「いづらい」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

誘電体素体１０は、主面１０ａ及び側面１０ｃ〜１０ｆを有している。例文帳に追加

The dielectric element body 10 has a main surface 10a and sides 10c-10f. - 特許庁

エッチングにより絶縁体１９が基板主面１１ａの一部上に形成される。例文帳に追加

An insulator 19 is formed on part of a substrate principal plane 11a by etching. - 特許庁

配線基板１０の主面１０ｘに３つの半導体チップ１，３，５が実装されている。例文帳に追加

Three semiconductor chips 1, 3 and 5 are mounted on the main surface 10x of a wiring board 10. - 特許庁

誘電体素体１２は、主面１２ａ，１２ｂ及び側面１２ｃ〜１２ｆを有する。例文帳に追加

The dielectric element body 12 has main surfaces 12a, 12b, and sides 12c-12f. - 特許庁

誘電体素体１２は、主面１２ａ，１２ｂ及び側面１２ｃ〜１２ｄを有する。例文帳に追加

The dielectric element body 12 has main surfaces 12a, 12b, and sides 12c-12d. - 特許庁

発光層４は、ＧａＮ基板１の他方の主面１ｂ側に形成されている。例文帳に追加

The light emitting layer 4 is formed on the other major surface 1b side of the GaN substrate 1. - 特許庁

めっき層２０は導体層３０の主面Ｅ１，Ｅ２および側面Ｅ３に形成される。例文帳に追加

The plating layer 20 is formed on the main surfaces E1 and E2 and the side surfaces E3. - 特許庁

パッシベーション膜１５は、半導体領域１３の主面１３ａ上に設けられている。例文帳に追加

A passivation film 15 is provided on a major surface 13a of a semiconductor region 13. - 特許庁

ｎ型ＧａＮ系半導体層１５は支持体１３の主面１３ａ上に設けられる。例文帳に追加

An n-type GaN-based semiconductor layer 15 is disposed on the principal plane 13a of the support 13. - 特許庁

主面１１ｂ上には、感圧ダイヤフラム１６ａを有するシリコン基板１６が接合されている。例文帳に追加

A silicon substrate 16 with a pressure sensitive diaphragm 16a is joined on to the principal plane 11b. - 特許庁

基板１１は、少なくとも第１主面１２にて開口する充填用孔２１を有する。例文帳に追加

The substrate 11 has filling holes 21 opening at least at a first principal surface 12. - 特許庁

ガラス基板１１の主面１１ｂ側には、シリコン基板１２が接合されている。例文帳に追加

A silicon substrate 12 is joined to the principal plane 11b side of a glass substrate 11. - 特許庁

複数のティース１２が主面１１ａにおいて回転軸Ｑの周りで環状に配置される。例文帳に追加

A plurality of teeth 12 are circularly disposed around the rotary shaft Q on the main surface 11a. - 特許庁

各接続部３は各主面１ａ間において対向し合う位置に設けられている。例文帳に追加

The connectors 3 are provided to face each other between the main surfaces 1a. - 特許庁

基板本体１の一方の主面１ａ側に被覆基体８が設けられている。例文帳に追加

A coated basic body 8 is disposed on the one main surface 1a side of the main body 1. - 特許庁

ガラス基板１１の主面１１ｂ側には、シリコン基板１２が接合されている。例文帳に追加

A silicon substrate 12 is jointed to a principal surface 11b side of a glass substrate 11. - 特許庁

第１の主面１０ａの上には、線条の方向認識マーク２０が形成されている。例文帳に追加

A linear direction recognizing mark 20 is formed on the respective main surfaces 10a. - 特許庁

両主面１３，１４上には樹脂絶縁層２１，２２及び配線層３１，３２が形成される。例文帳に追加

On both main surfaces 13 and 14 of the board 12, insulating resin layers 21 and 22 and wiring layers 31 and 32 are formed. - 特許庁

