「"a si"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

After wet etching the metal film 106, n^+a-Si film 105 and an a-Si film 104 are dry etched.例文帳に追加

金属膜１０６をウエットエッチングした後、ｎ^＋ａ−Ｓｉ膜１０５、ａ−Ｓｉ膜１０４をドライエッチングする。 - 特許庁

A test wafer with a a-Si film 3 formed on a Si wafer 1 through a SiN film 2 is used for the evaluation.例文帳に追加

Ｓｉウェハ１上にＳｉＮ膜２を介してａ−Ｓｉ膜３が形成されてなるテストウェハを用いる。 - 特許庁

An a-Si film 12 is heat treated to form an a-Si film 12a in which nuclei are generated.例文帳に追加

ａ−Ｓｉ膜１２に加熱処理を行って、結晶核が発生したａ−Ｓｉ膜１２ａを形成する。 - 特許庁

The β-zeolite having a Si/2A1 ratio of 20-2,000 is used.例文帳に追加

Ｓｉ／２Ａｌ比が２０〜２０００のβ−ゼオライトを用いる。 - 特許庁

A plurality of acoustic sensors 51 are provided on a Si wafer.例文帳に追加

Ｓｉウエハの上に複数個の音響センサ５１を設ける。 - 特許庁

A dummy gate electrode 3 is formed on a Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にダミーゲート電極３を形成する。 - 特許庁

Further, the a-Si layer is polycrystallized by first heat treatment, and a poly-Si layer 34 is formed of the a-Si layer.例文帳に追加

さらに、第１の熱処理によりａ−Ｓｉ層を多結晶化して、ａ−Ｓｉ層からｐｏｌｙ−Ｓｉ層３４を形成する。 - 特許庁

Etching is conducted using the resist pattern as a mask on the a-Si membrane by dry etching by using CF_4 gas to form a Si mask 5.例文帳に追加

レジストパターン４をマスクとしてＣＦ_４ガスを用いたドライエッチングでａ−Ｓｉ膜をエッチングしてＳｉマスク５を形成する。 - 特許庁

A TFT element 1 comprises: a P doped n^+a-Si film 6 formed on an a-Si film 5; and an Si film 7 of less than 1 nm formed on the P doped n^+a-Si film 6.例文帳に追加

ＴＦＴ素子１は、ａ−Ｓｉ膜５上に形成されたＰドープｎ^＋ａ−Ｓｉ膜６と、Ｐドープｎ^＋ａ−Ｓｉ膜６上に形成された１ｎｍ以下のＳｉ酸化膜７を有している。 - 特許庁

Finally, an a-Si film 104 containing Ni and P is removed.例文帳に追加

最後に、Ｎｉ,Ｐを含有するａ−Ｓｉ膜１０４を除去する。 - 特許庁

A Si layer 13 and a SiGe layer 11 are formed on a Si substrate 1 and a groove h1 is also formed along the external circumference of an element region.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＳｉ層１３／ＳｉＧｅ層１１を成膜し、素子領域の外周に沿って溝ｈ１を形成する。 - 特許庁

Thereafter, dehydrogenation annealing of the a-Si film 13a is performed by RTA.例文帳に追加

その後、ＲＴＡによりａ−Ｓｉ膜13aの脱水素アニールを行う。 - 特許庁

To prevent or inhibit the corrosion of a-Si and p-Si.例文帳に追加

ａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉの腐蝕を阻止又は大幅に抑制する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a Si-based material with good manufacturing efficiency.例文帳に追加

生産効率の良いＳｉ系材料の製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve irregularity of a color in a color copying machine using an a-Si (amorphous silicon) photoreceptor.例文帳に追加

ａーＳｉ系感光体を使うカラー複写機の色ムラの改善。 - 特許庁

The core 42 comprises a structure composed by laminating a Si thin film 421, a polymer thin film 422 and a Si thin film 423 in a direction vertical to the substrate 1.例文帳に追加

コア４２は、Ｓｉ薄膜４２１、ポリマ薄膜４２２およびＳｉ薄膜４２３を基板１に垂直な方向へ積層した構造からなる。 - 特許庁

To dissolve problems on the manufacture of a Si containing film.例文帳に追加

Ｓｉ含有膜の製造における幾つかの問題を解決すること。 - 特許庁

In the A-Si drum, a voltage limiter is provided in a transfer power source.例文帳に追加

