「フォトレジスト処理」の英語・英語例文・英語表現

（ａ）基体上にフォトレジスト組成物を適用し；（ｂ）フォトレジスト組成物を活性化する放射線でフォトレジスト層を液浸露光し；（ｃ）露光されたフォトレジスト層の水接触角を調節し；および（ｄ）処理されたフォトレジスト層を現像してフォトレジストレリーフ像を提供する；ことを含む、フォトレジスト組成物を処理する方法。例文帳に追加

The method for processing a photoresist composition includes: (a) applying on a substrate a photoresist composition; (b) subjecting the photoresist layer to immersion exposure to radiation activating for the photoresist composition; (c) adjusting a contact angle with water of the exposed photoresist layer; and (d) developing the processed photoresist layer to provide a photoresist relief image. - 特許庁

露光処理が施されたフォトレジスト２にベーク処理が施される。例文帳に追加

A baking treatment is carried out on the photoresist 2 on which the exposure process has been carried out. - 特許庁

フォトレジスト用剥離液およびこれを用いた基板の処理方法例文帳に追加

PHOTORESIST STRIPPING LIQUID AND METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE USING THE LIQUID - 特許庁

フォトレジスト用剥離液及びこれを用いた基板の処理方法例文帳に追加

PHOTORESIST STRIPPING LIQUID, AND SUBSTRATE TREATMENT METHOD USING THE SAME - 特許庁

ベース層３上に、第１処理ステップにてフォトレジストを適用。例文帳に追加

In a first processing step, a photoresist is applied to a base layer 3. - 特許庁

無電極ＵＶランプを使用してフォトレジストを処理する方法例文帳に追加

METHOD FOR PROCESSING PHOTORESIST USING ELECTRODELESS UV LAMP - 特許庁

フォトレジスト現像廃液再生処理用電気透析装置例文帳に追加

ELECTRIC DIALYZER FOR REGENERATION TREATMENT OF PHOTORESIST DEVELOPMENT WASTE LIQUID - 特許庁

超伝導膜２の上にポジ型フォトレジスト５を形成し（図１（ａ））、ポジ型フォトレジスト５を熱処理により硬化させる（図１（ｂ））。例文帳に追加

A positive type photoresist 5 is formed on the superconductive film 2 (Fig.a) and the positive type photoresist 5 is stiffened by a heat treatment (Fig.b). - 特許庁

フォトレジスト現像排水中の有機フッ素化合物を効率的に除去できるフォトレジスト現像排水の排水処理システム。例文帳に追加

To provide a treatment system for waste water generated in photoresist development, in which an organic fluorine compound in waste water generated in photoresist development is efficiently removed. - 特許庁

次いで、上層及び下層フォトレジスト膜に露光処理及び現象処理を施して、トレンチ内に下層フォトレジスト膜を残し、トレンチ領域以外のポリシリコン膜８上の上層フォトレジスト膜及び下層フォトレジスト膜を除去する。例文帳に追加

Thereafter, the upper and lower-layer photoresist films 52 and 50 on the polysilicon film 8 are removed, except those in the trench region so that the film 50 is left in the trenches by exposing and developing the films 50 and 52. - 特許庁

界面活性物質としては、界面活性剤や現像廃液やそれに由来するフォトレジスト含有処理液等のフォトレジスト含有溶液に含まれる溶解フォトレジストを利用することができる。例文帳に追加

A surfactant or dissolved photoresist contained in a waste developer or a photoresist containing solution such as a photoresist containing a treating liquid derived from a developer can be used as surfactant substance. - 特許庁

本発明の方法は、無電極ＵＶ電球に由来の光に暴露することによりフォトレジストを処理する方法であって、ポジティブフォトレジストおよびネガティブフォトレジストの両方に適用できる。例文帳に追加

The method is for processing the photoresist by exposing light from the electrodeless UV bulb and is applicable to both positive and negative photoresists. - 特許庁

フォトレジストパターン形成方法において、半導体基板上部に化学増幅型フォトレジスト膜を塗布した後、露光前にアルカリ溶液でフォトレジスト膜を処理する。例文帳に追加

In the photoresist pattern forming method, the top of a semiconductor substrate is coated with a chemical amplification type photoresist film and this photoresist film is treated with an alkail solution before exposure. - 特許庁

フォトレジスト含有排水のｐＨを酸性に調整してから、フォトレジストの凝集沈殿に適するようにｐＨを調整してフォトレジストを凝集沈殿させ、膜処理を行う。例文帳に追加

The pH of the photoresist-containing wastewater is adjusted to be acidic, and then adjusted to a value suitable for coagulating sedimentation of photoresist, which coagulates and precipitates the photoresist to treat it with a membrane. - 特許庁