主面１０ａの面内における、ｃ面または−ｃ面と主面１０ａとのなす角（オフ角）の分布の中心値は１５°以上６０°以下の範囲内にあり、主面１０ａの面内におけるオフ角の最大値と最小値との差は０．３°以上である。例文帳に追加

The center value of a distribution of an angle (off-angle) formed by the c-plane or -c-plane and the principal surface 10a is in the range of 15-60°, and the difference between the maximum value and the minimum value of the off-angle within the surface of the principal surface 10a is not smaller than 0.3°. - 特許庁

第１の導電体は、第１の主面１１と第１の主面に対向する第２の主面１２とを有する第１の部分１０Ａを有し、第１の主面に直交する第３の主面１３と第３の主面に対向し第３の主面から離れながら第２の主面に連続する第４の主面１４とを有する第２の部分１０Ｂを有する。例文帳に追加

The first conductor has a first portion 10A having a first primary surface 11 and a second primary surface 12 facing the first primary surface, and a second portion 10B having a third primary surface 13 orthogonal to the first primary surface and a fourth primary surface 14 that faces the third primary surface and continues to the second primary surface while separating from the third primary surface. - 特許庁

ＯＣＴ装置の光検出器ＰＳは、第１導電型の半導体からなり、互いに対向する第１主面１ａ及び第２主面１ｂを有すると共に第１主面１ａ側に第２導電型の半導体層３が形成されたシリコン基板１と、第１主面１ａ上に設けられ、発生した電荷を転送する電荷転送電極５と、を備えている。例文帳に追加

A photodetector PS of the OCT device, consisting of a semiconductor of a first conductivity type, includes a silicon substrate 1, where while having a first principal plane 1a and a second principal plane 1b both facing each other; a semiconductor layer 3 of the second conductivity type is formed at the side of first principal plane 1a and a charge forwarding electrode 5 arranged on the first principal plane 1a to forward the charge generated. - 特許庁

発光層１５は、窒化ガリウム系半導体領域１３の主面１３ａ上に設けられる。例文帳に追加

The luminescent layer 15 is formed on a principal surface 13a of a gallium nitride-based semiconductor region 13. - 特許庁

導体層３０は、所定のパターンを有しかつ主面Ｅ１，Ｅ２および側面Ｅ３を有する。例文帳に追加

The conductor layer 30 has a predetermined pattern, main surfaces E1 and E2, and side surfaces E3. - 特許庁

基板１の主面１Ｓ上にゲート絶縁膜４及びゲート電極５が形成されている。例文帳に追加

On the main surface 1S of the substrate 1, in addition, a gate-insulating film 4 and a gate electrode 5 are formed. - 特許庁

ＧａＮ系半導体エピタキシャル領域１５は、主面１３ａ上に設けられる。例文帳に追加

A GaN-based based semiconductor epitaxial region 15 is formed on the principal plane 13a. - 特許庁

第１の電極１９は、半導体積層１７の主面１７ａ上に設けられる。例文帳に追加

A first electrode 19 is provided on a principal surface 17a of the semiconductor laminate 17. - 特許庁

基板準備工程では、基板主面１２上にパッド２１が配置された基板１１を準備する。例文帳に追加

In the substrate preparing step, a substrate 11 with a pad 21 disposed on its principal surface 12 is prepared. - 特許庁

ケーブル案内溝１１０は、主面１００の長さ方向Ｘに延びている。例文帳に追加

The cable guide groove 110 extends in the lengthwise direction X of the main surface 100. - 特許庁

まず、基材１１の主面１２上に凸状の光路変換部２２をあらかじめ形成する。例文帳に追加

The projecting optical path conversion part 22 is previously formed on a main surface 12 of the base material 11. - 特許庁

導光板１０の主面１０ａ側には、反射板１２が配置されている。例文帳に追加

A reflector 12 is disposed on a main surface 10a side of the light guide plate 10. - 特許庁

