c LTとは 意味・読み方・使い方

Relational expression: C (X) = {-8(3-2α)×(X/Lt)^5+20(3-2α)×(X/Lt)^4-2(25-16α)×(X/Lt)^3+(15-8α)×(X/Lt)^2}×Cm.例文帳に追加

Ｃ（Ｘ）＝｛−８（３−２α）・（Ｘ／Ｌｔ）^5＋２０（３−２α）・（Ｘ／Ｌｔ）^4−２（２５−１６α）・（Ｘ／Ｌｔ）^3＋（１５−８α）・(Ｘ／Ｌｔ)^2｝・Ｃｍ - 特許庁

The characteristics (A)-(C) are: (A) as for the nitrogen adsorption specific surface area (N_2 SA), 24≤N_2 SA≤32; (B) as for the DBP oil absorption amount (DBP), 115≤DBP≤135; and (C) as for the toluene coloring transmittance (LT), 30≤LT≤60.例文帳に追加

（Ａ）窒素吸着比表面積（Ｎ_2 ＳＡ）が、２４≦Ｎ_2 ＳＡ≦３２（Ｂ）ＤＢＰ吸油量（ＤＢＰ）が、１１５≦ＤＢＰ≦１３５（Ｃ）トルエン着色透過度（ＬＴ）が、３０≦ＬＴ≦６０ - 特許庁

In a method for manufacturing the LT substrate from an LT crystal, after growing the crystal, an LT crystal in an ingot form is embedded in carbon powder, or is placed in a carbon vessel, and heat treatment is performed at a maintained temperature of 650-1,650°C for at least 4 hours.例文帳に追加

ＬＴ結晶を用いてＬＴ基板を製造する工程において、結晶育成後のインゴット状態のＬＴ結晶をカーボン粉末の中に埋め込んで、あるいはカーボン容器に入れて、６５０〜１６５０℃の保持温度で４時間以上熱処理する。 - 特許庁

Further, slurry containing polishing abrasive grains is supplied to between a surface of the LT substrate 10 and a polishing surface plate and the surface of the LT substrate 10 is polished by the polishing surface plate to polish the surface into a mirror plane while reducing the thickness of the LT substrate 10 (Fig.5(c)).例文帳に追加

続いて、ＬＴ基板１０の表面と研磨定盤との間に研磨砥粒を含むスラリーを供給して、ＬＴ基板１０の表面を研磨定盤により研磨することによりこのＬＴ基板１０の厚みを薄くすると共にその表面を鏡面研磨する（図５（ｃ））。 - 特許庁

This gas turbine 1 includes: the above compressor C; a combustion chamber 10; a high pressure turbine HT; and a low pressure turbine LT.例文帳に追加

また、このコンプレッサＣと、燃焼室１０、高圧タービンＨＴ、低圧タービンＬＴを備えてガスタービンエンジン１を構成する。 - 特許庁

In a step of using an LT crystal to manufacture the LT substrate, the LT crystal is thermally treated longer than four hours in a holding temperature of 1200 to 1650°C under a low oxygen concentration atmosphere in any one of a cooling step after crystal growth, a thermal treatment step for thermal distortion removal and a polling treatment step.例文帳に追加

タンタル酸リチウム（ＬＴ）結晶を用いてＬＴ基板を製造する工程において、結晶育成後の冷却過程、熱歪み除去のための熱処理工程およびポーリング処理工程のいずれかで、ＬＴ結晶を低酸素濃度雰囲気下で、１２００〜１６５０℃の保持温度で、４時間以上、熱処理する。 - 特許庁

A switch S1, a capacitor C, an inverter INV and a latch circuit LT are connected in series, and a switch S2 is connected to the inverter INV in parallel.例文帳に追加

スイッチＳ１、キャパシタＣ、インバータＩＮＶ、ラッチ回路ＬＴが直列に接続されており、インバータＩＮＶにはスイッチＳ２が並列に接続されている。 - 特許庁