「top P」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The surface 7a has a top part P having a rounded center portion and is sloped downward from the top part P radially outward.例文帳に追加

表面７ａは、その中央部分に丸みを帯びた頂部Ｐを有し、頂部Ｐから径方向外側に向かって下り勾配となっている。 - 特許庁

On the top face of the P type GaN layer 3 exposed above the mesa 4 and the upper end face of the insulating film 5A, a P side electrode 6 larger than the top face of the P type GaN layer 3 (top face of the mesa 4) is formed.例文帳に追加

また、メサ部４の上部に露出するＰ型ＧａＮ層３の上面と絶縁膜５Ａの上端面には、Ｐ型ＧａＮ層３の上面（メサ部４の上面）よりも大きなＰ側の電極６が形成されている。 - 特許庁

An aperture rate per unit area of the light control member 6 is minimized at the top P of the light control member 6, and becomes larger as separated from the top part P.例文帳に追加

光制御部材６の単位面積当たりの開口率は、光制御部材６の頂部Ｐにおいて最小であり、頂部Ｐから離れるに従って大きくなる。 - 特許庁

The photodiode 20a comprises a p^+-type top layer 22a and a charge accumulating section 21a, and the photo-diode 20b comprises a p^+-type top layer 22b and a charge accumulating section 21b.例文帳に追加

フォトダイオード２０ａは、Ｐ^+型表面層２２ａと電荷蓄積部２１ａとを備え、フォトダイオード２０ｂは、Ｐ^+型表面層２２ｂと電荷蓄積部２１ｂとを備える。 - 特許庁

It is also acceptable that the p-layer is formed on the entire top face and then the n^+-layer is formed in the island structure (in spots) on the p-layer.例文帳に追加

上面全体にｐ層を作成し、その上からｎ＋層を島状(スポット状)に形成するものであってもよい。 - 特許庁

Thus, the center of a tip end edge of the top paper P moves apart from next paper P' or a paper loading table 20.例文帳に追加

これにより、最上位の用紙Ｐ先端縁の中央部が、次位の用紙Ｐ´、あるいは用紙積載台２０から離間する。 - 特許庁

The top surfaces of the n-electrode 17 and the p-electrode 18 are covered with an insulating film 22.例文帳に追加

ｎ電極１７、ｐ電極１８上は、絶縁膜２２によって覆われている。 - 特許庁

In the top face of a p^- substrate 200, an n-type dopant region 121 is formed.例文帳に追加

ｐ^-基板２００の上面内に、ｎ型不純物領域１２１が形成されている。 - 特許庁

On the top surface of a p-type silicon substrate 1, an n-type source/drain region 4 is formed.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１の表面に、ｎ型ソース／ドレイン領域４が形成される。 - 特許庁

In the top face of the n-type dopant region 121, a p well 131 is formed.例文帳に追加

ｎ型不純物領域１２１の上面内に、ｐウェル１３１が形成されている。 - 特許庁

In this state, the piston P is press-inserted from the top into a cylindrical hole of an engine block.例文帳に追加

この状態でエンジンブロックの筒穴にピストンＰを頂部から加力して挿入する。 - 特許庁

In the top layer of the body region 13, a P type source region 14 is formed.例文帳に追加

ボディ領域１３の表層部には、Ｐ型のソース領域１４が形成されている。 - 特許庁

Meanwhile, when the measured length of the recording sheet P is longer than the set length of the recording sheet P, the start position of printing is corrected so as to make the margin of the top end of the other surface of the recording sheet P larger.例文帳に追加

一方、記録紙Ｐの測定長さの方が長ければ、記録紙Ｐの他側の面の先端の余白が大きくなるように印刷の開始位置を補正する。 - 特許庁

In the top face of the n-type dopant region 121, a p^+-type source region 126 and a p^+-type drain region 122 are also formed.例文帳に追加

また、ｎ型不純物領域１２１の上面内に、ｐ^+型ソース領域１２６及びｐ^+型ドレイン領域１２２が形成されている。 - 特許庁

A p-electrode is formed over the top surface of the p-type nitride semiconductor layer 4 with a current-constricting insulation film 5 of SiO2 in between.例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体層４上面にＳｉＯ_2よりなる電流狭窄用絶縁膜５を介して、ｐ電極を形成する。 - 特許庁

Further, a manufacturing device 20 for the LTCC multilayer substrate, has a drying section 26 which forms the pattern P on the top layer by drying the pattern P on the top layer each time the green sheet GS is stacked, and a pressing section 27 which presses the pattern P against the top layer each time the green sheet GC is stacked.例文帳に追加

また、ＬＴＣＣ多層基板の製造装置２０は、グリーンシートＧＳが積層されるたびに最上層のパターンＰを乾燥して最上層にパターンＰを形成する乾燥部２６と、グリーンシートＧＳが積層されるたびにパターンＰを最上層へ押圧する押圧部２７とを有する。 - 特許庁

