「くろーぬす」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

また、ロードロック室２０の内部にＮ_２ガスを導入するＮ_２ガス供給源２６も接続されている。例文帳に追加

An N_2 gas supply 26 for introducing N_2 gas into the load lock chamber 20 is also connected. - 特許庁

ｎ−ＩｎＰ基板５０１上に形成されたＧａＩｎＡｓＰ活性層５０２の両側をｎ−ＧａＩｎＡｓＰ電流ブロック層５０４で埋め込むとともに、ＧａＩｎＡｓＰ活性層５０２と直交する方向に所定間隔で配列されたｎ−ＩｎＰ埋め込み層５１０をｎ−ＧａＩｎＡｓＰ電流ブロック層５０４に形成することにより、信号光の導波方向と直交する方向で発振が起こるようにする。例文帳に追加

Stimulation is caused in a direction orthogonal to the guide direction of the signal light by embedding n-GaInAsP current block layers 504 to both sides of a GaInAsP active layer 502 formed on an n-InP substrate 501 and forming n-InP embedded layers 510 arranged in a direction orthogonal to the GaInAsP active layers 502 at a prescribed interval to the n-GaInAsP current block layers 504. - 特許庁

無負荷４ＴＳＲＡＭセル２０は、一対のアクセス・トランジスタＮ１，Ｎ２および一対のプルダウン・トランジスタＮ３，Ｎ４を備え、そのすべてが、Ｎチャネル・トランジスタ（ＮＦＥＴまたはＮＭＯＳＦＥＴ）として実現される。例文帳に追加

The unloaded 4T SRAM cell 20 comprises a pair of access transistors (N1 and N2) and a pair of pull-down transistors (N3 and N4), all of which are implemented as N-channel transistors (NFETs or NMOSFETs). - 特許庁

バイアス回路１１は、ＮＭＯＳトランジスタＮＨ１，ＮＨ２のしきい値電圧高いバイアス電位ＮＢを各ＮＭＯＳトランジスタＮＨ１，ＮＨ２のゲートに供給する。例文帳に追加

The bias circuit 11 supplies bias potential NB, which is higher by the threshold voltages of the NMOS transistors NH1, NH2, to the gates of the respective NMOS transistors NH1, NH2. - 特許庁

ＰＬＬ回路（７）は、ｎ個（ｎは正数）の汎用ＩＣ（８−１〜８−ｎ）に接続されている。例文帳に追加

The PLL circuit (7) is connected to (n) ((n) is a positive number) general ICs (8-1 to 8-n). - 特許庁

印字チップ１２−ｎ左端の正規ピッチＰの印字素子ｎ、ｎ＋１、ｎ＋２、・・・、ｎ＋６に対して、印字チップ１２−Ｎの右端の印字素子Ｎ、Ｎ＋１、Ｎ＋２、・・・、Ｎ＋６は２μｍ大きいピッチＰ′で配列されている。例文帳に追加

Print elements n, n+1, n+2,..., n+6 at the left end of the print chip 12-n are arranged with a regular pitch P and print elements N, N+1, N+2,..., N+6 at the right end of the print chip 12-N are arranged with a pitch P' which is greater than the pitch P by 2 μm. - 特許庁

信号を送受信するインダクタ素子ＩＤ１を有するＮＡＮＤチップＮＣ１と、信号を送受信するインダクタ素子ＩＤ０を有するＮＡＮＤチップＮＣ０と、ＮＡＮＤチップＮＣ１，ＮＣ０の動作を制御する制御回路が形成され、インダクタ素子ＩＤ１，ＩＤ０との間で信号を送受信するインダクタ素子ＩＤＣを有する制御用チップＣＣ０とを備える。例文帳に追加

The device includes: a NAND chip NC1 having an inductor element ID1 for exchanging a signal; a NAND chip NC0 having an inductor element ID0 for exchanging the signal; and a control chip CC0, in which a control circuit is formed for controlling operations of the NAND chips NC1, NC0 and an inductor element IDC is included for exchanging the signal between the inductor elements ID1, ID0. - 特許庁

制御装置４００は、バスＢＳＧを介して接続される第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の回路装置１００−１〜１００−ｎを制御する。例文帳に追加

The controller 400 controls first to n-th (n is an integer of two or more) circuit devices 100-1 to 100-n connected through a bus BSG. - 特許庁

