METHOD FOR DOPING OXYGEN TO GALLIUM NITRIDE CRYSTAL AND OXYGEN-DOPED n-TYPE GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

窒化ガリウム結晶への酸素ドーピング方法と酸素ドープされたｎ型窒化ガリウム単結晶基板 - 特許庁

Then, it is exposed to oxygen plasma with N-H bond on the surface of the oxide nitride film being terminated by oxygen.例文帳に追加

その後、酸素プラズマにさらし、上記酸化窒化膜の表面のＮ−Ｈ結合を酸素で終端する。 - 特許庁

The Q_n structure refers to a chemical structure determined depending on the number of crosslinking oxygen atoms (oxygen atom combined with two Si) among the oxygen atoms of a SiO_4 tetrahedron unit to be a structural unit of silica, and n of Q_n is the degree of combination of SiO_4 units and the number of crosslinking oxygen atoms.例文帳に追加

ここでQ_ｎ構造とは、シリカの構成単位であるSiO_4四面体単位の酸素原子のうちの架橋酸素原子（2つのSiと結合している酸素原子）の数に応じて決まる化学的構造をいい、QnのnはSiO_４単位の結合度であり、架橋酸素原子の数である。 - 特許庁

Further, oxygen atom and elements lighter than oxygen are contained at least a location where the impurity concentration of the N^- drift layer 1 is maximum.例文帳に追加

さらに、少なくともＮ^-ドリフト層１の不純物濃度が極大となる箇所には、酸素原子と酸素よりも軽い元素が含まれている。 - 特許庁

Y expresses an oxygen atom, a sulfur atom and N-R^Y1, and R^Y1 expresses a hydrogen atom or its substituent.例文帳に追加

Ｙは酸素原子、硫黄原子、Ｎ−Ｒ^Ｙ１を表し、Ｒ^Ｙ１は水素原子又は置換基を表す。 - 特許庁

The deoxidant contains heterocyclic compound having N-substituted amino group and hydroxyl-amine compound.例文帳に追加

Ｎ−置換アミノ基を有する複素環式化合物と、ヒドロキシルアミン化合物とを含有する脱酸素剤。 - 特許庁

There is provided the p-type semiconductor material containing tantalum (Ta) to which nitrogen (N) is added, and oxygen (O).例文帳に追加

窒素（Ｎ）が添加されたタンタル（Ｔａ）及び酸素（Ｏ）を含むｐ型の半導体材料とする。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING PYRIDINE COMPOUND BY DEOXYGENATING PYRIDINE N-OXIDE COMPOUND例文帳に追加

ピリジンＮ−オキシド化合物の脱酸素によるピリジン化合物の製造方法 - 特許庁

The impurity layer 120 contains n-type impurities, p-type impurities, and oxygen.例文帳に追加

不純物層１２０は、ｎ型不純物とｐ型不純物と酸素とを含んでいる。 - 特許庁

During a period N which is a normal operation period, the residual oxygen can be monitored.例文帳に追加

正常な動作期間である期間Ｎ中、上記残留酸素を監視することができる。 - 特許庁

This catalyst is prepared by using a microemulsion comprising a hexanol/polyoxyethylene [average addition mol number (n)=23] dodecyl ether/PdCl2 hydrochloric aq. soln. free from an external aq. phase.例文帳に追加

一酸化炭素を水素化して含酸素化合物を合成する際に用いられる触媒において、エタノール等のＣ_2以上の含酸素化合物を選択的に生成させる触媒及びそれを用いる含酸素化合物の合成方法を提供すること。 - 特許庁

In this preparation method, N,N,N',N'-tetramethylazodicarboxamide is formed by adding N,N,N',N'-tetramethylhydrazinodicarboxamide in water in which Pd(OH)_2-C activated by hydrogen gas is dispersed, and stirring at a room temperature while blowing a gas containing oxygen.例文帳に追加

水素ガスにより活性化したＰｄ（ＯＨ）_2−Ｃが分散された水中に、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルヒドラジノジカルボキサミドを加え、酸素を含有するガスを吹き込みながら室温にて撹拌することにより、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルヒドラジノジカルボキサミドを生成する。 - 特許庁

The dicyclohexylamines are stabilized against oxygen, heat, etc., by adding N,N'-dialkylhydroxylamines such as N,N'-diethylhydroxylamine, etc., to the dicyclohexylamines.例文帳に追加

ジシクロヘキシルアミン類にＮ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンなどのＮ，Ｎ−ジアルキルヒドロキシルアミン類を添加することによって、酸素、熱などに対してジシクロヘキシルアミン類を安定化する。 - 特許庁

