「くろーぬす」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

短繊維２０の引っ張り強度は、８．６ｃＮ／ｄｔｅｘないし１６．２ｃＮ／ｄｔｅｘである。例文帳に追加

The tensile strength of the short fibers 20 is 8.6-16.2 cN/dtex. - 特許庁

ｎ−ＩｎＰ基板１００上にｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層１０１やｎ−ＩｎＧａＡｓ受光層１０３等からなる半導体多層膜を順次エピタキシャル成長した後、ＳｉＮ膜を堆積し、パターニングを行う。例文帳に追加

Semiconductor multi-layer films constituted of n-InGaAsP light absorption layers 101 or n-InGaAs light receiving layers 103 or the like are epitaxially grown on an n-InP substrate 100, and an SiN film is deposited and patterned. - 特許庁

基板１０の上に形成されたＧａＮ層１２の上に、６５０〜８００℃の範囲でＩｎＧａＮ／ＧａＮ ＭＱＷ１８を形成する。例文帳に追加

InGaN/GaN MQW 18 is formed on a GaN layer 12 formed on a substrate 10 in the range of 650 to 800°C. - 特許庁

コランダム構造のＩｎ、Ｓｎ及びＺｎの酸化物を含み、酸素を除く全原子に占める前記Ｉｎ、Ｓｎ及びＺｎの割合が、２０ｍｏｌ％≦Ｉｎ≦７０ｍｏｌ％、５ｍｏｌ％≦Ｓｎ≦６０ｍｏｌ％、５ｍｏｌ％≦Ｚｎ≦６０ｍｏｌ％である酸化物導電性材料。例文帳に追加

This oxide conductive material contains oxides of In, Sn and Zn of a corundum structure, wherein the ratios of In, Sn and Zn in all the atoms excluding oxygen satisfy 20 mol%≤In≤70 mol%, 5 mol%≤Sn≤60 mol%, and 5 mol%≤Zn≤60 mol%. - 特許庁

ホストの要素Ｎ１は、要素Ｎ３、要素Ｎ６、要素Ｎ８を介して、ストレージ装置内の要素Ｎ１０に接続されている（Ｓ１）。例文帳に追加

An element N1 of a host is connected through an element N3, element N6 and element N8 to an element 10 in a storage device (S1). - 特許庁

ｎ型ＧａＮ層３の上に形成されたショットキー電極６は、ＷＮ_ｘ層４を有し、ｎ型ＧａＮ層３とＷＮ_ｘ層４とが接触する面において、ｎ型ＧａＮ層３の結晶面は六方晶の（０００１）面であり、ＷＮｘ層４の結晶面は（１１１）面に配向している。例文帳に追加

A crystalline plane of the n-type GaN layer 3 is a hexagonal (0001) face in a face where the n-type GaN layer 3 is brought into contact with a WN_x layer 4, and the crystalline plane of the WN_x layer 4 is oriented to a (111) face. - 特許庁

ＢＧａＮまたはＧａＮからなるｎ−光ガイド層７とＢＩｎＧａＮまたはＩｎＧａＮからなるｎ−ＭＱＷ活性層９との間にＢＡｌＧａＮまたはＡｌＧａＮからなる大きなバンドギャップを有するｎ−キャリアブロック層８を設ける。例文帳に追加

An n-carrier block layer 8 with a large band gap, consisting of BAlGaN or AlGaN is provided between an n-light guide layer 7, that is made of BGaN or GAN and an n-MQW active layer 9 made of BInGAN or InGaN. - 特許庁

銅細線１２で編んだクロス状のメッシュ１１にＳｎもしくはＳｎ合金（Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｆｅ、Ｓｎ−Ｃｏ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｓｂなど）めっきを施した。例文帳に追加

Sn or Sn alloy (Sn-Cu, Sn-Fe, Sn-Co, Sn-Ag, and Sn-Sb or the like) plating is applied to a cloth-like mesh 11 braided by a Cu wire 12. - 特許庁

また、プリチャージ回路は、第２のトランジスタと、ＮＡＮＤ回路と、を含む。例文帳に追加

The pre-charge circuit includes a second transistor and a NAND circuit. - 特許庁

また、プリチャージ回路は、第２のトランジスタと、ＮＡＮＤ回路と、を含む。例文帳に追加

The precharge circuit includes a second transistor and a NAND circuit. - 特許庁

ＲＡＭは、最大階調ビット数をｎ１（ｎ１は２以上の整数）、指定階調ビット数をｎ２（１≦ｎ２≦ｎ１）とした時、ｋ＝ｌｏｇ_２（ｎ１／ｎ２）を満たす２ｋ（ｋは０か自然数）フレームに分けてｎ２の表示データを格納する。例文帳に追加

