「"注入する"」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

そして、前記第１及び第２オゾン注入値の合計値に基づいて被処理水に注入するオゾンの注入量を決定する。例文帳に追加

The amount of ozone injected into the water to be treated is determined from the total of the first and second ozone injection values. - 特許庁

（１）接着剤を注入するための注入部６１を一部に有する燃料電池シーリングプレート３６を含む燃料電池。例文帳に追加

(1) The fuel cell contains the fuel cell sealing plate 36 having a pouring part 61 for pouring an adhesive in a part. - 特許庁

半導体基板１１上にマスク・パターン１４を形成し、基板上部から酸素イオン１５を注入する。例文帳に追加

A mask pattern 14 is formed on a semiconductor substrate 11, and oxygen ions 15 are implanted from the upper side of the substrate. - 特許庁

（ｂ）ゲートパターンをマスクとして、半導体基板の表層部に、ソース及びドレイン用の不純物を注入する。例文帳に追加

Impurities for source and drain are injected to the surface layer part of the semiconductor substrate (b) using the gate pattern as a mask. - 特許庁

その後、レジスト１６をマスクにしてＰｃｈＴｒ形成領域ＰＴＲの多結晶シリコン膜１３にボロンをイオン注入する。例文帳に追加

Boron is ion-implanted in the polycrystalline silicon film 13 of a PchTr forming region PTR with resist 16 as a mask. - 特許庁

イオン注入装置は真空容器２１内に放電によりプラズマを生成し、基体Ｗにイオンを注入するプラズマ源３２を備える。例文帳に追加

The ion implanter has a plasma source 32 which generates plasma in a vacuum vessel 21 and implants ion in the object W. - 特許庁

更に、レジスト１０５等をマスクとして、半導体基板１上にＮ型の導電型に対応する不純物を注入する。例文帳に追加

Furthermore, impurities corresponding to an n-conductivity type are injected into the semiconductor substrate 1 as the resist 105 and the like are used as a mask. - 特許庁

例えばドレインへ同時に注入することにより、二つの液体が混合されると、ハイポハライトと過酸化物が反応して、酸素ガスが放出される。例文帳に追加

When the two liquids are allowed to mix, for example, by simultaneously pouring into a drain, the hypohalite and the peroxide react to liberate oxygen gas. - 特許庁

液晶注入用カセット１０にて液晶パネル短冊１…を複数個支持した状態で電極基板間に液晶を注入する。例文帳に追加

A liquid crystal is injected between electrode substrates in the state that plural liquid crystal panel strips 1... are supported in the cassette 10 for liquid crystal injection. - 特許庁

Ｐ＋型層４は、半導体層３の主表面からＰ型の不純物をイオン注入することで形成したＰ＋型の拡散層である。例文帳に追加

A P+ type layer 3 is the P+ type diffusion layer formed by ion-implanting P-type impurities from a main surface of the semiconductor layer 3. - 特許庁

高濃度アンモニア水タンク１のアンモニア水を高濃度アンモニア水注入配管３よりポンプ４で給水配管５へ注入する。例文帳に追加

The aq. ammonia of a high concentrated aq. ammonia tank 1 is injected into a water supply piping 5 from a high concentrated aq. ammonia injection piping 3 by a pump 4. - 特許庁

イオン注入装置において、イオン注入する際にウエハを最適な温度にし、かつウエハの温度分布を均一に保つようにする。例文帳に追加

To provide an ion implantation device keeping a wafer at an optimum temperature, maintaining the temperature distribution of the wafer uniform at ion implantation. - 特許庁

（ｃ）ゲートパターンをマスクとして、半導体基板内に、ソース及びドレイン用の不純物とは異なる歪形成用の不純物を注入する。例文帳に追加

An impurity for forming strain and different from the impurities for source and drain is injected into the semiconductor substrate using the gate pattern as a mask (c). - 特許庁

チゲサイクリンは、非反応性ガス（例えば、窒素）を含む不活性ガス媒体を注入すること、および温度の制御により、プロセスの間保護される。例文帳に追加

Tigecycline is protected during the process by injection of an inactive gas medium containing a non-reactive gas (e.g., nitrogen) and temperature control. - 特許庁

