「~type structures」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

In the semiconductor device, two MOS structures which share a drain are formed in the front surface side of the semiconductor substrate, and a plurality of ditch-like opening parts 4 are formed to extend from the drain region of one MOS structure to the drain region of the other MOS structure in the interior of an N+ type drain layer 7 in the back surface side of the semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、半導体基板の表面側にドレインを共有するＭＯＳ構造が２つ形成され、かつ、半導体基板の裏面側のＮ＋型ドレイン層７の内部に、一方のＭＯＳ構造のドレイン領域から他方のＭＯＳ構造のドレイン領域まで、延在して形成された複数の堀状の開口部４を有する。 - 特許庁

The radiation sensitive resin composition includes: (A) a polyimide polymer having hydroxyl group containing repeating units of two particular structures; (B) at least one type of a compound selected from an oxirane group containing compound or an oxetanyl group containing compound; (C) a compound having an alkoxyalkylated amino group; (D) a photoacid generator; and (E) a solvent.例文帳に追加

（Ａ）２つの特定構造の繰り返し単位を含む、水酸基を有するポリイミド重合体、（Ｂ）オキシラン基含有化合物またはオキセタニル基含有化合物から選ばれる少なくとも１種の化合物、（Ｃ）アルコキシアルキル化されたアミノ基を有する化合物、（Ｄ）光酸発生剤および（Ｅ）溶媒を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物。 - 特許庁

The purpose is accomplished by this electrostatic capacitance type vacuum sensor wherein a projecting structure formed of an insulating material is erected on the elastic structure of the diaphragm electrode and/or the fixed electrode facing to the elastic structure so that the area of the elastic structure surrounded by plural adjacent projecting structures in the projecting structure can be set to a predetermined size.例文帳に追加

ダイヤフラム電極の弾性構造及び／又は当該弾性構造に対向する固定電極に、絶縁体からなる突起構造が、当該突起構造の中の隣接する複数の突起構造によって囲まれる弾性構造の面積があらかじめ定められている大きさになるようにして立設されている静電容量型真空センサによって課題を解決した。 - 特許庁

To decrease the number of transformer fixing components and to provide a structure of a transformer which is more compact than before and superior in operability in a next process by changing structures and arrangement of a shunting transformer and a series transformer constituting the transformer for an indirect switching type automatic voltage regulator making voltage adjustments by switching taps of the transformer.例文帳に追加

変圧器のタップ切換により電圧調整を行う間接切換方式の自動電圧調整装置用変圧器において、これを構成する分路変圧器と直列変圧器の構造および配置の変更により、変圧器固定部品数の低減を図ると共に、従来と比べてコンパクトで、且つ次工程での作業性に優れた変圧器の構造を提供する。 - 特許庁

The reflection type liquid crystal display device has glass substrates 581 and 582, transparent electrodes 60 disposed on the substrate 581, insulating films 44 disposed on the substrate 582 and formed with the rugged structures 50, the reflection electrodes 51 disposed on the films 44 and a liquid crystal layer 61 sandwiched by the electrode 60 side and the electrode 51 side.例文帳に追加

本発明の反射型液晶表示装置は、ガラス基板５８１，５８２と、ガラス基板５８１上に設けられた透明電極６０と、ガラス基板５８２上に設けられるとともに表面に凹凸構造５０が形成された絶縁膜４４と、絶縁膜４４上に設けられた反射電極５１と、透明電極６０側と反射電極５１側とで挟み込まれた液晶層６１とを備えたものである。 - 特許庁

Electrode structures 305, 306 are an ohmic electrode formed on the surface of an n-type or non-doped nitride semiconductor, which contains at least one or more of metals among Ti, Ta, Nb, Cr, V, Sn, In, Zr, and Si in a first region in contact with the surface of the nitride semiconductor, and further contains Mg in a second region formed on the first region.例文帳に追加

本発明の電極構造３０５、３０６は、ｎ型またはノンドープ窒化物半導体表面に形成されたオーミック電極であって、前記窒化物半導体表面に接する第１の領域にＴｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｖ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｚｒ、Ｓｉのうち少なくとも１種以上の金属が含まれ、かつ、その上に形成される第２の領域にＭｇが含まれていることを特徴とする。 - 特許庁

PRESSURE STRUCTURE APPARATUS ATTAINING QUICK CONSTRUCTION OF TARGET STRUCTURE BY FORCE-FED HYDRAULIC AND GAS PRESSURE INTO HOSE USING TIP FITTING OF HIGH PRESSURE HOSE TO MAKE FULL USE OF PRESSURE STRUCTURE APPARATUS PRESSURE HOSE AND USING CONNECTION FITTING TO FACILITATE CONSTRUCTION OF VARIOUS TARGET STRUCTURES, AND CHARGING PREDETERMINED AIR PRESSURE IN PRESSURE HOSE ROOF TYPE GAS ROOF WHICH IS INSTALLED TO SERVE AS AWNING, RAIN-COVER OR SNOW-GUARD例文帳に追加

