「くろーぬす」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

またシーンＣＮ２をスクリーン１０Ｃに表示する。例文帳に追加

The scene CN2 is displayed on the screen 10C. - 特許庁

ｎ−ＩｎＰホールブロック層２３と、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層２５との間に、ノンドープＩｎＰ層２４を形成する。例文帳に追加

A non-doped InP layer 24 is formed between an n-InP hole block layer 23 and a p-InP upper clad layer 25. - 特許庁

ＮＲＺＩ／ＮＲＺ変換器（４８）は、回路（４６）の弁別結果をＮＲＺＩ形式からＮＲＺ形式に変換する。例文帳に追加

An NRZI/NRZ converter (48) converts the discrimination result of the circuit (46) from the NRZI format to the NRZ format. - 特許庁

端末１０はＤ（Ｔｎ）とＴｎとをメモリ部１３に記憶し、送信部１５はＤ（Ｔｎ）とＴｎとをサーバ２０に送信する。例文帳に追加

The terminal 10 stores D (Tn) and Tn in a memory part 13, and a transmitting part 15 transmits D (Tn) and Tn to a server 20. - 特許庁

Ｉｎ−Ｚｎ系合金としてはＺｎ２〜４質量％、残部Ｉｎからなり、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｓｎ系としてはＺｎ２〜４質量％、Ｓｎを２０質量％以下（範囲の下限値０を含まず）残部Ｉｎからなる温度ヒューズ用合金である。例文帳に追加

The alloy for the thermal fuse comprises, by mass, 2 to 4% Zn, and the balance In in the case of an In-Zn based alloy, or comprises 2 to 4% Zn and ≤20% Sn (excluding zero as the lower limit value in the range), and the balance In in the case of an In-Zn-Sn based alloy. - 特許庁

シャドウマスク用Ｆｅ−Ｎｉ系合金条又はシャドウマスク用Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金において、ぬれ張力が３４．０ｍＮ／ｍ以上６４．００ｍＮ／ｍ以下であることを特徴とする。例文帳に追加

In the Fe-Ni alloy strip for shadow masks or the Fe-Ni-Co alloy strip for shadow masks, wetting tension is made to (34.0 to 64.00) mN/m. - 特許庁

アンカｅＮｏｄｅＢ１２５は無線インタフェースでセルフバックホールｅＮｏｄｅＢ１３０と通信する。例文帳に追加

An anchor eNodeB 125 communicates with a self-backhauled eNodeB 130 via a radio interface. - 特許庁

ＮＳＡリンクは、ＮＩＣ及びストレージ・コントローラと直接接続するアービターを含んでもよい。例文帳に追加

The NSA link may include an arbiter directly connected to the NIC and a storage controller. - 特許庁

直径４０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下であり、アスペクト比が５０以上、５０００以下であることを特徴とする、β−Ｓｉ_３Ｎ_４ナノワイヤー。例文帳に追加

There is provided a β-Si_3N_4 nanowire having a diameter of 40-1,000 nm and an aspect ratio of 50-5,000. - 特許庁

ユーザインタフェース部１３は、装置サブネットワークＳＮ５０または分割サブネットワークＳＮ５０−１、ＳＮ５０−２を表示制御する。例文帳に追加

A user interface section 13 displays and controls the apparatus subnetwork SN50 or the divided subnetworks SN50-1, SN50-2. - 特許庁

このｎ型ＳｉＣ１１上に、ｎ型窒化物半導体層１２、ｎ型ＡｌＧａＮ層１３、ＩｎＧａＮ層１４、ｐ型ＡｌＧａＮ層１５とｐ型ＧａＮ層１６を順次積層する。例文帳に追加

On the n-type SiC 11, there are sequentially laminated an n-type nitride semiconductor layer 12, an n-type AlGaN layer 13, an InGaN layer 14, a p-type AlGaN layer 15, and a p-type GaN layer 16. - 特許庁