ドレインｈａｌｏ領域（５０）は、ドレイン領域にイオンを斜めに注入することにより形成された、ドープ領域である。例文帳に追加

The drain halo region (50) is a doped region which is formed by implanting ions obliquely into the drain region. - 特許庁

膜処理システム１は膜処理装置１０に供給される原水に凝集剤を注入する凝集剤注入装置１３を備える。例文帳に追加

This membrane treatment system 1 is equipped with a flocculant injection device 13 for injecting a flocculant in the raw water supplied to a membrane treatment device 10. - 特許庁

推進管１を推進しているときに、必要に応じて推進管１と地山との間に各リリーフ弁７を介して滑材を注入する。例文帳に追加

During propulsion of the propulsion pipe 1, a lubricant is injected between the propulsion pipe 1 and the natural ground through each relief valve 7 if necessary. - 特許庁

ソーセージを差し込んだ調理パンにおいて、ソーセージに沿ってマスタードやケチャップを注入することができる用具の提供を課題とする。例文帳に追加

To provide an implement capable of pouring mustard and catsup along a sausage in a cooked bread into which the sausage is inserted. - 特許庁

凝集剤注入装置１３は前記原水のフミン質濃度に基づき凝集剤を前記原水に注入する。例文帳に追加

The flocculant injection device 13 injects the flocculant in the raw water on the basis of the concentration of humic substances of the raw water. - 特許庁

このように電極と半導体基板との間に強誘電体膜を備えていることから、活性層にキャリアを安定して注入することができる。例文帳に追加

The ferroelectric film is arranged between the electrode and the semiconductor substrate, so that carrier can be implanted stably in the active layer. - 特許庁

ＤＢＲ領域１０３に対してｐ電極１１３から電流を注入することにより、発振波長の制御が行われる。例文帳に追加

A current is implanted from the p electrode 113 to the DBR area 103, thereby controlling an oscillation wavelength. - 特許庁

その後、このゲート電極１５をマスクに不純物イオン注入することにより、ソース／ドレイン拡散層１６を形成する。例文帳に追加

Thereafter, impurity ions are implanted with this gate electrode 15 as a mask, thereby forming a source/drain diffusion layer 16. - 特許庁

発酵槽１の排気口８に、発酵槽１からの排気ガス中へ酸性水を注入する酸性水注入機構１４が設けられている。例文帳に追加

An acidic water injection mechanism 14 for injecting acidic water in the exhaust gas from the fermentation tank 1 is provided at the exhaust port 8 of the fermentation tank 1. - 特許庁

Ｓｉ基板１にＳｉＮ膜２を形成した後に、Ｓｉ^+イオンをＳｉＮ膜２のイオン注入領域３にイオン注入する。例文帳に追加

Following to formation of an SiN film 2 on an Si substrate 1, Si+ ions are implanted into the ion implanting region 3 of the SiN film 2. - 特許庁

次に、耐酸化性膜３をマスクとしてシリコン基板１にＰ型イオンを注入することによりＰ型イオン注入領域５を形成する。例文帳に追加

Then, a p-type ion is implanted into the silicon substrate 1 with the oxidation resistant film 3 as a mask to form a p-type ion implantation region 5. - 特許庁

その後、ゲートドーパント９を注入する前に、９５０℃以上１０５０℃未満の温度で熱処理（ＰＧＡ処理）８を行う。例文帳に追加

A heat treatment (a PGA treatment) 8 is conducted at the temperature from 950 to 1,050°C before a gate dopant 9 is injected. - 特許庁

ゲート電極をマスクとして、該ゲート電極の両側に第１導電型の不純物を注入する。例文帳に追加

First conductivity-type impurity is injected into the sides of the gate electrode 4 with the gate electrode 4 as a mask. - 特許庁

積層構造の絶縁膜８中のシリコン窒化膜６に基板からのホットエレクトロンを注入することにより、データの書き込みが行われる。例文帳に追加

By implanting hot electrons into the silicon nitride film 8 in the insulating film 8 of lamination structure from a substrate, data is written. - 特許庁

そして、薄膜トランジスタのしきい値電圧を制御するため、不純物をポリシリコン膜３の中にイオン注入する。例文帳に追加

For controlling threshold voltage of the thin film transistor, impurity is ion-implanted into the polysilicon film 3. - 特許庁

