| 例文 |
"programming method"を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 284件
To provide a programming method for a non-volatile semiconductor memory in which program disturbance phenomenon owing to a parasitic MOS transistor can be prevented.例文帳に追加
寄生MOSトランジスタによるプログラムディスターブ現象を防止できる不揮発性半導体メモリ装置のプログラム方法を提供する。 - 特許庁
MOBILE COMMUNICATION TERMINAL WITH RADIO FREQUENCY IDENTIFICATION FUNCTION, AND RADIO FREQUENCY IDENTIFICATION PROGRAMMING METHOD OF THE SAME例文帳に追加
無線周波数識別機能をもつ移動通信端末機およびその移動通信端末機における無線周波数識別プログラミング方法 - 特許庁
BIDIRECTIONAL SPLIT GATE NAND FLASH MEMORY STRUCTURE, ARRAY, PROGRAMMING METHOD OF THE SAME, ERASING METHOD, READOUT METHOD AND MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
双方向分割ゲートNANDフラッシュメモリ構造及びアレイ、そのプログラミング方法、消去方法及び読み出し方法、並びに、製造方法 - 特許庁
To provide a non-volatile semiconductor memory and its programming method in which margin between threshold voltage are kept constant after programming.例文帳に追加
プログラム以後しきい値電圧間のマージンを一定に維持させる不揮発性半導体メモリ装置およびそのプログラム方法を提供する。 - 特許庁
To provide a programming method which requires neither a long time for instruction nor a master work and can use CLDATA generated by CAD/CAM software used by an NC machine tool as a robot off-line programming method for carrying out unidirectional chamfering and polishing operation for a work.例文帳に追加
ワークの一方向の面取り、磨き作業を行うロボットオフラインプログラミング方法に関し、教示に時間を要せず、マスターワークを必要とせず、又、NC工作機械で使用されているCAD/CAMソフトで生成されるCLDATAが使用できるプログラミング方法を提供する。 - 特許庁
ADDRESSING METHOD AND DEVICE, READ-OUT METHOD FOR STORAGE SITE AND DEVICE, PROGRAMMING METHOD AND DEVICE, AND ERASURE METHOD WITH CELL UNIT AND DEVICE例文帳に追加
アドレシング方法及び装置、記憶サイト読み出し方法及び装置、プログラミング方法及び装置、並びに、セル単位での消去方法及び装置 - 特許庁
To provide a programming method of a flash memory device including at least one memory block having memory cells in which word lines and bit lines are arranged.例文帳に追加
ワードラインとビットラインで配列されたメモリセルを有する少なくとも一つのメモリブロックを含むフラッシュメモリ装置のプログラム方法を提供する。 - 特許庁
A twin MONOS metal bit line array is read and programmed using a three dimensional programming method with X, Y, and Z dimensions.例文帳に追加
ツインMONOSの金属ビット線アレーは、X、Y、及びZ次元を有する3次元プログラミング方法を使用して読み出され、プログラムされる。 - 特許庁
To provide a data programming method and a semiconductor system which can increase reliability of data programming operations even if charge loss occurs.例文帳に追加
電荷損失が発生してもデータプログラミング動作の信頼性を向上させることができるデータプログラミング方法及び半導体システムを提供する。 - 特許庁
To provide a new flash memory, a new programming method and a sensing scheme thereof, for reducing power consumption and leak current, with a simple process.例文帳に追加
低消費電力、低減されたリーク問題、および単純なプロセスを伴った新規なフラッシュメモリ、新規なプログラミング方法、およびそのセンシングスキームを提供する。 - 特許庁
To provide a three-dimensional memory device for increasing degree of integration and effectively reducing a program disturbance problem; and to provide a programming method thereof.例文帳に追加
集積度の増加と共にプログラムディスターバンス問題を効果的に減らすことができる3次元メモリー装置、及びそのプログラム方法が提供される。 - 特許庁
To provide an integrated circuit in which a manufacturing cost is reduced and storage density is further increased and a device having a memory array and propose its programming method.例文帳に追加
製造コストが低減されるとともに、記憶密度をさらに増大させる集積回路やメモリアレイを有するデバイスを提供し、そのプログラム方法を提案する。 - 特許庁
To provide a new flash memory, a new programming method and the sensing scheme, accompanied by low power, reduced leak matter and simple process.例文帳に追加
低消費電力、低減されたリーク問題、および単純なプロセスを伴った新規なフラッシュメモリ、新規なプログラミング方法、およびそのセンシングスキームを提供する。 - 特許庁
In this programming method, a first address for selecting a row of each of the memory blocks is generated in response to a multi-page program operation.例文帳に追加
本発明のプログラム方法によると、マルチページプログラム動作に応答して前記メモリブロックの各々の行を選択するための第1アドレスが生成される。 - 特許庁
In a programming method of a multi-level, each memory region can be programmed by non-binary-number of a level, and integer of bits, for example 5, is stored in an adjacent memory region.例文帳に追加