フォトレジストを膨潤させるか、クラックを発生させるか、または剥離させるように第１反応物でフォトレジストを処理する段階、フォトレジストを化学的に変性させるように第２反応物で処理する段階、化学的に変性されたフォトレジストを第３反応物で除去する段階を含むフォトレジスト除去方法である。例文帳に追加

The method of removing photoresist includes the steps of treating the photoresist using a first reactant so as to swell, crack, or peel the photoresist, processing the photoresist using a second reactant so as to chemically modify the photoresist, and removing the chemically modified photoresist using a third reactant. - 特許庁

（ａ）基体の上にフォトレジスト組成物を適用する工程（ｂ）フォトレジスト組成物の上に、フッ素化主鎖置換を有する樹脂以外の、１種以上の成分を含有するバリアー層組成物を適用する工程（ｃ）フォトレジスト層を、フォトレジスト組成物を活性化する放射線に浸漬露光する工程を含む、フォトレジスト組成物の処理方法。例文帳に追加

The method for processing a photoresist composition includes steps of: (a) applying a photoresist composition on a substrate; (b) applying a barrier layer composition that comprises one or more components other than resin having fluorinated backbone substitution above the photoresist composition; and (c) immersion exposing the photoresist layer to radiation activating for the photoresist composition. - 特許庁

基盤上にフォトレジストパターン層が形成された、フォトレジスト積層体を、エッチング処理した後、不要となった前記積層体のフォトレジストパターン層を、オゾン水を用いて除去するフォトレジスト除去装置であって、上記オゾン水は、原料水とオゾンガスとを気体のみを通し液体の透過を阻止するオゾンガスを溶け込ますようにして生成することを特徴とするフォトレジスト除去装置。例文帳に追加

In the apparatus for removing a photoresist, the photoresist pattern layer of each photoresist laminate unnecessitated after the etching of the photoresist laminate with the photoresist pattern layer formed on a substrate is removed with ozonized water produced by separating raw water and gaseous ozone using a gaseous ozone permeation membrane being gas- permeable but liquid-impermeable and dissolving gaseous ozone in the raw water. - 特許庁

コンタクトホール２４の内部のフォトレジスト膜２７が除去され、コンタクトホール２２、２３の内部にはフォトレジスト膜２７の一部が残る露光量でフォトレジスト膜２７に露光処理を施すことでコンタクトホール２２、２３の内部にのみフォトレジスト膜２７を残し、それ以外のフォトレジスト膜２７を除去する。例文帳に追加

The photo resist film 27 inside the contact hole 24 is removed, and exposure treatment is made to the photo resist film 27 with the amount of exposure for allowing one portion of the photo resist film 27 to remain inside the contact holes 22 and 23, thus allowing the photo resist film 27 to remain merely in the contact holes 22 and 23, and removing the other photo resist films 27. - 特許庁

開示されているフォトレジストパターンの形成方法は、化学増幅系フォトレジストからなるフォトレジスト膜１２を半導体基板１１上に塗布した後に、フォトレジスト膜１２内の保護基の離脱反応を促進するためのＰＥＢ処理より前の段階で、フォトレジスト膜１２上に親水基を含有する界面活性剤の水溶液を塗布して界面活性剤層１８を形成する。例文帳に追加

This photoresist pattern forming method is carried out in such a manner that a photoresist film 12 formed of chemical sensitizing photoresist is applied on a semiconductor substrate 11, and a surfactant water solution which contains hydrophilic groups is applied on the photoresist film 12 to form a surfactant layer 18, at a stage precing PEB treatment, that is carried out for promoting an elimination reaction of a protective group in the photoresist film 12. - 特許庁

該圧力下で処理室１０２内のガスをプラズマ化し，フォトレジスト膜をアッシング処理する。例文帳に追加

Under the pressure, plasma is generated from the gas in the chamber 102 and the photoresist film is ashed. - 特許庁

フォトレジスト剥がれを低減できるＨＭＤＳ処理方法およびＨＭＤＳ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for HMDS processing which can reduce photoresist peeling. - 特許庁

塗布処理部１は、基板Ｗ上にフォトレジスト液を供給して基板表面をフォトレジスト液で覆うカバレッジ処理を行う第１処理ユニット５と、カバレッジ処理された基板Ｗを高速回転してフォトレジスト液を薄膜化するとともに、フォトレジスト膜の乾燥および基板Ｗの洗浄を行う第２処理ユニット６とを備える。例文帳に追加

The coating section 1 is provided with a first treatment unit 5 which covers the surface of substrates W with a photoresist liquid by supplying the liquid to the surfaces of the substrates W and a second treatment unit 6, which makes the photoresist liquid smaller in thickness by rotating the covered substrates W at a high speed and, at the same time, dries the formed photoresist films and cleans the substrates W. - 特許庁