「"programming method"」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

In the nonvolatile memory device, the memory system including the device, and the programming method thereof, a peak current and power consumption generated during programming can be decreased by changing bit line inhibit voltage depending on program conditions.例文帳に追加

本発明に係る不揮発性メモリ装置、それを含むメモリシステム、及びそのプログラミング方法は、プログラム条件によってビットライン禁止電圧を変更することによって、プログラミング時に発生するピーク電流及び消費電力を減らすことができる。 - 特許庁

VIDEO CONTENT CAPTION GENERATING METHOD, VIDEO CONTENT CAPTION GENERATING UNIT, DIGEST VIDEO PROGRAMMING METHOD, DIGEST VIDEO PROGRAMMING UNIT, AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM ON WHICH PROGRAM FOR MAKING COMPUTER PERFORM METHOD IS STORED例文帳に追加

映像内容の説明文生成方法、映像内容説明文生成装置、ダイジェスト映像の番組化方法、ダイジェスト映像の番組化装置およびその方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - 特許庁

The programming method of the NOR flash memory includes that data stored in a data buffer are programmed to a memory cell and during a program verification operation, a supply of current from a sense amplifier to the memory cell is controlled in accordance with the data stored in the data buffer.例文帳に追加

ＮＯＲフラッシュメモリ装置のプログラム方法は、データバッファに貯蔵されたデータをメモリセルにプログラムして、プログラム検証動作時に、前記データバッファに貯蔵されたデータに応じて感知増幅器から前記メモリセルへの電流供給を制御する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device for reducing the chip size by removing a common source line, sharing a source selection transistor from which two memory blocks are applied with voltage via the source selection line, and its programming method and reading method.例文帳に追加

共通ソースラインを除去し、２つのメモリブロックがソース選択ラインを介して電圧の印加を受けるソース選択トランジスタを共有して、チップサイズを減らす不揮発性メモリ装置ならびにそのプログラム方法および読取り方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device and its programming method in which the number of times of programming loop can be reduced even for a word line in which loading is relatively large, and dispersion of the number of times of programming loop relating to whole programming operation is reduced.例文帳に追加

ローディングが相対的に大きいワードラインに対してもプログラムループ回数を減らすことができ、全体のプログラム動作と関連したプログラムループ回数の分布が減少する不揮発性半導体メモリ装置及びそのプログラム方法を提供する。 - 特許庁

To provide a programming memory for enabling a fast operation of a phase-change memory including a phase-change element changed between an amorphous state (reset state) and a crystal state (set state), and a reading method corresponding to the programming method.例文帳に追加

アモルファス状態（リセット状態）と結晶状態（セット状態）との間で遷移する相変化素子を有する相変化メモリに対する、高速動作を可能とするプログラム方法と、このプログラム方法に対応した読み出し方法とを提供する。 - 特許庁

To attain an image matching that is tough to the change of illumination and issatisfactory in the corresponding precision of an outline section and by which correct correspondence can be obtained even in a region where a luminance value is smooth such as the inside of an object region in an image matching device using a dynamic programming method.例文帳に追加

動的計画法を用いた画像マッチング装置において、照明変化に頑健で輪郭部での対応精度の良い、かつ物体領域内部などの輝度値が平滑領域においても正しい対応を得ることが可能な画像マッチングを行う。 - 特許庁

The driving circuit of a PRAM device and the programming method relating to this invention can perform a stable sensing operation and reduce current consumption further by maintaining the pulse width of the set pulse or the reset pulse fixed or shortening it even when the outside temperature rises.例文帳に追加

本発明に係るＰＲＡＭ装置の駆動回路及びプログラミング方法は、外部温度が上がってもセットパルスまたはリセットパルスのパルス幅を一定に維持または短縮させることで、安定的なセンシング動作を行なえ、更に消費電流を減らしうる。 - 特許庁

The programming method includes a step of programming data in a memory cell of a certain pattern within a memory array, and a step of preventing programming of a fixed pattern by periodically scrambling the data so that the data are stored in a memory cell of different pattern within the memory array.例文帳に追加

本発明に係るプログラミング方法は、データをメモリアレイ内の或るパターンのメモリセルにプログラムする段階と、データがメモリアレイ内の異なるパターンのメモリセルに記憶されるように、データを定期的にスクランブルすることによって、固定パターンのプログラミングを防止する段階と、を含んでいる方法。 - 特許庁

