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line Nsとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 linen(リネン)の複数形

発音記号・読み方
/ˈlɪnʌnz(米国英語)/

ハイパー英語辞書での「line Ns」の意味

linens


「line Ns」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 16



例文

This hybridoma cell line is produced by the fusion of NS-1 myeloma cells with spleen cells obtained from mice immunized with Leukocyte Adhesion Molecule-1 (LAN-1)cDNA transfected cells.例文帳に追加

白血球接着分子-1(LAM-1)cDNA でトランスフェクションした細胞を用いて免疫化したマウスから得た脾細胞とNS-1ミエローマ細胞との融合により作成したハイブリドーマ細胞系。 - 特許庁

In each group, the other ends of the bit lines are electrically coupled via a short-circuit node Ns and a bit line driver BDVb is provided for driving the voltage of the short-circuit node Ns.例文帳に追加

各グループにおいて、各ビット線の他端側は、短絡ノードNsを介して電気的に結合されるとともに、短絡ノードNsの電圧を駆動するためのビット線ドライバBDVbが設けられる。 - 特許庁

The transistor Q1 being a charge transfer gate controls connection between the bit line BL and a sense node NS in accordance with a potential V1 being transfer control voltage, and the transistor Q2 amplifies a signal of the sense node NS.例文帳に追加

電荷転送ゲートであるトランジスタQ1は転送制御電圧である電位V1に応じてビット線BLとセンスノードNSとの間の接続を制御し、トランジスタQ2はセンスノードNSの信号を増幅する。 - 特許庁

When the dimple number of a kind having the minimum contour line length is Ns and the dimple number of a kind having the maximum contour line length is Nb among the whole kinds of special-shaped dimples, this ratio (Ns/Nb) is 20/80 to 80/20.例文帳に追加

特殊形状ディンプルの全種類のうち最小の輪郭線長さを有する種類のディンプル数がNsとされ最大の輪郭線長さを有する種類のディンプル数がNbとされたとき、この比(Ns/Nb)は20/80以上80/20以下である。 - 特許庁

The magnetic identification sensor has: a magnet 10 applying a magnetic field to a medium 90 having a magnetic amount distribution on its surface; and a magnetic detection element 30 with an NS direction of the magnet 10 as a normal line, disposed on a plane crossing an NS axis of the magnet 10.例文帳に追加

表面に磁気量分布を有する媒体90に磁界を印加する磁石10と、磁石10のNS方向を法線とし、磁石10のNS軸と交わる平面上に配置された磁界検出素子30を具備する。 - 特許庁

The transfer control circuit 12 includes a transistor Q20 which controls the connection between the bit line BL and the sense node Ns in response to a transfer control voltage VTG.例文帳に追加

転送制御回路12は、転送制御電圧VTGに応じてビット線BLとセンスノードNsとの間の接続を制御するトランジスタQ20を含む。 - 特許庁

例文

An angle θ formed by a normal line Nt made to stand on the end surface 110 of the leading end of the probe 108 and the normal line Ns made stand on the side surface of the probe 108 preferably has a value larger than 45°.例文帳に追加

探針108の先端の端面110に立てた法線Ntと探針108の側面に立てた法線Nsとのなす角θは好ましくは45度よりも大きい値を有している。 - 特許庁

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Weblio英語表現辞典での「line Ns」の意味

linens

訳語 linenリネン)の複数形


Wiktionary英語版での「line Ns」の意味

linens

名詞

linens

  1. plural of linen

名詞

linens pl (複数形 only)

  1. Household textiles made of linen-like cloth (such as cotton fabric), including tablecloths and bed sheets. The singular, linen, of this sense is rare.
  2. Undergarments, underwear.

アナグラム

  • Nelsin

Latin

Participle

linēns (genitive linentis); third-declension one-termination participle

  1. This term needs a translation to English. Please help out and add a translation, then remove the text {{rfdef}}.

語形変化

Third-declension participle.

Number Singular Plural
Case / Gender Masc./Fem. Neuter Masc./Fem. Neuter
Nominative linēns linentēs linentia
Genitive linentis linentium
Dative linentī linentibus
Accusative linentem linēns linentēs
linentīs
linentia
Ablative linente
linentī1
linentibus
Vocative linēns linentēs linentia

1When used purely as an adjective.