マルチレベルのプログラミング方法では、各メモリ領域をレベルの非バイナリ数でプログラムでき、ビットの整数例えば5が隣り合うメモリ領域に記憶される。 - 特許庁
To provide a programming method and a device for programming anti-fuse, by using comparatively high voltage without giving damages to other constituent parts for an integrated circuit.例文帳に追加
アンチヒューズを、集積回路の他の構成部品に損傷を与えずに比較的高い電圧を用いてプログラムする方法および装置を提供する。 - 特許庁
To provide a laser beam machining apparatus with which laser beam machining with satisfactory machining accuracy can be rapidly performed, a laser beam machining method, a programming apparatus, and a programming method.例文帳に追加
加工精度の良いレーザ加工を迅速に行なうことができるレーザ加工装置、レーザ加工方法、プログラミング装置およびプログラミング方法を得ること。 - 特許庁
To provide a NOR flash memory device of which the source line voltage is prevented from rising at the program verification operation, and its programming method.例文帳に追加
プログラム検証動作時にソースラインの電圧が上昇することを防止することができるNORフラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法に提供すること。 - 特許庁
To provide a programming method with an electronic standing order template regarding a medical pump to improve safety of a patient and entire efficiency.例文帳に追加
患者の安全と全体の効率とを改良するため、医療ポンプに関し、電子的なスタンディングオーダーテンプレートを用いたプログラミング方法を提供する。 - 特許庁
A memory cell becomes a low-resistance condition at a first temperature in the programming method of the phase shift memory that has a high resistive state and a low resistive state.例文帳に追加
高抵抗および低抵抗の状態を持つ相変化メモリセルのプログラミング方法において、メモリセルは第1温度に加熱されて低抵抗状態になる。 - 特許庁
Also, as an aspect, the programming method is a computer-readable medium in a computer device, and includes data base programmed to include the plurality of standing orders.例文帳に追加
また、一の側面は、コンピュータ装置におけるコンピュータ可読媒体であり、複数のスタンディングオーダー、を含むようプログラムされたデータベースを含んでいる。 - 特許庁
To provide a multi-channel flash memory system using a plurality of flash memory chips and having an increased overall bandwidth, and a programming method therefor.例文帳に追加
複数個のフラッシュメモリチップを使用する多チャンネル(multi-channel)方式のフラッシュメモリシステムで、全体帯域幅を向上させるフラッシュメモリシステム及びそのプログラム方法を提供する。 - 特許庁
OPERATION METHOD FOR IMAGE MEASURING MACHINE INSPECTION SYSTEM USED FOR INSPECTION OF LINE GROUP EMBEDDED IN HIGH-DEGREE PROPERTY-WORKED MATERIAL, AND PROGRAMMING METHOD FOR IMAGE MEASURING MACHINE INSPECTION SYSTEM例文帳に追加
高度性状加工材料に埋込まれた線群の検査に用いられる画像測定機検査システムの操作方法および画像測定機検査システムのプログラミング方法 - 特許庁
To provide a programming method for a semiconductor memory by which reduction of an access time or a state of insufficient threshold voltage margin caused by decrease of a memory cell current can be dissolved.例文帳に追加
メモリセル電流の低下に起因するアクセスタイムの低下や,しきい値電圧マージン不足を解消することの可能な半導体記憶装置のプログラム方法を提供する。 - 特許庁
To provide a programming method of a flash memory that a program current per cell can be reduced, reliability of an element and manufacturing yield can be improved.例文帳に追加
セル当りプログム電流を減らすことができ、素子の信頼性及び製造歩留りを向上させることができるフラッシュメモリのプログラミング方法を提供すること。 - 特許庁
Then routes of the in-use point-to-multipoint paths are fixed, and the integer programming method is used to find routes (S25) of a standby path group minimizing the total route cost and the route cost (S26).例文帳に追加
次に、現用ポイントツーマルチポイントパスの経路を固定し、整数計画法を用いて全体の経路コストを最小化する予備パス群の経路(S25)および経路コスト(S26)を求める。 - 特許庁
The user inputs the voice corresponding to a new word to be registered and a representative sequence of a phoneme array representing the word is generated by using, for example, a dynamic programming method.例文帳に追加
登録しようとする新たな単語に対応する音声をユーザが入力し、その単語を表す音素列の代表シーケンスを例えば動的計画法を用いて生成する。 - 特許庁
The programming method of the robot having an apparatus for executing one processing procedure to an object as tracking a robot path to be demarcated by many way points is provided.例文帳に追加