The RAM regards the maximum gradation bit number as n1 (n1: an integer of 2 or more) and the designated gradation bit number as n2 (1≤n2≤n1) and stores display data of n2 by dividing it into 2k (k: 0 or a natural number) frames satisfying k=log_2(n1/n2). - 特許庁

２つの計尺ローラ１２と１３の回転量が、それぞれＮ_1とＮ_2（Ｎ_1＞Ｎ_2）であるとき、計尺ローラ上を走行する線条体１１の走行量Ｌは、ｋを定数として、 Ｌ＝（ｋＮ_1Ｎ_2）／（Ｎ_1−Ｎ_2） により算出する。例文帳に追加

A running amount L of the filament body 11 running on the length measuring rollers is calculated pursuant to L=(kN_1N_2)/(N_1-N_2), where N_1 and N_2 (N_1>N_2) are the rotation amounts of the two length measuring rollers 12, 13, and k is a constant. - 特許庁

式（１）：Ｍ（５７８ｎｍ）−Ｍ（６１０ｎｍ）＞１．０、 式（２）：Ｍ（４９８ｎｍ）−Ｍ（４５０ｎｍ）＞１．０、 式（３）：Ｃ（５７８ｎｍ）−Ｃ（５４０ｎｍ）＞１．０、 式（４）：Ｙ（４７７ｎｍ）−Ｙ（５４０ｎｍ）＞１．０、 Ｍ（λ）、Ｃ（λ）及びＹ（λ）はマゼンタ、シアン及びイエローの各色材の光学濃度を表し、ピーク濃度は３とする。例文帳に追加

In the expressions, M(λ), C(λ) and Y(λ) represent optical densities of the magenta, cyan and yellow color materials, respectively, and peak densities are set to 3. - 特許庁

２００ｎｍ以下、特に１９３ｎｍまたは１５７ｎｍの波長を有する短波長イメージングに適する。例文帳に追加

To provide a photoresist composition suitable for short wavelength imaging, including sub-200 nm, particularly 193 nm or 157 nm. - 特許庁

ＳＮＲ推定器１６は、画像信号のＳＮＲを推定する。例文帳に追加

The SNR estimator 16 estimates an SNR of an image signal. - 特許庁

III族窒化物系化合物半導体発光素子１００は、サファイア基板１０、ｎ型ＧａＮ層１１、ｎ型ＡｌＧａＮ層１２、ＧａＮ／ＩｎＧａＮ多重量子井戸構造の発光層１３、ｐ型ＡｌＧａＮ層１４、ｐ型ＧａＮ層１５、ｐ^+型ＧａＮ層１６を有する。例文帳に追加

The group III nitride-based compound semiconductor light-emitting element 100 has a sapphire substrate 10, an n-type GaN layer 11, an n-type AlGaN layer 12, a light-emitting layer 13 of GaN/InGaN multiple quantum well structure, a p-type AlGaN layer 14, a p-type GaN layer 15, and a p^+-type GaN layer 16. - 特許庁

ゲートとボディを短絡すると、ＮＭＯＳトランジスタＮ６，Ｎ８の閾値電圧が下がる。例文帳に追加

When the gate and the body are short-circuited, the threshold voltage of the NMOS transistors N6 and N8 is lowered. - 特許庁

Ｎ１，Ｎ８−ジアセチルスペルミジンに対する高特異性モノクローナル抗体例文帳に追加

MONOCLONAL ANTIBODY HAVING HIGH SPECIFICITY TO N1,N8-DIACETYL-SPERMIDINE - 特許庁

ナノドット１３ａの径は６０ｎｍ以下または２０ｎｍ以下にする。例文帳に追加

The nanodot 13a has a diameter of ≤60 nm or ≤20 nm. - 特許庁

ｎ^- 型シリコン層４にはＮＰＮトランジスタ（ｐウェル領域６、ｎ^+ 型領域７、ディープｎ^+ 領域１０）が形成されている。例文帳に追加

In the silicon layer 4, an NPN transistor (composed of a p-type well region 6, an n+-type region 7, and a deep n+-type region 10) is formed. - 特許庁

加算器３６ｃでは、ノルムＶｎ１を補正量Ｖｎｃｏｒによって補正する。例文帳に追加

An adder 36c corrects the norm Vn1 by the correction amount Vncor. - 特許庁

ＮＣデータ作成装置、ＮＣデータ作成システム、ＮＣデータ作成方法及びＮＣデータ作成プログラム例文帳に追加

NC DATA PREPARATION DEVICE, NC DATA PREPARATION SYSTEM, NC DATA PREPARATION METHOD AND NC DATA PREPARATION PROGRAM - 特許庁

ω_１＋ω_２＝（ｂ_ａｎ１＋ｂ_ａｎ２）＋（ｎ_ａｎ１＋ｎ_ａｎ２） 角速度ω_１，ω_２の差及び和を時間平均すると、ノイズの項は０に収束するので、上記２式よりバイアスｂ_ａｎ１，ｂ_ａｎ２を算出できる。例文帳に追加