ＳＮＭＰインターフェースを使用して、ＵＮＩＸ（登録商標）サーバを制御できるようにする。例文帳に追加

To control a UNIX(R) server while using an SNMP interface. - 特許庁

酸素を除く全原子に占めるＩｎ、Ｚｎ及びＳｎの含有率が、それぞれ、２０≦Ｉｎ≦８０モル％、０≦Ｚｎ≦８０モル％、０≦Ｓｎ≦８０モル％であり、不活性ガス雰囲気下で焼成してなる酸化物粒子。例文帳に追加

The contents of In, Zn and Sn in all atoms except oxygen for the oxide particle are denoted as 20≤In≤80 mol%, 0≤Zn≤80 mol% and 0≤Sn≤80 mol% respectively. - 特許庁

（Ｎｘ−Ｎｃ）^2＋（Ｎｙ−Ｎｃ）^2≦０．０３ …（１） ここで、Ｎｘ及びＮｙはそれぞれ基材フィルムの縦方向及び横方向の屈折率であり、Ｎｃは易接着層の屈折率である。例文帳に追加

In this case, longitudinal and lateral refractive indexes of the base material film are 1.55 to 1.70, and the indexes of the adhesive layer and the material film satisfy formula X (wherein Nx and Ny are respectively longitudinal and lateral refractive indexes of the material film, and Nc is the refractive index of the adhesive layer). - 特許庁

半田をリフローした際に、ニッケル層６０と半田バンプ（Ｃｕ−Ｓｎ−Ａｇ）４６との界面に、Ｎｉと半田組成金属とのＮｉ合金層（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ）６８ができる（図６（Ｂ））。例文帳に追加

When reflow soldering is performed, an Ni alloy layer (Cu-Ni-Sn) 68 with Ni and a solder composition metal can be made ((B) of Fig.) in the interface of a nickel layer 60 and a solder bump (Cu-Sn-Ag) 46. - 特許庁

ぬいぐるみ１０を構成するぬいぐるみ本体１２の内部にファスナー２０を開くことによって各種の重さの異なる重錘１４を挿入する。例文帳に追加

Various weights 14 differed in weight are inserted in a stuffed animal body constituting this stuffed animal 10 by opening a fastener 10. - 特許庁

次に、Ｎｉ又はＮｉ合金のＺｎとの置換反応により、Ａｌ電極パッド２上にＮｉ又はＮｉ合金突起電極６を形成形成する。例文帳に追加

Further an Ni- or Ni-alloy-projecting electrode 6 is formed on the Al electrode pad 2 through the substitution reaction of Zn with Ni or Ni alloy. - 特許庁

ぬいぐるみの基材が、単繊維直径５．０μｍ以下の極細繊維を含んでなる不織布で構成されていることを特徴とする歯磨き用ぬいぐるみ。例文帳に追加

The stuffed toy for toothbrushing is such that its material comprises a nonwoven fabric including extrafine fibers each 5.0 μm or less in diameter. - 特許庁

ＳｒとＮａとは、Ｎａ（ｐｐｍ）≧−１．０３・Ｓｒ（ｐｐｍ）＋８０．４の関係を満たすことが好ましい。例文帳に追加

It is preferable that Sr and Na satisfy the relation of Na(ppm)≥-1.03×Sr(ppm)+80.4. - 特許庁

ＭＯＣＶＤ法を用いてＧａＮ層１００上にＩｎＡｌＮ層１０１を約５００℃で成長させた後、ＩｎＡｌＮ層１０１を覆うキャップ層としてのＡｌＧａＮ層１０２を約５００℃で成長させてＩｎＡｌＮ層１０１を不完全結晶体とする。例文帳に追加

An InAlN layer 101 is grown at about 500°C on a GaN layer 100 using an MOCVD method, and an AlGaN layer 102 as a cap layer for covering the InAlN layer 101 is grown at about 500°C, so that the InAlN layer 101 can be formed as an incomplete crystal body. - 特許庁

（ｉ） Ｒｏ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ （ii） Ｒｔｈ＝（（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ）×ｄ但し、ｎｘは面内の最大屈折率、ｎｙは面内でｎｘと直行方向の屈折率、ｎｚはフィルム厚み方向の屈折率、各々の屈折率は５９０ｎｍの値であり、ｄはフィルムの膜厚（ｎｍ）を表す。例文帳に追加