多数のウェイポイントにより画定されるロボットパスを辿りながら対象物に対して1処理過程を実行する器具を有するロボットのプログラミング方法を提供する。 - 特許庁
MAN/MACHINE INTERFACE SETTING METHOD, INFORMATION PROCESSING SYSTEM USING THE METHOD PROGRAMMING METHOD FOR SYSTEM CONSTRUCTION, PROGRAMMING SYSTEM, AND RECORDING MEDIUM FOR INFORMATION PROCESSING例文帳に追加
マンマシンインターフェイスの設定方法およびその方法を用いた情報処理システム、システム構築用のプログラミング方法およびプログラミングシステム、ならびに情報処理用の記録媒体 - 特許庁
A programming method for a multilevel nitride memory cell is used for storing a plurality of different programming states which correspond to a plurality of different critical voltage levels, respectively.例文帳に追加
マルチレベル窒化物メモリセルのプログラミング方法であって、複数の異なる臨界電圧レベルにそれぞれ対応する複数の異なるプログラミング状態を記憶するために用いられる。 - 特許庁
The wireless base station apparatus employs a linear programming method on the basis of the state of the use of the CH card group in the process of reallocation to decide contents of reallocation of the resources of the CH cards.例文帳に追加
再配置の過程において前記CHカード群の使用状況に基づき線形計画法を用いてCHカードのリソースの再配置内容を決定する。 - 特許庁
To provide a flash memory device, a data programming method thereof and a data erasing method which can raise the chip integration degree and facilitate the data programming operation and data erasing operation.例文帳に追加
チップの集積度を高め、データプログラム動作及びデータ消去動作を容易に行うことができるフラッシュメモリ装置並びにそのデータプログラム方法及びデータ消去方法を提供する。 - 特許庁
To provide a gateway device, a recording programming method, and a program which enable presetting from outside of the network a video recorder connected to a local network such as a home network to record a program.例文帳に追加
ホームネットワーク等のローカルネットワークに接続された録画機器に対して、そのネットワーク外から番組録画予約することができるゲートウェイ装置、録画予約方法及びプログラムを提供する。 - 特許庁
To provide an automatic programming method that automatically adds a color corresponding to a finish symbol, and specifies a tool to be used and cutting conditions to a machined surface based on the information.例文帳に追加
仕上げ記号に相当する色を白動的に付加し、その情報を基に加工面に使用工具や切削条件を与えることが可能な自動プログラミング方法を提供する。 - 特許庁
To provide an off-line programming method and an off-line programming system for creating an operation program of a robot by using TP (Teach Pendant) and operating OLPS (Off-line Programming System) implemented on a personal computer.例文帳に追加
TPを使用して、PCに実装されているOLPSを操作して、ロボットの作業プログラムを作成できるオフラインプログラミング方法、及びオフラインプログラミングシステムを提供する。 - 特許庁
To establish a programming method which manages the operation of a computing device as a general model constituted in simple structure that a general person who is not technically trained is able to use.例文帳に追加
専門的訓練を受けることなく普通の人々が利用できる簡単な構造に構築した一般的なモデルの、コンピューティング装置の動作を管理するプログラミング方法を確立する。 - 特許庁
To provide a memory device capable of reducing a threshold voltage distribution of a selection transistor having a charge storage layer, especially a NAND flash memory device and its programming method, and a memory system using the same.例文帳に追加
電荷格納層を有する選択トランジスタのしきい電圧分布を減らすメモリ装置、特にNANDフラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法とこれを用いたメモリシステムを提供する。 - 特許庁
According to the programming method of the NAND flash memory device of the invention, a selection transistor is programmed by a thermal electron injection system, and a selected memory cell is programmed by using F-N tunneling.例文帳に追加
本発明のNANDフラッシュメモリ装置のプログラム方法は、選択トランジスタを熱電子注入方式でプログラムし、選択されたメモリセルをF−Nトンネルリングを用いてプログラムする。 - 特許庁
The optimum calculator performs optimization of the candidate vehicles using the mathematical programming method, the objective function of which is economy of the car dispatching, and decides the final candidate vehicles for transportation.例文帳に追加
最適化計算部は、配車計画の経済性を目的関数とした数理計画法により、輸送車両候補について最適化計算し、最終の輸送車両候補を定める。 - 特許庁
To provide a nonvolatile memory unit including an indicator cell, and to provide a multilevel cell programming method which can skip part of the verification process utilizing the indicator cell.例文帳に追加
