「upper-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

The bit line BL is arranged in the upper layer of the capacitor CAP.例文帳に追加

ビット線ＢＬが、キャパシタＣＡＰの上層に配置されている。 - 特許庁

The upper barrier layer is composed of a p-type boron phosphide (BP)-based semiconductor, especially an amorphous boron phosphide-based semiconductor.例文帳に追加

特に非晶質のリン化硼素系半導体とする。 - 特許庁

At least a part of the upper magnetic shield layer 31 side in the upper part lead layer 52 is constituted of a non-magnetic conductive material.例文帳に追加

上部リード層５２における少なくとも上部磁気シールド層３１側の部分が、非磁性導電材料で構成される。 - 特許庁

The upper surface 57a1 of the extension part 57a of a fixed magnetic layer 57 and the upper surface 61a of an added insulating layer 61 are continuously connected.例文帳に追加

固定磁性層５７の延出部５７ａの上面５７ａ１と付加絶縁層６１の上面６１ａを連続面にする。 - 特許庁

To provide a diaper which can stably float an upper layer absorber on the upper surface side of a lower layer absorber.例文帳に追加

下層吸収体の上面側において、上層吸収体を安定的に浮き上がらせることができるおむつを提供する。 - 特許庁

The upper layer can absorb abrasive slurry of at least 2 wt.% based on the total weight of the upper layer.例文帳に追加

この上層は、この上層の重量の合計を基準にして少なくとも２重量パーセントの研磨スラリーを吸収し得る。 - 特許庁

On an upper surface of a base metal layer 8 including an upper electrode layer 8, a coating film 25 is formed of a negative type liquid resist first.例文帳に追加

まず、上部金属層８を含む下地金属層８の上面にネガ型液状レジストからなる被覆膜２５を形成する。 - 特許庁

Then a re-wiring 31, an electrode post 32, an upper-layer resin sealed layer 33, and a solder ball 34 are provided on the upper surface thereof.例文帳に追加

その上面には再配線３１、電極ポスト３２、上層樹脂封止層３３および半田ボール３４が設けられている。 - 特許庁

An upper-layer protective film 13 made of a resin film is adhered onto the upper surface of a sealing film 10 via an adhesive layer 14.例文帳に追加

封止膜１０の上面には樹脂フィルムからなる上層保護膜１３が接着層１４を介して接着されている。 - 特許庁

Then, reaction of the salicide precursor and the upper side layer is performed and a salicide which is self-aligned to the upper side layer is formed.例文帳に追加

その後、サリサイド前駆体と上側層の反応が行われ、上側層に対して自己整合するサリサイドが形成される。 - 特許庁

An interconnect 162 is embedded in a first insulating layer 120 and the upper surface of the interconnect is higher than the upper surface of the first insulating layer 120.例文帳に追加

配線１６２は第１絶縁層１２０に埋め込まれており、上面が第１絶縁層１２０の上面より高い。 - 特許庁

To avoid redundant data in an upper layer from being processed, without increasing the processing load on the upper layer.例文帳に追加

上位層において冗長したデータに対して処理が行われることを、上位層の処理負荷を増加させることなく回避する。 - 特許庁

The EL device 1 is laminated on a substrate 2 with a lower electrode 3A, a lower insulation layer 4A, a lower buffer layer 6A, a phosphor layer 5 (a phosphor thin film), an upper buffer layer 6B, an upper insulation layer 4B, and an upper electrode 3B, in this order.例文帳に追加

ＥＬ素子１は、基板２上に、下部電極３Ａ、下部絶縁層４Ａ、下部バッファ層６Ａ、蛍光体層５（蛍光体薄膜）、上部バッファ層６Ｂ、上部絶縁層４Ｂ、及び上部電極３Ｂがこの順に積層されたものである。 - 特許庁

In a semiconductor device, upper-layer wiring, lower-layer wiring 2, and a via contact for connecting the upper-layer wiring to the lower-layer wiring 2 are provided, and the upper-layer wiring and via contact are formed, in such a way that the wiring and contact are connected to each other in a self-aligning way.例文帳に追加

半導体装置においては、上層配線と、下層配線２と、前記上層配線と下層配線２とを接続するビアコンタクトとが設けられ、前記上層配線と前記ビアコンタクトとがセルフアラインにより接続されて形成されている。 - 特許庁