(i) Ro=(nx-ny)×d (ii) Rth=((nx+ny)/2-nz)×d, where nx represents the maximum refractive index of in the plane, ny refractive index in the direction of nx in the plane, nz refractive index in the film thickness direction, each being 590nm, and d denotes the film thickness (nm). - 特許庁

サーバ（１００）は、各ＶＬＡＮにサービスを提供するサーバプロセス＃１〜＃３（１０１〜１０３）を備え、これらはそれぞれ内部ＩＰアドレスＮ１，Ｎ２，Ｎ３を持つ。例文帳に追加

The server (100) comprises server processes #1-#3 (101-103) for providing services to the VLANs, the server processes having internal IP addresses N1, N2, N3. - 特許庁

第１ＶＰＮ接続確立部１０２が、受け付けた第１ＶＰＮ接続要求によりＶＰＮ接続元との第１ＶＰＮ接続を確立する。例文帳に追加

A first VPN connection establishing part 102 establishes a first VPN connection with a VPN connection source by a received first VPN connection request. - 特許庁

ｎ−ＩｎＰ基板２０上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層２２，反射鏡層２３，ｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２４，ｎ−ＩｎＰキャップ層２８が積層され、ｎ−ＩｎＰキャップ層２８内に亜鉛（Ｚｎ）が拡散されて、受光部となるｐ型拡散領域３２が形成されている。例文帳に追加

An n-type InP buffer layer 22, a reflector layer 23, an i-type InGaAs photo-absorption layer 24, and an n-type InP cap layer 28 are laminated on an n-type InP substrate, and zinc(Zn) is diffused in the n-type InP cap layer 28 to form a p-type diffusion region 32 as a photo-receiving portion. - 特許庁

スイッチ回路ＤＢ、ＤＮは、スイッチ回路ＳＰ、ＳＮと並列に接続され、スイッチ回路ＳＰ、ＳＮの端子間のインピーダンスを低減させる。例文帳に追加

Switch circuits DB and DN are connected in parallel with the switches SP and SN and reduce the impedance between terminals of switch circuits SP and SN. - 特許庁

レーザダイオード２０（２０_１〜２０_２ｎ）は、互いに異なる波長λ_１〜λ_２ｎのレーザ光を出力する。例文帳に追加

Laser diodes 20 (20_1 to 20_2n) output laser beams of different wavelengths λ_1 to λ_2n, respectively. - 特許庁

また、第２のｐ型ＡｌＧａＮ層６０７はＳｉＮ膜６０６の一部を覆う。例文帳に追加

Moreover, the second p-type AlGaN layer 607 covers a part of an SiN film 606. - 特許庁

差動回路３００は、高耐圧のＮＭＯＳトランジスタＮ１１Ａ、Ｎ１１Ｂがカレントミラー回路２１０と並列接続された差動対Ｎ１１と、ＮＭＯＳトランジスタＮ１３と、を含んで構成されている。例文帳に追加

The differential circuit 300 comprises: a differential pair N11 wherein high voltage tolerant NMOS transistors N11A, N11B are connected in parallel to the current mirror circuit 210; and an NMOS transistor N13. - 特許庁

さらに、全ノードＮ１〜Ｎ６で同期を取って、実時間通信および非実時間通信の実施期間を全ノードＮ１〜Ｎ６で共有する。例文帳に追加

Further, the entire nodes N1 to N6 are synchronized, execution periods of the real-time communication and the non-real time communication are shared by the entire nodes N1 to N6. - 特許庁

ＧａＩｎＮＡｓ吸収層は、Ｉｎ組成が６％、Ｎ組成が２％であって、ＧａＡｓに格子整合する組成となっており、周期１４０ｎｍの回折格子５７がＧａＩｎＮＡｓ吸収層に設けられている。例文帳に追加

The GaInNAs absorption layer includes 6% composition of In and 2% composition of N, and its lattices are matched with those of GaAs, and the diffraction grating 57 of a cycle of 140 nm is provided. - 特許庁

老化細胞から誘導される発現ベクターcＤＮＡライブラリーを用いて、ＤＮＡ合成の阻害因子をコードするcＤＮＡクローンを単離する。例文帳に追加

An expression vector cDNA library derived from senescent cells is used to isolate cDNA clones encoding the inhibitors of the DNA synthesis. - 特許庁

Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ６のソースに電源ＶＳＳを、ゲートにノードＧＮを、ドレインにインバータＩＮＶの入力を接続する。例文帳に追加