The composition of oxygen that is introduced into the gate insulating film is controlled to satisfy (X)m(Y)1-m(N)n(O)q(m, n) as a function of the composition n of nitrogen and the composition m of the transition metal, and the gate insulating film comprising a metal oxide including nitrogen is formed on the semiconductor substrate.例文帳に追加

ゲート絶縁膜中に導入する酸素の組成を、窒素の組成ｎおよび遷移金属の組成ｍの関数として、 （Ｘ）m（Ｙ）1-m（Ｎ）n（Ｏ）q(m,n)を満たすように制御し、半導体基板上に、窒素を含む金属酸化物から成るゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

When reacting the hydrocarbons by bringing the hydrocarbons into contact with the oxygen in the presence of an N-hydroxy cyclic imide and a transition metal compound, the reaction is carried out while continuously feeding an oxygen-containing gas to the reaction system, and discharging a gas having 1-10 vol.% oxygen concentration from the reaction system.例文帳に追加

炭化水素類を、Ｎ−ヒドロキシ環状イミドおよび遷移金属化合物の存在下、酸素と接触させて反応させる際、反応系内に酸素含有ガスを継続して供給し、反応系内から酸素濃度１〜１０容量％のガスを排出しながら反応を行う。 - 特許庁

A part of oxygen ions, of which the average distance from metal ions (M^n+) in a structure (MOx) existing on the surface is 2.2 angstroms or smaller, are removed.例文帳に追加

金属酸化物触媒の、表面にある構造（ＭＯｘ）における金属イオン（Ｍ^ｎ＋）と酸素イオンの平均距離が２．２オームストロング以下である酸素イオンの一部を除去する。 - 特許庁

FUEL-ENCLOSED REGENERATING HYDROGEN/OXYGEN FUEL CELL APPLYING RECTIFYING ACTION OF P-N JUNCTION DIODE, BASED ON PRINCIPLE OF ELECTRIC DOUBLE-LAYER FORMATION BY CHEMICAL REACTION OF ACTIVE MATERIALS OF HYDROGEN ELECTRODE AND OXYGEN ELECTRODE WITH ELECTROLYTIC SOLUTION例文帳に追加

水素極、酸素極の活物質と電解液の化学反応による電気二重層形成の原理に基づき、ＰＮ接合ダイオードの整流作用を応用した燃料密閉再生型水素・酸素燃料電池 - 特許庁

In a heat treatment process after the storage node 151 is formed, diffusion of N-type impurities in the storage node 151 is restrained by oxygen in the layer 151a containing oxygen, and junction leakage is prevented.例文帳に追加

ストレージノード１５１の形成後の熱処理工程で、ストレージノード１５１中のＮ型不純物の拡散が酸素含有層１５１ａ中の酸素により抑制され、ジャンクションリークが防止される。 - 特許庁

In one version, the protected anti-neoplastic agent has the chemical formula Hyp-L-N or Hyp-N, where Hyp is a hypoxic activator, L is a linking group, and N is an anti-neoplastic agent.例文帳に追加

一例において、保護抗新生物剤は、化学式Ｈｙｐ−Ｌ−Ｎ又はＨｙｐ−Ｎを有し、式中、Ｈｙｐは低酸素活性剤であり；Ｌは連結基であり；並びにＮは抗新生物剤である。 - 特許庁

To provide a method of recovering butadiene from a gas comprising butadiene produced by a catalytic oxidative dehydrogenation reaction of n-butene and oxygen.例文帳に追加

ｎ−ブテンと酸素の接触酸化脱水素反応により生成したブタジエン含むガスからブタジエン回収する方法を提供すること。 - 特許庁

An impurity does not include a p-type dopant or an n-type dopant, but includes one or two or all of carbon, nitrogen and oxygen.例文帳に追加

不純物は、ｐ型ドーパントまたはｎ型ドーパントを含まず、炭素、窒素および酸素のうちいずれか１つ、２つまたはすべてである。 - 特許庁

To provide a method for growing a gallium nitride single crystal into which oxygen can be incorporated as an n-type dopant.例文帳に追加

酸素をｎ型ドーパントとして取り込むことができる窒化ガリウム単結晶の成長方法を提供すること。 - 特許庁

The piezoelectric film contains at least either oxygen or nitrogen and the Young's modulus of the piezoelectric film is 200×10^9 [N/m^2] or more.例文帳に追加

圧電膜は、酸素及び窒素の少なくともいずれかを含有し、圧電膜のヤング率は、２００×１０^９［Ｎ／ｍ^２］以上である。 - 特許庁

Silicon and oxygen are taken in during growth of the third nitride gallium layer 8 to raise the concentration of n-type impurities.例文帳に追加