An epitaxy structure (200) established on the surface of a substrate (100) includes, from bottom to top, a bottom cladding layer (210), a bottom waveguide layer (220), a light-emitting layer (230), an upper waveguide layer (240), an upper cladding layer (250), and an electrode contact layer (260).例文帳に追加

基板(100)表面に構築されたエピタキシー構造体(200)は、下部クラッド層(210)、下部導光層(220)、発光層(230)、上部導光層(240)、上部クラッド層(250)および電極接触層(260)を含み、これらの層は下から上に積み上げられる。 - 特許庁

Then, an upper part gap layer and an upper part shield layer are formed on the surface of the lower part insulation layer on which the spin valve layer and the electrode layer are formed, further, the prescribed layer is formed and a magnetoresistive head is manufactured by cutting it at a prescribed position.例文帳に追加

そして、スピンバルブ膜，電極層が形成された下部絶縁層の上面に上部ギャップ層，上部シールド層を形成し、更に所定層を形成して、所定位置で切断することにより、磁気抵抗型ヘッドを製造する。 - 特許庁

In the optical module, containing a film-like high-polymer optical waveguide provided with a core layer (2), a lower clad layer (1), and an upper clad layer (4), a circuit pattern of a metal layer (3) is formed in the lower clad layer (1) or the upper clad layer (4).例文帳に追加

コア層（２）、下部クラッド層（１）、及び上部クラッド層（４）を有するフィルム状の高分子光導波路を含む光モジュールにおいて、下部クラッド層（１）あるいは上部クラッド層（４）に金属層（３）の回路パターンを形成する。 - 特許庁

The upper sacrifice layer 34 is removed by dry-etching via the upper through hole 18.例文帳に追加

そして、上部犠牲層３４は、上貫通孔１８を介するドライエッチングにより除去される。 - 特許庁

The upper surface is not electrically plated because the seed layer is removed from the upper surface of the substrate.例文帳に追加

基板の上面からシード層を除去したことによって、この上面が電気めっきされない。 - 特許庁

A transparent or translucent upper face damp proofing layer 3 is sticked on the upper face of the floor plate part 1.例文帳に追加

床板部１の上面に透明又は半透明な上面防湿層３を貼着した。 - 特許庁

The capacitor includes an upper electrode, a lower electrode and a dielectric layer that is intermediate between the upper and the lower electrodes.例文帳に追加

下部電極及び上、下部電極間に介在された誘電体膜を含むキャパシタ。 - 特許庁

A Pt layer 12 as an upper electrode is formed on the upper surface of the PZT thin film 10.例文帳に追加

ＰＺＴ薄膜１０の上面には、上部電極であるＰｔ層１２が形成されている。 - 特許庁

A lower electrode 122 of the upper MIM capacitor is situated in the upper interconnect metal layer.例文帳に追加

上部ＭＩＭキャパシタの下部電極１２２は、上部相互接続金属層に位置している。 - 特許庁

It is made difficult to adhere the partition wall material to the surface of an upper resist layer by forming the photosensitive coating layer 104 into a two- layer resist structure, and using a soft material for the upper resist layer.例文帳に追加

また、感光性被覆層１０４を２層レジスト構造とし、かつ上層レジスト層を柔軟な材料を使用して、上層レジスト層表面に隔壁材料を付着しにくくする。 - 特許庁

This amour case 7 is formed integrally with a transparent resin layer 9 in an upper side of an opaque resin layer 8, and a vapor-deposited thin film layer 11 is formed on an upper side of the transparent resin layer 9.例文帳に追加

不透明樹脂層８の上方に透明樹脂層９を一体成形した外装ケース７であって、その透明樹脂層９の上方に蒸着薄膜層１１を形成する。 - 特許庁

The optical waveguide 120 has a structure, wherein a lower clad layer 130, a core layer 140, a first upper clad layer 150 and a second upper clad layer 160 are laminated in this order.例文帳に追加

光導波路１２０は，下部クラッド層１３０とコア層１４０と第１上部クラッド層１５０と第２上部クラッド層１６０とが順次積層された構成となっている。 - 特許庁

This bump 19 is composed of an upper layer 18 and a lower layer 17, and the upper layer 18 is formed from the materials of smaller hardness in comparison with the materials of the lower layer 17.例文帳に追加