The power supply VSS is connected to a source of an N-type MOS transistor Q6, the node GN is connected to its gate, and the input of the inverter INV is connected to its drain. - 特許庁

ＮＭＯＳトランジスタＮ３とＮＭＯＳトランジスタＮ５との間にゲートが第１電源電圧Ｖｄｄ１に接続された低耐圧のＮＭＯＳトランジスタＮ７を挿入すると共に、ＮＭＯＳトランジスタＮ４とＮＭＯＳトランジスタＮ６との間にゲートが第１電源電圧Ｖｄｄ１に接続された低耐圧のＮＭＯＳトランジスタＮ８を挿入するようにした。例文帳に追加

In the level shift circuit, a low pressure-resistant NMOS transistor N7 whose gate is connected to a first source voltage Vdd1 is inserted between an NMOS transistor N3 and an NMOS transistor N5; and a low pressure-resistant NMOS transistor N8 whose gate is connected to the first source voltage Vdd1 is inserted between an NMOS transistor N4 and an NMOS transistor N6. - 特許庁

各センス線ＳＮと参照センス線ＲＳＮの間に設けられるイコライズ回路Ｅ０１〜Ｅ０ｎは、二つのＮＭＯＳトランジスタＱＮ_L，ＱＮ_Sの直列接続により構成される。例文帳に追加

Equalizing circuits E01-E0n provided between each sense line SN and reference sense line RSN consists of two NMOS transistors QNL and QNS being connected in series. - 特許庁

セルロースを不織布とした後に、化学修飾することにより、このセルロース不織布を製造する。例文帳に追加

The cellulose nonwoven fabric is obtained by forming a cellulose nonwoven fabric and then subjecting to a chemical modification. - 特許庁

本半導体レーザ素子２０は、ｎ−ＩｎＰ基板２１と、ｎ−ＩｎＰ基板２１上に順次形成された、ｎ−ＩｎＰクラッド層２２、ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層２３、第１のｐ−ＩｎＰクラッド層２４、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ／ｐ−ＡｌＧa ＩｎＡｓ層２５、第２のｐ−ＩｎＰクラッド層２６、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２７からなる積層構造を備えている。例文帳に追加

This element has a laminated structure consisting of n-InP substrate 21, and n-InP clad layer 22, SCH-MQW active layer 23, first p-In clad layer 24, p-AlInAs/AlGaInAs layer 25, second p-InP clad layer 26, and p-GaInAs contact layer 27 sequentially formed on the n-InP substrate 21. - 特許庁

ＤＦＢレーザ装置１００は、ｎ型ＩｎＰ基板１０１と、特定周期を有するＶ溝１０２と、各Ｖ溝を埋め込むように形成されたＩｎＮＡｓＰからなる回折領域１０３と、ｎ型ＩｎＰクラッド層１０４と、活性領域１０５と、ｐ型Ｉｎクラッド層１０６とを備えている。例文帳に追加

A DFB laser device 100 is provided with an n-type InP substrate 101, V grooves 102 having specific periods, diffraction regions 103 composed of InNAsP and formed so as to be padded in respective V grooves 102, an n-type InP clad layer 104, an active region 105, and a p-type In clad layer 106. - 特許庁

（式中、ＺはＳ，ＸはＣＲ^４，Ｘ^１はＯ，Ｓ，Ｒは−ＣＯＮＲ^５Ｒ^６，−ＣＯ_２Ｒ^５，−ＮＲ^５Ｒ^６，−ＮＲ^５ＳＯ_２Ｒ^６，−ＳＯ_２ＮＲ^５Ｒ^６等を示す。）例文帳に追加

Wherein, Z is S or the like; X is CR^4 or the like; X^1 is O, S or the like; and R is CONR^5R^6, CO_2R^5, NR^5R^6, NR^5SO_2R^6, SO_2NR^5R^6 or the like. - 特許庁

Ｃｅｑ_1＝［Ｃ］＋０．１０８×［Ｓｉ］−０．０６７×［Ｍｎ］＋０．０２４×［Ｃｒ］−０．０５×［Ｎｉ］＋０．０７４［Ｖ］ ・・・（１）例文帳に追加

The carbon equivalent Ceq_1 of the provided spring steel as calculated by formula: Ceq_1=[C]+0.108×[Si]-0.067×[Mn]+0.024×[Cr]-0.05×[Ni]+0.074[V], is at most 0.55. - 特許庁