「line Ns」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 16



例文

When the power supply is turned off, the logical value stored in the SRAM circuit part is transferred, by changing the voltage of a store line STR and by making a current flow through Rm by Ns.例文帳に追加

電源が消える前に、ストア線STRの電圧を変化させ、NsによりRmに電流を流すことで、SRAM回路部に記憶されている論理値を移す。 - 特許庁

This sensor/line sensor is provided with a magnet 50, and at least one magnetic field detecting element 2, and the magnetic field detecting element 2 uses an NS direction of the magnet 50 as a normal, and is arranged on a plane crossed with a line segment connecting an N pole and an S pole of the magnet 50.例文帳に追加

磁石50と少なくとも1つの磁界検出素子2とを備え、磁界検出素子2は、磁石50のNS方向を法線とし、且つ、磁石50のN極とS極を結ぶ線分と交わる平面上に配置する。 - 特許庁

In a coating/developing system 10, a space NS of courtyard which is surrounded by a cassette station (C/S) 14 and the process line A of a going route, and an interface station (I/F) 18 and the process line B of a returning route is formed to extend straight in the X direction.例文帳に追加

この塗布現像処理システム10においては、カセットステーション(C/S)14と往路のプロセスラインAとインタフェースステーション(I/F)18と復路のプロセスラインBとに囲まれてX方向にまっすぐ延びる中庭のスペースNSが形成される。 - 特許庁

During a circuit state in which the transistor Q10 is not utilized, first and second voltage levels that are close to the second logic level are supplied to the output node NS and the local input/output line LIO.例文帳に追加

トランジスタQ10を利用しない回路状態時に、第2の論理レベルに近い第1及び第2の電圧レベルが出力ノードNS及びローカル入出力線LIOに供給される。 - 特許庁

In the semiconductor device according to the present invention, a floating body transistor Q10 is provided between an output node NS of a sense amplifier (a first circuit node) and a local input/output line LIO (a second circuit node).例文帳に追加

本発明の半導体装置において、フローティングボディ型のトランジスタQ10は、センスアンプの出力ノードNS(第1の回路ノード)とローカル入出力線LIO(第2の回路ノード)との間に挿入されている。 - 特許庁

One slit-like nozzle hole NL is disposed so that the slit axial line NL is substantially parallel with the bottom wall surface of a recessed groove in the top surface of a piston, and the other slit-like nozzle hole NS is disposed so that the sector-like longitudinal cross section of flat sector-like atomized mist is substantially parallel with a cylinder axial line.例文帳に追加

一方のスリット状噴孔NLをそのスリット軸線NLがピストン頂面の凹溝底壁面に対し概ね平行になるように、かつ他方のスリット状噴孔NSを、その偏平扇状噴霧の扇状縦断面がシリンダ軸線に対し概ね平行になるように配置する。 - 特許庁

At the time of writing data, the bit line driver BDVa corresponding to selected rows and the bit line driver BDVb corresponding to selected groups drive the power supply voltage Vcc and ground voltage Vss of the corresponding nodes Na and Ns one by one, causing a data writing current to flow in the bit lines of selected rows.例文帳に追加

データ書込時には、選択列に対応するビット線ドライバBDVaおよび選択グループに対応するビット線ドライバBDVbが、対応するノードNaおよびNsを、電源電圧Vccおよび接地電圧Vssの一方ずつを駆動することによって、選択列のビット線にデータ書込電流が流される。 - 特許庁

例文

The modified region 7 to be a cut start point is formed on a GaAs substrate 12 along a planned cut line 5 by irradiating the processing object with a laser beam L, i.e., a pulsed laser beam with a pulse width of 31-54 ns and a pulse pitch of 7.5-10 μm.例文帳に追加

31ns〜54nsのパルス幅で且つ7.5μm〜10μmのパルスピッチで、パルスレーザ光であるレーザ光Lを照射することにより、切断の起点となる改質領域7を切断予定ライン5に沿ってGaAs基板12に形成する。 - 特許庁

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