POSITIONING STRUCTURE FOR WAVEGUIDE CHIP AND V-GROOVE CHIP例文帳に追加

導波路チップとＶ溝チップの位置決め構造 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE WITH V-GROOVE例文帳に追加

Ｖ溝付き光導波路の製造方法 - 特許庁

V-GROOVED BASE PLATE FOR OPTICAL WAVEGUIDE AND MANUFACTURE OF IT例文帳に追加

光導波路用Ｖ溝付基板及びその製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF V-SHAPED GROOVE INTEGRATED TYPE OPTICAL WAVEGUIDE例文帳に追加

Ｖ溝集積型光導波路の製造方法 - 特許庁

V-BRANCH OPTICAL WAVEGUIDE AND OPTICAL INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加

Ｙ分岐光導波路及び光集積回路 - 特許庁

An active region 17 is formed between a group III-V compound semiconductor region 13 of a first conductivity type and a group III-V compound semiconductor region 15 of a second conductivity type.例文帳に追加

活性領域１７は、第１導電型III−V化合物半導体領域１３と第２導電型III−V化合物半導体領域１５との間に設けられている。 - 特許庁

Evey finds out the truth about V's mysterious background and also finds out the truth about herself.発音を聞く 例文帳に追加

イヴィーはVの謎につつまれた素(す)性(じょう)についての真実を知ると同時に，自分自身についての真実も知る。 - 浜島書店 Catch a Wave

The group III-V compound semiconductor region 13 of the first conductivity type contains an InP substrate 21 of the first conductivity type.例文帳に追加

第１導電型III−V化合物半導体領域１３は第１導電型のＩｎＰ基板２１を含む。 - 特許庁

The crystalline compound consisting of V and O imparts conductivity.例文帳に追加

ＶとＯよりなる結晶状の化合物によって導電性が付与される。 - 特許庁

A second conductivity-type III-V compound semiconductor layer 20 is provided on the part 12 and a multilayer semiconductor part 24.例文帳に追加

第２導電型III−V族化合物半導体層２０は、半導体部１２上および多層半導体部２４上に設けられている。 - 特許庁

A memory M1 includes a measurement execution condition table TB1 describing a correspondence between a battery voltage V and a measuring term T1 (low V to long T1).例文帳に追加

メモリＭ１に電池電圧Ｖと計測周期Ｔ１との対応（Ｖ低→Ｔ１長）を記した計測実行条件テーブルＴＢ１を設ける。 - 特許庁

The layer 40 is a first conductivity-type III-V compound semiconductor layer, extended along the layer 38.例文帳に追加

第３の半導体層４０は、第２の半導体層３８に沿って伸びる第１導電型III−V族化合物半導体層である。 - 特許庁

The layer 38 is a second conductivity-type III-V compound semiconductor layer, extended along the layer 36.例文帳に追加

第２の半導体層３８は、第１の半導体層３６に沿って伸びる第２導電型III−V族化合物半導体層である。 - 特許庁

The layer 42 is a second conductivity-type III-V compound semiconductor layer provided on the layer 40.例文帳に追加

第４の半導体層４２は、第３の半導体層４０上に設けられた第２導電型III−V族化合物半導体層である。 - 特許庁

Multiple cross-sectionally nearly-V-shaped V-grooves 45 are formed on a reflecting surface 42 of the light guide plate 4 of this plane light-emitting device 1.例文帳に追加

平面発光装置１の導光板４の反射面４２には、多数の断面略Ｖ字型のＶ溝４５が形成されている。 - 特許庁

On the upper layer part and its neighboring layer part, a V_DD layer and a V_SS layer are arranged, and a parasitic capacitance is produced by capacitive coupling between the conductive layers CL1, CL2 and the V_DD layer, between the conductive layers CL1, CL2 and the V_SS layer, and between the conductive layers CL1, CL2.例文帳に追加

当該上層部分やその隣接層部分にはＶ_DD層及びＶ_SS層が配置されており、導電層ＣＬ１，ＣＬ２とＶ_DD層及びＶ_SS層との間、及び導電層ＣＬ１，ＣＬ２同士で容量結合して寄生容量が生じる。 - 特許庁

To provide a V-belt type drive unit capable of anticipating the breakage of a V-belt by detecting the foretoken of the breakage of the V-belt without removing a cover and a manned four wheel rough terrain running while provided with the V-belt type drive unit.例文帳に追加

カバーを取り外すことなく、Ｖベルトの破断前兆を検出して、該Ｖベルトの破断を前もって知ることができるＶベルト式駆動装置及び該Ｖベルト式駆動装置を備えた騎乗型四輪不整地走行車を提供することを目的とする。 - 特許庁

The optical waveguides of both the mesa parts 12, 52 are provided with active layers 6, 46 containing III-V group compound semiconductor.例文帳に追加

半導体メサ部12,52の光導波路は、III−Ｖ系化合物半導体を含む活性層6,46を備える。 - 特許庁

The first conductive semiconductor region 13 consists of a group III-V compound semiconductor.例文帳に追加