When the difference and the sum are averaged over time, since the noise term converges to zero, the biases b_an1, b_an2 can be calculated from these two equations. - 特許庁

これにより、ＺｎＯ_1-xＳ_x（０．００１≦ｘ≦０．３）またはＺｎＯ_1-xＮ_x（０．００１≦ｘ≦０．３）で表される構造を有する光触媒が得られる。例文帳に追加

or ZnO_1-xN_x (0.001≤x≤0.3) is obtained. - 特許庁

Ｂｉ_6Ｏ_6（ＯＨ）_x（ＮＯ_2）_6-x・ｎＨ_2Ｏ （１） （３．５＜ｘ＜５．５、ｎは０又は正の数）例文帳に追加

(wherein 3.5<x<5.5; and n is 0 or a positive number). - 特許庁

第１番目のインバータ回路ＩＮＶ１とは異なる第ｎ番目のインバータ回路ＩＮＶｎは、第（ｎ−１）番目のインバータ回路ＩＮＶ（ｎ−１）に含まれるトランス Ｔ（ｎ−１）の第３の巻線Ｎ３（ｎ−１）から供給される正帰還信号により自励発振を継続する。例文帳に追加

The (n)th inverter circuit INVn different from the first inverter circuit INV1 continues self-excited oscillation by a positive feedback signal supplied from the third coil N3 (n-1) of the transformer (n-1) included in the (n-1)th inverter circuit INV (n-1). - 特許庁

ＵＰｎＰコントロール・ポイント１５０は、ＵＰｎＰメディアサーバデバイス３３０にＵＰｎＰのイベント登録メッセージを送信する。例文帳に追加

A UPnP control point 150 transmits an event registration message of UPnP to a UPnP medium server device 330. - 特許庁

データＣ_ｎは、イコライザ７０_ｎでピークシフト量Ｌ_ｎが減少するように係数Ｐ_ｎａ，Ｐ_ｎｂが設定された特性に基づいて波形整形され、同イコライザ７０_ｎから再生データＤ_ｎが出力される。例文帳に追加

An equalizer 70_n shapes the waveform of the data C_n on the basis of a characteristic where coefficients P_na and P_nb are set so as to reduce a peak shift amount L_n, and the equalizer 70_n outputs the reproduced data D_n. - 特許庁

ｎ型ＭｇＺｎＯ層３は、ＺｎＯにＭｇが含有されたＭｇ_ｘＺｎ_ｘ−１Ｏ（ただし、０≦ｘ≦１）混晶からなる。例文帳に追加

The n-type MgZnO layer 3 is composed of a Mg_xZn_x-1O (but 0≤x≤1) mixed crystal in which Mg is included in ZnO. - 特許庁

チロシナーゼ発現を阻害する二重鎖ＲＮＡオリゴヌクレオチド例文帳に追加

DOUBLE-STRANDED RNA OLIGONUCLEOTIDE FOR INHIBITING TYROSINASE EXPRESSION - 特許庁

マップ検索処理では、０°≦ＡＮＧ≦４５°の角度ＡＮＧの正接ｔａｎ（ＡＮＧ）を検索用パラメータＴＡＮの絶対値｜ＴＡＮ｜とし、角度ＡＮＧと、絶対値｜ＴＡＮ｜との対応関係を示す所定マップに対して、絶対値｜ＴＡＮ｜に応じたマップ検索を行い、角度ＡＮＧを算出する。例文帳に追加

In the map retrieval process, the tan(ANG) of angle ANG being 0°≤ANG≤45° is made the absolute value |TAN| for parameter TAN for searching, the prescribed map representing the corresponding relation between the angle ANG and absolute value |TAN|, the map search corresponding to the absolute value |TAN| is performed and the angle ANG is calculated (S06). - 特許庁

ボディ領域として機能するＮ型不純物層Ｎ１４，Ｎ１５，Ｎ１６にはそれぞれＮ型不純物層Ｎ１７，Ｎ１８，Ｎ１９を介して、更にいずれもＮ型不純物層ＮＬを介して高電位線ＶＤＬに接続される。例文帳に追加

N-type impurity layers N14, N15, and N16 functioning as a body region are connected to a high potential line VDL via the N-type impurity layers N17, N18 and N19, respectively, and moreover via the N-type impurity layer NL. - 特許庁

バッファ層は、例えばＩｎ_ｍＡｌ_ｎＧａ_１−ｍ−ｎＡｓ（０≦ｍ＜１、０＜ｎ≦１、０＜ｎ＋ｍ≦１）のエピタキシャル結晶からなる。例文帳に追加

The buffer layer is composed of, for instance, an In_mAl_nGa_1-m-nAs (0≤m<1, 0<n≤1, 0<n+m≤1) epitaxial crystal. - 特許庁

