「thin film interface」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In the laminated film of the metal oxide thin film 2 and the metal thin film 3 formed on the base 1, a layer 4 of an oxide of the metal constituting the metal thin film is formed on the interface of the metal thin film 3 with the metal oxide thin film 2.例文帳に追加

基板１上に形成された金属酸化物薄膜２と金属薄膜３との積層膜において、金属薄膜３の金属酸化物薄膜２との界面に、金属薄膜を構成する金属の酸化物層４を形成する。 - 特許庁

The insulating film 53 is of III nitride thin film structure, so that an interface between the insulating film 53 and the III nitride thin films 52 and 54 is never disordered, and no defect is induced.例文帳に追加

絶縁膜５３がIII族窒化物薄膜の構造であるので、絶縁膜５３とIII族窒化物薄膜５２、５４の界面が乱れず、欠陥が生じない。 - 特許庁

To relieve projecting/recessed parts in the interface of a polycrystalline semiconductor thin film and a gate insulating film, and to improve the mobility of a thin-film transistor.例文帳に追加

多結晶半導体薄膜とゲート絶縁膜との界面における凹凸を緩和して薄膜トランジスタの移動度を改善する。 - 特許庁

The irradiated light pulses are converted into heat within one picosecond in the thin film 3, and they are diffused in an interface/the thin film 1/an interface so as to reach the thin film 2.例文帳に追加

照射された光パルスは第２金属薄膜層において１ピコ秒以内に熱に変換され、界面／非金属薄膜層／界面を拡散して反対側の第１金属薄膜２に達する。 - 特許庁

To provide a method of forming a thin metal oxide film by which the thin metal oxide film can be formed with a low interface state density.例文帳に追加

界面準位密度が低い金属酸化物薄膜を成膜することができる金属酸化物薄膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁

The electron spin acting part 9 includes an interface 3 between an inorganic ultra-thin film 8 and an organic ultra-thin film 7.例文帳に追加

尚、本実施形態では電子スピン作用部９は無機超薄膜８と有機超薄膜７との間に界面３を備えて構成される。 - 特許庁

To provide a thin film laminate in which adhesion of an interface between layers comprising different materials is improved and to provide a method for manufacturing the thin film laminate.例文帳に追加

異なる材料からなる層の界面での密着性が改善された薄膜積層体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a heterostructure multilayered thin film with compositional steep variation at a heterojunction interface.例文帳に追加

ヘテロ接合界面の組成変化が急峻なヘテロ構造多層薄膜を製造する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor thin film which can prevent a contamination of an interface.例文帳に追加

界面の汚染を防止できる半導体薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a thin film in which the interface property of a silicon substrate and a silicon oxide film is good, and which produces the thin film with good low interface trap density.例文帳に追加

低温で、シリコン基板とシリコン酸化膜との界面特性が良好であり、低界面トラップ密度の良質な薄膜を作製する薄膜形成方法を提案する。 - 特許庁

To provide a thin film formation method capable of forming a thin film having excellent film thickness uniformity in the interface direction under low temperatures, and to provide a thin film formation device and a program.例文帳に追加

低温下で、面間方向での膜厚均一性の良好な薄膜を形成することができる薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラムを提供する。 - 特許庁

A thin oxide film is formed in an interface between a semiconductor film whereto rare gas element is added and a semiconductor film having a crystal structure.例文帳に追加

希ガス元素を添加した半導体膜と結晶構造を有する半導体膜との界面には薄い酸化膜を形成する。 - 特許庁

The energy beam is applied across the oxide film 3, thus forming the flat interface between the semiconductor thin film 3 and oxide film 3.例文帳に追加

酸化膜３越しにエネルギービームを照射することで、半導体薄膜５酸化膜３との間に平坦な界面を形成することができる。 - 特許庁

To obtain a piezoelectric thin film that indicates excellent film quality characteristics without being affected by reformed film interface that is the surface of a lower electrode layer.例文帳に追加