インジケータセルを備えた不揮発性メモリ装置を提供すると共に、上記インジケータセルを用いて一部の検証動作を省略し得る不揮発性メモリ装置のマルチレベルセルプログラム方法を提供するものである。 - 特許庁
To provide a NAND type memory array in which a speed in the case of reading can be prevented from lowering by separating a well and a bit line, a reading method, a programming method and an erasing method using the same.例文帳に追加
ウェルとビットラインを分離させて読出時の速度遅延を防止することが可能なNAND型メモリアレイ及びこれを用いた読出方法、プログラム方法及び消去方法を提供すること。 - 特許庁
Then the in-use point-to-multipoint path routes are fixed, and the integer programming method is used to find routes (S25) of a standby path group minimizing the total route cost of the in-use paths and standby path group and the route cost (S26).例文帳に追加
次に、現用ポイントツーマルチポイントパス経路を固定し、整数計画法を用いて現用パスと予備パス群全体の経路コストを最小化する予備パス群の経路(S25)および経路コスト(S26)を求める。 - 特許庁
To provide a flash memory device in which variation in threshold voltage of a flash memory cell can be prevented/minimized while performing a high speed program, its programming method, a memory system including it, and a computer system.例文帳に追加
高速プログラムを遂行しながらフラッシュメモリセルのしきい値電圧の変化を防止/最小化できるフラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法、並びにそれを含むメモリシステム及びコンピュータシステムを提供する。 - 特許庁
Then, matching by a dynamic programming method is executed for every stroke to evaluate substitution cost for every point by various techniques including tangent vector analysis, center function evaluation, and start-point/end-point evaluation.例文帳に追加
次に、動的計画法の整合を画毎に実行して、接線ベクトル解析、中心関係評価、および始点終点評価を含む様々な技術によって、ポイント毎に置換コストを評価する。 - 特許庁
To establish an automatic programming method to perform fillet welding after the inside of the edge preparation of a T-joint having a shape with edge preparation is welded, whereby it is practicable to preclude generation of undercut and enhance the working efficiency of the operator.例文帳に追加
開先形状を有するT継ぎ手の開先内部の溶接を行った後で隅肉溶接する自動プログラミング方法において、アンダーカットの発生を防止し、さらにオペレータの作業効率を向上させる。 - 特許庁
To provide a spin-torque MRAM cell array of which the area occupied by wirings taken around in the spin-torque MRAM cell array is made small, a spin-torque MRAM device, and a programming method of the spin-torque MRAM cell array.例文帳に追加
スピントルクMRAMセルアレイ中に引き回される配線が占める領域を小さくしたスピントルクMRAMセルアレイ、スピントルクMRAM装置およびスピントルクMRAMセルアレイのプログラミング方法を提供する。 - 特許庁
The memory device reading method executes LSB reading operation twice and executes MSB reading operation once and the programming method executes LSB programming operation and MSM programming operation respectively once.例文帳に追加
本発明によるメモリ装置の読み出し方法は、2回のLSB読み出し動作と1回のMSB読み出し動作を実行し、プログラム方法は1回のLSBプログラム動作と1回のMSBプログラム動作が実行される。 - 特許庁
To provide a flash memory element which is effective for preventing interference between adjacent cells by executing a program operation in a unit of word line and programming the cell sharing the same word lines, and to provide a programming method thereof.例文帳に追加
ワードライン単位でプログラム動作を実施して、同一ワードラインを共有するのセルをプログラムすることにより、隣接するセル間での干渉防止に有効なフラッシュメモリ素子とそのプログラム方法を提供する。 - 特許庁
The programming method and the writing driver circuit increases the speed of a crystalizing growth of the phase shift material by passing the nucleus formation stage and the crystalizing growth stage at the crystalizing operation.例文帳に追加
本発明によるプログラミング方法および書込みドライバ回路は、相変化物質の結晶化動作時に相変化物質が核形成段階を経て結晶成長段階を経るようにすることによって結晶化動作の速度を向上させる。 - 特許庁
To provide a programming method for a nonvolatile memory device including strings which have memory cells respectively formed vertically on a substrate with multi-layered structure while being respectively formed on intersecting areas of bit lines and string selection lines.例文帳に追加
本発明は、ビットラインとストリング選択ラインとの交差領域に各々形成され、各々が基板上に垂直に多層構造で形成されたメモリセルを有するストリングを含む不揮発性メモリ装置のプログラム方法を提供する。 - 特許庁
| 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|