更に、ＰＮＰ１４とＮＰＮ１６に流れる電流をカレントミラー１７，１８で検出する。例文帳に追加

Further, currents flowing to the PNP 14 and the NPN 16 are detected by current mirrors 17, 18. - 特許庁

次に、シール型抜き機５を下降させてその型抜き筒５ｂでシール６に型抜き加工を施す。例文帳に追加

Then, a seal punch-out machine 5 is lowered, and the seal 6 is punched out by a punch-out cylinder 5b. - 特許庁

クリーニング部材６０は、基布６２ａとその基布６２ａの表面に静電植毛された植毛群６２ｄを有する植毛布６２を備える。例文帳に追加

The cleaning member 60 includes a flocked fabric 62 having a base fabric 62a and flocked groups 62d electrostatically flocked on the surface of the base fabric 62a. - 特許庁

塗潰しストローク生成部１３６が、描画領域を塗潰す複数のストロークである塗潰しストロークを生成する。例文帳に追加

A solid painting stroke generation section 136 generates a solid painting stroke as a plurality of strokes for solidly painting an image plotting region. - 特許庁

そして、ＩｎＧａＮ層１１は、ＩｎＧａＮ層１１内のＩｎの組成比をｙ％とし、ＩｎＧａＮ層１１内の膜厚をｘÅ（１０≦ｘ≦３５）とし、１９．５≦ａ≦２７．４とすると、ｙ＝−０．６７ｘ＋ａを満たすようにＩｎＧａＮ層１１が形成されている。例文帳に追加

Moreover, the InGaN layer 11 is formed to satisfy the relationship of y=0.67x+a, when the composition ratio of In in InGaN layer 11 is assumed as y%, film thickness in the InGaN layer 11 as x Å (10≤x≤35), and (a) is within the range of 19.5≤a≤27.4. - 特許庁

ＶＰＮユーザ管理方法、ＶＰＮサービスネットワークシステム、ＶＰＮ接続サーバ、ＶＰＮ転送装置およびプログラム例文帳に追加

VPN USER MANAGEMENT METHOD, VPN SERVICE NETWORK SYSTEM, VPN CONNECTION SERVER, VPN TRANSFER DEVICE, AND PROGRAM - 特許庁

ＧＰＳ信号に基づいて方位角度θｎ（ｎ＝０，１，２，）を算出する。例文帳に追加

An azimuth angle θn (n=0, 1, 2, etc.) is calculated based on GPS signal. - 特許庁

シンクロナスモータ及びＮ相シンクロナスモータ例文帳に追加

SYNCHRONOUS MOTOR AND N-PHASE SYNCHRONOUS MOTOR - 特許庁

（Ａ）長手方向の屈折率（Ｎｘ）と幅方向の屈折率（Ｎｙ）との差（Ｎｘ−Ｎｙ）が−０．０２０〜０ （Ｂ）長手方向における（Ｎｘ−Ｎｙ）のばらつきが０．００５以下 （Ｃ）１２０℃における熱収縮率が５％以下例文帳に追加

(B) the dispersion of the (Nx-Ny) in the longitudinal direction is ≤0.005; and heat shrinkage at 120°C is ≤5%. - 特許庁

シロイヌナズナＴ−ＤＮＡタグラインを利用して、根端で特異的に発現するシロイヌナズナ遺伝子（ＡｔＧＣＮ２０−３）を同定した。例文帳に追加

Arabidopsis thalina gene(AtGCN20-3) specifically expressing at the root end of Arabidopsis thalina is identified using an Arabidopsis thalina T-DNA tag line. - 特許庁

６４×６４サイズのマトリクスノイズテーブルの各要素を示すテーブル番号をＮ１（ｍ，ｎ）とする（ｍ＝０，１，２，…，６３，ｎ＝０，１，２，…，６３）。例文帳に追加

Table numbers which indicate respective elements of a 64×64 size matrix noise table are defined as N1 (m, n) (m=0, 1, 2 to 63 and n=0, 1, 2 to 63). - 特許庁

Ｓｎ−Ｃｕ−Ｃｒ合金は、Ｓｎに対するＣｕの質量比Ｃｕ／Ｓｎが０．０５〜０．２０であり、かつ、Ｓｎに対するＣｒの質量比Ｃｒ／Ｓｎが０．１５〜０．４０である。例文帳に追加

In the Sn-Cu-Cr alloy, the mass ratio Cu/Sn of Cu for Sn is 0.05-0.20 and the mass ratio Cr/Sn of Cr for Sn is 0.15-0.40. - 特許庁