下部電極層の表面である再成膜界面の影響を受けずに、良好な膜質特性を示す圧電体薄膜を得ること。 - 特許庁

To enable a thin film having a low impurity content to be effectively formed on a substrate preventing a low-permittivity interface layer from being formed on an interface between the thin film and the substrate.例文帳に追加

薄膜と基板との界面に低誘電率界面層が形成されるのを防止しつつ、不純物含有量の少ない薄膜を基板上に効率良く形成する。 - 特許庁

Moreover, since the piezoelectric thin film 5 is disposed on an upper surface 4b consisting mainly of a signal crystal Ru, reaction can be avoided from happening at the interface with the lower electrode 4, and the interface of the piezoelectric thin film 5 can be flattened.例文帳に追加

しかも、この圧電薄膜５が単結晶のＲｕを主成分とする上面４ｂ上に配置されるので、下部電極４との界面で反応が起こるのを回避でき、圧電薄膜５の界面を平坦にすることができる。 - 特許庁

To readily and in approximation compute interface state density on the interface of an SOI(silicon-on-insulator) thin-film and an insulating layer, in an SOI substrate, even when impurity concentration in the SOI thin-film cannot be obtained accurately.例文帳に追加

ＳＯＩ薄膜中の不純物濃度が正確に求められない場合にも、ＳＯＩ基板のＳＯＩ薄膜と絶縁層との界面における界面準位密度を簡便にかつ近似的に算出する。 - 特許庁

A first reflected wave which is reflected by the interface between the inner surface of the structure and the outer surface of the thin film and a second reflected wave which is reflected by the interface between the interior of the structure and the inner surface of the thin film are received on the outer surface of the structure.例文帳に追加

構造体内面と前記薄膜外面との界面で反射する第一反射波及び構造体内部と前記薄膜内面との界面からぞれぞれ反射する第二反射波を前記構造体外面で受信する。 - 特許庁

To provide an organic EL element, in which the transport of holes or electrons at the interface of an electrode and an organic thin-film layer and/or at the interface between the mutual organic thin-film layers is carried out efficiently, and in which the driving voltage can be reduced.例文帳に追加

電極と有機薄膜層との界面および／または有機薄膜層同士の界面での正孔あるいは電子の輸送が効率的に行われ、駆動電圧を低減可能な有機ＥＬ素子を提供すること。 - 特許庁

Excessive titanium/ insufficient tantalum portion causes the thin film, to firmly stick to the dielectric thin film and the excessive tantalum/insufficient titanium portion suppresses formation of an intermetallic compound by forming a hetero-epitaxial interface with the interconnecting thin film.例文帳に追加

チタン過剰／タンタル欠乏部分により、誘電体薄膜に良く固着し、タンタル過剰／チタン欠乏部分は相互接続薄膜とヘテロエピタキシャル界面を形成し、金属間化合物の形成を抑える。 - 特許庁

A thin film capacitor 10 comprises a substrate 12, a lower electrode 14, a dielectric thin film 16 and an upper electrode 18, and if necessary, an antireaction layer 20 is arranged at the interface between the dielectric thin film 16 and the upper electrode 18.例文帳に追加

薄膜キャパシタ１０は、基板１２，下部電極１４，誘電体薄膜１６，上部電極１８からなり、必要に応じて誘電体薄膜１６と上部電極１８との界面に反応防止層２０が設けられる。 - 特許庁

The thin film, with a thickness between 10 nm and μm, thus presents a decreasing silver concentration gradient from the interface 3 between the thin film 2 and the main layer 1 to the free surface 2a of the thin film 2.例文帳に追加

これによって、厚さ１０ｎｍ〜１μｍの薄膜が、薄膜２と主要層１との間の界面３から該薄膜２の自由表面２ａに向かって減少して行く銀濃度勾配を有する。 - 特許庁

To form a polycrystalline semiconductor thin film that maintains an ideal MOS structure interface and at the same time, has a large particle size, and to manufacture a high-performance thin-film transistor by the polycrystalline semiconductor thin film.例文帳に追加