Further, an in-system programming host can effectively execute storage processing for writing the OSD font to the font flash ROM through a serial port and an in-system programming function of a CPU, in addition to the provision of a new programming method replacing a conventional storage means.例文帳に追加

さらに、従来の記憶方法の代りとなる新たなプログラミング方法を提供することに加えて、システム内プログラミングホストは、ＯＳＤフォントをフォントフラッシュＲＯＭにシリアルポートを介して書き込む記憶処理とＣＰＵのシステム内プログラミング機能を効果的に実行することができる。 - 特許庁

Optimal segmentation to a bar by using One-pass DP (Dynamic Programming) method, and clustering of the percussion patterns by k-means clustering method are repeatedly performed, and the percussion patterns of the optimal number estimated by an information amount criterion are extracted, and as a result, the map for indicating a musical piece structure by using those is obtained.例文帳に追加

One-pass DP法を用いた小節への最適なセグメンテーションとk-meansクラスタリング法によるそれら打楽器パターンのクラスタリングを反復的に行い情報量規準により推定された最適な数の打楽器パターンを抽出し、その結果それらによる楽曲構造を示すマップを得る。 - 特許庁

The programming method includes that program voltage is applied to a selected word line out of word lines, first pass voltage is applied to at least one word line being adjacent to the selected word line, and second pass voltage is applied to the most outer block word line out of word lines.例文帳に追加

本発明のプログラム方法は、ワードラインのうち選択されたワードラインにプログラム電圧を印加し、選択されたワードラインに隣接する少なくとも一つのワードラインに第１パス電圧を印加し、ワードラインのうち最外郭ワードラインに第２パス電圧を印加することを含む。 - 特許庁

The programming method of a nonvolatile memory device includes: a step of executing a plurality of programming loops in a memory cell in a memory cell array; and a step of changing program inhibit voltage applied to a bit line of a memory cell in which programming is completed when a plurality of programming loops are executed.例文帳に追加

本発明の実施形態に係る不揮発性メモリ装置のプログラミング方法は、メモリセルアレイ内のメモリセルにおいて複数のプログラミングループを実行する段階と、複数のプログラミングループを実行する時、プログラミングが完了されたメモリセルのビットラインに印加するプログラム禁止電圧を変更する段階とを含む。 - 特許庁

In the programming method, the amount of the reset current and the amount of the set current are increased as the ambient temperature rises so that a ratio of a resistance of the PCM in the higher resistance state to a resistance of the PCM in the lower resistance state is maintained substantially constant independently of the ambient temperature.例文帳に追加

プログラミング方法は、前記相変化物質の高抵抗状態での抵抗値と低抵抗状態での抵抗値との比率が外部温度変化に関わらずほぼ一定に維持されるように、前記リセット電流の電流量及び前記セット電流の電流量が外部温度が上昇するほど増加する。 - 特許庁

A security appropriation processing part 13 finds an optimum quota by using a linear programming method, which uses a quota found by allocating a part/the whole of the security and the like to respective claims as a variable and uses a credit risk reduction quantity based on a linear combination formula of the variable as an evaluation function, by referring to claim information and security information in a claim information database 12a.例文帳に追加

担保充当処理部１３は、債権情報データベース１２ａから債権情報及び担保情報を参照することで、担保等の一部又は全部を各債権に対して割り当てた割当額を変数とし、変数の一次結合式による信用リスク削減量を評価関数とする線形計画法を用いて最適な割当額を求める。 - 特許庁

The programming method of the nonvolatile memory device includes steps of: performing program operation by applying a dummy program pulses having a pulse width wider than that of a program start pulse; performing a program operation by applying the program start pulses; and verifying whether the program is completed by the program operation.例文帳に追加

本発明の不揮発性メモリ装置のプログラム方法は、プログラム開始パルスのパルス幅よりも広いパルス幅を有するダミープログラムパルスを印加してプログラム動作を行う段階と、前記プログラム開始パルスを印加してプログラム動作を行う段階と、前記プログラム動作によりプログラムが完了したかを検証する段階を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The programming method performs a first programming operation with respect to a memory cell, recovers original data by performing a recovery read operation after completing the first programming operation, and uses a verification read voltage that is higher than that used during the first programming operation to perform a second programming operation with respect to the memory cell.例文帳に追加

本発明によるプログラム方法は、メモリセルに対する第１プログラム動作を行い、前記第１プログラム動作完了後に回復読み出し動作を行なって原データを回復し、前記第１プログラム動作時に使用される検証読み出し電圧より高いレベルの検証読み出し電圧を使用して前記メモリセルに対する第２プログラム動作を行なう。 - 特許庁

