mis-alignmentとは 意味・読み方・使い方

Since deterioration in the image quality can be predicted, when both the correction value for the magnification and the correction value for the mis alignment exceed the thresholds, when this executing condition is fulfilled, an execution of alignment is requested (S106).例文帳に追加

倍率の補正量と位置ずれ補正量のいずれも閾値を超えている場合に画質の低下が予測できるので、この実行条件を満たす場合には、位置合わせの実行を要求する（Ｓ１０６）。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can form a contact having a large enough size by securing a mis-alignment margin required at the time of contact formation, and its manufacturing method.例文帳に追加

コンタクトの形成時に要求されるミスアラインメントマージンを確保して十分なサイズを有するコンタクトを形成することができる半導体装置及びこれの製造方法を提供することである。 - 特許庁

Also, when the mis-alignment is small, since the contact surface pressure can be relieved, the life of the tapered roller bearing can be increased more than that in a case where the radii of curvatures Ro1 and Ri1 in both directions are made equal to each other.例文帳に追加

また、小さなミスアライメントの場合にも、接触面圧を緩和できるので、両軸方向曲率半径Ｒｏ１、Ｒｉ１を同じとした場合に比して、円すいころ軸受１０の寿命を長くできる。 - 特許庁

To provide a power transmission chain capable of effectively suppressing the occurrence of abnormal wear and abnormal slippage even if a mis-alignment is present between pulleys and having excellent silentness and a power transmission device using the chain.例文帳に追加

プーリ間にミスアライメントが存在しても異常摩耗や異常すべりの発生を有効に抑制することができ、かつ静粛性に優れた動力伝達チェーンおよびそれを用いた動力伝達装置を提供する。 - 特許庁

To provide a shaft coupling structure of a wind power generation device with high reliability increased in a large mis-alignment absorbing amount to facilitate a reduction in the size of the wind power generating device.例文帳に追加

風力発電装置の大型化を容易にするため、ミスアライメントの吸収量が大きく信頼性の高い風力発電装置の軸カップリング構造を提供すること。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor substrate for a liquid crystal display device and manufacturing method therefor permitting to reducing mis-alignment and also secure an opening ratio.例文帳に追加

誤整列を少なくすることができると共に開口率を確保することができる液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a nonvolatile memory cell which includes a MONOS transistor Q_1 for memory and a MIS transistor Q_2 for cell selection, a nitrogen introduced region 20 wherein nitrogen is introduced is formed in alignment with the gate electrode 8 of the MONOS transistor Q_1.例文帳に追加

メモリ用のＭＯＮＯＳ型トランジスタＱ_1とセル選択用のＭＩＳ型トランジスタＱ_2とを含む不揮発性メモリセルにおいて、ＭＯＮＯＳ型トランジスタＱ_1のゲート電極８に整合して、窒素を導入した窒素導入領域２０を形成する。 - 特許庁