「"SWITCHED CONNECTION"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A component outside plane by switched connection is introduced into a high anisotropic material.例文帳に追加

したがって、高異方性材料は、交換結合による平面外成分を導入する。 - 特許庁

To provide a switched connection film which is thermally stable and has large MR ratio, and a manufacturing method of a magnetoresistive effect element, a magnetoresistive effect head and a switched connection film.例文帳に追加

熱的に安定で、ＭＲ比が大きい交換結合膜、磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッドおよび交換結合膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

A ferromagnetic stabilization layer 304 is combined in switched connection by a second antiferromagnetism layer 306 in such a manner that it is separated from the free layer 210 by a spacer layer 302.例文帳に追加

強磁性安定化層304は自由層210とはスペーサ層302によって隔てられ、第２の反強磁性層306と交換結合されている。 - 特許庁

On the antiferromagnetic layer 53, a reference layer 56 that fixes magnetization in the predetermined direction is laminated based on the switched connection with the antiferromagnetic layer 53.例文帳に追加

反強磁性層５３上には、反強磁性層５３との交換結合に基づき所定の方向に磁化を固定するリファレンス層５６が積層される。 - 特許庁

SWITCHED CONNECTION FILM AND ITS MANUFACTURE, MAGNETO- RESISTANCE EFFECT ELEMENT USING THE FILM, AND THIN-FILM MAGNETIC HEAD USING THE ELEMENT例文帳に追加

交換結合膜とその製造方法、前記交換結合膜を用いた磁気抵抗効果素子、ならびに、前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド - 特許庁

When the head 16 is 180° rotated around a (y) axis, the positions of the fibers 11, 12 are replaced to become switched connection.例文帳に追加

ヘッド１６をｙ軸の周りに180度反転させると、ファイバ１１，１２の位置が入れ替わり、切り替え接続となる。 - 特許庁

Switched connection is obtained between an anti-ferromagnetic layer and a pinned layer by this pin-annealing processing.例文帳に追加

このピンアニール処理により、反強磁性層とピンド層との間に交換結合が付与されることとなる。 - 特許庁

To enhance a switched-connection magnetic field in a spin valve type magnetoresistance effect multilayered film formed using an X-Mn type anti-ferromagnetic material.例文帳に追加

Ｘ−Ｍｎタイプの反強磁性材料を使用したスピンバルブ型磁気抵抗効果多層膜において交換結合磁界を向上する。 - 特許庁

When engaging destination of the intermediate shaft is switched, connection destination of the assist motor is switched on an engine side and a clutch motor side.例文帳に追加

中間軸の係合先を切り替えるとアシストモータの結合先がエンジン側、クラッチモータ側で切り替わる。 - 特許庁

To provide a piping connection switching device that can achieve a switched connection between one pipe and a plurality of pipes through a simple structure.例文帳に追加

簡便な構造により、１対複数の配管の切換え接続を実現することのできる配管接続切換装置を提供することにある。 - 特許庁

Thus, the entire film thickness of spin valve film 1 can be thinner while the switched connection magnetic field at the anti-ferromagnetic film 7 is held.例文帳に追加

このことにより、反強磁性膜７における交換結合磁界を保持したまま、スピンバルブ膜１全体の膜厚を薄くすることが可能となる。 - 特許庁

To ensure sufficiently strong switched connection between a reverse ferromagnetic layer and a ferromagnetic layer to improve the yield and reliability of a magnetroresistance effect head.例文帳に追加

十分に高い強磁性層との交換結合を確保し、磁気抵抗効果ヘッドの歩留まりや信頼性を向上する。 - 特許庁

SWITCHED CONNECTION FILM, MAGNETO-RESISTIVE ELEMENT UTILIZING THE FILM, THIN FILM MAGNETIC HEAD UTILIZING THE MAGNETO-RESISTIVE ELEMENT例文帳に追加

交換結合膜と、この交換結合膜を用いた磁気抵抗効果素子、ならびに、前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド - 特許庁

To provide a switched-connection element that achieves a thinner film stack, especially a thinner antiferromagnetic film, and improves a one-way anisotropy constant J_k and a blocking temperature T_B, and its preferable manufacturing method as well as a device equipped with the switched-connection element.例文帳に追加

積層膜、特に反強磁性膜の薄型化，一方向異方性定数Ｊ_kの向上およびブロッキング温度Ｔ_Bの向上を図った交換結合素子とその好適な製造方法並びに交換結合素子を具備したデバイスを提供する。 - 特許庁

