W=Tの英語
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「W=T」を含む例文一覧
該当件数 : 70件
In addition, the casting speed v_C (m/min) is within the range of the expression, v_C≤(0.0527×2×60×S×η)/(W×T)例文帳に追加
さらに、鋳造速度ｖ_Ｃ（ｍ／分）を下記（３）式の範囲内とする。 - 特許庁
A setting section 112 decides the final transmission weight vector signal 314 by selecting the transmission weight vector W(t) when a modulation system is QPSK (quadrature phase shift key-ing) or corrected transmission weight vector W'(t) or W'(t-xT) when the modulation system is 16QAM (quadrature amplitude modulation).例文帳に追加
設定部１１２は、変調方式がＱＰＳＫの場合は送信ウエイトベクトルＷ（ｔ）を選択し、１６ＱＡＭの場合は補正送信ウエイトベクトルＷ’（ｔ）あるいはＷ’（ｔ−ｘＴ）を選択して、最終送信ウエイトベクトル信号３１４とする。 - 特許庁
Furthermore, a first factor w(T_i) which dynamically changes due to the operation of software.例文帳に追加
さらに、ソフトウェアの動作によって動的に変化する第１因子ｗ_j（Ｔ_i）が算定される。 - 特許庁
The value of the window function W (t) is zero in the part where the time t is larger than c.例文帳に追加
時間ｔがｃよりも大きいところでは、窓関数Ｗ（ｔ）の値はゼロとなる。 - 特許庁
A transmission weight vector corrector 102 finds a corrected transmission weight vector W'(t).例文帳に追加
送信ウエイトベクトル補正部１０２は、補正送信ウエイトベクトルＷ’（ｔ）を求める。 - 特許庁
The ratio W/T of the wiring width W and the wiring film thickness T of the lower wiring layers of second layer or below is larger than the W/T of the upper wiring layers of third layer or above.例文帳に追加
２層目以下の下層配線層の配線幅Ｗと該配線膜厚Ｔとの比Ｗ／Ｔが、３層目以上の上層配線層の配線のＷ／Ｔよりも大きい。 - 特許庁
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遺伝子名称シソーラスでの「W=T」の英訳 |
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wt
| fly | 遺伝子名 | wt |
| 同義語（エイリアス） | welt | |
| SWISS-PROTのID | --- | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:45953 | |
| その他のDBのID | FlyBase:FBgn0004025 |
| mouse | 遺伝子名 | wt |
| 同義語（エイリアス） | Pax-1; undulated; hbs; paired box gene 1; Paired box protein Pax-1; un; wavy tail; Pax1; hunchback | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:P09084 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:18503 | |
| その他のDBのID | MGI:97485 |
| mouse | 遺伝子名 | Wt |
| 同義語（エイリアス） | waltzer-type | |
| SWISS-PROTのID | --- | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:103986 | |
| その他のDBのID | MGI:98967 |
本文中に表示されているデータベースの説明
Weblio例文辞書での「W=T」に類似した例文 |
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wt
おおわれる
enveloped
tuataras
プーク
waratahs
がってんだ
Okey-dokes
a fellow
トートグ
tautogs
こと
a thing
wt%
比例しているさま
〜程度
the rate of utilization
the birth rate
the rate of increase
分子量.
「W=T」を含む例文一覧
該当件数 : 70件
The joining unit 70 has a first heat treatment plate 110 on which a superposed wafer W_T is placed to be heat-treated, and a pressing mechanism 90 which presses the superposed wafer W_T on the first heat treatment plate 110.例文帳に追加
接合ユニット７０は、重合ウェハＷ_Ｔを載置して熱処理する第１の熱処理板１１０と、第１の熱処理板１１０上の重合ウェハＷ_Ｔを押圧する加圧機構９０とを有している。 - 特許庁
The joining unit 71 has a second heat treatment plate 140 on which the superposed wafer W_T is placed to be heat-treated, and a pressing mechanism 120 which presses the superposed wafer W_T on the second heat treatment plate 140.例文帳に追加
接合ユニット７１は、重合ウェハＷ_Ｔを載置して熱処理する第２の熱処理板１４０と、第２の熱処理板１４０上の重合ウェハＷ_Ｔを押圧する加圧機構１２０とを有している。 - 特許庁
A pressing adapter 1 comprises: a lower adapter 85, having a roughly frustoconical shape and a diameter identical to that of a stacked wafers W_T; and an upper adapter 84, having a roughly disc-like shape and a diameter larger than that of the stacked wafers W_T.例文帳に追加
押圧用アダプタ１は、重合ウェハＷ_Ｔと同一の径を有する略円錐台形状の下部アダプタ８５と、重合ウェハＷ_Ｔよりも大きな径を有する略円盤状の上部アダプタ８４とを有する。 - 特許庁
The joining unit 21 has a second heat treatment plate 90 in which the superposed wafer W_T is placed and heat treatment is performed thereon and a pressurizing mechanism 80 pressing the superposed wafer W_T on the second heat treatment plate 90.例文帳に追加
接合ユニット２１は、重合ウェハＷ_Ｔを載置して熱処理する第２の熱処理板９０と、第２の熱処理板９０上の重合ウェハＷ_Ｔを押圧する加圧機構８０とを有している。 - 特許庁
The actual joint device has a first heat treatment plate and a second heat treatment plate for performing a heat treatment on the superimposed wafers W_T, and a pressure applying mechanism for pressing the superimposed wafers W_T on the second heat treatment plate.例文帳に追加
本接合装置は、重合ウェハＷ_Ｔを熱処理する第１の熱処理板及び第２の熱処理板と、第２の熱処理板上の重合ウェハＷ_Ｔを押圧する加圧機構とを有している。 - 特許庁
The heat treatment unit 70 has a second heat treatment plate 140 on which the superposed wafer W_T is sucked and held to be heat-treatment, a third heat treatment plate 150 on which the superposed wafer W_T is placed to be heat-treated, and two transfer arms 161 and 161 for transferring the superposed wafer W_T between the joining unit 70 and heat treatment unit 71.例文帳に追加
熱処理ユニット７０は、重合ウェハＷ_Ｔを吸着保持して熱処理する第２の熱処理板１４０と、重合ウェハＷ_Ｔを載置して熱処理する第３の熱処理板１５０と、接合ユニット７０と熱処理ユニット７１との間で重合ウェハＷ_Ｔを搬送する２本の搬送アーム１６１、１６１とを有している。 - 特許庁
Multipliers 5, 6, 7, 8 and an adder 9 calculate a complex-multiplying sum Y(t) of a receiving signal vector X(t) and a weight vector W(t).例文帳に追加
乗算器５，６，７，８および加算器９は、受信信号ベクトルＸ（ｔ）とウェイトベクトルＷ（ｔ）との複素乗算和Ｙ（ｔ）を算出する。 - 特許庁
That is, in the interconnection structure of the invention, w_t/h_t fraction is equal to or more than 100%.例文帳に追加
すなわち、本発明の相互接続構造体において、ｗ_ｔ／ｈ_ｔ比は、１００％に等しいか又はそれより大きい。 - 特許庁
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