導光板１０の主面１０ｂ側には、液晶表示パネル１３が配置されている。例文帳に追加

A liquid crystal display panel 13 is disposed on a main surface 10b side of the light guide plate 10. - 特許庁

コンデンサ１０１は、電極層１０２の第１主面１０５及び第２主面１０６と、電極層１０３の第１主面１０７及び第２主面１０８とを主面側配線積層部３１の表面３９と平行に配置した状態で、主面側配線積層部３１内に埋め込まれる。例文帳に追加

The capacitor 101 is embedded in the main surface side wiring built-up layer 31 such that a first front surface 105 and a second front surface 106 in the electrode layer 102 and a first front surface 107 and a second front surface 108 in the electrode layer 103 are disposed in parallel with the surface 39 of the main surface side wiring built-up layer 31. - 特許庁

事業承継に関する会社の財務整理や税務面などの相談は、経営者側から日常業務の中では現実的な問題として認識しづらいことや、後継者側からも、相続等の話は親が健在の間に兄弟親族間で持ち出しづらい、といった現状を反映しているのであろう。例文帳に追加

This is probably a reflection of the fact that advice on setting companies’ finances in order and the taxation side of business successions is difficult in practice for proprietors to obtain due to the everyday pressures of work, and that it is difficult for successors, too, to broach the subject of inheritance with siblings and other relatives while their parent is still in good health.  - 経済産業省

ディスク主面１におけるナトリウムイオンを、イオン半径の大きなカリウムイオンに置換する。例文帳に追加

Sodium ions on the disk main surface 1 are replaced by potassium ions large in radius. - 特許庁

圧電体基板１の主面１２には、前端から後端に至る溝部が形成される。例文帳に追加

Grooves are formed on main surface 12 of the piezoelectric substrate 1 on from its front end through to its rear end. - 特許庁

主面１０ａは、複数のプリズム１０ｄを有しており、プリズム面を構成している。例文帳に追加

The main face 10a has a plurality of prisms 10d to constitute a prism surface. - 特許庁

電気光学効果を有する基板１の主面１Ａ上にバッファ層３を形成する。例文帳に追加

The buffer layer 3 is formed on the primary face 1A of the substrate 1 having an electrooptic effect. - 特許庁

合成オフ角は主面１３ａの全体にわたって０．１５度以上である。例文帳に追加

A compound off angle is not less than 0.15 degrees over the entire main surface 13a. - 特許庁

基板（１）の一方の主面（１６）の残部にTi又はW等の導電体層（１０）を配置する。例文帳に追加

A conductor layer (10) consisting of Ti or W etc. is arranged on the remainder of the one main surface (16) of the substrate (1). - 特許庁

第１主面１３の外部端子電極４１は、段差部５３を有する多段構造である。例文帳に追加

The external terminal electrode 41 of the first principal plane 13 is constructed in a multilevel structure having level difference portions 53. - 特許庁

第１主面１３の外部端子電極４１は、オーバーハング部５６を有する。例文帳に追加

The external terminal electrode 41 of the first main surface 13 comprises an overhang part 56. - 特許庁

光学層は、半導体積層体の第１主面１０ｂに設けられ、波長変換部を含む。例文帳に追加

The optical layer is provided on a first primary surface 10b of the semiconductor laminate and includes a wavelength conversion section. - 特許庁

金属層１５はｐ型半導体領域１３の主面１３ａ上に設けられる。例文帳に追加

A metal layer 15 is provided on the principal plane 13a of the p-type semiconductor region 13. - 特許庁

III族窒化物のｃ軸Ｃｘは主面１３ａに対して傾斜している。例文帳に追加

The "c" axis Cx of the group III nitride is oblique with respect to the primary surface 13a. - 特許庁

セラミック基板１１は、基板主面１２にて開口するキャビティ３１を有する。例文帳に追加

The ceramic substrate 11 has a cavity 31 opened on the principal plane 12 of the substrate. - 特許庁