This indicates the fact that even though the thickness tAF of its antiferromagnetic layer 16 is small, its switched connection is existent between its ferromagnetic layer 14 and its antiferromagnetic layer 16, and the intensity Jc thereof is larger than the intensity Jc (white circular points) of its switched connection which is determined from its switched bias magnetic field He.例文帳に追加

これは、反強磁性層１６の厚みｔAFが薄くても強磁性層１４と反強磁性層１６の間に交換結合が存在しており、その強さＪｃは、交換バイアス磁界Ｈｅから決定した交換結合の強さＪｃ（白丸）よりも大きい。 - 特許庁

A switched connection film 100 contains a ferromagnetic material layer 3 and a magnetization rotation restraining layer, which is arranged in the vicinity of the ferromagnetic material layer 3 in order to prevent magnetization rotation of the ferromagnetic material layer 3.例文帳に追加

交換結合膜１００は、強磁性体層３と、強磁性体層３の磁化回転を抑制する目的で強磁性体層３と隣接して設けられた磁化回転抑制層を含み、磁化回転抑制層は、（ＡＢ）_2Ｏ_X層２を含む。 - 特許庁

An inclined crystal grain structure reverse ferromagnetic film 23 made by an oblique incidence method is used to obtain a strong switched connection magnetic field between the reverse ferromagnetic film 23 and a ferromagnetic film 24.例文帳に追加

斜め入射法により作製した傾斜結晶粒構造反強磁性膜２３を用いることにより、強磁性膜２４との高い交換結合磁界が得られる。 - 特許庁

Therefore, by using the large switched connection existent between its ferromagnetic and antiferromagnetic layers of its region WA, its excellent high-frequency permeability characteristic is obtained.例文帳に追加

従って、領域ＷＡにおける大きな強磁性層−反強磁性層間交換結合を利用することで、優れた高周波透磁率特性を得ることができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a thin film magnetic head in which it can be prevented that a direction of a switched connection magnetic field is disturbed even when a material having low blocking temperature is used for an anti-ferromagnetic layer included in a MR element.例文帳に追加

ＭＲ素子に含まれる反強磁性層にブロッキング温度が低い材料を用いた場合でも、交換結合磁界の方向が乱されるのを防ぐことが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The fixed layer (9A) includes a first antiferromagnetic layer (9a) that performs switched connection with the antiferromagnetic layer (8) to fix the magnetization direction, and a second ferromagnetic layer (9b) that is connected in antiparallel with the first ferromagnetic layer through a non-ferromagnetic layer (10).例文帳に追加

固着層（９Ａ）は、反強磁性層（８）と交換結合してその磁化方向が固定される第１の強磁性層（９ａ）と、非磁性層（１０）を介して第１の強磁性層と反平行結合する第２の強磁性層（９ｂ）を含む。 - 特許庁

The magnetic detection element is formed of an electrode layer 35 of soft magnetic materials at both sides of a laminated body 23, and an antiferromagnetic layer 34 forming a laminate structure together with the electrode layer 35 and producing a switched connection magnetic field for the electrode layer 35.例文帳に追加

積層体２３の両側に軟磁性材料で形成された電極層３５と、前記電極層３５と積層構造を成し、前記電極層３５との間で交換結合磁界を生じさせる反強磁性層３４を形成する。 - 特許庁

A magnetic domain control is performed at a ferromagnetism free layer where magnetization rotates in accordance with an external magnetic field by granting of an unidirectional magnetic anisotropy with switched connection of antiferromagnetism, and the effective playback track width is narrowed by disposing a hard magnetic film at an edge part of a magneto-resistive film.例文帳に追加

外部磁界に応じて磁化が回転する強磁性自由層に、反強磁性層との交換結合による一方向磁気異方性を付与して磁区制御を行い、かつ、磁気抵抗効果膜の端部に硬磁性膜を配置させ、実効再生トラック幅を狭くする。 - 特許庁

The magneto-optical recording medium has a recording layer on which a recording mark is formed by recording information and an auxiliary control layer that controls a recording state of the recording layer through magnetic switched connection and the magneto-optical recording medium is realized by placing the auxiliary control layer to a lower part or an upper part of the recording layer.例文帳に追加

情報が記録されることにより記録マークが形成される記録層と、磁気的な交換結合により記録層の記録状態を制御する補助制御層とを有し、補助制御層は、記録層の下部又は上部に設置することにより実現する。 - 特許庁

The direction of magnetization of the ferromagnetic layer 23 is fixed by the switched connection with the anti-ferromagnetic layer 22 and the directions of magnetization of the first soft magnetic layer 25 and the second soft magnetic layer 26 are changed by an external magnetic field and the electric resistance of the layered product 20 is changed in accordance with their relative angle.例文帳に追加

