rsiとは 意味・読み方・使い方

The Relative Strength Index (RSI) was invented by J. Welles Wilder and has become one of the most popular technical indicators used in the analysis of financial markets.例文帳に追加

相対力指数はJ・ウェルズ・ワイルダーが考案したもので、金融市場分析で最も広く利用されるテクニカル指標の1つになっている。 - Weblio英語基本例文集

Then, currents flowing through the EL elements OLij are controlled by controlling voltages among the electrodes Rci and the electrodes Rsi.例文帳に追加

走査側電極Ｒｃ_i と走査側電極Ｒｓ_i との間の電圧を制御して有機ＥＬ素子ＯＬ_ijを流れる電流を制御する。 - 特許庁

Increasing the number of synchronization bursts for the RSI interval can increase the activity cycle of the synchronization channel.例文帳に追加

ＲＳＩ間隔の間の同期バースト数を増加させることによって同期チャネルの活動サイクルが増加させられる。 - 特許庁

After a TEOS film is deposited, the TEOS film is patterned to form a silicidizing mask 10a having an opening for a silicidizing region Rsi.例文帳に追加

ＴＥＯＳ膜を堆積した後、これをパターニングしてシリサイド化領域Ｒsiを開口したシリサイド化用マスク１０ａを形成する。 - 特許庁

In an amplification type solid-state image pickup device, the timing (time a') of generation and sending of a reset signal RSi for electronic shutter operation is shifted from a conventional timing (time (a)) so that the impression timing of the reset signal RSi for electronic shutter operation may not overlap the period when a pixel row is selected for read operation (period when SLn is in the high level).例文帳に追加

増幅型固体撮像装置において、電子シャッター動作のためのリセット信号ＲＳ_iを生成・送出するタイミング（時刻ａ’）を従来のタイミング（時刻ａ）からずらし、それによって電子シャッター動作のためのリセット信号ＲＳ_iの印加タイミングを読み出し動作のために画素行を選択する期間（ＳＬ_nが「Ｈｉｇｈ」の期間）とは重複しないようにする。 - 特許庁

We expect the technical working group to move on to the reassessment of business feasibility study on RSI.発音を聞く 例文帳に追加

我々は、ABMIの活動が、域内の貯蓄が域内の投資に活用されるようにするため、その 年の開始以来、効率的で流動性のある域内債券市場の育成に貢献していることを認識。 - 財務省

The compound is manufactured by modifying a silazane polymer having a general formula (RSi(NH)_1.5)_n(R'_2SiNH)_m in the presence of ammonia or an inorganic ammonium salt.例文帳に追加

この化合物は、一般式（ＲＳｉ（ＮＨ）_１．５）_ｎ（Ｒ’_２ＳｉＮＨ）_ｍ を有するシラザンポリマーをアンモニアまたは無機アンモニウム塩の存在下に改質処理することで製造される。 - 特許庁

Then, annealing is performed to activate boron in an oxygen-containing atmosphere, thereby forming an oxide film 31 on the gate electrode 8 in the region Rsi and a highly doped source/drain region 6.例文帳に追加

その後、酸素を含む雰囲気下においてボロンを活性するためのアニールを行い、シリサイド化領域Ｒsiのゲート電極８及び高濃度ソース・ドレイン領域６の上に酸化膜３１を形成する。 - 特許庁