「くろーぬす」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目)

ｎ−ＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ−ＧａＡｓバッファ層１０２、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０３、活性層１０４、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ下部クラッド層１０５、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰエッチングストッパ層１０６、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ上部クラッド層１０７、ｐ−ＧａＩｎＰ中間層１０８、ｐ−ＧａＡｓ下部コンタクト層１０９をその順序で成長させる。例文帳に追加

An n-GaAs buffer layer 102, n-AlGaInP clad layer 103, active layer 104, p-AlGaInP lower clad layer 105, p-AlGaInP etching stopper layer 106, p-AlGaInP upper clad layer 107, p-GaInP intermediate layer 108, and p-GaAs lower contact layer 109 and grown in sequence on an n-GaAs substrate 101. - 特許庁

ｎ^−型のＧａＮ層６にp型のＧａＮ層１０が積層されており、ｐ型のＧａＮ層１０にｐ型のＧａＮ層１０を貫通するアパーチャー２８が形成されており、そのアパーチャー２８にｎ型のＧａＮ層２６が充填されている。例文帳に追加

A p-type GaN layer 10 is stacked on an n^- type GaN layer 6, an aperture 28 penetrating through the p-type GaN layer 10 is formed on the p-type GaN layer 10, and an n-type GaN layer 26 is filled in the aperture 28. - 特許庁

これは、１つの物理ＦＣポート（Ｎポート）が、複数の論理Ｎポートとして動作することを可能にする。例文帳に追加

This enables one physical FC port (N port) to operate as a plurality of logical N ports. - 特許庁

ｎ個のパッケージ１２０−１〜１２０−ｎは、パッケージ依存プログラムを記憶するプログラムメモリ１２１−１〜１２１−ｎを備える。例文帳に追加

The (n) pieces of the packages 120-1-120-n are provided with the program memories 121-1-121-n for storing the package dependent program. - 特許庁

Ｎロット目の標準研磨時間ｔｓＮと補正研磨時間ｔｃＮとを加えた時間を最適研磨時間ｔｏＮとする。例文帳に追加

A time obtained by adding a correction polishing time tcN to a standard polishing time tsN of an N-th lot is set as an optimum polishing time toN. - 特許庁

［式（１）において、Ｒ１は、Ｃ_ｍＦ_２ｍ＋１（１≦ｍ≦８）、Ｒ２はＣ_ｎＦ_２ｎ＋１（１≦ｎ≦８）であり、５≦ｍ＋ｎ≦１６である。例文帳に追加

In the formula (1), R1 meets C_mF_2m+1(1≤m≤8); R2 meets C_nF_2n+1(1≤n≤8) and 5≤m+n≤16. - 特許庁

特に、ＳｉＯ_２：６０〜７２mol％、Ｎａ_２Ｏ：７〜１１mol％、Ａｌ_２Ｏ_３：０．５〜６mol％、ＺｎＯ：２〜２０mol％、Ｂ_２Ｏ_３：２〜２０mol％とするのが好ましい。例文帳に追加

The composition is preferably controlled to contain 60-72% SiO_2, 7-11% Na_2O, 0.5-6% Al_2O_3, 2-20% ZnO and 2-20% B_2O_3 by mol. - 特許庁

このリセット信号ＲＳＴＰＭＰに応じてＮＭＯＳトランジスタＮ１６がオンし、ＮＭＯＳトランジスタＮ１１とＮ１２の接続ノードＣＮ１が電源電圧Ｖｃｃにリセットされる。例文帳に追加

An NMOS transistor N16 is turned ON in accordance with the reset signal RSTPUMP and the connection node CN1 of NMOS transistors N11 and 12 is reset to the power source voltage Vcc. - 特許庁

積分回路１３０は、ｎ段目インバータＩＮＶ_ｎ（ｎは偶数）の出力電位の平均値を出力する。例文帳に追加

An integration circuit 130 outputs an average value of output potential of n-th step inverter INV_n (n is an even number). - 特許庁

対物レンズ５の開口数ＮＡは０．６≦ＮＡ≦０．８であり、倍率βは４０≦β≦６３である。例文帳に追加

The numerical aperture NA of the lens 5 is 0.6≤NA≤0.8 and magnification β is 40≤β≤63. - 特許庁

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリアクセス装置及びＮＡＮＤ型フラッシュメモリアクセスプログラム及び記録媒体例文帳に追加

NAND FLASH MEMORY ACCESS DEVICE, NAND FLASH MEMORY ACCESS PROGRAM AND RECORDING MEDIUM - 特許庁

Ｚｎ極性（０００１）面を有するアンドープＺｎＯ層及びＺｎ極性（０００１）面を有するアンドープＺｎ_１−ｘＭｇ_ｘＯ（０．１５≦ｘ≦０．４５）層のヘテロ接合を有し、Ｚｎ極性（０００１）面を有するアンドープＺｎＯ層の２次元電子ガス層をチャンネル層とすることを特徴とする高電子移動度ＺｎＯデバイスである。例文帳に追加

The high electron mobility ZnO device has a heterojunction to an undoped ZnO layer having a Zn polarity (0001) face, and an undoped Zn_1-xMg_xO (0.15≤x≤0.45) layer having a Zn polarity (0001) face wherein the two-dimensional electron gas layer of the undoped ZnO layer having a Zn polarity (0001) face serves as a channel layer. - 特許庁

