DT iとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 Department of Trade and Industry 通商産業省
DT iの学習レベル | レベル:25 |
「DT i」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 20件
Furthermore, a discharge stop voltage V_dt is set at a value higher than a normal discharge stop voltage V_dt-ref and a discharge stop current I_dt is set at a value lower than the normal discharge stop current I_dt-ref.例文帳に追加
また、放電停止電圧V_dtを通常の放電停止電圧V_dt_refと比較して高い値に設定し、放電停止電流I_dtを通常の放電停止電流I_dt_refと比較して低い値に設定する。 - 特許庁
I_B is input to a differentiator 70 and dI_B/dt is computed.例文帳に追加
微分器70にはI_Bが入力されdI_B/dtを算出する。 - 特許庁
The relative displacement quantity (s) is differential-processed to compute a relative speed ds/dt (204), and a damping force characteristic table is referred to lead through a damping force F corresponding to the relative speed ds/dt and a set and controlling damping coefficient change over step number (i) (206).例文帳に追加
ステップ204にて相対変位量sを微分処理して相対速度ds/dtを計算し、ステップ206にて減衰力特性テーブルを参照して相対速度ds/dt及び設定制御されている減衰係数の切り換え段数iに対応した減衰力Fを導出する。 - 特許庁
A parameter Age showing an accumulated stress amount with respect to the MOS transistor is reliability-simulated by a simulation model formula of hot carrier deterioration, which has the feature of Age ∝∫[I_p^m.I_d^2-m]dt.例文帳に追加
また、tを時間として、MOSトランジスタに対する累積ストレス量を表すパラメータAgeを、Age ∝∫[I_p^m・I_d^2-m]dtの特徴を持ったホットキャリア劣化のシミュレーションモデル式により、信頼性シミュレーションを行う。 - 特許庁
Also when deterioration of its hot carriers is simulated, a parameter Age for representing the cumulative stress quality to it is calculated, based on the model equation characterized by Age ∝∫[Isubm.Id2-m]dt, with t as the time.例文帳に追加
また、MOSトランジスタのホットキャリア劣化をシミュレーションする際に、tを時間として、MOSトランジスタに対する累積ストレス量を表すパラメータAgeを、Age ∝∫[I_sub^m・I_d^2-m]dt の特徴を持ったモデル式により計算する。 - 特許庁
The circuit is provided with a voltage detecting circuit DT, oscillators OSCi (where i=1 to 4) and charge pump circuits CPi.例文帳に追加
電圧検知回路DTと、発振器OSCi(i=1−4)と、チャージポンプ回路CPiとを備える。 - 特許庁
Since the integration ∫(|Q-I'|-|I-Q'|)dt in synchronous timing tG as output of the gate circuit 400 shows monotone decrease, when an frequency offset ≥f is ≥-1/4T and ≤1/4T (T is effective symbol length), it can be made a detecting means for frequency offset.例文帳に追加
ゲート回路400の出力である同期タイミングt_Gにおける積分∫(|Q−I'|−|I−Q'|)dtは、周波数オフセットΔfが−1/4T以上1/4T(Tは有効シンボル長)以下では単調減少であるので、周波数オフセットの検出手段とすることができる。 - 特許庁
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dti
uj
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a rope
ハジロオオシギ
夕ぐれどき
「DT i」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 20件
The complex multipliers 21-i decides the weights wi' in proportion to a correlation signal ∫RiS*dt so as to allow the diversity circuit 200 in the figure to conduct diversity synthesis of signals received by n-sets of the antennas RX-i by feedback.例文帳に追加
複素相互相関演算部20−iにおいては、相関信号∫R_iS^*dtに比例するように重みw_i'を決定することで、図2のようなダイバーシチ回路200は、n本のアンテナRX−iで受信された信号の、フィードバックによるダイバーシチ合成がなされる。 - 特許庁
In case of the occurrence of mispositioning Δy and a difference ΔL of the width, the delay time "DT_i" and ON time "OT_i" of an acousto-optic modulator corresponding to the beam spot SB_i are so offset regulated as to dissolve them.例文帳に追加
位置ずれΔy、幅の差ΔLが生じた場合、これらを解消するように、ビームスポットSB_iに対応する音響光学変調器のディレイタイム“DT_i”およびONタイム“OT_i”をオフセット調整する。 - 特許庁
In a controller, a phase ψ of the command voltage is operated so as to reconcile the zero-crossing timing (ψ(I=0)) of the phase current with the zero-crossing timing (ψ(dI/dt=0)) of the change quantity of the phase current.例文帳に追加
相電流のゼロクロスタイミング(Φ(I=0))と相電流の変化量のゼロクロスタイミング(Φ(dI/dt=0)とを一致させるべく、指令電圧の位相φを操作する。 - 特許庁
the integrated value of the intensity divided by the product of the differential value of intensity and time to provide an I-Dt curve, so that the peak 308-316 of the curve reflects a peculiar thickness value of the material layer.例文帳に追加
このI−Dt変換曲線はその曲線上に顕著なピークを有するコセカント関数と関連する特性を有するので、材料層の厚みをリアルタイムに求めることができる。 - 特許庁
The value of the temperature index can be obtained based on a duty ratio DT for setting an oil temperature of an exciting signal defining an operation amount of the solenoid valve and an amount of current I supplied to the solenoid coil during an output of the exciting signal.例文帳に追加
そして、温度指標値は、電磁弁の操作量を定める通電信号の油温設定用デューティ比D<SB>T</SB>と、該通電信号が出力されている間に電磁コイルに供給された電流量Iとに基づいて得られる。 - 特許庁
The operation code decoder 204 analyzes a reading/writing command, changes the data transfer direction to the memory cell 201, and requests an I/O controller 205 to change high-impedance setting of a signal line connected to a data terminal DT.例文帳に追加
オペレーションコードデコーダ204は、読み出し/書き込みコマンドを解析し、命令に応じてメモリセル201に対するデータ転送方向を変更し、データ端子DTと接続されている信号線のハイインピーダンス設定を変更するようI/Oコントローラ205に要求する。 - 特許庁
The operation code decoder 204 performs an analysis of read/write command; in accordance with the command, changes the data transfer direction with respect to the memory cell 201; and requests an I/O controller 205 to change the high-impedance setting of a sinal line connected to a data terminal DT.例文帳に追加
オペレーションコードデコーダ204は、読み出し/書き込みコマンドを解析し、命令に応じてメモリセル201に対するデータ転送方向を変更し、データ端子DTと接続されている信号線のハイインピーダンス設定を変更するようI/Oコントローラ205に要求する。 - 特許庁
The operation code decoder 204 analyzes a read/write command, changes a data transfer direction to the memory cell 201 according to an instruction, and requests an I/O controller 205 to change the high impedance setting of a signal line connected to a data terminal DT.例文帳に追加
オペレーションコードデコーダ204は、読み出し/書き込みコマンドを解析し、命令に応じてメモリセル201に対するデータ転送方向を変更し、データ端子DTと接続されている信号線のハイインピーダンス設定を変更するようI/Oコントローラ205に要求する。 - 特許庁
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