In order to implement a source-side injection programming method, a band-gap operating BE-SONOS device configuration having an AND architecture includes a control gate 110 stacked on stacked oxide 141-nitride 142-oxide 143-nitride 144-oxide 145, and a spacer oxide 120 interposed between the control gate 110 and a sub gate 130 stacked on a gate oxide 150.例文帳に追加

ソースサイドインジェクションプログラミング方法を実行するため、ＡＮＤアーキテクチャを有するバンドギャップ操作ＢＥ‐ＳＯＮＯＳデバイス構造は、酸化物１４１‐窒化物１４２‐酸化物１４３‐窒化物１４４‐酸化物１４５スタックに重ねられる制御ゲート１１０と、ゲート酸化物１５０に重ねられるサブゲート１３０との間に配されるスペーサ酸化物１２０を含む。 - 特許庁

The programming method for a nonvolatile memory device includes: a stage in which a channel of a memory cell selected by programmed data is floated; and a stage in which the word lines of the selected and non-selected memory cells are driven so as to cause gate-induced drain leakage between the selected memory cell and the non-selected memory cell.例文帳に追加

本発明は、プログラムされるデータによって選択されたメモリセルのチャンネルをフローティングさせる段階と、前記選択されたメモリセルと非選択されたメモリセルの間にゲート有機ドレーン漏れが発生するように前記選択された及び非選択されたメモリセルのワードラインを駆動する段階とを具備する不揮発性メモリ装置のプログラム方法を提供する。 - 特許庁

In embodiment of the invention, the programming method of the nonvolatile memory device having a charge storage layer, a memory device, and a system, perform at least one unit programming loop, but each unit programming loop applies a programming pulse to at least two pages, applies time delay to the at least two pages, and applies a verifying pulse to the at least two pages.例文帳に追加

本発明の実施の形態による電荷保存層を有する不揮発性メモリ装置のプログラム方法、メモリ装置、システムは、少なくとも一つの単位プログラムループを遂行するが、各単位プログラムループは少なくとも二つのページにプログラムパルスを印加し、前記少なくとも二つのページに時間遅延を加え、前記少なくとも二つのページに検証パルスを印加する。 - 特許庁

The programming method includes: determining the amorphous state of a chalcogenide material to form programming areas having threshold voltages corresponding to high and low data; and controlling the quenching speed of the chalcogenide material based on the time control of the trailing edge of programming pulses to adjust the threshold voltage of the chalcogenide material.例文帳に追加

カルコゲニド物質の非晶質状態を決定して、ハイデータとローデータとに対応するしきい電圧を有するプログラミング領域を形成し、プログラミング時、プログラミングパルスのトレーリングエッジの時間的制御によって前記カルコゲニド物質の冷却速度を制御し、これによって前記カルコゲニド物質のしきい電圧を調節するプログラミング方法である。 - 特許庁

The table format programming method uses more than one languages and is suitably downloaded through the Internet or network environment and provides option tables 103 and 200 wherein custom expression expressions are defined, option tables 105 and 260 which specify multitask applications, option tables 104 and 230 which specify print styles of labels, and a constitution state table 113 which interacts with the table of a path 116.例文帳に追加

複数言語を使用し、インターネット、ネットワーク環境を通じてダウンロードするのに適したテーブル・フォーマット・プログラミング方法であり、カスタム表現式を定義するオプション・テーブル（１０３、２００）、マルチタスク・アプリケーションを指定するオプション・テーブル（１０５、２６０）、ラベルの印刷スタイルを指定するオプション・テーブル（１０４、２３０）、パス（１１６）のテーブルと相互作用を行う構成状態テーブル（１１３）を提供する。 - 特許庁

In the programming method, the memory cells belonging to each layer of a YZ plane are programmed to multi-bit data by a shadow program system and when the memory cell in N-th layer (where N is 1 or constant number larger than 1) of the YZ plane is programmed, remaining memory cells of an XZ plane corresponding to the N-th layer are programmed before memory cells of other layers of the YZ plane are programmed.例文帳に追加

本発明のプログラム方法によると、シャドープログラム方式によってＹＺ平面の各層に属したメモリセルがマルチビットデータにプログラムされ、ＹＺ平面のＮ番目の層（ここで、Ｎは１、またはそれより大きい定数）のメモリセルがプログラムされる場合、ＹＺ平面の他層のメモリセルがプログラムされる前にＮ番目の層に対応するＸＺ平面の残りのメモリセルがプログラムされる。 - 特許庁