第３の窒化ガリウム層８が成長するときにシリコンや酸素が取り込まれて、ｎ型不純物の濃度が高くなる。 - 特許庁

Preferably, the dissolved amount of the oxygen in the fatty alcohol is ≤1.5 N-liter/ton.例文帳に追加

このとき、脂肪族アルコール中での酸素溶存量は１．５Ｎリットル／トン以下であることが推奨される。 - 特許庁

The catalyst degradation is judged by comparing a calculation value of an oxygen storage capacity OSC(n) with a degradation judgment threshold value OSCs (S104-S106).例文帳に追加

酸素吸蔵容量算出値ＯＳＣ（ｎ）を劣化判定しきい値ＯＳＣｓと比較して触媒の劣化を判定する（Ｓ１０４〜Ｓ１０６）。 - 特許庁

In addition, a convergence point X in the catalyst where the quantity of excess or lack of oxygen in exhaust gas Cgout (N) becomes zero is detected (step 102).例文帳に追加

更に、排気ガスの酸素過不足量Ｃｇｏｕｔ（Ｎ）がゼロとなる触媒内の収束点Ｘを検知する（ステップ１０２）。 - 特許庁

Those pulses associated with the S/N ratio below a predetermined threshold are rejected and excluded from use in calculating blood oxygen saturation.例文帳に追加

予め決められた閾値未満のＳ／Ｎ比と関連したパルスは受け入れを拒否され、そして血液の酸素飽和度の算出には利用されない。 - 特許庁

There is disclosed the red phosphor which contains an element A, europium (Eu), silicon (Si), carbon (C), oxygen (O) and nitrogen (N) at the atomic number ratio of composition formula (2).例文帳に追加

元素Ａ、ユーロピウム（Ｅｕ）、シリコン（Ｓｉ）、炭素（Ｃ）、酸素（Ｏ）、および窒素（Ｎ）を、下記組成式（２）の原子数比で含有する赤色蛍光体。 - 特許庁

The method for oxidizing an alcohol includes oxidizing an alcohol in the presence of an oxygen-containing gas, an N-oxyl compound and nitric acid.例文帳に追加

本発明に係るアルコールの酸化方法は、酸素含有ガス、Ｎ−オキシル化合物及び硝酸の存在下で、アルコールを酸化する方法である。 - 特許庁

An N-purging box 100 has shutters 120, 122 for making a low- oxygen concn. atmosphere in the interior.例文帳に追加

窒素パージボックス１００は、シャッタ１２０，１２２を備えており、内部が低酸素濃度雰囲気とされる。 - 特許庁

The heat treatment for compensating the oxygen defect in the Ta2O5 film is performed in an atmosphere containing N and O at low temperatures while generating nitrogen radials and oxygen radicals, by applying ultraviolet rays to rapidly end dangling bonds on the surface of the Si substrate by the generated nitrogen radicals and to compensate the oxygen defect in the Ta2O5 film by the generated oxygen radicals.例文帳に追加

前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜中の酸素欠損を補償する熱処理を、ＮとＯとを含む雰囲気中において、紫外光照射により窒素ラジカルと酸素ラジカルとを発生させながら低温で行い、発生した窒素ラジカルによりＳｉ基板表面のダングリングボンドを速やかに終端させ、また発生した酸素ラジカルにより、Ｔａ_2 Ｏ_5 膜中の酸素欠損を補償する。 - 特許庁

This magnetic sheet having excellent flame retardancy and corrosion resistance is characterized in that a flat soft magnetic metal and, if necessary, a flame retardant are included in an organic binder having an oxygen index of ≥24 and an oxygen permeation coefficient of ≤3×10^-17 m^4(N×s)(25°C) in a dispersed state.例文帳に追加

酸素指数が２４以上であり、且つ酸素透過係数が３×10^-17m^4/(N・s)（２５℃）以下である有機系結合材に、扁平軟磁性金属および必要なら難燃剤が分散状態で内包されている難燃性及び耐食性に優れた磁性シートである。 - 特許庁

This method for producing the organic peroxide, comprising reacting a cycloalkane with oxygen in the presence of a imide compound catalyst having an N-hydroxy(or N-oxo)cyclic imide skeleton to obtain the corresponding bis(1-hydroxycycloalkyl)peroxide.例文帳に追加

Ｎ−ヒドロキシ（又はＮ−オキソ）環状イミド骨格を有するイミド化合物触媒の存在下、シクロアルカンと酸素とを反応させて、対応するビス（１−ヒドロキシシクロアルキル）ペルオキシドを得る。 - 特許庁

An interface layers (12/14) which adjoin a phase change optical recording film (13) comprises Zr (zirconium), O (oxygen), N (nitrogen) and Y (yttria), or Nb (niobium), or Y and Nb.例文帳に追加