波長３４０ｎｍ〜３８０ｎｍの近紫外光によって励起されて白色発光する照明用蛍光体であって、ピーク波長６２５ｎｍ〜７５０ｎｍの赤色蛍光体またはピーク波長５７５ｎｍ〜６７５ｎｍの橙色蛍光体と、ピーク波長５００ｎｍ〜６００ｎｍの緑色蛍光体と、ピーク波長４００ｎｍ〜５００ｎｍの青色蛍光体とを含有している。例文帳に追加

The illuminating fluorescent substance excited by the near ultraviolet light at 340-380 nm wavelength and emitting the white light comprises a red fluorescent substance at 625-750 nm peak wavelength or an orange fluorescent substance at 575-675 nm peak wavelength, a green fluorescent substance at 500-600 nm peak wavelength and a blue fluorescent substance at 400-500 nm peak wavelength. - 特許庁

ＤＳＬシステムにおけるＩＳＤＮクロストーク除去例文帳に追加

ISDN CROSSTALK CANCELLATION IN DSL SYSTEM - 特許庁

ｎ^+ 型ＧａＡｓ基板２２の上に、ｎ^+ 型ＧａＡｓ層２４、ｎ^+ 型ＩｎＧａＰ層２６、ｎ^+ 型ＩｎＡｌＰ層２８、ｎ型ＩｎＧａＰ層３０、ｐ型ＩｎＧａＰ層３２、およびｐ型ＩｎＡｌＰ層３４が、この順序で積層されている。例文帳に追加

An n+-type GaAs layer 24, an n+-type InGaP layer 26, an n+- typed InAlP layer 28, an n-type InGaP layer 30, a p-type InGaP layer 32, and a p-type InAlP layer 34 are laminated in this order on an n+-type GaAs substrate 22. - 特許庁

ボイラ火炉の低ＮＯｘ燃焼方法及び低ＮＯｘ燃焼装置例文帳に追加

LOW NOX COMBUSTION METHOD AND LOW NOX COMBUSTION DEVICE FOR BOILER FURNACE - 特許庁

灰溶融炉における低ＮＯｘ燃焼装置及び低ＮＯｘ燃焼方法例文帳に追加

LOW NOx BURNING DEVICE AND METHOD FOR ASH MELTING FURNACE - 特許庁

銅合金をＺｎを２３〜２８wt％、Ｓｎを０．３〜１．８wt％含有し、かつ次式を満たす基本組成のＣｕ−Ｚｎ−Ｓｎとする。例文帳に追加

This copper alloy has a fundamental composition of Cu-Zn-Sn containing, by weight, 23 to 28% Zn and 0.3 to 1.8% Sn and satisfying the following inequality: 6.0≤0.25X+Y≤8.5 (wherein, X is Zn wt.%, and Y is Sn wt.%). - 特許庁

パターン発生器ＰＧは、ドライバＤＲ_１〜ＤＲ_４が出力すべき試験信号Ｓ_ＴＥＳＴを記述するテストパターンＳ_ＰＴＮ１〜Ｓ_ＰＴＮ４と、ドライバＤＲ_５、ＤＲ_６が出力すべき制御信号Ｓ_ＣＮＴ２、Ｓ_ＣＮＴ１を記述する制御パターンＳ_ＰＴＮ５、Ｓ_ＰＴＮ６を生成する。例文帳に追加

A pattern generator PG generates test patterns S_PTN1 to S_PTN4 for describing test signals S_TEST to be output by drivers DR_1 to DR_4, and control patterns S_PTN5 and S_PTN6 for describing control signals S_CNT2 and S_CNT1 to be output by drivers DR_5 and DR_6. - 特許庁

複数のダウンストリームポート回路６０−１〜６０−ｎのうちの少なくとも１つとしてアップ／ダウンストリームポート回路６０−ｎが設けられる。例文帳に追加

An up/downstream port circuit 60-n is provided as at least one of the plurality of downstream port circuits 60-1 to 60-n. - 特許庁

