「"注入する"」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

サイドウォール１２及びゲート電極６ａをマスクとしてソース／ドレイン領域形成用のボロンイオン１３を注入する。例文帳に追加

Boron ions 13 for a source/drain region formation are injected by using the sidewall 12 and the gate electrode 6a as masks. - 特許庁

イオン発生装置６により発生させたイオンを真空容器３の内部に導入し、注入するイオンを含むプラズマを発生させる。例文帳に追加

Ions generated by the ion generation equipment 6 are introduced into a vacuum chamber 3, where a plasma containing the ions to be injected is generated. - 特許庁

半導体基板の材料とは格子定数が異なる元素をその絶縁膜中にイオン注入する（Ｓ２）。例文帳に追加

An element whose lattice constant differs from that of the semiconductor substrate material is ion-implanted into the insulating film (S2). - 特許庁

具体的には、半導体層に正孔を注入する際イオン液体（陰イオン種）としてＴＦＳＩやＦＳＩを用いる。例文帳に追加

More specifically, TFSI or FSI is used as the ion liquid (negative ion species) when injecting the hole into the semiconductor layer. - 特許庁

半導体基板１上にポリシリコン膜を形成し、ポリシリコン膜の上からＢをイオン注入する。例文帳に追加

A polysilicon film is formed on a semiconductor substrate 1, and B is subjected to ion implantation on the polysilicon film. - 特許庁

このことにより遮蔽版によりイオン注入が妨げられていた部分に順次イオン注入する事が可能となる。例文帳に追加

This realizes sequential ion implantation into parts being blocked from the ion implantation by the shield. - 特許庁

Ｔｉ−Ａｌ系合金からなる基材をフッ素イオン含有プラズマ中においてプラズマベースイオン注入法でフッ素イオンを注入する。例文帳に追加

Fluorine ions are implanted into a base material consisting of a Ti-Al based alloy in a fluorine ion-containing plasma by a plasma base ion implantation method. - 特許庁

海中のヒトデにアンモニウム塩を注入する方法により、安全かつ簡単にヒトデを駆除することができる。例文帳に追加

The method for safely and simply exterminating starfish comprises injecting an ammonium salt to starfishes in the sea. - 特許庁

イオン注入工程（Ｓ１２）は、レジストマスク２の開口２Ａから露出するパターン領域１Ａにイオンを注入する。例文帳に追加

In the ion implantation process (S12), ions are implanted in a pattern region 1A exposed from the opening 2A of the resist mask 2. - 特許庁

上記ラジカルは、被処理水にオゾンおよび過酸化水素を注入することにより生成させたラジカルであることが好ましい。例文帳に追加

The radical is preferably produced by pouring ozone and hydrogen peroxide in the water to be treated. - 特許庁

基盤上に製膜した光触媒薄膜にＮｂ、Ｖ及びＣｒのうちいずれからの金属イオンを注入する。例文帳に追加

A metal ion of a metal selected from Nb, V and Cr is injected into a photocatalyst thin film formed on a substrate. - 特許庁

アレイ基板と対向基板とを貼り合わせ後に、ガラス基板１、２１の各内部に水素イオン３１をイオン注入する。例文帳に追加

After an array substrate and a counter substrate are stuck to each other, hydrogen ion 31 implantation is performed into respective insides of glass substrates 1, 21. - 特許庁

レーザ照射の後に、ゲート電極の下方の半導体基板の表面層に、しきい値制御用の不純物を注入する。例文帳に追加

Impurity for threshold control is injected into the surface layer of the semiconductor substrate, below the gate electrode 4 after the irradiation of the laser beam. - 特許庁

通気装置２と発酵槽１との間に、発酵槽１へオゾンを注入するオゾン発生装置３が配置されている。例文帳に追加

An ozone generator 3 for injecting ozone in the fermentation tank 1 is arranged between the air feed device 2 and the fermentation tank 1. - 特許庁

その後、層間絶縁膜及びゲイト電極をマスクとして、前記露呈されたゲイト電極の下の半導体層に不純物を注入する。例文帳に追加

Next, impurities are implanted into the semiconductor layer under the exposed gate electrode using the interlayer dielectric and the gate electrodes as masks. - 特許庁