This X-ray CT apparatus 100 obtains an image of a subject P placed on a top plate 22.例文帳に追加

Ｘ線ＣＴ装置１００は、天板２２に載置された被検体Ｐの画像を取得する。 - 特許庁

The pallets P, the separate sheets S, and the top frames T are fed to a loading part 1 to load the articles.例文帳に追加

パレットＰ、セパレートシートＳおよびトップフレームＴを、荷積みを行なう荷積部１に供給する。 - 特許庁

Stripe width is about 1,500 nm on the flat top surface Σ of the p-type contact layer 105b.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層１０５ｂの平頂面Σにおけるストライプ幅は約１５００ｎｍである。 - 特許庁

The electrode side reflection layer 8 is formed at one portion of the top face of the p-type contact layer 7.例文帳に追加

電極側反射層８は、ｐ型コンタクト層７の上面の一部に形成されている。 - 特許庁

A p-side electrode 44 (electrode) is in contact with all of a top surface of the waveguide ridge 40.例文帳に追加

ｐ側電極４４（電極）は導波路リッジ４０の頂部の全面に接触している。 - 特許庁

The coil springs 31 lower the stacking plate 2 according to the supply quantity of the paper P only when supplying the paper P, and hold the top surface of the stored paper P into the paper feeding position 18.例文帳に追加

コイルバネ３１は、用紙Ｐの補給時のみに、用紙Ｐの補給量に応じて積載板２を下降させ、収納した用紙Ｐの最上位面を給紙位置１８に保持する。 - 特許庁

On top of a p-type clad layer 6, a p-type contact layer 7 which is formed of p-type GaN having a carrier density of 5×10^19/cm^3 by Mg doping and has a thickness of about 120 nm is formed.例文帳に追加

ｐ型クラッド層６の上には、Ｍｇドープによるキャリア濃度５×１０^19／ｃｍ^3 のｐ型ＧａＮから成る膜厚約１２０ｎｍのｐ型コンタクト層７が形成されている。 - 特許庁

When the measured length of the recording sheet P is shorter than the set length of the recording sheet P as shown by the calculation result, the start position of printing is corrected so as to make the margin of the top end of the other surface of the recording sheet P smaller.例文帳に追加

この算出結果により、記録紙Ｐの測定長さの方が短ければ、記録紙Ｐの他側の面の先端の余白が小さくなるように印刷の開始位置を補正する。 - 特許庁

A printing paper P is taken from a top of laminated plural sheets of printing paper P, and a separating member 35 is provided below a pickup roller 37 to which this taken printing paper P is to be sent.例文帳に追加

複数枚重ねられた印刷用紙Ｐから上の印刷用紙Ｐを取り出し、この取り出した印刷用紙Ｐを送り出すべきピックアップローラ３７の下側に捌き部材３５を設ける。 - 特許庁

When every X pages are changed forward and pages 'P-X' and 'P' are displayed on the top and reverse side respectively, the display device A is rotated as shown by A and then the page 'P' on the reverse side becomes the top side, so that a user can read this page.例文帳に追加

Ｘページずつページ送りするとして、表側に「Ｐ−Ｘ」ページ、裏側に「Ｐ」ページが表示されている場合、表示装置をＡ方向に回転すると、裏側にあった「Ｐ」ページが表側になってユーザはこのページを読むことができる。 - 特許庁

A cyclic p^+ diffusion region 3 is formed on a top surface of a P-type substrate 1 in such a way as to surround an internal circuit 2b and a shunt circuit 4 is formed in an area including the region directly above the p^+ diffusion region 3 on the P-type substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型基板１の表面に、内部回路２ｂを囲むようにリング状のｐ^＋拡散領域３を形成し、Ｐ型基板１上のｐ^＋拡散領域３の直上域を含む領域にシャント配線４を形成する。 - 特許庁

Plural sheets of tap frames T loaded on the pallets P are carried in to a top frame feeding part 61.例文帳に追加

トップフレーム供給部61に、パレットＰ上に積載された複数枚のトップフレームＴを搬入する。 - 特許庁

A closed space P having a closed top portion is formed between a first net surface 10 and a second net surface 20.例文帳に追加

第１の網面１０と第２の網面２０との間に、上方を閉じた空間Ｐを形成する。 - 特許庁

Periodic marks 1 and 2 are provided on a top face P1 and a side wall P2 of a platform P.例文帳に追加

プラットホームＰの上面Ｐ１及び側壁Ｐ２には、周期的マーク１及び２が施されている。 - 特許庁

The N^+ top contact, the source of a PMOS and the source of an NMOS are connected with respective power supplies and the P^+ top contact is connected with a Vss power supply (GND).例文帳に追加

Ｎ^＋ トップコンタクト、ＰＭＯＳのソース、ＮＭＯＳのソースに各々電源が接続され、Ｐ^＋ トップコンタクトにＶｓｓ電源（ＧＮＤ）が接続されている。 - 特許庁

This diffusion allows the P concentration on top of the film 7 to be reduced, thereby suppressing the growth of an edge on top of a gate electrode during patterning.例文帳に追加