縮小ＮＧマスク補正部１６４２は、ＮＧエリアを補正し、補正後のＮＧエリアを含む補正縮小ＮＧマスクを作成する。例文帳に追加

A reduced NG mask correction part 1642 corrects the NG area, and creates a corrected reduced NG mask including the NG area after correction. - 特許庁

Ｆｅ_2Ｏ_3：６２〜６８ｍｏｌ％、ＺｎＯ：１２〜２０ｍｏｌ％、ＮｉＯ：０．２〜５ｍｏｌ％、残部実質的にＭｎＯを主成分とする焼結体とする。例文帳に追加

The ferritic material consists of a sintered compact having a composition comprising, by mol, 62 to 68% Fe_2O_3, 12 to 20% ZnO and 0.2 to 5% NiO, and the balance substantially MnO as the main components. - 特許庁

リアプロジェクタの投写ユニットは赤色狭波長帯光（６１５ｎｍ〜６３０ｎｍ）と緑色狭波長帯光（５１５ｎｍ〜５２５ｎｍ）と青色狭波長帯光（４６０ｎｍ〜４６７ｎｍ）を出射するＬＥＤ光源を備えている。例文帳に追加

A projection unit for a rear projector includes LED light sources for emitting red narrow wavelength band light (615nm to 630nm), green narrow wavelength band light (515nm to 525nm), and blue narrow wavelength band light (460nm to 467nm). - 特許庁

第１の光学補償層は、ｎｘ＞ｎｙ＝ｎｚの屈折率分布を有し、かつ、その面内位相差Ｒｅ_１が２００〜３００ｎｍである。例文帳に追加

The first optical compensation layer has a refractive index profile of nx>ny=nz and an in-plane retardation Re_1 of 200 to 300 nm. - 特許庁

ＴＭＮエージェント生成装置６は、データベース２０００を有する。例文帳に追加

This TMN agent generation device 6 is provided with a data base 2000. - 特許庁

また、第２のタイプのＰ型ＭＯＳトランジスタ１ＰＮＨ，１ＰＮＬおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ１ＮＮＨ，１ＮＮＬはいずれもゲート電極２ＮにＮ型半導体膜を有するのでＮ型半導体膜同士を直接結合でき、これにより回路面積の増大を抑制できる。例文帳に追加

Since the second p-type MOS transistors 1PNH and 1PNL and n-type MOS transistors 1NNH and 1NNL all have an n-type semiconductor film in the gate electrode 2N, the n-type semiconductor films can be directly joined to each other which suppresses an increase in circuit area. - 特許庁

また、位相差フィルム８の面内位相差Ｒｅ_2は、２００ｎｍ≦Ｒｅ_2≦３００ｎｍを満たし、位相差フィルム８のＮｚ値は、０．４＜Ｎｚ≦０．８を満たし、位相差フィルム８の平均屈折率Ｎａｖｅは、１．４≦Ｎａｖｅ≦２．０を満たす。例文帳に追加

An in-plane phase difference Re_2 of the retardation film 8 satisfies 200 nm≤Re_2≤300 nm, an Nz value of the retardation film 8 satisfies 0.4<Nz≤0.8, and an average refractive index Nave of the retardation film 8 satisfies 1.4≤Nave≤2.0. - 特許庁

この表示装置では、シフトレジスタ回路部５０ｎの第１回路部５０ｎａは、負側電位ＶＢＢに接続されたトランジスタＮＴ１０ｎ１と、トランジスタＮＴ１０ｎ１とクロック信号線（ＣＫＶ１）との間に接続されたトランジスタＮＴ１０ｎ７とを含む。例文帳に追加