この防食層は、Ｓｎが１質量％を超えかつ５０質量％未満であり、残部がＺｎであるＺｎ−Ｓｎ系溶射被膜を含有する。例文帳に追加

The anticorrosion layer contains a thermally-sprayed Zn-Sn coating film containing Sn of >1 mass% and <50 mass% and the remainder of Zn. - 特許庁

この防食層は、Ｓｎが１質量％を超えかつ５０質量％未満であり、残部がＺｎであるＺｎ−Ｓｎ系溶射被膜を含有する。例文帳に追加

The corrosion prevention layer contains a Zn-Sn sprayed coating consisting of more than 1 mass% to less than 50 mass% Sn and the balance Zn. - 特許庁

さらに、ＡｔＧＣＮ２０−３と相互作用する蛋白質をコードする遺伝子（ＡｔＧＣＮ１）を同定した。例文帳に追加

Further, a gene(AtGCN1) encoding a protein interacting with the AtGCN20-3 gene is identified. - 特許庁

ｎ型ＩｎＰ基板１上に、ｎ型ＩｎＰクラッド層２、ＡｌＧａＩｎＡｓ光吸収層４、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層６、及びｐ型ＩｎＰクラッド層７が順に積層されている。例文帳に追加

An n-type InP clad layer 2, an AlGaInAs optical absorption layer 4, a p-type InGaAsP optical waveguide layer 6, and a p-type InP clad layer 7 are laminated on an n-type InP substrate 1 in this order. - 特許庁

可変長パケットＩｎｐｕｔＰａｃｋｅｔ１０−０〜ｎが入力交換部Ｉｎｐｕｔ−Ｅｘｃｈａｎｇｅ１１へ入力され、Ｉｎｐｕｔ−Ｅｘｃｈａｎｇｅ１１では、各ＩｎｐｕｔＰａｃｋｅｔ１０−０〜ｎのＨｅａｄｅｒ情報からフローを検索し、パケットスイッチＰａｃｋｅｔＳｗｉｔｃｈ１３の出力方路単位にＱｕｅｉｎｇされる。例文帳に追加

Variable length packet InputPackets 10-0 to 10-n are given to an input exchange Input-Exchange 11, the Input-Exchange 11 retrieves a flow on the basis of Header information of the InputPackets 10-0 to 10-n, and the packets are queued in the unit of output paths of a packet switch PacketSwitch 13. - 特許庁

これと全く同一の回路を第４の抵抗、第３のＮＰＮトランジスタ、第５の抵抗、第６の抵抗、第４のＮＰＮトランジスタで構成する。例文帳に追加

The same circuit comprises a fourth resistance, a third NPN transistor, a fifth resistance, a sixth resistance, and a fourth NPN transistor. - 特許庁

第１及び第２ＩＤＴ３，４を構成する交差指電極の対数Ｎidt1，Ｎidt2及び各反射器５，６を構成する反射器電極の対数Ｎr は、それらの総対数Ｎに対して０．１１≦Ｎr ／Ｎ≦０．２０となるように選択する。例文帳に追加

Logarithms Nidt1 and Nidt2 of an interdigital electrode constituting a first and a second IDTS 3 and 4 and a logarithm Nr of a reflector electrode constituting each of reflectors 5 and 6 are selected so that the total logarithm N for them may be set to 0.11≤Nr/N≤0.20. - 特許庁

Ｎ，Ｎ’−ビス（２−ヒドロキシプロピル）−Ｎ，Ｎ’−ジエチルヘキサメチレンジアミン等のアルカノールアミンを用いて、ポリウレタン樹脂を製造する。例文帳に追加

The polyurethane resin is produced by using the alkanolamine such as N,N'-bis(2-hydroxypropyl)-N,N'-diethylhexamethylenediamine. - 特許庁

ＮＡＮＤ回路２１には初期化信号Ｉおよび４入力ＮＡＮＤ回路９の出力信号を入力し、その出力をインバータ回路２２を通して２入力ＮＡＮＤ回路５および８へ入力する。例文帳に追加

The initialization signal I and the output signal of the four-input NAND circuit 9 are inputted to a NAND circuit 21 and the output thereof is inputted through an inverter circuit 22 to two-input NAND circuits 5 and 8. - 特許庁