半導体基板に、第１の深さにおいて濃度分布が最大になるように第１の不純物を注入する。例文帳に追加

Into the semiconductor device, first impurities are injected so that density distribution becomes maximum at a first depth. - 特許庁

オフ角を有するシリコン基板中にイオン注入する際、犠牲酸化膜５の成長においてラジカル酸素を用いる。例文帳に追加

When implanting ions into the silicon substrate having the off angle, radical oxygen is used in growing a sacrifice oxide film 5. - 特許庁

次に、流動性を有する硬質発泡ウレタン樹脂等の断熱材となる原液を枠体内に注入する。例文帳に追加

Then the concentrate solution as the heat insulating material such as hard foamed urethane resin having fluidity, is injected into the frame bodies. - 特許庁

半導体基板１の表面中であって、ゲート電極４の両側にソース／ドレインを形成するための不純物イオンを注入する。例文帳に追加

Impurity ions are implanted onto both sides of the electrode 4 on the surface of the substrate 1 to form a source and a drain. - 特許庁

六方晶単結晶の炭化珪素基板１１の（０００１）面にリン（Ｐ）をイオン注入することで、その部分をアモルファス層１２にする。例文帳に追加

Phosphorus (P) is ion-injected into a (0001) surface of the silicon carbide substrate 11 of hexagonal single crystal to make the part into an amorphous layer 12. - 特許庁

スペーサ膜５をマスクとして、リンイオンをＰ型半導体基板１中にイオン注入することで、低濃度のソース領域７ａを形成する。例文帳に追加

A low concentration source region 7a is formed by implanting phosphorus ion into a p-type semiconductor substrate 1 taking a spacer film 5 as a mask. - 特許庁

本方法はまた、第２の注入工程を実施して第２の種類の追加のドーパントをシリコン層内に注入することを含む。例文帳に追加

The method also includes performing a second implant process to implant additional dopant of the second type in the silicon layer. - 特許庁

能動セレクタスイッチ２６を操作してポンプ光を選択したエルビウム添加導波路１１に注入する。例文帳に追加

Pump light is introduced to the selected erbium added waveguide 11 by operating the active selector switch 26. - 特許庁

基板へ不純物イオンを注入する際に不純物濃度の均一性を向上させることができるオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implantation device capable of enhancing uniformity of impurity concentration when impurity ions are injected into a substrate. - 特許庁

下部基板１０と上部基板２０との間に、液晶分子３１と青色染料分子３２を含む液晶層３０を注入する。例文帳に追加

A liquid crystal layer 30 containing liquid crystal molecules 31 and blue dye molecules 32 is injected into the gap between a lower substrate 10 and an upper substrate 20. - 特許庁

更に、これらをマスクとしてボロンイオンを溝２１の底部にイオン注入することにより、チャネルストップ拡散層７を形成する。例文帳に追加

Furthermore, by utilizing the same mask, boron ions are ion-implanted to bottoms of the grooves 21 to form a channel-stop diffusion layer 7. - 特許庁

補助容量半導体層37を形成し、レジストを形成した後、補助容量半導体層37に不純物イオンを注入する。例文帳に追加

After an auxiliary capacitance semiconductor layer 37 and then a resist mask are formed, impurity ions are injected into the auxiliary capacitance semiconductor layer 37. - 特許庁

第２の電極が、第１の電極から注入されるキャリアとは反対の電荷を有するキャリアを活性層内に注入する。例文帳に追加

A second electrode injects another carrier having charges opposite to those of the carrier injected from the first electrode into the active layer. - 特許庁

ヒドラジンを、循環配管内を流れる水（または給水配管から戻された皮膜形成水溶液）に注入する（Ｓ４）。例文帳に追加

Hydrazine is injected to the water (or film forming aqueous solution returned from the water supply pipe) flowing inside the circulation pipe (S4). - 特許庁

次に、金属物質が溶出した酸性溶液を、溶解槽１から中和槽２に移送し、その後、中和槽２に塩基性試薬を注入する。例文帳に追加

Then, the acidic solution from which the metal substance is eluted is transferred from the melting tank 1 into a neutralizing tank 2, and then a basic reagent is injected into the neutralizing tank 2. - 特許庁