このバンプ１９は上部層１８と下部層１７により構成されており、上部層１８は下部層１７の材料に比べて硬度の小さい材料により形成されている。 - 特許庁

After the upper layer resist is subjected to the treatment to improve the heat resistance, a two-layer resist having an organic resin 19 as the lower layer resist and a silylation resist 20 as the upper layer resist is further formed thereon by coating.例文帳に追加

その上層レジストに耐熱性向上処理を施した後、有機樹脂１９を下層レジスト、シリル化レジスト２０を上層レジストとした２層レジストを、さらに塗布形成する。 - 特許庁

The permissible delay time of the upper layer packets can be ensured by transmitting succeeding upper layer packets without wasteful transmission of the link layer frames in excess of the permissible delay time through the link layer.例文帳に追加

リンクレイヤは、許容遅延時間を越えたリンク層フレームを無駄に送信することなく、次の上位レイヤパケットを送信することにより、上位レイヤパケットの許容遅延時間を確保する。 - 特許庁

Then, in such a manner that the Young's modulus of the upper layer film 13 is made lower than that of the lower layer film 12, the porous structure of upper layer film 13 is formed, and the denseness of the lower layer film 12 is improved.例文帳に追加

そして、上層被膜１３のヤング率が、下層被膜１２のヤング率よりも低くなるように、上層被膜１３をポーラス構造とし、下層被膜１２を緻密向上にする。 - 特許庁

A semiconductor device includes an electrical fuse and other element, wherein the electrical fuse and the other element each have an upper layer interconnection, a lower layer interconnection, and an interconnection via for connecting the upper layer interconnection and the lower layer interconnection.例文帳に追加

電気ヒューズと他の素子を持つ半導体装置において、電気ヒューズと他の素子は、それぞれ、上層配線と下層配線と、それらを層間配線で接続するビアを有する。 - 特許庁

The upper clad layer 20 and the flattening layer 24 consist of a resin, and the resin constituting the flattening layer 24 has a lower glass transition temperature than that of the resin constituting the upper clad layer 20.例文帳に追加

上部クラッド層２０および平坦化層２４は、樹脂からなり、平坦化層２４を構成する樹胎は、上部クラッド層２０を構成する樹脂よりもガラス転移温度が低い樹脂である。 - 特許庁

A lower clad layer 18, a polishing stopping layer 19 and an upper clad layer 17 are provided on a substrate 14 and a signal electrode 12 and ground electrodes 13 are provided on the upper clad layer 17.例文帳に追加

基板１４の上に下部クラッド層１８、研磨停止層１９、上部クラッド層１７が設けられ、上部クラッド層１７の上に信号電極１２、接地電極１３が設けられている。 - 特許庁

A high-dielectric layer 68, made of polyamide exists at the upper surface side of the power supply layer 67, and a conductive layer 69, exists on the upper surface of the high-dielectric layer 68.例文帳に追加

電源層６７の上面側には、ポリアミド系樹脂製の高誘電体層６８が存在し、この高誘電体層６８の上面に導電体層６９が存在している。 - 特許庁

After a first electrode consisting of a first metal which is in Schottky contact with the upper layer semiconductor layer is formed, a second electrode consisting of a second metal is formed in the upper layer semiconductor layer.例文帳に追加

上層半導体層にショットキー接触する第１の金属からなる第１の電極を形成した後、上層半導体層に第２の金属からなる第２の電極を形成する。 - 特許庁

The lower layer microlens is formed on the lower layer of the upper layer microlens, and forms a real image of an exit pupil of an imaging lens compensating for the light collecting power of the upper layer microlens.例文帳に追加

下層マイクロレンズは、この上層マイクロレンズの下層に形成され、上層マイクロレンズの集光パワーを補って撮影レンズの射出瞳の実像を画素単位に形成する。 - 特許庁

When a plurality of semiconductor layers are formed on a semiconductor substrate and a Schottky electrode is formed in a semiconductor layer surface, an upper layer semiconductor layer consisting of at least an InGaP layer or an InAlGaP layer, and a semiconductor substrate wherein a lower layer semiconductor layer consisting of a GaAs layer or an AlGaAs layer is formed immediately below the upper layer semiconductor layer, are prepared.例文帳に追加