Ａ−Ｓｉドラムにおいて、転写電源に電圧リミッターを設ける。 - 特許庁

An image of an excellent black grade can be obtained by using a high performance specified a-Si photoreceptor in a black image forming part.例文帳に追加

そのうちのBk画像形成部に、高性能な、特定のa−Si感光体を使用することにより、黒品位の優れた画像をうることができる。 - 特許庁

Namely, an a-Si film is immediately formed on the crystallite film.例文帳に追加

すなわち、微結晶膜上に直ちにａ−Ｓｉ膜が形成される。 - 特許庁

Then poly-Si and a-Si are dry etched simultaneously to remove only the a-Si using the difference in etching speed, thereby leaving only the poly-Si layer 107.例文帳に追加

ｐｏｌｙ−Ｓｉとａ−Ｓｉを同時にドライエッチングし、エッチング速度の差によってａ−Ｓｉのみ除去し、ｐｏｌｙ−Ｓｉ層１０７を残留させる。 - 特許庁

Thereafter, the chemical oxide film of the surface of the non-doped a-Si film is so removed therefrom by using an argon-excimer lamp that the cleaned surface of the a-Si film appears thereon.例文帳に追加

その後、アルゴンエキシマランプを用いてノンドープａ−Ｓｉ膜の表面のケミカル酸化膜の除去がなされ、ａ−Ｓｉ膜の清浄表面が現れる。 - 特許庁

The core 43 comprises a structure composed by laminating a Si thin film 431, a polymer thin film 432 and a Si thin film 433 in the direction vertical to the substrate 1.例文帳に追加

コア４３は、Ｓｉ薄膜４３１、ポリマ薄膜４３２およびＳｉ薄膜４３３を基板１に垂直な方向へ積層した構造からなる。 - 特許庁

Then, a second n+a-Si layer 105 is formed on the first n+a-Si layer 104, and so as to cover the side surfaces of the semiconductor layer 103.例文帳に追加

その後、２層目のｎ＋ａ−Ｓｉ層１０５を１層目のｎ＋ａ−Ｓｉ層１０４の上と、半導体層１０３の側部を覆うように形成する。 - 特許庁

An i-type a-Si layer 2 and a p-type a-Si layer 3 are deposited on the substrate 1 (an n-type silicon wafer), and a PIN junction is formed (a).例文帳に追加

基板１（ｎ型シリコンウエハ）上に、ｉ型ａ−Ｓｉ層２及びｐ型ａ−Ｓｉ層３を堆積させてｐｉ接ｎ合を作成する（ａ）。 - 特許庁

An a-Si film 12 is formed all over a quartz substrate 11 and a protection film 13 is formed in a region which becomes a display part on the a-Si film 12.例文帳に追加

石英基板１１全面にａ−Ｓi膜１２を形成し、そのａ−Ｓi膜膜１２上の表示部となる領域に保護膜１３を形成する。 - 特許庁

To achieve energy saving while securing exposure for an a-Si photoreceptor drum in an exposure device that exposes an a-Si photoreceptor drum.例文帳に追加

ａ−Ｓｉ感光体ドラムを露光する露光装置において、ａ−Ｓｉ感光体ドラムへの露光量を確保しつつ、省エネルギー化を可能にする。 - 特許庁

To provide a composite treating device which continuously subjects a film-like long-sized substrate to deposition of a-Si and p-Si chemical conversion treatment of a-Si.例文帳に追加

フィルム状の長尺基板に対して、ａ−Ｓｉの成膜とａ−Ｓｉのｐ−Ｓｉ化処理を連続的に行う複合処理装置を提供する。 - 特許庁

The single crystal substrate 1 is made of a Si substrate having the crystal plane direction of (111).例文帳に追加

単結晶基板１はＳｉ基板とし、その面方位は（１１１）とする。 - 特許庁

The a-Si layer 108 is removed from a channel portion by channel etching.例文帳に追加

チャネル部からはチャネルエッチングによってａ−Ｓｉ層１０８が除去されている。 - 特許庁

To achieve flash lamp annealing method that does not damage a Si wafer.例文帳に追加

Ｓｉウェハ中にダメージを発生させないフラッシュランプアニール法を実現すること。 - 特許庁

A recessed part 4 is formed by etching the principal surface of a Si substrate 3.例文帳に追加