光を吸収した色素１３が励起され、励起された色素１３が金属酸化物半導体層１２に電子を速やかに注入する。例文帳に追加

The pigment 13 absorbing light is excited; and the excited pigment 13 quickly injects electrons to the metal oxide semiconductor layer 12. - 特許庁

次に、吸引ポンプ７により枠体６内の空気を排出して、充填ポンプ８によりグラウト材５を注入する。例文帳に追加

Air inside the frame body 6 is then discharged by the suction pump 7 and the grout material 5 is filled by the filling pump 8. - 特許庁

取鍋１内の溶鋼をタンディッシュ３内に注入する際には、取鍋１を１〜２度傾斜させる。例文帳に追加

When the molten steel in the ladle 1 is injected into a tundish 3, the ladle 1 is tilted by 1 to 2 degrees. - 特許庁

これは、画素部の各トランジスタだけにマスクを施し、その他の領域について、イオン注入によってボロンを注入する。例文帳に追加

In this case only respective transistors in the pixel part are masked and boron is injected into other regions by ion implantation. - 特許庁

また、トレンチ溝２の底面に対し垂直な方向からイオン注入をし、底面部分にのみ不純物イオンを注入する。例文帳に追加

Also, the ions are implanted from a vertical direction to the bottom surface of the trench 2 and the impurity ions are implanted only to a bottom surface part. - 特許庁

注入対象領域１に対して振動を与えつつ、注入対象領域１にグラウトを注入するグラウト注入方法である。例文帳に追加

In this method for injecting the grout, the grout is injected into an injection target area 1 while vibrations are applied to the injection target area 1. - 特許庁

アース用電線１の裸線導体１ａを取り囲むように金型５を取り付け、金型５内に発泡ウレタンを注入する。例文帳に追加

A die 5 is installed so as to surround a bare conductor 1a of the grounding electric wire 1, and urethane foam is injected into the die 5. - 特許庁

イオン注入装置１５は、前記演算装置により演算されたドーズ量のデータに基づき、前記ウェハにイオンを注入する。例文帳に追加

An ion implantation device 15 implants ions into the wafer on the basis of the data on the dosage computed by the arithmetic unit. - 特許庁

次にウェハ表面にホウ素イオンを注入することにより不純物注入領域１１を形成する。例文帳に追加

Next, an impurity implanting region 11 is formed by implanting boron ions into the surface of the wafer. - 特許庁

半導体基板１上にイオン注入することでチャネル領域となる低濃度不純物領域３を形成する。例文帳に追加

By implanting ions onto a semiconductor substrate 1, a low concentration impurity region 3 to be a channel region is formed. - 特許庁

同一の不純物を異なる深さにイオン注入する場合に、作業が煩雑とならず、スループット良く処理を行うこと。例文帳に追加

To avoid complicated works and perform processing with a good through-put in the ion implanting of the same impurities into different depths. - 特許庁

さらにＳｉ基板１１内にＰ型不純物イオンを注入することによってソース・ドレイン領域２１を形成する。例文帳に追加

A source/drain region 21 is formed by implanting P-type impurity ions into the Si substrate 11. - 特許庁

異なるゲート絶縁膜厚を搭載するプロセスにインジウムを効果的に注入することができる半導体装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for effectively injecting indium into a process for mounting different gate insulating film thicknesses. - 特許庁

次に、このサイドキャップ膜６をマスクとして、ヒ素イオンをイオン注入することで、高濃度のソース領域７ｂを形成する。例文帳に追加

Then, a high concentration source region 7b is formed by implanting arsenic ion taking the side cap film 6 as a mask. - 特許庁

すなわち、エキゾーストパイプ２に弱酸性の洗浄液を注入するという簡易な操作で、触媒コンバータ３を再活性化させることができる。例文帳に追加

Specifically, the catalyst converter 3 can be reactivated by a simple operation for injecting weak acidic cleaning liquid into an exhaust pipe 2. - 特許庁

そして、ゲート絶縁膜３（または６）越しに、トランジスタ形成領域２２０，２３０の半導体基板１に対して、窒素またはフッ素を注入する。例文帳に追加

Then nitrogen or fluorine is implanted in the semiconductor substrate 1 in the transistor formation region 220, 230 through the gate insulating films 3 (or 6). - 特許庁