半導体基板上に複数の半導体層が形成され、半導体層表面にショットキー電極を形成する際、少なくともＩｎＧａＰ層 又はＩｎＡｌＧａＰ層からなる上層半導体層と、上層半導体層直下にＧａＡｓ層又はＡｌＧａＡｓ層からなる下層半導体層が形成された半導体基板を用意する。 - 特許庁

A lower dielectric layer 12, a crystallization promoting layer 13, a recording layer 14, an upper dielectric layer 15, a reflective radiation layer 16 and a protective layer 17 are successively laminated on a substrate 11.例文帳に追加

基板１１上に、下部誘電体層１２、結晶化促進層１３、記録層１４、上部誘電体層１５、反射放熱層１６、及び、保護層１７順に積層する。 - 特許庁

The gate insulating layer 11 is provided with at least a first insulating layer 7 in contact with the upper surface of the semiconductor layer 6, and a second insulating layer 8 formed on the first insulating layer 7 which has an almost identical form to the semiconductor layer 6.例文帳に追加

ゲート絶縁層１１は少なくとも、半導体層６の上面と接する第１絶縁層７と、第１絶縁層７の上に形成された第２絶縁層８とを有する。 - 特許庁

The coil layer 14 and a coil insulating layer 15 are formed on the lower core layer 10, and the upper core layer 16 is formed from above the lower magnetic pole layer 11 onto the coil insulating layer 15.例文帳に追加

前記下部コア層１０上にコイル層１４及びコイル絶縁層１５を形成し、上部コア層１６を下部磁極層１１上からコイル絶縁層１５上にかけて形成する。 - 特許庁

In the stamper, the sensitivity of a resist layer 2 to be formed in an under layer is made smaller than that of a resist layer 3 to be formed in an upper layer and the thickness of the resist layer 3 is made thicker than that of the resist layer 2.例文帳に追加

上層に形成されるレジスト層３の感度より、下層に形成されるレジスト層２の感度を小さくし、レジスト層３の厚さを、レジスト層２の厚さより厚くしている。 - 特許庁

In the step of inspecting the lower wiring layer and the upper wiring layer, light is emitted diagonally onto the lower wiring layer and the upper wiring layer (step S60), and the semiconductor device is optically observed from above the upper wiring layer to inspect the lower wiring layer (step S80).例文帳に追加

下層配線層及び上層配線層を検査する工程において、下層配線層及び上層配線層に対して斜め方向から光を照射し（ステップＳ６０）、上層配線層の上方から半導体装置を光学的に観察することにより、下層配線層を検査する（ステップＳ８０）。 - 特許庁

Even though the lower layer fabric 2 and the upper layer fabric 4 have different properties from each other, adhesion between the upper layer fabric 4 and the lower layer fabric 2 is enhanced in the case that the upper layer resin 5 and the lower layer resin 3 are similar or the same, resulting in enhanced strength and sealing capability of the repaired rain gutter R.例文帳に追加

下層布２と上層布４とでは、互いに性質が異なるにもかかわらず、上層樹脂５と下層樹脂３とが近似または同じであれば、上層布４と下層布２との密着性が向上し、改修された雨どいＲの強度及び封じ込め性が向上する。 - 特許庁

Then, an intermediate layer 4 is isotropically etched through a group of trenches 15a dispersedly formed in a separated upper layer zone 6a, and the separated upper layer zone 6a is separated from a base layer 2 by removing the intermediate layer 4 just under the separated upper layer zone 6a.例文帳に追加

次に、遊離上層領域６ａ内に分散形成されているトレンチ群１５ａから中間層４を等方性エッチングし、遊離上層領域６ａ直下の中間層４を除去することによってベース層２から遊離上層領域６ａを遊離させる。 - 特許庁

A stress relaxation layer 5 comprising a material of which the storage modulus is smaller than that of the upper cladding layer 4 is formed between the upper cladding layer 4 and the lower cladding layer 2 on at least one part of the region with which the upper part cladding layer 4 and lower part cladding layer 2 are brought into contact with each other.例文帳に追加

上部クラッド層４と下部クラッド層２が接する領域の少なくとも一部において、上部クラッド層４と下部クラッド層２の間に、上部クラッド層４より貯蔵弾性率が小さい材料からなる応力緩和層５が設けられていることを特徴としている。 - 特許庁