ちょくちょうけっちょうえんの英語

信頼性の低い調達先と信頼性の高い調達先とを同様に進捗管理している結果、納期遅延が多発し、またはきめ細かい進捗管理を全ての調達先／調達品に行うと管理コストが増大してしまうが、これらを回避するためにトラブル発生を極小化する上で必要な進捗管理を低コストで実施可能とすること。例文帳に追加

To execute, at low cost, progress management necessary for minimization of trouble generation to avoid increase of management cost when performing minute progress management to all procurement destinations/procurement articles, or by frequent occurrence of delivery time delay because performing progress management of a low-reliability procurement destination as well as a high-reliability procurement destination. - 特許庁

これは、演算の中間結果が常に正の値となることを保証するためであるが、中間結果が負の値になることを容認することで、大小比較を行わず、直接多倍長精度演算を行えるようになり、多倍長精度整数同士の演算回数を削減することができた。例文帳に追加

Namely, it is guaranteed that an intermediate result of the operation is always a positive value, but the multiple-length precision operation can directly be performed without making the large/small comparison by allowing the intermediate result to be a negative value, thereby decreasing the number of operations between multiple-length precision integers. - 特許庁

表示性能の優れたディスプレイパネルを安価に得るため、直接成長多結晶シリコン膜をチャネル層に用いたボトムゲート構造TFTを実現するために、ゲート絶縁膜中の固定電荷を低減し、かつ直接成長法による半導体多結晶膜の成膜温度を低温化する。例文帳に追加

To reduce fixed charges in a gate insulating film and to lower the film forming temperature of a semiconductor polycrystalline film by a direct growing method in order to achieve a bottom gate structure TFT using a directly grown polycrystalline silicon film for a channel layer in order to obtain a display panel with an excellent display performance at a low cost. - 特許庁

インゴット−溶融物の境界の中央及び縁での温度勾配の調節による単結晶シリコンインゴットの製造のためのチョクラルスキプーラー、チョクラルスキプーラー用熱遮断体及びチョクラルスキプーラーの改良方法例文帳に追加

CZOCHRALSKI PULLER FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL SILICON INGOT BY REGULATING TEMPERATURE GRADIENT AT CENTRAL AND EDGE PARTS OF BOUNDARY BETWEEN INGOT AND MELT, HEAT SHIELD FOR CZOCHRALSKI PULLER AND IMPROVEMENT OF CZOCHRALSKI PULLER - 特許庁

垂直グラジェントフリージング（ＶＧＦ）法および垂直ブリッジマン（ＶＢ）法により、結晶成長方向の炭素濃度が一定な半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造する方法および装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for producing a semi-insulating GaAs single crystal having a constant carbon concentration in the crystal growth direction by the vertical gradient freezing (VGF) method and the vertical Bridgeman (VB) method. - 特許庁

チョクラルスキー法やキロポーラス法でフッ化金属単結晶体を製造する際に、結晶成長炉内におけるトラブルにより、下端中心部が周縁部に比して陥没した状態になってしまった種結晶体を、結晶成長に適した形状に該結晶成長炉内で再生する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for regenerating a seed crystal into a shape suitable for crystal growth in a crystal growth furnace, the seed crystal having a caving center portion at the bottom end compared to the circumference edge caused by troubles in the crystal growth furnace while producing a metal fluoride single crystal by Czochralski method or Kyropoulos method. - 特許庁

癌発生に関して大きな集団をスクリーニングするための試験として、炎症性腸疾患のような非悪性疾患を有する患者は検出されず、結腸直腸癌を有する患者の早期発見を可能にする特異的検出法を提供する。例文帳に追加

To provide a specific detection method capable of early detecting a patient having a colorectal cancer without detecting a patient having a nonmalignant disease such as an inflammatory bowel disease as a test for screening a big population related to cancer development. - 特許庁

最長プレフィクス指定値の削除に際し、前記境界値テーブル上の該当する削除エントリの検索結果データ値を、直前のエントリの検索結果データと同じ値に更新する。例文帳に追加

In erasing the longest prefix designated value, a retrieval result data value of a corresponding erasing entry on the boundary value table is updated into the value same as retrieval result data of the last entry. - 特許庁