temp. temperatureとは 意味・読み方・使い方

To make a temp. detecting circuit accurately detect temp. with a low-cost configuration while difficult to be affected by dispersion in manufacture for precision, in a temperature detecting circuit which detects the temperature of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の温度を検出する温度検出回路において、安価な構成で、製造上のバラツキの影響を受けにくく、精度の良い検出を行えるようにする。 - 特許庁

A first control rotation speed DsrREV_LIM_M and a second control rotation speed DsrREV_LIM_D are calculated at a manual transmission mode and an automatic transmission mode when an oil temperature Temp becomes higher than a first oil temperature threshold Temp_SL_1.例文帳に追加

油温Ｔｅｍｐが第１油温しきい値Ｔｅｍｐ＿ＳＬ＿１よりも高くなった場合に、手動変速モードおよび自動変速モードにおいて、それぞれ第１規制回転速度ＤｓｒＲＥＶ＿ＬＩＭ＿Ｍと、第２規制回転速度ＤｓｒＲＥＶ＿ＬＩＭ＿Ｄと、を算出する。 - 特許庁

An inclination calculator 141 generates inclination data α depending on the temperature on the basis of second digital data temp indicating the temperature.例文帳に追加

傾き算出部１４１は、温度を示す第２デジタルデータｔｅｍｐにもとづき、温度に依存する傾きデータαを生成する。 - 特許庁

A reproducing magnetic layer 1 at least shows an in-plane magnetization state at room temp. and transits into a perpendicular magnetization state at a temperature equal to or higher than the critical temperature.例文帳に追加

再生磁性層１は、少なくとも、室温において面内磁化状態であり臨界温度以上の温度で垂直磁化状態に移行する。 - 特許庁

In a process S3, the temperature of the vapor growth equipment 11 is changed in the term after the time t1 supplying a gas containing ammonia, so that the temperature of the reaction furnace 15 of the vapor phase growth equipment 11 becomes a temperature Temp 2 lower than the temperature Temp 1 of the time t1 at the time t2.例文帳に追加

工程Ｓ３では、時刻ｔ２において気相成長装置１１の反応炉１５の温度が、時刻ｔ１における温度Ｔｅｍｐ１よりも低い温度Ｔｅｍｐ２になるように、アンモニアを含むガスを供給しながら時刻ｔ１以降の期間中に気相成長装置１１の温度を変更する。 - 特許庁

In a process S3, the temperature of the vapor phase growth apparatus 11 is changed in the term after the time t1 while supplying a gas containing ammonia, so that the temperature of a reactor 15 of the vapor phase growth apparatus 11 becomes a temperature Temp 2 lower than the temperature Temp 1 of the time t1 at the time t2.例文帳に追加

工程Ｓ３では、時刻ｔ２において気相成長装置１１の反応炉１５の温度が、時刻ｔ１における温度Ｔｅｍｐ１よりも低い温度Ｔｅｍｐ２になるように、アンモニアを含むガスを供給しながら時刻ｔ１以降の期間中に気相成長装置１１の温度を変更する。 - 特許庁

When a vehicle speed VSP and the engine intake air temperature TEMP_ENG_AIR rise as illustrated by accelerator stepping of t1, a transmission overheat determining time TM_OVRH corresponding to these combinations becomes 0 by reducing as illustrated.例文帳に追加

t1のアクセル踏み込みにより車速VSPおよびエンジン吸気温度TEMP_ENG_AIRが図示のごとく上昇した場合、これらの組み合わせに応じた変速機過熱判定時間TM_OVRHが図示のごとくに低下して0になる。 - 特許庁

To obtain a non-contact type semiconductor device whose shape and external appearance do not change even though the semiconductor device is left in the temp. range from a low temperature of ≤0°C to a high temp. of about 80°C.例文帳に追加

０℃以下の低温域から８０℃程度の高温域までに放置しても形状及び外観が変化しない非接触式の半導体装置を提供する。 - 特許庁