第１導電型半導体領域１３はIII−Ｖ化合物半導体からなる。 - 特許庁

A first conductivity type semiconductor substrate 10 is connected to an approximately 5 V substrate voltage Vs.例文帳に追加

第１導電型半導体基板１０は、５Ｖ程度の基板電圧Ｖｓに接続される。 - 特許庁

An aspect ratio (H:V) of a liquid crystal display panel the light guide plate 1 illuminates is 8:3.例文帳に追加

導光板１が照明する液晶表示パネルのアスペクト比（Ｈ：Ｖ）は８：３である。 - 特許庁

A groove 9a is formed like V shape in cross section at the nearly center of a second conductive layer 9.例文帳に追加

第２の導電層９の略中央に断面Ｖ字形状に溝部９ａが形成されている。 - 特許庁

The portions between the respective V-grooves 7 function as the longitudinally and transversely extending optical waveguides 9, 10.例文帳に追加

各Ｖ溝枠７の間が、縦横に延びる光導波路９、１０として機能する。 - 特許庁

Plural ditches 1321 of a virtually V-shaped cross-section are formed at the back of a light guide plate 13.例文帳に追加

導光板１３の裏面に断面が略Ｖ字状の複数の溝１３２１を形成する。 - 特許庁

The groove may be v-shaped or other shape, and is then plated with a conductive material.例文帳に追加

溝は、Ｖ字形状またはその他の形状を持ち、導電性材料でメッキされる。 - 特許庁

The conductive grain 28 is discharged to the outside from a pipeline k by opening a recovery valve V.例文帳に追加

そして導電性粒子２８は回収弁Ｖを開けて配管ｋより外部に排出して回収する。 - 特許庁

Thus, ash electrical signal (voltage) Vs (=V) indicating the detection of the conductors M_1, M_2 and M_3 is outputted.例文帳に追加

これにより導電体Ｍ1、Ｍ2、Ｍ3を検出したことを示す電気信号（電圧）Ｖs（＝Ｖ）が出力される。 - 特許庁

This semiconductor device includes a first group III-V nitride semiconductor layer 12 and a second group III-V nitride semiconductor layer 13 having a large bandgap relative to that of the first group III-V nitride semiconductor layer 12, a third group III-V nitride semiconductor layer 21 having a p-type conductivity, and first ohmic electrodes 14, all of which are sequentially formed on a substrate 11.例文帳に追加

半導体装置は、基板１１の上に順次形成された、第１のIII−Ｖ族窒化物半導体層１２及び第１のIII−Ｖ族窒化物半導体１２と比べてバンドギャップが大きい第２のIII−Ｖ族窒化物半導体層１３と、ｐ型の導電型を有する第３のIII−Ｖ族窒化物半導体層２１と、第１のオーミック電極１４とを備えている。 - 特許庁

In the intermediate transfer belt 2 having multilayer structure containing conductive substances 101 and 102, the maximum surface potential (V_max) is ≥100 V when the intermediate transfer belt is electrified, and a ratio (V_max)/(V_2.0) of the maximum surface potential (V_max) to surface potential (V_2.0)例文帳に追加

導電性物質１０１，１０２を含有する多層構造の中間転写ベルト２において、該中間転写ベルトを帯電した時、最高表面電位（Ｖ_max）が１００Ｖ以上で、最高表面電位（Ｖ_max）と最高表面電位から２秒後の表面電位（Ｖ_2.0）との比（Ｖ_max）／（Ｖ_2.0）が下記式（１）を満足することを特徴とする中間転写ベルト。 - 特許庁

The optical component comprises: the substrate 46 on which V-shaped grooves 49 are formed and to which semiconductor lasers 48 are provided; and the waveguide circuit element 41 on which notch structures 44 fitted to the V-shaped grooves 49 and which includes waveguide cores 43.例文帳に追加

Ｖ溝４９が形成され、半導体レーザ４８が設けられた基板４６と、Ｖ溝４９と嵌合するノッチ構造４４が形成された、導波路コア４３を含む導波路回路素子４１とを備える。 - 特許庁

The semiconductor optical element 11 is provided with a first conductive III-V compound semiconductor layer 13, a second conductive III-V compound semiconductor layer 15 and an active region 17.例文帳に追加

半導体光素子１１は、第１導電型III−Ｖ化合物半導体層１３と、第２導電型III−Ｖ化合物半導体層１５と、活性領域１７とを備える。 - 特許庁

Respective active layers 6, 46 are arranged between respective semiconductor parts 8, 48 each containing a 1st conductive type III-V group compound semiconductor and semiconductor parts 10, 50 each containing a 2nd conductive type III-V group compound semiconductor.例文帳に追加

活性層6,46は、第１導電型III−Ｖ系化合物半導体を含む半導体部8,48と第２導電型III−Ｖ系化合物半導体を含む半導体部10,50との間に配置されている。 - 特許庁

Since V-grooves and optical waveguides are formed on separate substrates according to a conventional technique, a process for fixedly sticking an optical waveguide substrate to a V-groove substrate using an alignment mark has been required.例文帳に追加

