こしごえ３ちょうめの英語

しかし秀吉の死後、徳川家康の取り成しによって、慶長3年（1598年）言経が朝廷に復帰したため、教利はやむなく分家して猪熊家を興した。例文帳に追加

However, after the death of Hideyoshi, Tokitsune retuned to the Imperial Court in 1598 thanks to Ieyasu TOKUGAWA's mediation, and Noritoshi, who was obliged to split off from the Yamashina family, formed the Inokuma family.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

さらに、吊下紐２は、減速具１０の先に５０センチメートルから１００センチメートル程度の余長部３３を延長して残してあり、その余長部３３を竿３内に収納してある。例文帳に追加

Further, the hanging cord 2 has an extra length part 33 of about 50 to 100 cm extended at the tip of the decelerating implement 10, and the extra length part 33 is housed inside the pole 3. - 特許庁

その成長させた植物３の葉茎４と根５の先部分４ａ、５ａをそのマット上面１ａと下面１ｂに少し突出状態にカット除去して法面被覆用植込みマットが構成される。例文帳に追加

The tip parts 4a and 5a of the leaves and stems 4 and the roots 5 of the grown plants 3 are cut off so as to be slightly projected to the upper surface 1a and lower surface 1b of the mat to form the slope covering implantable mat. - 特許庁

図３（Ａ）に示すように、一連の波形データを、自己相関係数が０．２５〜０．５０となる時刻を区切りとして複数のフレームに順次に分割し、各フレーム毎に波形データを時間長とともにＲＡＭに書込む。例文帳に追加

A series of waveform data is sequentially divided into a plurality of frames with times when an autocorrelation coefficient is 0.25 to 0.50, as delimiters as shown in Figure 3(A), and wavelength data is written per frame into a RAM together with time lengths. - 特許庁

シリコン基板１の上に、金属膜を成膜し、その金属膜の上に、金属膜と下地との界面にかかる応力を調整するための応力調整膜を形成し、その後に、下地用パターン３の上の金属膜を残し絶縁膜４の上の金属膜を剥離する。例文帳に追加

The metal film is formed on the silicon substrate 1, a stress control film is formed on the metal film for adjusting the stress exerted on the interface between the metal film and the base and then the metal film on the insulation film 4 is peeled with the metal film left on the base pattern 3. - 特許庁

さらに、予め黒鉛坩堝３の上部蓋４と、種結晶１をグラファイト系接着剤により接着固定し、その後接着された種結晶１の表面にＣＭＰ処理、もしくはＣＭＰ処理及びエピタキシャル成長による炭化珪素皮膜を施して坩堝３を組み立ててもよい。例文帳に追加

Moreover, a crucible 3 can be assembled by preliminarily adhering and fixing the seed crystal 1 with a graphite-based adhesive to the upper lid 4 of the graphite crucible 3, and then subjecting the surface of the adhered seed crystal 1 to a CMP process or a CMP process and a process of forming a silicon carbide by epitaxial growth. - 特許庁

次に、調合し終えた材料に水を少しずつ加え練り上げる３の工程が終われば次に、練りあげられた材料を形成するための型に入れる４の工程となる。例文帳に追加

Then, when the step 3 of adding water little by little to the blended material is finished, next is a step 4 of putting the kneaded material into a mold for the purpose of forming the material. - 特許庁

電流リーク箇所から発生した光５は、非球面レンズとして採用する凸部３を通して検出されるため、連続波長である光５から得られる発光像の解像度が向上し、故障解析精度が向上する。例文帳に追加

Since the light 5 generated from the current leak spot is detected through the projection part 3 adopted as the aspherical lens, the resolution of the luminescence image acquired from the light 5 having a continuous wavelength is improved, and fault analysis accuracy is improved. - 特許庁