In the display device, a first circuit part 50na of a shift register circuit part 50n includes a transistor NT10n1 connected to potential VBB on the negative side and a transistor NT10n7 connected between the transistor NT10n1 and a clock signal line (CKV1). - 特許庁

Ｃｅｑ．Ｗ ＝Ｃ＋Ｍｎ／ ６＋Ｓｉ／２４ ＋Ｎｉ／４０ ＋Ｃｒ／ ５＋Ｍｏ／ ４＋Ｖ／１４ ・・・（１）Ｐｃｍ＝Ｃ＋Ｓｉ／３０ ＋Ｍｎ／２０ ＋Ｃｕ／２０ ＋Ｎｉ／６０ ＋Ｃｒ／２０ ＋Ｍｏ／１５ ＋Ｖ／１０ ＋５Ｂ・・・（２）さらに、Ｃｕ：０．０３〜１．５ ％、Ｎｉ：０．０３〜２％、Ｃｒ：０．０３〜１．０ ％、Ｍｏ：０．０３〜１．０ ％、Ｎｂ：０．００３ 〜０．０８０ ％、およびＶ：０．００３ 〜０．２０％から成る群から選ばれた１種または２種以上を含有してもよい。例文帳に追加

Further, one or more kinds selected from the group consisting of 0.03 to 1.5% Cu, 0.03 to 2% Ni, 0.03 to 1.0% Cr, 0.03 to 1.0% Mo, 0.003 to 0.080% Nb and 0.003 to 0.20% V can be contained. - 特許庁

そして、サーボロジック部６０は、角速度ωｓ（ｎ）に基づいて回転角度θｓ（ｎ）を導出する。例文帳に追加

The servo logic part 60 draws out a rotation angle θs(n), based on the angular velocity ωs(n). - 特許庁

Ｓｉ（１１０）基板上に、２Ｈ−ＡｌＮバッファー層を介して、ＧａＮ（０００１）もしくはＡｌＮ（０００１）単結晶膜、または、ＧａＮ（０００１）およびＡｌＮ（０００１）の超格子構造を形成する。例文帳に追加

A GaN (0001) or an AlN (0001) single crystal film, or a super-lattice structure of the GaN (0001) and the AlN (0001) is formed on a Si (110) substrate via a 2H-AlN buffer layer. - 特許庁

重量で、Ａｌ２〜２０％，Ｚｎ０.１〜１０％，Ｓｎ０.１〜１５％及びＭｎ０.０５〜１.５％を含むことを特徴とする高強度Ｍｇ基合金。例文帳に追加

The high strength Mg base alloy contains, by weight, 2 to 20% Al, 0.1 to 10% Zn, 0.1 to 15% Sn and 0.05 to 1.5% Mn. - 特許庁

強誘電体膜５５ｃの厚さは、７０ｎｍ〜２５０ｎｍとする。例文帳に追加

The thickness of the ferroelectric film 55c is set at 70-250 nm. - 特許庁

ＡＮＮが、ＡＮＮのすべてのニューロンに共通の、すべての構成要素ノルムを記憶するグローバル・メモリを備える。例文帳に追加

The ANN is provided with a global memory for storing the whole component norms that are common to the whole neurons in the ANN. - 特許庁

ＮＯｘ、ＮＯｘＡｙ、ＨＮＯｘ、ＮＯｘ・ｎＨＡ、ＮＯｘＡｙ・ｎＨＡ、ＨＮＯｘ・ｎＨＡ、またはこれらの混合物ガスを分解するに際し、該ガスを含むガスにＦ_2ガスとＨＦガスを添加し混合雰囲気中５０℃以上の温度で分解する。例文帳に追加

When decomposing NOx, NOxAy, HNOx, NOx-nHA, NOxAy-nHA, HNOx-nHA, or their mixture, F_2 gas and HF gas are added to the gas containing these gases and the gas is decomposed at ≥50°C in the mixed atmosphere. - 特許庁

