au pointとは 意味・読み方・使い方

In a preferred embodiment, the Ag-Au alloy is obtained as a melted fine particle of Ag and Au, while heating an Ag powder and an Au powder at a temperature higher than their melting point by a gas atomizing method.例文帳に追加

Ａｇ−Ａｕ合金が、Ａｇ粉末とＡｕ粉末とをガスアトマイズ法により融点以上に加熱することによりＡｇとＡｕとの溶融微粒子として得られた態様が好ましい。 - 特許庁

The start points Ad, Au and end points Bd, Bu of the plateau portion respectively corresponding to the Pcd, Pcu are respectively interpolated in relation to the rail pressures, thereby calculating the start point E and end point F of the plateau portion corresponding to the Pc.例文帳に追加

Pcd，Pcuにそれぞれ対応するプラトー部の開始点Ad，Au並びに終了点Bd，Buをレール圧に関してそれぞれ補間してPcに対応するプラトー部の開始点Ｅ並びに終了点Ｆが求められる。 - 特許庁

The miniature contact point is formed by preparing a surface layer 6 composed of the thin Au film of 0.05 to 0.2 μm thickness, on the surface of the third layer 5 composed of Au-Ni alloy.例文帳に追加

Ａｕ−Ｎｉ合金からなる第３層５の表面に、厚さ０．０５μｍ〜０．２μｍのＡｕ薄膜からなる表面層６を形成した微小接触力用接点。 - 特許庁

As a metal 25 for forming an alloy interface, an Au-Ge 12% alloy, with a melting point of 350°C or less, an Au-Sn 20% alloy or an alloy consisting mainly of Sn is used.例文帳に追加

合金界面形成用金属２５として、融点が３５０℃以下の金属であるＡｕ−Ｇｅ１２％合金やＡｕ−Ｓｎ２０％合金やＳｎを主成分とする合金を用いる。 - 特許庁

The melting point of a low-Au-containing alloy produced at an ordinary cooling speed is disturbed by a non-equilibrium peritectic reaction, and becomes lower than the melting point on the equilibrium diagram.例文帳に追加

通常の冷却速度により作成された低Ａｕ組成合金の融点は、包晶反応が非平衡により崩れ、平衡状態図上の融点を下回る。 - 特許庁

A hypochlorite salt is continuously added to a metal cyanidecontaining solution in which cyanides of Ni, Cu, Zn and Au and/or Ag are dissolved, under alkaline conditions within the temperature range from 60°C to a temperature below the boiling point of the solution to precipitate Ag as a chloride and Ni, Cu and Zn as oxides or hydroxides and to dissolve Au as chloroaurate in the solution.例文帳に追加

Ni,Cu,Zn,Au及び/又はAgのシアン化合物を溶解したシアン系金属含有液にアルカリ性かつ６０℃から沸点未満の温度範囲の条件で次亜塩素酸塩を連続添加し、Agは塩化物として析出させ、Ni,Cu及びZnは酸化物もしくは水酸化物として析出させ、かつAuは塩化金酸塩として溶液中に溶解させる。 - 特許庁

Wiring coating layers 5 and 5', which cover a lower wiring layer 3a and an upper wiring layer 3b composed of Au on or above a compound semiconductor substrate 1 and are composed of tantalum or titanium that is a metal having a smaller thin film stress than Au and having a high melting point than Au, are formed by sputter.例文帳に追加

化合物半導体基板１上の、Ａｕからなる下部配線層３ａと上部配線層３ｂの上部を覆って、Ａｕより薄膜応力が小さく高融点を有する金属であるタンタルあるいはチタンからなる配線被覆層５と５’をスパッタにより形成する。 - 特許庁

To provide a method for bonding an element, having high bonding strength by soldering the element on an Au electrode formed on a substrate of aluminum nitride or the like at a low temperature, using a soft solder metal having low melting point, such as an Au-Sn solder containing 10 wt% of Au.例文帳に追加

窒化アルミニウム等の基板上に形成されたＡｕ電極に、Ａｕ含有量１０重量％のＡｕ−Ｓｎ系ハンダのような低融点で柔らかいハンダ金属を用いて低温でハンダ付けを行ない、高接合強度で素子を接合する方法を提供すること。 - 特許庁