従来技術では、Ｖ溝と光導波路とを別々の基板に形成していたことにより、位置置合わせマークを使ってＶ溝基板に光導波路基板を接着固定する工程が必要であった。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element comprises: a light emitting layer composed of a III-V compound semiconductor; a first electrode having a reflection metal layer; an insulation layer having an opening; a first conductivity type layer; a second conductivity type layer; and a second electrode.例文帳に追加

半導体発光素子は、III-V族化合物半導体からなる発光層と、反射金属層を有する第１電極と、開口部を有する絶縁層と、第１導電形層と、第２導電形層と、第２電極と、を有する。 - 特許庁

The base plate S1 for mounting optical parts is characterized by the formation of a V-groove 2 for loading the optical waveguide body F on the plate 1 and the formation of a through-hole 3 for determining the end position of the optical waveguide body F at one end of the V-groove 2.例文帳に追加

基板１に、光導波体Ｆを搭載するＶ溝２と、該Ｖ溝２の一端部に光導波体Fの端部位置を定めるための貫通孔３が形成されていることを特徴とする光部品実装用基板S1とする。 - 特許庁

To be sure which version you are using, type which pear in your console to find out where PEAR is located, and pear -V to find out some info about the pear version, and also pear config-show to see the configuration details.発音を聞く 例文帳に追加

このような場合に自分がどのバージョンを使用しているのかを知るには、まずコンソールでwhich pear と入力して PEAR の場所を確かめます。 そしてpear -V で PEAR のバージョンに関する情報を取得し、pear config-show で設定の詳細を調べます。 - PEAR

The second conductive contact layer 23 consists of a group III-V compound semiconductor which contains aluminum and indium as group III elements and arsenic as a group V element.例文帳に追加

第２導電型コンタクト層２３は、III族元素としてアルミニウムおよびインジウムを含むと共にＶ族元素としてヒ素を含むIII−Ｖ化合物半導体から成る。 - 特許庁

In this semiconductor light emitting element having an active layer comprising a III-V group mixed crystal semiconductor containing nitrogen (N) and other V group elements concurrently, the active layer is a quantum well layer of the n-type conductivity.例文帳に追加

窒素（Ｎ）と他のＶ族元素を同時に含んだＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体からなる活性層を有する半導体発光素子において、前記活性層は量子井戸活性層であり、導電型がｎ型であることを特徴としている。 - 特許庁

By dividing, by the projections 2p, the V-grooves 2g formed on the reflector bottom face of the light guide plate 2 for forming the slopes 2s, the depth of the V-groove 2g can be increased.例文帳に追加

反射斜面２ｓを形成するために導光板２のリフレクター底面に形成されるＶ溝２ｇを、突起２ｐによって分断することによって、Ｖ溝２ｇの深さを深くすることができる。 - 特許庁

The first conductivity type layer is provided above the first electrode and below the light-emitting layer and composed of a III-V compound semiconductor having band-gap energy larger than band-gap energy of the light-emitting layer.例文帳に追加

前記第１導電形層は、前記第１電極の上であり前記発光層の下に設けられ、前記発光層のバンドギャップエネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有するIII-V族化合物半導体からなる。 - 特許庁

To provide a method of easily manufacturing a device, provided with an optical waveguide and a V groove on the same substrate, in high manufacturing yield without leaving polymer refuse in a V-groove region.例文帳に追加

光導波路、Ｖ溝を同一基板上に備えたデバイスの製造において、Ｖ溝領域にポリマー屑が残存せず、製造歩留まりを向上できる安易な製造方法が求められている。 - 特許庁

A V_pp measuring circuit 112 measures a crest value (peak-to-peak value) V_pp of a high-frequency voltage on a waveguide on the output side of the upper matching box 44.例文帳に追加

Ｖ_pp測定回路１１２は、上部整合器４４の出力側で導波路上の高周波電圧の波高値（ピーク対ピーク値）Ｖ_ppを測定する。 - 特許庁

This method for producing an alcoholic drink containing the jelly comprises the following production process of storing (A) the small piece parts of the jelly, containing a gelling agent containing a deacylated type gellan gum in (B) an alcoholic liquid part having 1 to 25 v/v% alcohol concentration.例文帳に追加

以下の製造工程：（Ａ）脱アシル型ジェランガムを含むゲル化剤を含有するゼリー細片部を、（Ｂ）アルコール濃度が１〜２５ｖ／ｖ％のアルコール液部中で貯蔵する、ゼリー入りアルコール飲料の製造方法。 - 特許庁

V-grooves 22 for alignment are respectively formed by anisotropic etching on both flanks of a silicon substrate 21 (23) having optical function elements, such as V-grooves 11 for mounting optical fibers and optical waveguides 13 on its plat surface.例文帳に追加

板面に光ファイバ搭載用Ｖ溝１１や光導波路１３等の光機能要素を有するシリコン基板２１（２３）の両側面に異方性エッチングによりアライメント用のＶ溝２２をそれぞれ形成する。 - 特許庁