第３、第４の選択トランジスタ１３ｅ、１４ｄは、ビット線ＢＬ０と第２のＮＡＮＤユニットＮＡＮＤ１との間の直列接続されている。例文帳に追加

The third and fourth selection transistors 13e, 14d are connected in series between the bit line BL0 and the second NAND unit NAND 1. - 特許庁

磁心材料をＭｎ−Ｚｎフェライトとすることができる。例文帳に追加

The material of the magnetic core can be Mn-Zn ferrite. - 特許庁

この間、間欠信号を入力するＮＡＮＤ回路３８はＨである。例文帳に追加

Meanwhile, a NAND circuit 38 inputting the intermittent signals is on an H-level. - 特許庁

なお、ＡｌＮ−ＢＮ焼結体の代わりに、サイアロンを使用することもできる。例文帳に追加

Sialon can be substituted for the AlN-BN body. - 特許庁

そして、液滴Ｌは、図５（ｂ）の符号Ｌ′に示すようにぬれ広がる。例文帳に追加

Then, the droplet L is wetly spread as indicated by a code L' in Fig.5(b). - 特許庁

ＮＰＮトランジスタＱ１及びＮＰＮトランジスタＱ２は第１のカレントミラー回路を構成し、ＮＰＮトランジスタＱ２のコレクタ側から過電流検出信号Ｓｋｋを出力する。例文帳に追加

The NPN transistor Q1 and the NPN transistor Q2 constitute a first current mirror circuit, and output an overcurrent detection signal Skk from the collector side of the NPN transistor Q2. - 特許庁

特定生体物質は、ＡＮＸＡ３、ＰＣＮＡ、ＬＭＮＢ１、ＰＡＫ１、４ＥＢＰ１、ＫＡＲＳ、ＰＳＭＥ２、ＥＮＯ１、ＳＴＡＴ１、ＰＨＢ、ＳＰ−１００、およびＰＰＰ１ＣＢからなる群より選択される少なくとも１つである。例文帳に追加

The specific biomaterial is at least one selected from the group consisting of ANXA3, PCNA, LMNB1, PAK1, 4EBP1, KARS, PSME2, ENO1, STAT1, PHB, SP-100, and PPP1CB. - 特許庁

パック抜取手段１０５は合成しようとするオーディオパックを第２ストリームデータ（ｂ）から抜き取り抜き取りデータ（ｃ）として出力する。例文帳に追加

A pack drawing-out means 105 draws an audio pack aiming to synthesize out from second stream data (b), and outputs the pack as drawn-out data (c). - 特許庁

Ｍｇ_1-xＭ^2+_x（ＯＨ）_2 （１）（式中Ｍ^2+は、Ｍｎ^2+、Ｆｅ^2+、Ｃｏ^2+、Ｎｉ^2+、Ｃｕ^2+及びＺｎ^2+からなる群から選ばれた少なくとも１種の二価金属イオンを示し、ｘは０．０１≦ｘ≦０．５の数を示す）ｐＺｎＯ・ｑＢ_2Ｏ_3・ｒＨ_2Ｏ（２）（式中ｐ、ｑ、ｒは正数）例文帳に追加

(2) [(p), (q) and (r) are each the positive number] as essential components. - 特許庁

ｂ．該光学シートを構成する前記マトリックスの屈折率をｎ_０とし、前記扁平なドメインの屈折率をｎ_１とするとき、ｎ_０は１．６２以上２．０以下であり、かつ｜ｎ_０−ｎ_１｜≧０．０５である。例文帳に追加

b; When a refractive index of the matrix composing the optical sheet is n_0 and the refractive index of the flat domain is n_1, n_0 is 1.62 or more and 2.0 or less, and moreover |n_0-n_1|≥0.05. - 特許庁

音声処理系統１１〜１ｎは、アナログ増幅回路２１〜２ｎ、ＡＤ変換回路３１〜３ｎ、デジタル処理回路４１〜４ｎを有する。例文帳に追加

Audio processing systems 11-1n include an analogue amplification circuits 21-2n, AD conversion circuits 31-3n, and digital processing circuits 41-4n. - 特許庁

前記入力部１では、クロック信号ＣＫと入力信号Ｄとを入力とするＮＯＲ回路ＮＯＲ１が備えられ、前記ＮＯＲ回路ＮＯＲ１の出力が制御ノードｎｃの信号として、前記ｎ型ＭＩＳトランジスタＴＮ３に与えられる。例文帳に追加

The inputting part 1 is provided with a NOR circuit NOR1 for receiving the clock signal CK and an input signal D, and an output of the NOR circuit NOR1 is given to the n type MIS transistor TN3 as a signal of the control node nc. - 特許庁

異なる４つの再生主波長で多重記録又は多層記録されたフルカラーホログラムにおいて、比視感度曲線のピーク波長５５５ｎｍ付近の５５０ｎｍ〜５６０ｎｍに再生波長の１つを有し、かつ、赤、青、緑の３原色領域の６１５ｎｍ〜６８０ｎｍ、３８０ｎｍ〜４７０ｎｍ、４８５ｎｍ〜５１５ｎｍの３つの領域に他の３つの再生波長を有するフルカラーホログラム。例文帳に追加

The full color hologram in which multiple recording or multilayer recording is performed with different four main wavelengths for reproducing has one reproducing wavelength in the region from 550 to 560 nm near 555 nm peak wavelength in the specific luminosity curve, and has other three reproducing wavelengths in the regions for the three primary colors of red, blue and green from 615 to 680 nm, from 380 to 470 nm and from 485 to 515 nm, respectively. - 特許庁