相変化光記録膜（13）に隣接する界面層（12/14）が、Zr（ジルコニューム）、O（酸素）、N（窒素）、およびY（イットリア）、もしくはNb（ニオブ）、またはYおよびNbから構成される。 - 特許庁

The oxynitride particle boundary phase 4 comprises a crystal phase containing MnSiN2, at least one element 13 of aluminum(Al), yttrium(Y), and silicon(Si), and an amorphous phase 14 containing manganese(Mn), oxygen(O), and nitrogen(N).例文帳に追加

酸窒化物粒界相４にはMnSiN_2を含む結晶相１２と、アルミニウム（Al），イツトリウム（Y ），珪素（Si）の内の少くとも１つの元素１３と、マンガン（Mn），酸素（O ），窒素（N ）を含む非晶質相１４とが含まれる。 - 特許庁

That is because oxygen gotten by Al has the function of preventing the activation of n-type impurities and the influence of ion scattering by the n-type impurities when electrons move is reduced.例文帳に追加

これはＡｌによりゲッタリングされた酸素にはｎ型不純物が活性化するのを防止する働きがあり、電子が移動する際のｎ型不純物によるイオン散乱の影響を低減することができるためである。 - 特許庁

There is formed a photocatalyst layer 14 having a structure of a N-substituted oxygen site such as Ti-O-N and the like via an intermediate layer 12 such as silica on a surface of a base material 10.例文帳に追加

基材１０の表面には、シリカなどの中間層１２を介し、酸素サイトにＮが置換した構造を有するＴｉ−Ｏ−Ｎなどの光触媒層１４が形成されている。 - 特許庁

A^1-A^6 indicate hydrogen atoms, or the like; m and n indicate integers of not less than 1; and m+n SiO_1.5 units share oxygen atoms and are connected to other units to form a cage structure.例文帳に追加

上式中Ａ^１〜Ａ^６は水素原子等、ｍおよびｎは１以上の整数、ｍ＋ｎ個のＳｉＯ_1.5ユニットは酸素原子を共有して他のユニットに連結して、カゴ構造を形成している。 - 特許庁

An inactive determination part determines that the oxygen sensor is in an inactive state when an output value Vd(n) from the signal processing circuit is within a predetermined inactive range Rna containing the convergence value VP.例文帳に追加

不活性判定部は、信号処理回路からの出力値Vd(n)が、収束値VPを含む所定の不活性範囲Rna内であるときに、酸素センサが不活性状態であると判定する。 - 特許庁

To provide a silicon single-crystal wafer,capable of having gettering capability with oxygen precipitates, even in an n/n^+ wafer, and to provide a method of manufacturing the same, and an epitaxial wafer using the silicon single-crystal wafer.例文帳に追加

ｎ／ｎ^+ウェーハにおいても酸素析出物によるゲッタリング能力を持たせることのできるシリコン単結晶ウェーハ、その製造方法、及びそのシリコン単結晶ウェーハを用いたエピタキシャルウェーハを提供する。 - 特許庁

The nitride-based semiconductor device comprises a substrate made of an n-type nitride-based semiconductor doped with hydrogen, and an n-type nitride-based semiconductor layer doped with one of Si, Se, and Ge formed on the upper surface of the substrate.例文帳に追加

酸素がドープされたｎ型の窒化物系半導体からなる基板と、前記基板の上面上に形成された、Si、Se及びGeのいずれかがドープされたｎ型の窒化物系半導体層とを窒化物系半導体素子が備える。 - 特許庁

The n+ interface layer comprises an oxygen-depleted oxide containing ZnO_x, TiO_x, and IZO_x, as well as at least any one of ZnO, TiO, and IZO in which an n-type impurity is doped in high concentration.例文帳に追加

前記ｎ＋界面層は、ＺｎＯ_ｘ、ＴｉＯ_ｘ、ＩＺＯ_ｘを含む酸素欠乏酸化物と、ｎ型不純物が高濃度でドーピングされたＺｎＯ、ＴｉＯ、ＩＺＯのうち少なくともいずれか一つの物質からなる。 - 特許庁

A(%)={F/(F+C+O+N)}×100... (1), wherein A is a proportion of the fluorine concentration, F is fluorine% by mass, C is carbon% by mass, O is oxygen% by mass, and N is nitrogen% by mass.例文帳に追加

Ａ（％）＝｛Ｆ／（Ｆ＋Ｃ＋Ｏ＋Ｎ）｝×１００・・・（１）前記式（１）において、Ａはフッ素濃度の割合、Ｆはフッ素質量％、Ｃは炭素質量％、Ｏは酸素質量％、Ｎは窒素質量％である。 - 特許庁