庁

In particular, the scanning line driving circuit 3 is constituted so as to reverse distribution of voltage drop generated in wiring resistance of the plurality of scanning lines Y by emission current which emits the plurality of display pixels PX at least in one of units of the predetermined number of frames and the predetermined number of scanning lines.例文帳に追加

特に、走査線駆動回路3は複数の表示画素PXを発光させる発光電流によって複数の走査線Yの配線抵抗に生じる電圧降下の分布を所定フレーム数単位および所定走査線数単位の少なくとも一方で逆転させるように構成される。 - 特許庁

Here, at least one of resistances among portions corresponding to the rest of pixels except the first pixel adjacent to one cathode line is smaller than the resistance between the portion corresponding to the first pixel and the portion corresponding to one pixel adjacent to the first pixel.例文帳に追加

ここで、1つのカソードラインに隣接する第1ピクセルを除いた残りのピクセルに対応する部分間の抵抗の少なくとも1つは、第1ピクセルに対応する部分と第1ピクセルに隣接する1つのピクセルに対応する部分間の抵抗より小さい。 - 特許庁

The magnetic resistance memory and its manufacturing method is constituted of the memory cell to store an information, a conductive wire to change a magnetization direction of the memory cell by generating a magnetic field, and at least one magnetic flux concentrating island to concentrate flux onto the memory cell located between the conductive line and the memory cell.例文帳に追加

情報を保存するメモリセルと、磁場を発生させて前記メモリセルの磁化方向を変化させる導電線と、導電線とメモリセルの間に位置してメモリセルに磁束を集中させる少なくとも1つの磁束集束アイランドとを備える磁気抵抗メモリおよびその製造方法。 - 特許庁

To lower the resistance value of a power-supply wiring connecting a pad for a power supply for a semiconductor integrated circuit and a power supply line of a logic-circuit block and/or a ground wiring connecting the pad for a ground for the semiconductor integrated circuit and a ground line for the logic-circuit block in the semiconductor integrated circuit including at least the logic-circuit block.例文帳に追加

少なくともロジック回路ブロックを含む半導体集積回路において、半導体集積回路の電源用パッドとロジック回路ブロックの電源ラインとを接続する電源配線、及び/又は、半導体集積回路のグランド用パッドとロジック回路ブロックのグランドラインとを接続するグランド配線の抵抗値を下げる。 - 特許庁

The voltage sensing line, which will at least locate on positive electrode side of each cell, is connected to ground through one or more resistance for detecting disconnection, while the voltage detecting means detects disconnection of wiring between plural voltage detecting points and plural voltage input terminals on the assembled battery based on input voltage from each voltage sensing line.例文帳に追加

少なくとも各セルの正極側に位置することとなる電圧検出線がそれぞれ1或いは複数の断線検知用抵抗を介してグランドに接続されており、電圧検出手段は、各電圧検出線からの入力電圧に基づいて組電池の複数の電圧検出点と複数の電圧入力端子との間の配線の断線を検知する。 - 特許庁

At the boundary between the n channel region 9N and the p channel region 9P, an inspection element group 20 as an aggregate of inspection elements for measuring partial resistance of the n channel region 9N or the p channel region 9P is provided such that it is located at least on both sides of the boundary line 10 of the n channel region 9N and the p channel region 9P.例文帳に追加

Nチャネル領域9NとPチャネル領域9Pとの境界部に、Nチャネル領域9N又はPチャネル領域9Pの部分的な抵抗を測定するための検査要素の集合体である検査要素グループ20が、少なくともNチャネル領域9NとPチャネル領域9Pとの境界線10の両側に位置するようにして設けられている。 - 特許庁

This ceramic substrate for semiconductor production and inspection device is provided with a resistance heating element comprising one or more than two circuits having terminals on both ends of the circuit in the inside or the surface of the ceramic substrate, and the line width adjacent to the terminals on both ends of at least one circuit is larger than those of the other circuits.例文帳に追加

セラミック基板の内部または表面に、その両端に端子部を有する1または2以上の回路からなる抵抗発熱体が形成された半導体製造・検査装置用セラミック基板であって、少なくとも1の回路両端の端子部近傍の線幅は、それ以外の部分の回路の線幅より太いことを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミック基板。 - 特許庁

The image capturing apparatus includes: a plurality of pixels, each including a plurality of thin film transistors T1, T2 with different dynamic resistance and the photoelectric conversion element C11; a selection unit 102 for selecting at least one of the thin film transistors; and a signal line S1 where an electric charge generated by the photoelectric conversion element is output via the thin film transistors selected by the selection unit.例文帳に追加

撮像装置は、動作抵抗が異なる複数の薄膜トランジスタT1,T2と、光電変換素子C11とをそれぞれ備える複数の画素と、複数の薄膜トランジスタの少なくとも1つを選択する選択部102と、光電変換素子で生成された電荷を選択部により選択された薄膜トランジスタを介して出力する信号配線S1とを備える。 - 特許庁

例文

A strip-like lead material 2 to be weld into a battery case made of nickel or nickel alloy plated steel sheet by parallel resistance welding method has 0.01-0.1 μm of surface mean roughness Ra in a cross direction of a center line and a welding point position A1-A4 in a direction longitudinally of at least the surface to be welded thereof.例文帳に追加

この電池用リード材は、ニッケルまたはニッケル合金めっき鋼板から成る電池容器にパラレル式抵抗溶接法で溶接される短冊形状をしたリード材2において、少なくともその溶接側表面2aの長手方向における中心線および溶接点位置A1〜A4における幅方向の表面の平均粗さ(Ra)が0.01〜0.1μmである。 - 特許庁

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