「くろーぬす」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

可溶性ニューロピリン（ｓＮＰ）タンパク質、および該タンパク質をコードするｃＤＮＡの提供。例文帳に追加

To provide a soluble neuropilin protein (sNP) and cDNA encoding the protein. - 特許庁

ローカルＰＮコード・シーケンスの状態は、ローカルＰＮコード・シーケンスから周期的に捕捉され、クロック速度がもっと速いＰＮコード・シーケンスを発生するＰＮゼネレータにより使用される。例文帳に追加

A fast forward(FF) PN generator 208 loads the reference state λREF of the register 206 and generates an FF PN sequence. - 特許庁

Ｎｏｄｅ１は、他Ｎｏｄｅから送信されたリストを最新リストとして格納する（ステップＳ１０８）。例文帳に追加

A Node 1 stores a list transmitted from other Node, as an up-to-date list (step S108). - 特許庁

ＭＯＳＦＥＴ１は、ｎ^＋ＳｉＣ基板１０と、ｎ^−ＳｉＣ層２０と、ｐウェル２１と、ｎ^＋ソース領域２２と、絶縁層３５とを備えている。例文帳に追加

A MOSFET 1 is provided with an n^+SiC substrate 10, an n^-SiC layer 20, a p well 21, an n^+ source region 22, and an insulation layer 35. - 特許庁

ＭＯＳＦＥＴ１は、ｎ^＋ＳｉＣ基板１０と、ｎ^−ＳｉＣ層２０と、ｐウェル２１と、ｎ^＋ソース領域２２と、絶縁層３５とを備えている。例文帳に追加

A MOSFET 1 includes an n^+SiC substrate 10, an n^-SiC layer 20, a p-well 21, an n^+source region 22, and an insulating layer 35. - 特許庁

複数のバッファ回路ＢＵＦ１〜ＢＵＦｎは、複数のデータラインＤＬ１〜ＢＬｎごとに設けられる。例文帳に追加

A plurality of buffer circuits BUF1 to BUFn are disposed every a plurality of data lines DL1 to DLn. - 特許庁

表示面には、表示制御回路部の制御下で各画素部の駆動が制御され、連続する一連のフレーム（図中第Ｎフレームから第Ｎ＋５フレーム）によって、画像Ｇｎ、Ｇｎ＋１、Ｇｎ＋２、Ｇｎ＋３、Ｇｎ＋４ｍＧｎ＋５が表示される。例文帳に追加

On a display surface, the driving of respective pixel parts is controlled based on the control of a display control circuit part, and images Gn, Gn+1, Gn+2, Gn+3, Gn+4, Gn+5 are displayed with a continuing series of frames (from N'th frame to N+5'th frame, in the Fig.). - 特許庁

また、ＴｉＮ膜（バリアメタル膜）１０４を形成する前に、ＴｉＮｘ膜の表面を窒化１０３する。例文帳に追加

Surface of the TiN film is nitrided 103 prior to formation of the TiN film (barrier metal film) 104. - 特許庁

ヒト・アポトーシス抑制蛋白質ＮＡＩＰに対する モノクローナル抗体と、ＮＡＩＰの検定方法例文帳に追加

MONOCLONAL ANTIBODY TO HUMAN APOPTOSIS-INHIBITORY PROTEIN NAIP AND ASSAY OF NAIP - 特許庁

ＮＳＡＩＤ及びミソプロストールを含む医薬錠剤例文帳に追加

NSAID AND MEDICINAL TABLET CONTAINING MISOPROSTOL - 特許庁

ＣｕまたはＣｕ合金の母材上にＣｕ−Ｓｎ合金層とＳｎまたはＳｎ合金層がこの順で形成され、前記ＳｎまたはＳｎ合金層の平均厚さが０．００１〜０．０５μｍであるコネクタ用金属材料。例文帳に追加

In the metallic material for a connector, on the base material of Cu or a Cu alloy, a Cu-Sn alloy layer and Sn or an Sn alloy layer are formed in this order, and the average thickness of the Sn or Sn alloy layer is 0.001 to 0.05 μm. - 特許庁