This programming method includes the first step of decoding a signal entered to a signal input part, the second step of activating, when a predetermined program mode is indicated as a result of the decoding, a program mode operation signal corresponding to the program mode to inactivate the signal input part, and the third step of carrying out the program mode according to the program mode operation signal.例文帳に追加

強誘電体メモリ装置のプログラム方法は、信号入力部に入力された信号をディコーディングする第１の段階、ディコーディングの結果、所定のプログラムモードを示す場合にプログラムモードに対応するプログラムモード動作信号を活性化し、信号入力部を非活性化する第２の段階、及びプログラムモード動作信号に応えてプログラムモードを行う第３の段階を含む。 - 特許庁

The programming method of the nonvolatile memory device further includes steps of: performing a program operation by applying stepwise dummy program pulses having a second pulse width and increasing the program pulses by a second step voltage; performing a program operation by applying program pulses having a first step voltage and a first pulse width; and verifying whether the program is completed by the program operation.例文帳に追加

また、本発明の不揮発性メモリ装置のプログラム方法は、第２のパルス幅を有し、第２のステップ電圧ずつ増加する階段状ダミープログラムパルスを印加してプログラム動作を行う段階と、第１のステップ電圧及び第１のパルス幅を有するプログラムパルスを印加してプログラム動作を行う段階と、前記プログラム動作によりプログラムが完了したかを検証する段階を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The radio frequency identification programming method comprises a stage to receive the radio frequency identification signal from outside; a stage to extract only the radio frequency identification data from the received radio frequency identification signal; a stage to change format of the radio frequency identification data according to a serial protocol; and a stage to store the converted radio frequency identification data in the memory part according to the serial protocol.例文帳に追加

無線周波数識別プログラミング方法は、外部から無線周波数識別信号を受信する段階と、受信した無線周波数識別信号から無線周波数識別データのみを抽出する段階と、無線周波数識別データのフォーマットをシリアルプロトコルに合わせて変更する段階と、シリアルプロトコルに合わせて変換された無線周波数識別データをメモリ部に貯蔵させる段階とからなる。 - 特許庁

A programming method of the ferroelectric memory device includes; a first step for decoding a signal inputted to a signal inputting part; a second step for activating a program mode operation signal corresponding to a program mode and deactivating the signal input part in the case that the decoding result corresponds to a prescribed program mode; and a third step for performing the program mode in response to the program mode operation signal.例文帳に追加

また、強誘電体メモリ装置のプログラム方法は、信号入力部に入力された信号をディコーディングする第１の段階、前記ディコーディング結果所定のプログラムモードに該当する場合、前記プログラムモードに対応するプログラムモード動作信号を活性化して前記信号入力部を非活性化する第２の段階、及び前記プログラムモード動作信号に応えてプログラムモードを行う第３の段階を含む。 - 特許庁

A programming method of the nonvolatile data storage device including a plurality of memory blocks sharing one block word line includes the steps of: selecting the plurality of memory blocks, applying program voltage to a selected word line of a memory block in which the program is executed among the plurality of memory blocks, and applying bipolar-prohibited voltage to a word line of a memory block in which a program in the plurality of memory blocks is prohibited.例文帳に追加

一つのブロックワードラインを共有する複数のメモリブロックを含む不揮発性データ貯蔵装置のプログラム方法は、前記複数のメモリブロックを選択する段階と、前記複数のメモリブロックの中でプログラムが実行されるメモリブロックの選択されたワードラインにプログラム電圧を印加する段階と、前記複数のメモリブロックの中のプログラムが禁止されるメモリブロックのワードラインにバイポーラ禁止電圧を印加する段階とを含む。 - 特許庁

The programming method of the nonvolatile memory device includes steps of: receiving a first program operation instruction; performing a program operation according to a program start voltage stored in a program start voltage storage part; and updating the program start voltage with a program voltage applied when a memory cell programmed at a verify voltage or higher during the program operation is first generated.例文帳に追加

本発明の不揮発性メモリ装置のプログラム方法は、第１プログラム動作命令が入力される段階と、プログラム開始電圧格納部に格納されたプログラム開始電圧に応じてプログラム動作を行う段階と、前記プログラム動作中に検証電圧以上にプログラムされたメモリセルが最初に発生した時点で印加されるプログラム電圧を前記プログラム開始電圧として更新する段階とを含むことを特徴とする。 - 特許庁