IF-THEN gateとは 意味・読み方・使い方

However, at the transfer gates the combined use of two IC cards is not accepted even when they're interoperable; therefore, if you want use different cards such as ICOCA, Suica or TOICA for transfer to the JR Line, or use PiTaPa for Nankai Electric Railway or Kintetsu Railway, you should go out through the normal ticket gate and then go in through the normal ticket gate for the line to which you want to transfer.発音を聞く 例文帳に追加

ただし、乗り換え改札口では相互利用できるICカードの2枚タッチができないため、JRにはICOCAやSuica、TOICAを、南海や近鉄にはPiTaPaを、と使い分けたい場合は、一旦通常の改札口を出場の上、改めて乗り換え先の通常の改札口から入場しなければならない。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Then, if the spike voltage tries to occur to reach the breakdown area and a drain break current flows, the gate voltage rises by the amount of voltage dropped in the current limiting resistor 1 to increase the drain current as a result.例文帳に追加

これによりスパイク電圧が生じようとして破壊領域に達しドレーンブレーク電流が流れると電流制限抵抗器１の電圧降下分だけゲート電圧が上昇しその結果ドレーン電流が増加する。 - 特許庁

If the vehicle is not traveling on an ETC exit lane 12 at a step S1 or if a toll correction process is terminated at a step S3, the toll gate 25 is set as not an obstacle at a step S7 and then normal collision prevention control is executed at a step 9.例文帳に追加

ステップＳ１で自車両がＥＴＣ出口レーン１２を走行中でなく、或いはステップＳ３で料金収受処理が終了したならば、ステップＳ７でトールゲート２５を障害物でないものとして設定した上で、ステップＳ９で通常の衝突回避制御を実行する。 - 特許庁

If the voltage of the current limit value exceeds the source terminal voltage of the MOS transistor 17, the amplifier 9 cannot maintain the imaginary ground; a lower limit voltage that can be outputted is then applied to the gate terminals of the MOS transistors 16, 17.例文帳に追加

ただし電流制限値の電圧がＭＯＳトランジスタ１７のソース端子電圧を超えると増幅器９は仮想接地を維持できず、出力可能な下限電圧をＭＯＳトランジスタ１６，１７のゲート端子へ印加する。 - 特許庁

Then, if it is defined that the width of a part arranged in the outside of the groove 5 from between the gate extraction electrode 8 and the resistivity of an n^- type single-crystal silicon layer 1B are CHSP and ρ (Ω cm), respectively, the CHSP is set to satisfy the relation: CHSP≤3.80+0.148ρ.例文帳に追加

その際、ゲート引き出し電極８のうち溝５の外部に配置された部分の幅をＣＨＳＰとし、ｎ^−型単結晶シリコン層１Ｂの抵抗率をρ（Ω・ｃｍ）とすると、ＣＨＳＰ≦３．８０＋０．１４８ρとなるようにそのＣＨＳＰを設定する。 - 特許庁

If the bills are jammed in the entry path 56 or the delivery path 58, they are detected by first and second bill detecting levers 77, 98 and then the path change-over gate 61 is changed over, and the bills are guided to the bypath 59 and combined in the downstream of the delivery path 58.例文帳に追加

紙幣が導入通路５６や払い出し通路５８に詰まった場合には、第１、第２の紙幣検知レバー７７、９８で検知して通路切り替えゲート６１を切り替え、紙幣を迂回通路５９へ案内して払い出し通路５８の下流に合流させる。 - 特許庁

An inverter is inserted between a switching TFT and a driving TFT in each pixel and then even if the potential accumulated in the holding capacitor in the pixel varies with the OFF current of the switching TFT, the gate-source voltage of the driving TFT does not vary, so that the drain current of the driving TFT can be held constant.例文帳に追加

各画素内のスイッチング用ＴＦＴと駆動用ＴＦＴの間にインバータを挿入することで、スイッチング用ＴＦＴのＯＦＦ電流により画素内の保持容量に蓄えられる電位が変化したとしても、駆動用ＴＦＴのゲート・ソース間電圧は変化せず、駆動用ＴＦＴのドレイン電流を一定に保つことができる。 - 特許庁

Then, even if after the multilayer structure in a layer above the surface of a silicon semiconductor substrate 2 has been formed, the thermal treatment is carried out and a bond of heavy hydrogen to silicon is cut, heavy hydrogen can be continuously supplied to an interface between source/drain diffusion layers 16, 17 of the silicon semiconductor substrate 2 and a gate insulating film 18.例文帳に追加

すると、シリコン半導体基板２の表面より上層の多層構造を形成した後に熱処理が行われ重水素とシリコンの結合が切断されたとしても、シリコン半導体基板２のソース／ドレイン拡散層１６および１７とゲート絶縁膜１８との間の界面に継続的に重水素を供給できるようになる。 - 特許庁