複数のネットワークＮＷ１乃至ＮＷｎに亘って移動する移動端末ＭＮ−１乃至ＭＮ−ｎの移動先の位置登録を担うホームエージェントＨＡ−１乃至ＨＡ−ｎは、各移動端末の本来のホームリンクに限らず、ネットワークを越えて位置登録可能とする構成である。例文帳に追加

Home agents HA-1 to HA-n for registering the positions of destinations to which mobile terminals MN-1 to MN-n move over a plurality of networks NW1-NWn are capable of registering the positions not limited to original home links of the mobile terminals but exceeding the networks. - 特許庁

上記ショットキー障壁φＢｎ_２は、１．０６ｅＶ＜φＢｎ_２という関係を満足する。例文帳に追加

A Schottky barrier ϕBn_2 satisfies a relation of 1.06 eV<ϕBn_2. - 特許庁

ＣＡＤデータを用いて簡易にＮＣデータを作成できるＮＣデータ作成装置、ＮＣデータ作成システム、ＮＣデータ作成方法及びＮＣデータ作成プログラムを提供すること例文帳に追加

To provide an NC data preparation device, an NC data preparation system, an NC data preparation method and an NC data preparation program for easily preparing NC data by using CAD data. - 特許庁

そして、データ分類部３０は、その複数のデータ群ＯＰＥ_１・ＥＮＶ_１〜ＯＰＥ_Ｎ・ＥＮＶ_Ｎのそれぞれを複数のモデル５０_１〜５０_Ｎに出力する。例文帳に追加

The data classifying part 30 outputs the plurality of data groups OPE_1, ENV_1-OPE_N, ENV_N respectively to the plurality of models 50_1-50_N. - 特許庁

ＷＣＮが登録されていない場合には、携帯ＩＤ番号を読込みＷＣＮに関連付けて記憶すると共に、ＷＣＮを登録する。例文帳に追加

If the WCN has not been registered yet, the system reads a portable ID number, associates it with the WCN, stores it, and registers the WCN. - 特許庁

次に、ＤＡＣ値Ｘｎを所定値Ｘ０に戻し（Ｓ１０５）、Ｙｎ−Ｙ０≧Ｂとなるまで、ＤＡＣ値Ｘｎを一定値ずつ減少させ、その都度、ジッター値Ｙｎを測定する（Ｓ１０６、Ｓ１０７、Ｓ１０８）。例文帳に追加

Then, the DAC value Xn is turned back to the prescribed value X0 (S105), and the DAC value Xn is reduced by a fixed value till the equation Yn-Y0≥B is satisfied while the jitter value Yn is measured every time the reduction is made (S106, S107 and S108). - 特許庁

各クロック抽出装置３４−１〜ｎは、対応する受光器３２−１〜ｎの出力からデータＤ１〜Ｄｎのクロック成分を抽出する。例文帳に追加

Each clock extraction device 34-1-n extracts clock components of the data D1-Dn from outputs corresponding to the light detector 32-1-n. - 特許庁

光ファイバ１１は、波長１５９０ｎｍにおける波長分散Ｄ_１が＋６〜＋１０ｐｓ／ｎｍ／ｋｍであり、波長１５９０ｎｍにおける分散スロープＳ_１が＋０．０７〜＋０．１０ｐｓ／ｎｍ^２／ｋｍである。例文帳に追加

The optical fiber 11 has +6 to +10 ps/nm wavelength dispersion D_1 at a wavelength of 1,590 nm and a +0.07 to +0.10 ps/nm^2/km dispersion slope S_1 at the wavelength of 1,590 nm. - 特許庁

さらに、２／３分周器２０をＮＭＯＳソースカップルドロジック回路からなる２個のＮＡＮＤ型Ｄフリップフロップで構成する。例文帳に追加

Further, a two thirds frequency divider 20 is constituted of two NAND D flip-flops each composed of an NMOS source coupled logic circuit. - 特許庁

Ｎ型センスアンプＮＳＡｔのトランジスタＮ１０，Ｎ１１はソースを接地ＧＮＤに直接接続し、Ｐ型センスアンプＰＳＡのトランジスタＰ２，Ｐ３はソースを電源ＶＤＤに直接接続する。例文帳に追加

Sources of transistors N10, N11 of an N type sense amplifier NSAt are connected directly to the ground GND, and sources of transistors P2, P3 of a P type sense amplifier PSA are connected directly to the power source VDD. - 特許庁