Ｓｉ基板３の主表面をエッチングすることにより凹部４を形成する。 - 特許庁

An a-Si film 14 containing P is then formed directly on the entire surface of the CGS film 13 and Ni element is gettered from the CGS film 13 to the a-Si film 14 by heat treating the CGS film 13 and the a-Si film 14.例文帳に追加

ＣＧＳ膜１３上の全面に、Ｐを含有したａ−Ｓｉ膜１４を直接形成して、ＣＧＳ膜１３,ａ−Ｓｉ膜１４に加熱処理を施すことにより、ＣＧＳ膜１３からａ−Ｓｉ膜１４にＮｉ元素をゲッタリングする。 - 特許庁

An interface 76 is formed after a high-quality a-Si layer 78 is deposited at a low rate of deposition on the g-SiN_x film 74, and then an average quality a-Si layer 80 is deposited, which completes the arrangement of the a-Si layers.例文帳に追加

低い堆積速度で高品質のａ−Ｓｉ層７８をｇ−ＳｉＮ_X層７４の上に堆積して界面７６を形成し、次に、高い堆積速度で平均的な品質のａ−Ｓｉ層８０を堆積してａ−Ｓｉ層を完成させる。 - 特許庁

At this point, an a-Si layer of high quality is deposited on a g-SiNx layer at a low deposition rate to form an interface 56, and an a-Si layer of average quality is deposited thereon at a high deposition rate to have the formation of an a-Si layer 58 completed.例文帳に追加

その際は先ず低堆積速度で高品質のａ−Ｓｉ層をｇ−ＳｉＮ_X層上に堆積して界面５６を形成後、高堆積速度で平均的品質のａ−Ｓｉ層を堆積してａ−Ｓｉ層５８を完成させる。 - 特許庁

Patterns containing gate electrodes 6 are formed on a Si substrate at prescribed intervals.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にゲート電極６を含むパターンを所定間隔に形成する。 - 特許庁

As for the saturable absorption dye, a Si-naphthalocyanine dye is preferably used.例文帳に追加

可飽和吸収色素としては、Ｓｉ−ナフタロシアニン色素を用いることが好ましい。 - 特許庁

The amorphous film (a-Si film) 3 is formed through a sputtering method using Ar gas.例文帳に追加

非晶質膜（ａ−Ｓｉ膜）３は、Ａｒガスを用いたスパッタ法にて形成する。 - 特許庁

INSULATING METAL FOIL BAND FOR a-Si SOLAR CELL SUBSTRATE AND ITS PRODUCING METHOD例文帳に追加

ａ−Ｓｉ太陽電池基板用絶縁性金属箔帯及びその製造方法 - 特許庁

A Si epitaxial layer is grown on the sidewalls of the finFETs with the hard mask.例文帳に追加

ハードマスクを有するｆｉｎＦＥＴの側壁に、Ｓｉエピタキシャル層を成長させる。 - 特許庁

SiOx, are arranged at one or both ends of a grain boundary 30 formed between columnar crystals in the μc-Si layer 14, short circuit of an electric current via the grain boundary 30 can be prevented between the n-type a-Si regions 131 and p-type a-Si regions 151.例文帳に追加

これにより、μc-Si層１４内で柱状晶間に形成される結晶粒界３０の一方もしくは両方の端部に絶縁部材であるSiOxから成る層（第１絶縁層１３２及び第２絶縁層１５２）が配置されるため、n型a-Si層１３１とp型a-Si層１５１との間で結晶粒界３０を介して電流が短絡することを防ぐことができる。 - 特許庁

On a surface of a glass substrate 1 having a shape of a plate, a Si layer 3 is formed.例文帳に追加

板状の形状を有するガラス基板１の表面に、Ｓｉ層３を形成する。 - 特許庁

To produce an amorphous silicon (a-Si) electrophotographic photoreceptor by a plasma spraying method.例文帳に追加

アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）系電子写真感光体をプラズマ溶射法によって製造する。 - 特許庁

The function part high concentration layer has a Si concentration of 5×10^18 cm^-3 or more.例文帳に追加

機能部高濃度層は、Ｓｉ濃度が５×１０^１８ｃｍ^−３以上である。 - 特許庁

The semiconductor layer 103 and the first n+a-Si layer 104 are simultaneously patterned.例文帳に追加

半導体層１０３と１層目のｎ＋ａ−Ｓｉ層１０４を同時にパターニングする。 - 特許庁