圧力構築物装置圧力ホースを充分に活用できる様に高圧ホースの先端金具と多種多様の目的構築物を容易に構築するため、発明接続金具を利用して水圧力や気体圧力をホースに圧送することで短時間に目的の構築物が用達出来、又圧力ホースホース屋根式の気体屋根においても所定の気圧を投入し、設置して日除け、雨除け、雪除けする特許圧力構築物装置である。 - 特許庁

The integrated circuit device comprises a first conductivity type semiconductor layer, a plurality of semiconductor columnar parts extending outward from the semiconductor layer while defining a trench therebetween, gate structures in respective trenches, and at least one second conductivity type deep well region located beneath the bottom part of at least one trench defining at least one inactive gate structure therein and extending into the semiconductor layer between a pair of adjacent corresponding semiconductor columnar parts.例文帳に追加

集積回路装置は、第１導電型の半導体層と、この半導体層から外方に延在し、複数の互いに離間した半導体柱状部であって、これら半導体柱状部間にトレンチを規定している当該半導体柱状部と、各トレンチ内のそれぞれのゲート構造体と、少なくとも１つのトレンチの内部に少なくとも１つの不活性ゲート構造体を規定している当該少なくとも１つトレンチの底部の下側で且つ一対の隣接する対応の半導体柱状部間で前記半導体層内に延在するように位置する第２導電型の少なくとも１つの深い井戸領域とを具える。 - 特許庁

4. Buildings and structures (such as shell mounds, ancient tombs, citadel-type castle sites, castle sites and old residences) which are highly valued in our nation, either historically or academically; landscapes (such as gardens, bridges, canyons, coasts, mountains and other places of scenic beauty) that are highly valued in our nation for their artistic or visual merit; animals (including their habitats, their breeding areas, and their stopovers), plants (including their habitats), and geological minerals (including the landscapes produced by natural phenomena) that are highly valued academically in our nation (such natural features being hereinafter referred to as 'monuments') 例文帳に追加

四　貝づか、古墳、都城跡、城跡、旧宅その他の遺跡で我が国にとつて歴史上又は学術上価値の高いもの、庭園、橋梁、峡谷、海浜、山岳その他の名勝地で我が国にとつて芸術上又は観賞上価値の高いもの並びに動物（生息地、繁殖地及び渡来地を含む。）、植物（自生地を含む。）及び地質鉱物（特異な自然の現象の生じている土地を含む。）で我が国にとつて学術上価値の高いもの（以下「記念物」という。) - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Article 49 With regard to Transferred Specified Electrical Appliances and Materials pertaining to a product type for which approval under Article 18 or Article 23, paragraph (1) of the Old Electrical Appliance and Material Control Act or confirmation under Article 23-2, paragraph (1) of the Old Electrical Appliance and Material Control Act had been obtained at the time of enforcement of Article 10, or with regard to Class-B Electrical Appliances and Materials as set forth in Article 2, paragraph (2) of the Old Electrical Appliance and Material Control Act with structures pertaining to a notification under Article 26-2, paragraph (1) or Article 26-3, paragraph (1) of the Old Electrical Appliance and Material Control Act which fall into the category of Electrical Appliances and Materials set forth in Article 2, paragraph (1) of the Electrical Appliance and Material Safety Act, labeling under Article 25, paragraph (1) or Article 26-6, paragraph (1) may be affixed during the one year from the day of enforcement of Article 10 (with regard to those specified by Cabinet Order as Transferred Electrical Appliances and Materials that require a considerable period of time for the repair or alteration of manufacturing equipment accompanied with the change of labeling, the period specified by Cabinet Order for the relevant Transferred Electrical Appliances and Materials within a limit not exceeding three years from the day of the enforcement of Article 10), notwithstanding the provisions of Article 10, paragraph (2) of the Electrical Appliance and Material Safety Act. 例文帳に追加

第四十九条　第十条の規定の施行の際現に旧電気用品取締法第十八条若しくは第二十三条第一項の認可若しくは旧電気用品取締法第二十三条の二第一項の確認を受けている型式に係る移行特定電気用品又は旧電気用品取締法第二十六条の二第一項若しくは第二十六条の三第一項の規定による届出に係る構造の旧電気用品取締法第二条第二項の乙種電気用品であって電気用品安全法第二条第一項の電気用品であるものについては、電気用品安全法第十条第二項の規定にかかわらず、第十条の規定の施行の日から起算して一年間（表示の変更に伴う製造設備の修理又は改造に相当の期間を要する移行電気用品として政令で定めるものにあっては、第十条の規定の施行の日から起算して三年を超えない範囲内において移行電気用品ごとに政令で定める期間）は、旧電気用品取締法第二十五条第一項又は第二十六条の六第一項の規定の例による表示を付することができる。 - 日本法令外国語訳データベースシステム