そして、入力端子ＩＮ，ＱＮにスイッチ回路３０が接続されている。例文帳に追加

A switching circuit 30 is connected to input terminals IN and QN. - 特許庁

デジタルフィルタＤＦ０ｓ〜ＤＦｎｓの出力をスピーカＳＰ０〜ＳＰｎに供給する。例文帳に追加

The speakers SP0-SPn are fed with outputs of the digital filters DF0s-DFns. - 特許庁

サファイア基板１１上に、ＧａＮバッファ層１２、ｎ−Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層１３、ｎ−Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ層１４、Ｉｎ_ｚＧａ_１−ｚＮ層１５、ｐ−Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ層１６およびｐ−ＧａＮ層１７をこの順に積層する。例文帳に追加

A GaN buffer layer 12, an n-Al_xGa_1-xN layer 13, an n-Al_yGa_1-y layer 14, an In_z-Ga_1-zN layer 15, a p-Al_yGa_1-yN layer 16, and a p-GaN layer 17 are layered on a sapphire substrate 11 in this order. - 特許庁

ＮＴＳＣデコード部１０６はＮＴＳＣ信号１２２をデジタル画像データ１２３に変換する。例文帳に追加

An NTSC decoding part 106 converts the NTSC signal 122 into digital image data 123. - 特許庁

ｎ個（ｎは２以上の整数）のクロック入力端子ＣＬＫ１〜ＣＬＫｎは、それぞれにクロック信号ＣＬＫ１〜ＣＬＫｎが入力される。例文帳に追加

Clock signals CLK1-CLKn are input into n pieces (n is an integer of two or more) clock input terminals CLK1-CLKn respectively. - 特許庁

ＤＲＮＣ５３ｃは、ＲＮＣ制御部１０４にてＳＲＮＳ Ｒｅｌｏｃａｔｉｏｎの実行時刻を設定し、設定したＳＲＮＳ Ｒｅｌｏｃａｔｉｏｎの実行時刻の通知を含むDrift RNC Setup RequestメッセージをＳＲＮＣ５３ａに対して送信する（ステップＳＴ３０４）。例文帳に追加

In a DRNC 53c, an RNC control section 104 sets an execution time of SRNS Relocation and transmits a Drift RNC Setup Request message including the notice of the setting execution time of the SRNS Relocation to a SRNC 53a (step ST 304). - 特許庁

ダイオード１００は、カソードＮ＋層１０１およびＮ−層１０２を有するＳｉ基板を備える。例文帳に追加

The diode 100 is provided with the Si substrate having cathode N+ layer 101 and N- layer 102. - 特許庁

この発明の半導体レーザ素子１００は、ＧａＩｎＡｓＳｂＮの組成である井戸層１０６を有する。例文帳に追加

The semiconductor laser device 100 includes a well layer 106 having a composition of GaInAsSbN. - 特許庁

ＺｎＯ基板１上にｎ型Ｍｇ_ＺＺｎＯ層２、アンドープＭｇＺｎＯ層３、ＭＱＷ活性層４、アンドープＭｇ_ＸＺｎＯ層５、アクセプタドープＭｇ_ＹＺｎＯ層６が順に積層されている。例文帳に追加

In the ZnO semiconductor element, an n-type Mg_ZZnO layer 2, an undoped MgZnO layer 3, an MQW active layer 4, an undoped Mg_XZnO layer 5 and an acceptor-doped Mg_YZnO layer 6 are sequentially laminated on a ZnO substrate 1. - 特許庁

第１のＮウエル３Ｂは、縦型ＮＰＮバイポーラトランジスタ３０のコレクタに用いられている。例文帳に追加

The first n-well 3B is used as the collector of a vertical type npn bipolar transistor 30. - 特許庁

基板ＧＮＤブロック２６と外郭ＧＮＤブロック３２を電気的接続する。例文帳に追加

The substrate GND block 26 and the outlying GND block 32 are electrically connected. - 特許庁