強磁性層２３の磁化の向きは反強磁性層２２との交換結合により固定され、第１軟磁性層２４および第２軟磁性層２５の磁化の向きは外部磁場により変化し、その相対角度に応じて積層体２０の電気抵抗が変化する。 - 特許庁

First and second magnetic thin films having at least respectively perpendicular magnetic anisotropy are sequentially stacked via a third magnetic thin film, and the second magnetic thin film comprising first and second configuration films stacked in switched connection to configure the magneto-optical recording medium.例文帳に追加

少なくともそれぞれ垂直磁気異方性を有する第１及び第２の磁性薄膜が、第３の磁性薄膜を介して順次積層されてなり、第２の磁性薄膜は、交換結合された第１及び第２の構成膜が積層されてなる光磁気記録媒体を構成する。 - 特許庁

In a switched-connection element 1 that is formed by stacking an antiferromagnetic layer 4 and a ferromagnetic layer 5 in order on a substrate 2, the ferromagnetic layer 5 that is connected to the antiferromagnetic layer by switching, the antiferromagnetic layer 4 has a regular phase (Mn_3Ir) of an Mn-Ir alloy.例文帳に追加

基板１上に、反強磁性層４、及び前記反強磁性層と交換結合する強磁性層５が順次積層されてなる交換結合素子１において、前記反強磁性層４が、Mn-Ir合金の規則相（Mn_3Ir）を備えるものとする。 - 特許庁

The magneto-static connection of the hard magnetic magnet films 31a and 31b with the soft magnetic films 33a and 33b is operated with the non-magnetic films 32a and 32b interposed, and the switched connection of the element 17a with the bias magnet films 14a and 14b is operated.例文帳に追加

前記硬質磁性の磁石膜３１ａ，３１ｂと前記軟質磁性膜３３ａ，３３ｂとは前記非磁性膜３２ａ，３２ｂを挟んで静磁結合するとともに、前記素子１７ａと前記バイアス磁石膜１４ａ，１４ｂとは交換結合している。 - 特許庁

A preferable manufacturing method for the switched-connection element is when forming an antiferromagnetic thin film layer, to heat a substrate up to a specified temperature preset so as to form the regular phase of the Mn-Ir alloy, and to apply annealing treatment to it after the antiferromagnetic thin film layer has been formed.例文帳に追加

上記交換結合素子の好適な製造方法としては、反強磁性薄膜層を形成する際に、基板を、Mn-Ir合金の規則相を形成するために予め定めた所定の基板温度となるように加熱し、かつ反強磁性薄膜層の形成後に、アニール処理を行う。 - 特許庁

Since switched connection between magnetization of rare earth metals and magnetization of transition metals of the recording layer and the magnetism stabilization layer is performed, two layers as a magnetic layer and the magnetism stabilization layer are regarded as one magnetic material and activation volume in this case becomes for two layers as the recording layer and the magnetism stabilization layer.例文帳に追加

記録層と磁化安定化層の希土類金属の磁化同士、遷移金属の磁化同士が交換結合しているので、磁性層と磁化安定化層の２層を１つの磁性体とみなすことができ、この場合の活性化体積は記録層と磁化安定化層の２層分となる。 - 特許庁

A contents provider side server terminal 200 notifies a client terminal 100 of a switched connection destination as connection control information in response to a request from a user, and the terminal 100 is switched and connected to a switched destination server terminal 300 arranged in a closed network having access limitation by performing connection control processing to the switched destination by the terminal 100 in accordance with the connection control information.例文帳に追加

利用者の要求に応じて、コンテンツ提供者側サーバ端末２００からクライアント端末１００へ切替接続先を接続制御情報として通知し、これに応じてその切替先への接続制御処理をクライアント端末１００で行うことにより、アクセス制限のある閉域ネットワーク内に配置されたサービス提供用の切替先サーバ端末３００へ切替接続する。 - 特許庁

An antiferromagnetic layer 24 that can cause a switched connection bias between it and a free magnetic layer 23 of each of the magnetic resistance effect elements to be generated without anneal processing in the magnetic field and the magnetizing directions of the free magnetic layers 23 to be aligned with the sensitivity axis directions in a state permitting variations of magnetization is disposed on the upper faces of the free magnetic layers 23.例文帳に追加

各磁気抵抗効果素子のフリー磁性層２３の上面には、フリー磁性層２３との間で磁場中でのアニール処理を行うことなく交換結合バイアスを生じさせ各フリー磁性層２３の磁化方向を磁化変動可能な状態で感度軸方向に対して直交方向に揃えることができる反強磁性層２４が設けられている。 - 特許庁