この拡散によって、ポリシリコン膜７上端部におけるリン濃度が低減され、パターニング時にゲート電極の上端部のエッジが大きくなるのを抑制できる。 - 特許庁

A p-type impurity introduced region 8p is formed by introducing a p-type impurity in a top surface of a semiconductor substrate 1 using the side wall 6a as a mask, and a groove 9 is formed on a top surface of the p-type impurity introduced region 8p using the side wall 6a as a mask.例文帳に追加

サイドウォール６ａをマスクとして半導体基板１の表面にｐ型不純物を導入してｐ型不純物導入領域８ｐを形成し、サイドウォール６ａをマスクとしてｐ型不純物導入領域８ｐの表面に溝９を形成する。 - 特許庁

Thus, even when the top face paper discharge tray 150 is opened, the top face paper discharge port 133 is not covered, and the printed paper sheets P can be discharged on a top face of the device body 101 without jamming the printed paper sheets P and without being affected by the opening/closing operation of the top face paper discharge tray 150.例文帳に追加

これにより、上面排紙トレイ１５０が開放された状態であっても上面排紙口１３３が塞がれることがないので、上面排紙トレイ１５０の開閉に影響されずに、印刷した用紙Ｐをジャムさせることなく装置本体１０１の上面に排紙することができるようになる。 - 特許庁

A P-type semiconductor region 110 for collecting holes is arranged on a top surface of a PD forming substrate 101.例文帳に追加

ＰＤ形成基板１０１の表面にホールが収集されるＰ型半導体領域１１０が配される。 - 特許庁

The semiconductor device 100 has a P^- body region 41 and an N^- drift region 12 in this order from the top face thereof.例文帳に追加

半導体装置１００は，上面側から順に，Ｐ^- ボディ領域４１，Ｎ^- ドリフト領域１２を有している。 - 特許庁

The p-type electrode 9 is formed so that the top and side faces of the electrode side reflection layer 8 are covered.例文帳に追加

ｐ側電極９は、電極側反射層８の上面及び側面を覆うように形成されている。 - 特許庁

The p-type clad layer 54 is arranged between the active layer 18 and the top surface 52t of the semiconductor mesa 52.例文帳に追加

ｐ型クラッド層５４は、活性層１８と半導体メサ５２の頂面５２ｔとの間に配置されている。 - 特許庁

On top of the p-type diffusion layer 15, a plate electrode 5b is formed via a capacity insulation film 4b.例文帳に追加

そして、Ｐ型拡散層１５上には、容量絶縁膜４ｂを介してプレート電極５ｂが形成されている。 - 特許庁

The n-type region, the p-type region, and the light emitting region form a cavity having top and bottom surfaces.例文帳に追加

ｎ型領域、ｐ型領域および発光領域は、頂面および底面を有するキャビティを形成する。 - 特許庁

A P^+ junction is formed into the top surface of each well to define a photovoltaic generator junction for its respective well.例文帳に追加

Ｐ^＋接合部が各ウェルの頂面に形成され、それぞれのウェルの光起電力接合部を規定する。 - 特許庁

On the surface of the key top 12 of the push key 11, a pen input switch 16 is provided which senses operation by a pen P.例文帳に追加

プッシュキー１１のキートップ１２の表面に、ペンＰの操作に感応するペン入力スイッチ１６を設ける。 - 特許庁

A p-side electrode is so formed to cover the top face and the side face of a ridge, and an etching stop layer by the side of the ridge.例文帳に追加

リッジ上面、リッジ側面、及びリッジ脇のエッチングストップ層上に、ｐ側電極を被覆、形成する。 - 特許庁

Degree of tilting of the paper delivery tray 10 provided in the bottom surface of the paper delivery space 17 changes large at the top 11, and when the paper sheet P reaches the top 11, the guide member 13 is accelerated to release engagement with the paper sheet P, and a tip of the paper sheet P falls onto a gradual inclined surface of the paper delivery tray 10.例文帳に追加

排紙空間１７底面の排紙トレイ１０は頂点１１においてその斜度が大きく変わり、用紙Ｐが頂点１１上に達すると、ガイド部材１３が加速されて用紙Ｐとの係合が解除され、用紙Ｐ先端は排紙トレイ１０の緩斜面部に落下する。 - 特許庁

On the p-type cladding layer, are formed a dielectric film 10 which covers the ridge portion and has an opening selectively exposing a top of the ridge portion, and a P electrode 9 in contact with a top surface and a side surface of the p-type contact layer exposed from the dielectric film.例文帳に追加

ｐ型クラッド層の上には、リッジ部を覆うように設けられ、リッジ部の上部を選択的に露出する開口部を有する誘電体膜１０と、該誘電体膜から露出したｐ型コンタクト層の上面及び側面と接触するＰ電極９とが形成されている。 - 特許庁