理想的なＭＯＳ構造界面を保ちつつ、大粒径の多結晶半導体薄膜を形成し、これを用いて高性能の薄膜トランジスタを製造する。 - 特許庁

To provide a thin film evaluation method whereby a film characteristic and a structure of an Si substrate / insulation film interface can be measured by having only to form an insulating thin film such as a gate insulating film so as to feed back the measured result to a film forming condition of the insulating thin film in a short period of time.例文帳に追加

ゲート絶縁膜など絶縁薄膜を形成するのみで、その膜特性やＳｉ基板／絶縁膜界面の構造を測定できるようにし、短期間で絶縁薄膜の成膜条件に対するフィードバックをかけることができるようにする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film transistor for obtaining a high-grade polycrystalline silicon film and MOS interface at low process temperature.例文帳に追加

低いプロセス温度で高品質の多結晶シリコン膜およびＭＯＳ界面を得るための薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film transistor by which interface level density between a silicon layer and a gate insulating film can be lowered.例文帳に追加

シリコン層とゲート絶縁膜の間の界面準位密度を低下させることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin film in which a thin film having good film characteristics can be formed while suppressing defects on the film interface by atomic layer deposition (ALD method).例文帳に追加

原子層蒸着法（ＡＬＤ法）において、膜界面の欠陥が少なく、膜特性の良好な薄膜を形成することができる薄膜形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for growing a single-crystal oxychalcogenide system thin film, capable of making grown a proper quality single-crystal oxychalcogenide system thin film having a precipitous interface between thin films.例文帳に追加

薄膜間の界面が急峻で良質な単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜を成長させることができる単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜の成長方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a thin film transistor (TFT) in which no impurity exists in a channel interface and an oxide semiconductor film existing in the channel interface has a good film quality and which becomes transparent against visible light and has excellent characteristics.例文帳に追加

チャネル界面に不純物が存在しなく、かつ、チャネル界面における酸化物半導体膜の膜質が良好な、可視光に対して透明となる特性の優れた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を得る。 - 特許庁

A plurality of created interferograms are multiplied, and thereby side burst signals 11, 13 based on the reflecting light from the interface of the substrate S and the thin film E1 and from the interface of the thin films E1, E2 are recognized easily.例文帳に追加

これら生成した複数のインターフェログラムを積算することにより、基板Ｓと薄膜Ｅ１との界面および各薄膜Ｅ１，Ｅ２どうしの界面からの反射光に基づくサイドバースト１１，１３を認識し易くする。 - 特許庁

To provide an interface detection method and an interface detector capable of specifying accurately a position of an interface of each layer, when analyzing in depth direction of a thin film laminate.例文帳に追加

薄膜積層体の深さ方向分析を行う場合において、各層の界面の位置を正確に特定することが可能な界面検出方法及び界面検出装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a thin film laminate and an interface detection method capable of detecting accurately interface information, even when a physical irregularity and an intermediate layer due to diffusion of a constitutive element exist in the interface.例文帳に追加

界面に物理的な凹凸や構成元素の拡散による中間層が存在する場合であっても、界面情報を正確に検出することが可能な薄膜積層体及び界面検出方法を提供すること。 - 特許庁

A MOS transistor comprises a substrate, an active region within the substrate, an interface oxide thin film on the substrate, a WSiN_y gate dielectric thin film formed on the interface oxide thin film, and a gate separated from the active region by the WSiN_y gate dielectric thin film.例文帳に追加

本発明のＭＯＳトランジスタは、基板と、前記基板内にあるアクティブ領域と、前記基板上にある界面酸化物薄膜と、前記界面酸化物薄膜上に形成されるＷＳｉＮ_ｙゲート誘電体薄膜と、前記ＷＳｉＮ_ｙゲート誘電体薄膜によって前記アクティブ領域から分離されるゲートとを含む。 - 特許庁

An optical coupler is configured by forming a metal thin film 1 on a transparent dielectric material 2, by adhering the film thereto so as to allow the object light to excite a metal interface optical mode on the interface of the metal thin film 1, and disposing a light-scattering material 3 via a gap layer 4.例文帳に追加

