d on sとは 意味・読み方・使い方

A route evaluation unit 107 evaluates a route reaching the destination node D by reflecting on the intersection node I from the transmission source node S by comparing the route with a normal route Psd.例文帳に追加

経路評価部１０７は、送信元ノードSから交点ノードIで反射して宛先ノードDへ至る経路を通常経路Psdと比較して評価する。 - 特許庁

Thereafter, supersonic vibration is imparted to the mold release agent S on the template T (Fig. 11(d)).例文帳に追加

その後、テンプレートＴ上の離型剤Ｓに超音波振動を付与する（図１１（ｄ））。 - 特許庁

The display pattern is formed by overlaying a transfer sheet S, cloth 3, and a rubber sheet 4 on a coated metal sheet M set on a bottom plate 2, and infiltrating a sublimation dye D of the transfer sheet S into the coating film of the coated metal sheet M with the heat from a hot plate 1.例文帳に追加

表示模様は、底板2にセットした塗装金属板Mに転写シートS，布3，ゴムシート4を重ね合わせ、熱板1からの加熱で転写シートSの昇華性染料Dを塗装金属板Mの塗膜に浸透させることにより形成される。 - 特許庁

In the method for forming the contact hole toward an S/D region 25 on an interlayer insulating film 40 covering the S/D region 25 on the surface of a semiconductor substrate 20, a resist pattern 50 forming an opening at the upper part of the S/D region 25 is formed on the interlayer insulating film 40.例文帳に追加

半導体基板２０表面のＳ／Ｄ領域２５上を覆う層間絶縁膜４０にＳ／Ｄ領域２５に至るコンタクトホールを形成する方法であって、層間絶縁膜４０上にＳ／Ｄ領域２５の上方を開口するレジストパターン５０を形成する。 - 特許庁

In this case, the upper arm side and lower arm side switching elements (15, 25) comprise each an element in a lateral-type structure wherein a source (S), a gate (G) and a drain (D) are arranged in parallel with each other on one side face thereof.例文帳に追加

ここで、上アーム側及び下アーム側スイッチング素子（15,25）は、その片側面にソース（S）、ゲート（G）、及びドレイン（D）が並設された横型構造の素子で構成されている。 - 特許庁

In the device 1 for checking confidentiality, a first observation equivalence decision part 31 decides whether or not execution results show observation equivalence on the basis of the execution result S(d) of the computer system 10 based on one set of data d and an execution result S'(d) of a second computer system 15 based on d' which satisfies equivalence relation with d.例文帳に追加

秘匿性検査装置１において、第１の観測等価性判定部３１は、１組のデータｄに基づくコンピュータシステム１０の実行結果Ｓ（ｄ）と、ｄと同値関係を満たすｄ’に基づく第２のコンピュータシステム１５の実行結果Ｓ’（ｄ）とに基づいて実行結果が観測等価となるか否かを判定する。 - 特許庁

The Al-containing nitride D caused to deposit on the surface 2A of the susceptor 2 on which a substrate S is set so as to form the III nitride film on the substrate S is removed by dissolving the nitride D in a prescribed alkaline solution, by dipping the nitride D in the solution for a prescribed period of time together with the susceptor 2 containing the nitride D.例文帳に追加

III族窒化物膜を形成すべき基板Ｓが設置されたサセプタ２の表面２Ａ上に堆積されたＡｌ含有窒化物Ｄを、このＡｌ含有窒化物を含むサセプタ２ごと所定のアルカリ溶液に所定時間浸漬させることによって、溶解除去する。 - 特許庁

As a method for cutting the strip material S, the strip material S is pushed and held by a rod material 15, and strip material S is pulled and cut on the basis of the rotational force of the molding drum D.例文帳に追加

ゴムストリップ材Ｓの切断方法として、ゴムストリップ材Ｓを棒材１５で押さえ込み、成形ドラムＤの回転力に基づいてゴムストリップ材Ｓを引き切りする。 - 特許庁