トルクワイヤ本体１８の内部の流路３８にその基端側から音響媒体を加圧注入する。例文帳に追加

A sound medium is injected into an inside flow path 38 of the torque wire main body 1 from the base end side. - 特許庁

第２イオンを注入する際に、第２マスクの第２内壁面で反射した第２イオンを第２領域に供給する。例文帳に追加

At the implantation of the second ion, the second ion reflected on a second inner wall surface of the second mask is supplied to the second region. - 特許庁

第１イオンを注入する際に、第１マスクの第１内壁面で反射した第１イオンを第１領域に供給する。例文帳に追加

At the implantation of the first ion, the first ion reflected on a first inner wall surface of the first mask is supplied to the first region. - 特許庁

エポキシ樹脂と充填剤とを攪拌混合させた、充填剤混合エポキシ樹脂を、注入口２から注形型１内に注入する。例文帳に追加

A filler-blended epoxy resin in which epoxy resin and the filler are stirred and mixed is injected from an injection port 2 into a casting mold 1. - 特許庁

昇温後、Ｂ系内の水をＡ系内に移送しながら、酸化除染剤を含む酸化除染液を水に注入する。例文帳に追加

After the temperature rise, while transferring the water in the B-system into the A-system, oxidization decontamination liquid containing an oxidization decontamination agent is injected into the water. - 特許庁

オゾン処理手段３は、膜分離手段４の透過水中にオゾンが残留するようにオゾンを注入する。例文帳に追加

By the ozone treatment means 3, ozone is injected so as to allow the ozone to remain in the permeated water of the membrane separation means 4. - 特許庁

電解液９をラミネートフィルム６内に注入すると、活性炭電極であるシート３からエアーが発生する。例文帳に追加

When electrolyte 9 is injected in a laminate film 6, air is generated from the sheet 3 as an active carbon electrode. - 特許庁

本発明は、半導体基板の表面に開口するトレンチの側面にイオンを注入する装置に具現化することができる。例文帳に追加

The technique can be realized in a device for implanting ions to the side of the trench opened on the surface of a semiconductor substrate. - 特許庁

GaInNAs量子井戸層4を活性層とするリッジ型レーザにおいてメサストライプ６の脇の10の領域にAlをイオン注入する。例文帳に追加

Al ions are implanted into an area 10 aside a mesa stripe 6 in a ridged laser wherein a GaInNAs quantum well layer 4 is an active layer. - 特許庁

側壁スペーサをマスクとして使用して、ゲートの対向する両側のシリコン層に１対のソース／ドレイン領域をイオン注入する。例文帳に追加

Using the sidewall spacers as a mask, ion implantation is performed for a pair of source/drain regions on the both sides of the opposite silicon layers. - 特許庁

処理基板面内にイオンをより均等に注入することができるプラズマドーピング方法及びプラズマドーピング装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma doping method and a plasma doping device capable of injecting ions more homogeneously into a treated substrate surface. - 特許庁

配管に設けた成型断熱材の目地部に注入する発泡ウレタン材料が目地部からはみ出さないようにする充填補助具を提供する。例文帳に追加

To provide a filling auxiliary tool preventing urethane foam material injected into joint parts of molded heat insulating materials provided on piping from sticking out of the joint parts. - 特許庁

流体の薬剤を注入するためのシステム及び方法は、その遠位端に取り付けられた注入部材を有する留置カテーテルを必要とする。例文帳に追加

A system and method for infusing a fluid medicament requires an indwelling catheter having an infusion member attached to its distal end. - 特許庁

ｐＭＯＳ形成領域におけるゲート電極周辺のシリコン基板１表面にフッ素イオンをイオン注入する。例文帳に追加

Fluorine ions are implanted into the surface of a silicon substrate 1 around a gate electrode in a PMOS forming region. - 特許庁

そして不純物イオン６をシリコン窒化膜１６を介してシリコン基板１の主面にイオン注入する。例文帳に追加

Impurity ions 6 are implanted into the surface of the silicon substrate 1 through the intermediary of the silicon nitride film 16. - 特許庁