(2) 前記セルロース繊維不織布がセルロース連続長繊維不織布である手術用ガーゼ。例文帳に追加

(2) The gauze for operation is characterized in that the cellulose fiber nonwoven baric is a cellulose continuous long fiber nonwoven fabric. - 特許庁

リフローＳｎめっき材及び前記リフローＳｎめっき材を用いた端子、コネクタ、又はリード部材例文帳に追加

REFLOW TIN PLATING MATERIAL, AND TERMINAL, CONNECTOR, OR LEAD MEMBER USING REFLOW TIN PLATING MATERIAL - 特許庁

診断（５０）に基づいて測定されたＮＯｘ信号（ＮＯｘ）のための基準信号および／または測定されたＮＯｘ信号（ＮＯｘ）の特性値が閾値をオーバーした場合に、ＮＯｘセンサ（１６）が故障であると判定される。例文帳に追加

On the basis of the diagnoses (50), when a reference signal for a measured NOx signal (NOx) and/or a characteristic value of the measured NOx signal (NOx) exceeds the threshold, it is determined that the NOx sensor (16) is at fault. - 特許庁

電子回路Ａは、チャネル長の異なるトランジスターＮ１及びトランジスターＮ２と、トランジスターＮ１及びトランジスターＮ２の一つを選択して所定のノードＮに電気的に接続する選択部１００とを備える。例文帳に追加

An electronic circuit A comprises: a transistor N1 and a transistor N2 which have different channel lengths; and a selection part 100 for selecting one of the transistor N1 and the transistor N2 to electrically connect it to a predetermined node N. - 特許庁

光カップラ１６は、光ファイバ１８−１〜１８−ｎを介して各ユーザのＯＮＵ２０−１〜２０−ｎに接続する。例文帳に追加

The photocoupler 16 connects to ONU 20-1 to 20-n of respective users via optical fibers 18-1 to 18-n. - 特許庁

１５７０ｎｍ〜１６２０ｎｍ帯（Ｌ−ｂａｎｄ）において高速ＷＤＭ伝送が可能な分散マネ−ジメント光伝送路を提供すること。例文帳に追加

To provide a dispersion management optical transmission line which can perform high-speed WDM (Wavelength Division Multiplexing) transmission in a 1,570 to 1,620nm band (L-band). - 特許庁

ある時間帯において、波長λａとλｂがＮＥ２でドロップされ、波長λｃがスルーされており、ＮＥ３では、全ての波長がスルーされていると、ＮＥ１とＮＥ２の間のルートと、ＮＥ２からＮＥ４のルートと、ＮＥ１からＮＥ４へのルートが確立されている。例文帳に追加

In a certain time slot, an NE2 drops wavelengths λa and λb and is through a wavelength λc, and an NE3 is through all wavelengths, this establishing routes from NE1 to NE2, from NE2 to NE4 and from NE1 to NE4. - 特許庁

基板２１のシリコン層１３上にＳｉＧｅ層１４を形成した後、Ｐ^^^++ドープのＳｉＧｅ層１５を膜厚１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度に形成し、続いてＳｉＧｅ層１６を膜厚５００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度に形成する。例文帳に追加

After an SiGe layer 14 is formed on a silicon layer 13 of a substrate 21, a P++ doped SiGe layer 15 with a thickness about 10 nm-100 nm is formed and then an SiGe layer 16 with a thickness of about 500 nm-1000 nm is formed. - 特許庁

楽曲の切れ目はｘｘｘｙＨに記録されたＴｒ１−ｎに含まれているとすると、ｘｘｘｙＨのデータがＮＮＭＡＨにコピーされ、ｘｘｘｙＨは分割ポイントＴｒ１−ｎ’でクローズされる（Ｂ）。例文帳に追加

If a break in the musical pieces is assumed to be included in Tr1-n recorded at xxxyH, the data of xxxyH is copied at NNMAH, and xxxyH is closed at the division point Tr1-n' (B). - 特許庁