被変調光が金属薄膜１の界面に金属界面光学モードを励起するように、透明誘電体２上にこの金属薄膜１を密着形成し、間隙層４を介して光撹乱体３を配置した光結合器を構成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film transistor substrate in which the thin film transistor substrate having high mobility as a transistor and low interface level density of a gate insulating film can be manufactured at low cost.例文帳に追加

トランジスタとしての移動度が高く、ゲート絶縁膜の界面準位密度が低い薄膜トランジスタ基板を低コストで製造することができる薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin-film photoelectric conversion device of improved photoelectric conversion characteristics by lowering interface resistance between a thin-film photoelectric conversion unit and a backside translucent conductive film.例文帳に追加

薄膜光電変換ユニットと裏面透明導電膜との界面抵抗を下げることにより、光電変換特性が改善された薄膜光電変換装置を提供する。 - 特許庁

The thin-film transistor is an MOS type thin-film transistor formed on an insulating substrate, wherein the interface state density of the gate insulating film of silicon oxide composing the thin-film transistor is 2×10^11/cm^2 eV or lower, and the insulating substrate is a plastic substrate.例文帳に追加

また、本発明の薄膜トランジスタは、絶縁基板上に形成されたＭＯＳ型の薄膜トランジスタであって、その薄膜トランジスタを構成する酸化シリコンからなるゲート絶縁膜の界面準位密度が２×１０^１１／ｃｍ^２ｅＶ以下であり、絶縁基板がプラスチック基板である。 - 特許庁

To provide an antireflection film which is to be applied on an interface between an optical adhesive and a laser element or on an interface between the optical adhesive and an optical element and moreover which is constituted of a monolayer optical thin film.例文帳に追加

光学接着剤とレーザ素子との界面および光学接着剤と光学素子との界面に施されかつ単層の光学薄膜で構成される反射防止膜を提供する。 - 特許庁

To nondestructively and highly accurately measure a change in the delicate state of an interface in a thinly layered multi-layer film device in a method for measuring an interface structure of a multi-layer thin film.例文帳に追加

多層薄膜体の界面構造の計測方法に関し、薄層化された多層膜デバイスにおける微妙な界面状態の変化を非破壊で精度良く測定する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING SEPARABLE INTERFACE, AND METHOD FOR MANUFACTURING MICRO-MACHINE THIN FILM BY THE SAME, AND ITS PRODUCT例文帳に追加

分離できるインターフェースを形成する方法及びこの方法でマイクロマシン薄膜を製造する方法及びその製品 - 特許庁

However, by making a portion near the interface of the first electrode amorphous, the dielectric thin film is made to have a fine grain structure.例文帳に追加

しかし、第１の電極の界面近傍を非晶質にすることで、誘電体薄膜は微細グレイン構造を有するようになる。 - 特許庁

The thin-film chip is manufactured by aggregating the gold nanorod on a liquid-liquid interface and transferring it to the substrate b surface.例文帳に追加

この薄膜チップは液−液界面に金ナノロッドを凝集させ、これを基板表面に移し取ることにより作製される。 - 特許庁

To improve photoelectric conversion efficiency by refining the interface of pin junction of a crystalline silicon thin film solar battery.例文帳に追加

結晶シリコン系薄膜太陽電池のｐｉｎ接合の界面を改良することにより光電変換効率を向上する。 - 特許庁

APPARATUS FOR MICROPORATION OF BIOLOGICAL MEMBRANE USING THIN FILM TISSUE INTERFACE DEVICE, AND METHOD FOR THE SAME例文帳に追加

薄膜組織インターフェイスデバイスを使用する生物学的膜のミクロポレーションのための装置、およびそのための方法 - 特許庁

Total reflection effect or high reflection at an interface of the anisotropic thin film causes enhancement of polarization conversion.例文帳に追加

異方性薄膜のインターフェースにおける全反射効果又は高反射が増加された偏光変換を引き起こす。 - 特許庁