ネットワーク管理システム、ＳＮＭＰマネージャ、ＳＮＭＰエージェント、状態同期方法及びプログラム例文帳に追加

NETWORK MANAGEMENT SYSTEM, SNMP MANAGER, SNMP AGENT, STATE SYNCHRONIZATION METHOD AND PROGRAM - 特許庁

第１ＮＭＯＳトランジスタＮＭＯＳ１のバックゲートＢＧ１は電気的なフローティング状態である。例文帳に追加

The back gate BG1 of the first NMOS transistor NMOS1 is in an electrically floating state. - 特許庁

複数のロール布ストッカー１１及び布ホールドストッカー１２が並設されている。例文帳に追加

Plural rolled fabric storage members 11 and plural fabric holding storage members 12 are disposed in parallel. - 特許庁

データ電圧供給線Ｓ１〜Ｓｎを駆動するデータ線駆動回路１４０−１〜１４０−ｎと、データ電圧ＳＶ１〜ＳＶｎを補正するための補正データＣＤ１〜ＣＤｎを求める補正データ演算部１０２と、を含む。例文帳に追加

The integrated circuit device includes: data line drive circuits 140-1 to 140-n which drive data voltage supply lines S1 to Sn; and a correction data arithmetic operation part 102 which obtains correction data CD1 to CDn for correcting data voltage SV1 to SVn. - 特許庁

Ｆｅ−Ｎｉ系パーマロイ合金およびＦｅ−Ｎｉ系パーマロイ合金用鋳造スラブ例文帳に追加

Fe-Ni PERMALLOY AND CAST SLAB FOR THE SAME - 特許庁

また、電源ノードＮ６，Ｎ７は、リレー回路ＲＳを介して負荷Ｒ５と接続されている。例文帳に追加

The power supply nodes N6 and N7 are connected to the load R5 through the relay circuit RS. - 特許庁

その後，カボチャはハロウィーン用として中にろうそくを置けるように中身をくりぬかれます。例文帳に追加

Then they are hollowed out so candles can be put inside for Halloween.  - 浜島書店 Catch a Wave

測定子の先端と直線軌道の間隔をＮとするとき０μｍ＜（Ｌ−Ｎ）≦１００μｍである。例文帳に追加

Defining the interval between the tip of a probe and the linear track as N, the inequality 0 μm<(L-N)≤100 μm holds. - 特許庁

ＳＣＲ吸蔵ＮＨ_３量＞ＮＳＲ吸蔵ＮＯｘ量の場合には、弱リーン運転が実行される（ステップ１６０）。例文帳に追加

When (the SCR occluded NH_3 amount)>(the NSR occluded NOx amount), a weak lean operation is executed (Step 160). - 特許庁

フローリング用のフロア用ステープル，フロア用ネイルの釘抜き及びその釘抜きの形状例文帳に追加

NAIL PULLER FOR STAPLE FOR FLOOR OR NAIL FOR FLOOR IN FLOORING, AND SHAPE OF THE NAIL PULLER - 特許庁

また、チタン膜１０１をＴｉＮｘ（Ｘ＜１）膜とする。例文帳に追加

The titanium film 101 is a TiNx (x<1) film. - 特許庁

この処理を繰り返すことで、垂直方向ブロックｎ値化データの最大値Ｐｎ（ピーク値）を求める。例文帳に追加

The process is repeated to determine a maximum value Pn (peak value) of the n-valued vertical block data. - 特許庁

また、好適には、この分散補償光ファイバ１０は、波長１５５０ｎｍにおけるＲＤＳが０.００５ｎｍ^−１〜０.００９ｎｍ^−１の範囲にある。例文帳に追加

It is suitable that RDS at 1,550 nm wavelength of the dispersion compensating optical fiber is in a range of 0.005 to 0.009 nm^-1. - 特許庁

ｎ−ＩｎＰ基板３２上に、ＭＯＣＶＤ法等によりｎ−ＩｎＰ層３４，ｉ−ＩｎＧａＡｓ層３６，ｐ−ＩｎＰ層３８を連続成長する。例文帳に追加

In the photodetector, an n-InP layer 34, an i-InGaAs layer 36, and a p-InP layer 38 are continuously formed on an n-InP substrate 32 by the MOCVD method, etc. - 特許庁

波長１８５ｎｍ〜２００ｎｍで連続発光するレーザ光をエネルギー効率よく安定して得る。例文帳に追加

To stably obtain laser beams which are continuously emitted at wavelengths of 185 to 200 nm with good energy efficiency. - 特許庁